沈國(guó)晟，陳文理，李 仲，洪瑞江

(1. 中山大學(xué)太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所∥廣東省光伏技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，廣東 廣州 510006；2. 青海民族大學(xué)物理與電子信息科學(xué)學(xué)院，青海 西寧 810007)

中頻磁控濺射法制備摻氫氮化硅減反/鈍化復(fù)合功能薄膜的研究

沈國(guó)晟1，陳文理1，李 仲2，洪瑞江1

(1. 中山大學(xué)太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所∥廣東省光伏技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，廣東 廣州 510006；2. 青海民族大學(xué)物理與電子信息科學(xué)學(xué)院，青海 西寧 810007)

使用中頻磁控濺射法制備了具有光學(xué)減反射與電學(xué)鈍化的復(fù)合功能的氮化硅(SiNx)薄膜，并對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了綜合研究。結(jié)果表明：在常規(guī)制絨硅片上沉積的兩種不同折射率的單層SiNx減反膜表現(xiàn)出優(yōu)異的光學(xué)性能，其在300～1 100 nm波段的平均反射率由鍍膜前的14.86%下降到鍍膜后的5.50%和6.58%；若采用多層的氮化硅(m-SiNx)+ 氮氧化硅(SiOxNy)薄膜作為減反層，則其平均反射率進(jìn)一步下降到4.03%。同時(shí)，優(yōu)化工藝制備得到的摻氫氮化硅(SiNx∶H)薄膜，表現(xiàn)出良好的電學(xué)鈍化特性。試驗(yàn)中分別制備了兩種復(fù)合結(jié)構(gòu)的薄膜，即SiNx∶H(厚度15 nm) +m-SiNx+ SiOxNy與SiNx∶H(厚度30 nm) +m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合薄膜，其平均反射率分別為5.88%和5.43%； 把這兩種薄膜用于晶體硅太陽(yáng)電池上，其開(kāi)路電壓則都達(dá)到了575 mV，表現(xiàn)出良好的性能。

太陽(yáng)電池；摻氫氮化硅薄膜；減反膜；鈍化膜；中頻磁控濺射

薄膜技術(shù)在光伏產(chǎn)業(yè)上有著廣泛的應(yīng)用[1-3]。對(duì)于高效晶體硅電池來(lái)說(shuō)，在其表面制備兼具光學(xué)減反射與電學(xué)鈍化的功能薄膜至關(guān)重要[4-5]。減反射效果的好壞很大程度決定了太陽(yáng)電池的短路電流大小，而其開(kāi)路電壓則是衡量鈍化效果如何的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。常用的方法是使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)沉積一層摻氫氮化硅(SiNx∶H) 來(lái)作為減反鈍化薄膜。然而，PECVD工藝使用的硅烷(SiH4)是易燃易爆氣體，所以人們又嘗試著使用磁控濺射來(lái)制備這層減反鈍化薄膜。早在1999年，Vetter等[6-7]報(bào)道了將氮?dú)?N2)和氫氣(H2)作為反應(yīng)氣體，運(yùn)用射頻磁控濺射方法制備具有鈍化效果的非晶摻氫氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜，將硅片的表面復(fù)合速率降至60 cm/s，并表征了該薄膜；同時(shí)認(rèn)為其特征與PECVD所制備的薄膜接近。二者都強(qiáng)調(diào)使用的是射頻電源，其理由是射頻電源頻率較高、極性轉(zhuǎn)換快，使得轟擊粒子的加速時(shí)間短，從而能量低，降低了沉積薄膜時(shí)對(duì)表面的濺射損傷。本文使用的是中頻電源，其頻率低于射頻電源的頻率，即電場(chǎng)極性轉(zhuǎn)換的頻率較低，這將增加粒子加速的時(shí)間從而增加粒子碰撞時(shí)候的動(dòng)能，使濺射產(chǎn)額變高，沉積速率提高。但過(guò)高能量的轟擊粒子可能會(huì)使硅片表面產(chǎn)生缺陷。在摻入H2進(jìn)行反應(yīng)濺射后，氫離子將會(huì)填補(bǔ)缺陷及懸掛鍵，從而對(duì)表面態(tài)密度的降低有一定幫助。Choi等[8]研究了拋光硅片上沉積SiO2/SiNx雙層薄膜的光學(xué)特性，并在400～1 100 nm波段得到了平均反射率約為3%。后來(lái)Kuo等[9]制備了SiOx/SiOxNy/SiNx三層結(jié)構(gòu)薄膜，并應(yīng)用于寬波段的減反射。但這些研究都只關(guān)注了單一的鈍化特性或減反特性，而且其薄膜也未能應(yīng)用于太陽(yáng)電池產(chǎn)品。本文選用中頻磁控濺射法來(lái)制備薄膜，目的是在沉積速率和鈍化效果中找到一個(gè)平衡點(diǎn)，制備出性能優(yōu)良的薄膜。同時(shí)，通過(guò)多層氮化硅薄膜的優(yōu)化設(shè)計(jì)，達(dá)到減反射的效果。最后將具有減反、鈍化復(fù)合功能的多層薄膜，應(yīng)用到單晶硅太陽(yáng)電池上，并以開(kāi)路電壓(Voc)與短路電流密度(Jsc)來(lái)表征其減反射和電學(xué)鈍化的效果。

1 實(shí)驗(yàn)方法

實(shí)驗(yàn)中的薄膜測(cè)試樣品，使用雙面拋光的p型單晶硅片(性能參數(shù)為：CZ，<100>晶向、厚度300 μm、電阻1～30 Ω)作為襯底，通過(guò)改變工作氣氛從而在其表面實(shí)現(xiàn)SiNx、SiOx、SiNx∶H薄膜的沉積制備。通過(guò)X射線光電子能譜分析(XPS)(Thermo Scientific-ESCALab250型)分析薄膜的元素組分比、電子掃描電鏡(SEM)(Hitachi-S4800型)觀察薄膜的微觀形貌，橢偏儀(Sentech-SpectraRay/3型)測(cè)定薄膜的折射率與厚度，傅里葉紅外光譜(FTIR)(Bruker-EQUINOX 55型)分析薄膜的成分與結(jié)構(gòu)。在得到薄膜的折射率后，使用TFCalc光學(xué)模擬軟件進(jìn)行優(yōu)化，得到在制絨硅片上的優(yōu)化薄膜厚度。

用于太陽(yáng)電池測(cè)試的樣品，采用從東莞南玻光伏科技有限公司獲得的單晶硅片，其性能參數(shù)為：CZ、<100>晶向、厚度200 μm、方阻60 Ω/□，采用常規(guī)制絨，其在300～1 100 nm波段平均反射率為14.86%。在其表面上沉積經(jīng)優(yōu)化后的減反/鈍化復(fù)合薄膜前，硅片都經(jīng)過(guò)常規(guī)的RCA清洗，并浸泡在φ=10%氫氟酸(HF)中除去氧化層。最后，絲網(wǎng)印刷前電極銀柵線、蒸鍍1.5 μm厚的鋁背場(chǎng)并燒結(jié)制成可進(jìn)行I-V測(cè)試的太陽(yáng)電池。印刷銀柵線前進(jìn)行了反射率的測(cè)試，制成太陽(yáng)電池后進(jìn)行外量子效應(yīng)(EQE)測(cè)試(PV Measurements-QEX10型)和I-V測(cè)試(HALM-Cetis PV型)。

2 結(jié)果與討論

在反應(yīng)濺射中，不同的工作氣壓、功率及氣體流量，將極大地影響薄膜的沉積以及其性能。實(shí)驗(yàn)中，本底真空為5×10-4Pa、工作氣壓為0.2 Pa、濺射功率為1 000 W，通過(guò)調(diào)節(jié)氬氣(Ar)與氮?dú)?N2)的流量比從而調(diào)控氣體分壓來(lái)控制氮化硅薄膜的生長(zhǎng)。由于采用的硅靶是由粉末冶金方式壓制而成的，具有一定的孔隙率，而暴露在空氣中的硅又將自然形成厚度約為2 nm的氧化硅層，這將不可避免地在沉積的時(shí)候引入不必要的雜質(zhì)氧。但由于氧的成分占比比較低，所以在XPS分析中將忽略氧。

圖1是沉積薄膜的SEM表面形貌。從圖中可以看出，薄膜是成島狀生長(zhǎng)的，島間的溝道并沒(méi)有被完全的填補(bǔ)，薄膜呈現(xiàn)非致密的生長(zhǎng)。形成這種薄膜結(jié)構(gòu)的原因是：薄膜在襯底表面的缺陷處優(yōu)先形核、生長(zhǎng)，隨后各島都無(wú)序地?cái)U(kuò)張性生長(zhǎng)，當(dāng)在占據(jù)完第一層后、尚未填補(bǔ)完第一層的島間空隙時(shí)，新的核便附著于島頂并開(kāi)始生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)模式導(dǎo)致濺射的薄膜較為疏松。由于稀疏孔洞的存在、且有一定的氧雜質(zhì)而生成氮氧硅(SiOxNy)，這會(huì)導(dǎo)致薄膜的折射率低于致密的SiNx薄膜(折射率n=1.9～2.3)。

圖1 氮化硅薄膜的表面形貌Fig.1 SEM surface morphology of the SiNx film

圖2給出了氮?dú)夥謮簩?duì)薄膜成分及其折射率的影響規(guī)律。薄膜制備參數(shù)為：Ar流量qAr為100mL/min，N2流量qN2分別為2、3、5、10mL/min。圖2中，左邊的縱坐標(biāo)軸設(shè)為x，代表的是非化學(xué)計(jì)量比的非晶氮化硅a-SiNx里邊的x。通過(guò)XPS測(cè)定獲得的薄膜中各元素組分的占比，在去除氧雜質(zhì)和碳雜質(zhì)的影響之后，用w(N)除以w(Si)，則得到x的值。隨著氮?dú)夥謮旱奶岣撸瑒tx值上升，折射率下降，所制備的薄膜趨向于富氮的狀態(tài)。擬合的直線可以近似看作是過(guò)零點(diǎn)的，表明符合理想情況，即在N2分壓為0的時(shí)候(即只有通入Ar時(shí)的情形)，x也是為0。當(dāng)qAr/qN2為100∶2時(shí)，其薄膜折射率最大，達(dá)到1.88；qAr/qN2為100∶10時(shí)，其薄膜折射率最小，為1.66。對(duì)于致密的SiNx薄膜，當(dāng)x= 1.33的時(shí)候，即為Si3N4，其折射率應(yīng)為1.97，但由于我們制備出來(lái)的SiNx如上所述是非致密的，且可能混雜SiOxNy，所以折射率會(huì)低于致密的SiNx薄膜。

圖2 氮?dú)夥謮罕戎蹬c薄膜成分比及其折射率的關(guān)系Fig.2 The refractive index and component ratio of the SiNx film at various N2 partial pressures ration

圖3給出了氮?dú)饬髁颗c薄膜沉積速率的關(guān)系曲線。薄膜的沉積速率基本都在30 nm/min左右。隨著氮?dú)夥謮旱纳仙?，沉積速率略有下降，這可能是反應(yīng)濺射從“金屬模式”轉(zhuǎn)為“氮化模式”的結(jié)果，也就是說(shuō)從Si靶濺射轉(zhuǎn)變?yōu)镾iN濺射模式。N2分壓越高，靶表面生成的越是富氮的SiNx，越偏向于陶瓷屬性，所以濺射產(chǎn)額的下降導(dǎo)致沉積速率的下降。從XPS的數(shù)據(jù)也可以看出：N2含量比例越高，沉積薄膜的氮含量也越高。

圖3 氮?dú)饬髁颗c薄膜沉積速率的關(guān)系Fig.3 The dependent of the deposition rate of the film on the N2 flow

在制備了SiNx后，為了獲得擁有鈍化效果的SiNx∶H，在實(shí)驗(yàn)中通入H2參加反應(yīng)濺射，希望能形成Si-H鍵從而填補(bǔ)硅的懸掛鍵、減少缺陷復(fù)合中心、降低表面態(tài)密度從而提高少子壽命、提高制成電池時(shí)的開(kāi)路電壓。圖4給出了SiNx∶H薄膜與襯底硅片的傅里葉紅外(FTIR)譜圖，為了將數(shù)據(jù)分開(kāi)便于分析，將樣品的吸光度整體提高了0.3。對(duì)比Vernhes等[13]及Mallorqui等[14]所報(bào)道的結(jié)果，在忽略了背景噪音的H2O峰和CO2峰后(1 300～1 900 cm-1和3 550～3 950 cm-1)可以看到，相較于Si襯底在1 107 cm-1的Si-O鍵間隙氧原子峰[10-12]、613 cm-1的Si-Si鍵的特征峰，我們發(fā)現(xiàn)本實(shí)驗(yàn)得到的樣品增加了以下3個(gè)峰：在3 356 cm-1的N-H鍵的伸縮震動(dòng)吸收峰、2 140 cm-1的Si-H鍵的伸縮震動(dòng)吸收峰以及884 cm-1的Si-N鍵的非對(duì)稱伸縮震動(dòng)吸收峰。Si-H鍵的峰并不像Si-O與Si-Si鍵一樣比較尖銳，其半峰寬較大，這是因?yàn)镾i-H鍵其實(shí)還可以細(xì)分為2 000 cm-1左右的H-Si-Si3、2 060 cm-1左右的H-Si-HSi2、2 100 cm-1左右的H-Si-NSi2、2 140 cm-1左右的H-Si-SiN2和H-Si-SiNH、2 170 cm-1左右的H-Si-HN2以及2 220 cm-1左右的H-Si-N3鍵，由此可推斷樣品中H-Si-SiN2和H-Si-SiNH鍵的含量較其它的鍵更高，所以被標(biāo)注為峰的位置。另外一個(gè)原因在于，H-Si鍵相較Si-Si鍵更容易受鄰近原子的影響，導(dǎo)致峰位偏移的值比較大。同理可以解釋N-H峰在3 356 cm-1也是一個(gè)半峰寬很寬的峰、Si-N峰在840 cm-1存在分峰。

圖4 SiNx∶H薄膜的FTIR譜圖Fig.4 Measured infrared absorbance spectrum of the SiNx∶H thin films

我們分別以代號(hào)“SiN-5”和“SiN-3”來(lái)代表qAr/qN2為100∶5與100∶3所制備的兩種SiNx薄膜，它們的折射率與沉積速率分別如圖2和圖3所示。使用TFCalc軟件進(jìn)行模擬，優(yōu)化出只有單層膜時(shí)反射率最優(yōu)的厚度，均約為80 nm。同時(shí)，用插針?lè)ǒB加折射率相差較大的兩種氮化硅薄膜，即制備時(shí)，qAr/qN2分別為100∶10及100∶5，記為“SiN-10”和“SiN-5”，來(lái)模擬優(yōu)化多層減反薄膜體系，從而制備多層的氮化硅薄膜(標(biāo)記為m-SiNx)，這個(gè)多層薄膜實(shí)際上是由具有梯度折射率變化的薄膜疊加組成的。為了進(jìn)一步增強(qiáng)減反效果，還在最外層增加一層SiOxNy薄膜，其制備參數(shù)是qAr/qN2/qO2為100∶5∶10。制備該薄膜的沉積速率為25nm/min，在波長(zhǎng)為632nm時(shí)的折射率為1.49。最后，將上述各個(gè)經(jīng)優(yōu)化后的薄膜沉積到制絨單晶硅片上，并制成太陽(yáng)電池，進(jìn)行外量子效率測(cè)試和減反效果測(cè)試，獲得的外量子效應(yīng)曲線與反射率曲線如圖5所示。

圖5 不同樣品的反射率及外量子效應(yīng)(EQE)曲線。SiN-3與SiN-5：鍍單層氮化硅薄膜的樣品；m-SiNx：鍍多層氮化硅薄膜的樣品；Textured Si：沒(méi)有鍍膜的樣品Fig.5 Comparison of the reflection spectra and external quantum efficiency of the solar cells with various films: SiNx single layer film (SiN-5 and SiN-3), multilayer film (m-SiNx) and no film (textured Si)

從圖5的測(cè)試結(jié)果可以看出：SiN-3薄膜在300～1 100nm波段的平均反射率要低于SiN-5薄膜的平均反射率。因?yàn)?，反射率表達(dá)為

式中，n1是入射介質(zhì)的折射率，n2是出射介質(zhì)的折射率，而透射率則表達(dá)為：T=1-R。因此，若只在硅(Si)與空氣(Air)之間制備一層減反射薄膜(AR)的話，硅片上的透射率應(yīng)為T=TAir-AR×TAR-Si，其最理想的折射率應(yīng)為

由于SiN-3薄膜的折射率比SiN-5薄膜的折射率更為接近理想折射率，所以總體而言，其反射率要略低于SiN-5薄膜。多層減反薄膜的反射率在短波段稍微高一些，這是由于多種不同折射率薄膜疊加導(dǎo)致最低反射率點(diǎn)偏移至長(zhǎng)波段，短波段則反射率比單層的要高一些。實(shí)驗(yàn)測(cè)得在300～1 100 nm波段的平均反射率分別為：制絨硅14.86%，SiN-3薄膜5.50%，SiN-5薄膜6.58%，插針?lè)▋?yōu)化多層減反結(jié)構(gòu)的薄膜為4.03%。可以看出：在沉積了減反薄膜之后，硅片的反射率比單一的制絨表面得到顯著的降低；同時(shí)，鍍有多層減反薄膜的反射率比只有單層減反膜的可再降低1%～2%。外量子效應(yīng)基本是隨著反射率上升而下降，最高值為91.28%，出現(xiàn)在720 nm處。

在硅片實(shí)現(xiàn)了減反射優(yōu)化后，為了進(jìn)一步使薄膜也具有鈍化效果，實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用了多層膜的制備技術(shù)，在硅表面先沉積一層SiNx∶H再沉積m-SiNx與SiOxNy層得到具有減反-鈍化功能的復(fù)合薄膜。由于在加入H2后，會(huì)加快“類靶中毒”現(xiàn)象產(chǎn)生：即電壓下降、氣壓上升，導(dǎo)致沉積工藝變得不可控制。因此，為避免工藝不穩(wěn)定，實(shí)驗(yàn)中沉積SiNx∶H薄膜的時(shí)間應(yīng)盡量短(沉積速率為30 nm/min)。圖6是幾種沉積了薄膜的太陽(yáng)電池的反射率與EQE效率測(cè)試結(jié)果，所沉積的薄膜分別是：SiNx∶H(厚度15 nm) +m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合膜、SiNx∶H(厚度30 nm) +m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合膜及m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合膜。從測(cè)試結(jié)果可以看到：在300～1100 nm波段的平均反射率略有差別，當(dāng)SiNx∶H減反層較薄時(shí)，其反射率為5.88%、略高于另一厚度的5.43%。這是由于SiNx∶H的折射率低于SiN-5氮化硅薄膜的折射率，所以作為與硅片的交界的一層，將使整個(gè)膜系的反射率有所上升，但其減反射效果還是優(yōu)于單層的氮化硅薄膜。

圖6 鍍有多層SiNx∶H與多層SiNx減反薄膜的太陽(yáng)電池的反射率及EQE效率Fig.6 Comparison of the reflection spectra and external quantum efficiency of the solar cells with various films

在沉積多層復(fù)合薄膜之后，經(jīng)由后續(xù)工藝即絲網(wǎng)印刷銀柵線、蒸鍍鋁背場(chǎng)及燒結(jié)等工序，我們獲得了可進(jìn)行效率測(cè)量的太陽(yáng)電池。圖7給出了分別沉積氮化硅(SiN-3和SiN-5)、多層氮化硅(m-SiNx)、摻氫氮化硅(SiNx∶H)以及二氧化硅(SiO2)薄膜的晶體硅太陽(yáng)電池的I-V曲線。從短路電流密度Jsc上看：SiN-3樣品的為26.61 mA/cm2，SiN-5樣品的為26.83 mA/cm2，m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合薄膜樣品的為27.44 mA/cm2，制絨硅片上僅經(jīng)熱氧化的為24.16 mA/cm2，SiNx∶H(厚度30 nm) +m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合薄膜樣品的為27.75 mA/cm2?？梢钥吹较鄬?duì)于制絨硅片來(lái)說(shuō)，單層膜的減反效果也是極其顯著的，其太陽(yáng)電池的短路電流提高了大約2.5 mA/cm2。采用復(fù)合減反薄膜的太陽(yáng)電池可以進(jìn)一步提高1 mA/cm2左右。沉積了SiN-3和SiN-5單層減反薄膜的兩個(gè)樣品，其短路電流的大小只相差0.2 mA左右，沒(méi)有呈現(xiàn)較大的不同，我們推斷這可能是電極制作的原因。對(duì)太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓VOC的測(cè)試表明：制備的摻氫氮化硅多層減反薄膜具有良好的鈍化效果，即VOC從560 mV 左右提高到575 mV。各樣品的VOC如下：SiN-3樣品為560 mV，SiN-5樣品為561 mV，m-SiNx+ SiOxNy復(fù)合薄膜的樣品為562 mV，制絨硅片僅經(jīng)熱氧化的為569 mV，沉積了30 nm厚SiNx∶H的樣品為575 mV。

圖7 沉積各種薄膜(SiNx、SiNx∶H、SiO2)的太陽(yáng)電池的I-V曲線Fig.7 I-V properties of the solar cells with different films: SiNx, SiNx∶H and SiO2

3 結(jié) 論

實(shí)驗(yàn)中所制備的薄膜呈現(xiàn)出較為疏松的多孔結(jié)構(gòu)，相較于致密結(jié)構(gòu)的SiNx，其折射率要偏低一些。通過(guò)改變沉積氣氛，可以獲得不同折射率的薄膜，并成功制備出SiNx∶H + SiNx+ SiOxNy多層的具有兼顧有減反與鈍化性能的復(fù)合功能薄膜。單層SiNx減反薄膜可以將制絨硅片的反射率從14.86%降至5.50%，而m-SiNx+ SiOxNy減反薄膜則可進(jìn)一步將反射率降至4.03%。在硅片表面處添加一層SiNx∶H薄膜，可改善薄膜的鈍化效果。將薄膜應(yīng)用于太陽(yáng)電池上，其短路電流從無(wú)鍍膜的24.16 mA/cm2提高至27.44 mA/cm2(減反層為m-SiNx+ SiOxNy)以及27.75 mA/cm2(減反層為SiNx∶H +m-SiNx+ SiOxNy)，開(kāi)路電壓則從原始的560 mV提高至575 mV，表現(xiàn)出良好的性能。這種復(fù)合功能薄膜在高效晶體硅太陽(yáng)電池上具有應(yīng)用前景。

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Silicon nitride thin films with passivation and anti-reflection properties prepared by mid-frequency magnetron sputtering

SHEN Guosheng1, CHEN Wenli1, LI Zhong2, HONG Ruijiang1

(1. Institute for Solar Energy Systems ∥ Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510006, China;2. College of Physics and Electronic Information Engineering, Qinghai Nationalities University, Xining 810007, China)

Silicon nitride (SiNx) film with excellent quality in both passivation and anti-reflection was deposited by mid-frequency (MF) magnetron sputtering process. The structure, optical property and other relevant performances of the thin films were investigated. The results show that, in the range of 300-1 100 nm, the average reflection of the textured silicon decreased from 14.86% to 5.50% and 6.58% respectively by applying two different single layer of SiNxfilms. The average reflection further decreased to a value of 4.03% when a multilayer of SiNx+ SiOxNyfilm was applied. Meanwhile, a hydrogen doped silicon nitride (SiNx∶H) film was prepared for the passivation purpose. Based on the parameter optimization, two series of the composite films including SiNx∶H (15 nm in thickness) + SiNx+ SiOxNyand SiNx∶H (30 nm in thickness) + SiNx+ SiOxNywere prepared. The average reflections of the composite films reached at 5.88% and 5.43%, respectively. The films were then applied to the crystalline silicon solar cells, an open circuit voltage of 575 mV were achieved, indicating the composite film with a good passivation property.

solar cell; hydrogen doped silicon nitride; anti-reflection film; passivation film; mid-frequency magnetron sputtering

10.13471/j.cnki.acta.snus.2016.05.006

2016-03-09

青海省應(yīng)用基礎(chǔ)研究計(jì)劃資助項(xiàng)目(2014-ZJ-725)；廣東省科技計(jì)劃資助項(xiàng)目(2014A010106009)

沈國(guó)晟(1991年生)，男； 研究方向：薄膜技術(shù); 通訊作者：李仲,洪瑞江;E-mail:13709736484@163.com,hongruij@mail.sysu.edu.cn

TM914.4

A

0529-6579(2016)05-0031-06