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雙色可調(diào)熒光粉MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+的發(fā)光性能和能量傳遞機理研究

2017-02-13 06:32:36吳海勤徐雨胡青松潘再法
浙江化工 2017年1期
關鍵詞:黃光電偶熒光粉

吳海勤,徐雨,胡青松,潘再法

(1.浙江工業(yè)大學化學工程學院,浙江杭州310014)

雙色可調(diào)熒光粉MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+的發(fā)光性能和能量傳遞機理研究

吳海勤,徐雨,胡青松,潘再法*

(1.浙江工業(yè)大學化學工程學院,浙江杭州310014)

采用高溫固相法制備了雙色可調(diào)熒光粉M gY2A l4SiO12:Eu2+,Ce3+,并對其晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性進行了研究。在340 nm紫外光激發(fā)下熒光粉的發(fā)射光譜由兩個譜帶組成,以445 nm為主峰的藍光發(fā)射帶歸屬于Eu2+的4f65d1→4f7能級躍遷,峰值位于565 nm的黃光發(fā)射帶則對應于Ce3+的5d→4f(2F2/7,2F2/5)躍遷。根據(jù)Dexter共振能量傳遞理論和Reisfeld近似計算得到Eu2+,Ce3+之間存在電偶極-電偶極能量傳遞過程。當Eu2+和Ce3+的摻雜濃度分別為0.01和0.06時,熒光粉的色坐標位置落在黃綠光區(qū)域,并可以通過改變基質(zhì)中Eu2+和Ce3+的摩爾比來調(diào)節(jié)熒光粉的色坐標。MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+是一種適用于紫外芯片的新型雙色可調(diào)諧白光LED用熒光粉。

MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+;發(fā)光特性;能量傳遞;雙色熒光粉

0 引言

近年來,白光LED燈由于其具有能耗低、使用壽命長、環(huán)境友好、耐震動等優(yōu)點而得到廣泛的關注,被譽為第四代照明光源[1-3]。目前,商業(yè)上實現(xiàn)白光LED的主流方式是利用藍光LED芯片激發(fā)YAG:Ce3+熒光粉,使其發(fā)射550~580 nm的黃光,該黃光和剩余的藍光混合成白光。但由于YAG:Ce3+的發(fā)光中缺少紅光部分,因此獲得的兩色白光顯色指數(shù)較低,色溫較高[4-5]。另一方面,當前InGaN芯片的發(fā)射波長已經(jīng)藍移到紫外光方面,當前InGaN芯片的發(fā)射波長已經(jīng)藍移到紫外光區(qū),為能夠被紫外光激發(fā)的熒光粉應用到白光LED提供了可能。然而,目前應用于約400 nm紫外光芯片的三基色熒光粉主要還是傳統(tǒng)的熒光粉如:BaMgAl10O17:Eu2+藍粉[6],SrGa2S4:Eu2+綠粉[7], YVO4:Eu3+紅粉[8]等。這些傳統(tǒng)的熒光粉對紫外光吸收較差,混合物之間存在顏色再吸收和配比調(diào)控等問題,流明效率和色彩還原性均受到較大影響[3]。因此,尋找能被紫外光激發(fā)、發(fā)射出可調(diào)多色的單基質(zhì)熒光粉顯得尤為重要。

最近,本課題組報道了石榴石改性熒光粉MgY2Al4SiO12:Ce3+[9]在藍光激發(fā)下發(fā)射最高峰值為565 nm的黃光。我們觀察到,從離子半徑及電荷的匹配性上看,在該基質(zhì)中Mg2+格位非常適合Eu2+的摻雜。特別是,Eu2+是典型的4f-5d躍遷離子,4f-5d躍遷是電偶極允許的躍遷,表現(xiàn)為寬帶發(fā)射[10-12]。在該基質(zhì)中若能獲得藍光發(fā)射,便可作為激活劑,也即將吸收的紫外光能量有效地傳遞給其他激活離子(如Ce3+),從而實現(xiàn)紫外光芯片激發(fā)的單基質(zhì)多色熒光粉。而在MgY2Al4SiO12熒光粉基質(zhì)中同時摻雜Eu2+、Ce3+至今未見文獻報道。

本文選擇MgY2Al4SiO12作為基質(zhì),采用同時摻雜Eu2+、Ce3+分別作為敏化劑和激活劑來實現(xiàn)可調(diào)多色單基質(zhì)熒光粉。通過對MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性進行研究,闡明從Eu2+到Ce3+的能量傳遞機理。發(fā)現(xiàn)可通過調(diào)節(jié)MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+中Eu2+和Ce3+的摻雜濃度來調(diào)控熒光粉的發(fā)光顏色。

1 實驗部分

采用高溫固相反應法制備MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+系列熒光粉。其具體制備過程如下:按照所設計的化學計量比精確稱量MgO(99.5%,Strem Chemicals),Y2O3(99.99%,Aladdin Industrial Corporation),Al2O3(99.99%,Aladdin Industrial Corporation),SiO2(99.99%,Aladdin Industrial Corporation),Eu2O3(99.99%,Aladdin Industrial Corporation),CeO2(99.9%,Aldrich)等初始原料,然后在瑪瑙研缽中研磨均勻得到的前驅(qū)體混合物。將所得到的前驅(qū)體置于剛玉坩堝中,在馬弗爐中以10℃/min的速率升溫至900℃,保溫6 h。自然冷卻后將預燒后的樣品取出再次研磨,再放入馬弗爐中,在弱還原氣氛(95v%N2+5v%H2)下以10℃/min的速率升溫至1300℃,煅燒8 h,自然冷卻后取出經(jīng)研磨,即得所需熒光粉樣品,待測。

采用X射線衍射儀(荷蘭PNAlytical公司,X’Pert PRO)測試熒光粉樣品的X射線衍射譜(XRD)。所用陽極金屬為Cu靶,X射線波長為0.154178 nm,陽極電壓為40 kV。采用熒光光譜儀(法國HORIBA Jobin Yvon公司,F(xiàn)luoromax-4)測試熒光粉樣品的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜。氙燈作為激發(fā)光源,步長為1 nm,PMT電壓為950 V,狹縫為1μm。以上測試均在室溫下進行。

2 結(jié)果與討論

2.1 MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+的XRD分析

圖1是Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,x Ce3+(x= 0,0.01,0.03,0.06,0.09,0.12)系列熒光粉的XRD圖。由圖1可知所合成的樣品的峰與Y3Al5O12標準卡片(PDF No.088-2048)的譜峰相匹配,且沒有雜相。說明Eu2+、Ce3+被有效地摻雜進入基質(zhì)MgY2Al4SiO12中,且在該摻雜濃度范圍內(nèi),樣品的晶體結(jié)構(gòu)保持不變,為石榴石結(jié)構(gòu),立方晶系,空間點群Ia-3d。樣品的XRD譜峰窄且尖銳。

說明在此合成溫度和時長下,已經(jīng)能夠得到結(jié)晶性較好的多晶粉末。此外,隨著Ce3+摻雜濃度的增加,可以觀察到衍射峰向低角度偏移。這一現(xiàn)象可以用布拉格方程2dsinθ=nλ來解釋,由于八配位Ce3+的離子半徑(1.283?)比八配位Y3+的離子半徑(1.159?)大,所以當Ce3+占據(jù)Y3+格位時,晶面間距d值增加,從而導致衍射峰向低角度偏移。

圖1 Mg0.99Y2-x Al4SiO12:0.01Eu2+,x Ce3+的XRD圖Fig.1 XRD pattern of Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,x Ce3+

2.2 MgY2Al4SiO12:Eu2+及MgY2Al4SiO12:Ce3+的熒光光譜

圖2是Mg0.99Y2Al4SiO12:0.01Eu2+和MgY1.94Al4SiO12:0.06Ce3+的激發(fā)和發(fā)射光譜。從圖2(a)可以觀察到Mg0.99Y2Al4SiO12:0.01Eu2+熒光粉在340 nm紫外光激發(fā)下,發(fā)射出一個以445 nm為主峰的藍光發(fā)射寬帶。這是由于在MgY2Al4SiO12基質(zhì)中摻雜Eu2+時,Eu2+占據(jù)Mg2+的格位,發(fā)生從激發(fā)態(tài)4f65d1到基態(tài)4f7的能級躍遷,從而發(fā)射出峰值處于445 nm的藍光發(fā)射帶。

圖2(b)是MgY1.94Al4SiO12:0.06Ce3+熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜。該熒光粉在460 nm藍光激發(fā)下發(fā)射出480~750 nm波長范圍的寬帶,最強發(fā)射峰位于565 nm。以565 nm作為監(jiān)測波長,所得樣品的激發(fā)光譜存在兩個激發(fā)峰,分別位于300~370 nm的紫外區(qū)域和400~500nm的藍光區(qū)域,是由Ce3+離子的4f(2F2/7,2F2/5)兩個能級躍遷到5d能級而產(chǎn)生的。

比較圖2(b)中MgY2Al4SiO12:Ce3+的激發(fā)光譜和圖2(a)中MgY2Al4SiO12:Eu2+的發(fā)射光譜,可以發(fā)現(xiàn)二者存在顯著的光譜重疊。因此,若將Eu2+和Ce3+共摻入MgY2Al4SiO12基質(zhì)中,預期可通過從Eu2+到Ce3+的能量傳遞實現(xiàn)單一波長激發(fā)而獲得雙色的發(fā)光。將Eu2+和Ce3+共摻后,其熒光光譜如圖2(c)所示。在340 nm紫外光激發(fā)下的發(fā)射光譜由兩個發(fā)射帶組成,以445 nm為中心的發(fā)射峰源于Eu2+的藍光發(fā)射,以565 nm為中心的發(fā)射峰則對應于Ce3+發(fā)出的黃光發(fā)射。兩個發(fā)射峰的位置分別與圖2(a)Mg0.99Y2Al4SiO12:0.01Eu2+和圖2(b)MgY1.94Al4SiO12:0.06Ce3+的發(fā)射光譜相一致。圖2(c)中的激發(fā)光譜是分別監(jiān)測445 nm和565nm所得,其中監(jiān)測Ce3+黃光發(fā)射所得到的激發(fā)光譜在紫外區(qū)域的吸收相對于藍光區(qū)域的吸收明顯增強,這可證實在MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+熒光粉中存在著從Eu2+到Ce3+的能量傳遞。

圖2 (a)Mg0.99Y2Al4SiO12:0.01Eu2+,(b)MgY1.94Al4SiO12:0.06Ce3+和(c)Mg0.99Y1.94Al4SiO12:0.01Eu2+,0.06Ce3+的激發(fā)和發(fā)射光譜Fig.2 PLE and PL spectra ofphosphors(a)Mg0.99Y2Al4SiO12:0.01Eu2+,(b)MgY1.94Al4SiO12: 0.06Ce3+and(c)Mg0.99Y1.94Al4SiO12:0.01Eu2+,0.06Ce3+

2.3 Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+的熒光光譜

圖3是Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+(x= 0.01,0.03,0.06,0.09,0.12)系列熒光粉的發(fā)射光譜。熒光粉在340 nm紫外光激發(fā)下發(fā)射出兩個發(fā)射峰,以445 nm為極大峰值的藍光發(fā)射帶源于Eu2+的4f65d1→4f7能級躍遷,以565 nm為最大發(fā)射峰的黃光發(fā)射帶則是Ce3+的5d→4f(2F2/7,2F2/5)躍遷發(fā)射。從圖3可以看出,隨著Ce3+濃度從0.01升高到0.06,Ce3+發(fā)出的黃光發(fā)射峰強度逐漸增強,但在0.06~0.12范圍內(nèi),發(fā)射強度卻隨著Ce3+濃度從0.01升高到0.06,Ce3+發(fā)出的黃光發(fā)射峰強度逐漸增強,但在0.06~0.12范圍內(nèi),發(fā)射強度卻隨著Ce3+濃度的升高而降低,這是因為Ce3+濃度較高時發(fā)生了濃度猝滅現(xiàn)象。而Eu2+發(fā)出的藍光發(fā)射峰強度隨著Ce3+濃度的升高而降低,這也進一步證明了MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+熒光粉中存在著Eu2+,Ce3+間能量傳遞的關系。

圖3 Mg0.99Y2-yAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+在340 nm激發(fā)下的發(fā)射光譜(插圖為能量傳遞效率關系圖)Fig.3 PL spectra for Mg0.99Y2-yAl4SiO12:0.01Eu2+,x Ce3+excited at 340 nm(The inset diaplays the dependence of the energy transfer efficiency on Ce3+concentration)

2.4 Eu2+,Ce3+之間的能量傳遞機理

對于Mg0.99Y2-yAl4SiO12:0.01Eu2+,yCe3+(y=0,0.01,0.03,0.06,0.09,0.12)系列熒光粉,從敏化劑Eu2+到激活劑Ce3+的能量傳遞效率(ηT)可以表示為:

式中,Is0表示熒光粉在沒有摻雜Ce3+時Eu2+發(fā)射峰的發(fā)光強度,而Is表示熒光粉在摻雜Eu2+和Ce3+時Eu2+發(fā)射峰的發(fā)光強度。ηT值會隨著Ce3+摻雜濃度的變化而變化。圖3中的插圖是Ce3+,Eu2+之間能量傳遞效率關系圖。從圖中可以看出,ηT隨著Ce3+濃度的增大而逐漸升高,當Ce3+濃度增大到0.12時ηT高達76.97%。

根據(jù)Dexter共振能量傳遞理論,電多極矩之間相互作用會引起摻雜離子的能量傳遞。由Reisfeld近似可得到:

式中,η0和η分別表示未摻雜Ce3+和摻雜Ce3+時Eu2+在340 nm激發(fā)下的量子效率,C表示的是Ce3+的摻雜濃度,n表示電多極的類型(n= 6,8和10分別對應于電偶極-電偶極,電偶極-電四極和電四極-電四極相互作用)。而η0/η的值可以近似用Is0/Is來計算,因此上式可以轉(zhuǎn)化為:

圖4是Eu2+的發(fā)射強度比Is0/Is與Cn/3(n=6、8、10)的曲線圖。如圖所示,Is0/Is與Cn/3的線性關系在n=6時得到了較好的擬合,因此在MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+體系中Eu2+對Ce3+的能量傳遞是由于電偶極-電偶極相互作用。

圖4 Eu2+的Is0/Is與Cn/3(n=6、8、10)曲線圖Fig.4 Plots of Is0/IsvsCn/3(n=6、8、10)

2.5 Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+的色坐標

圖5為Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+(x= 0,0.01,0.03,0.06,0.09,0.12)系列熒光粉在340 nm紫外光激發(fā)下的色坐標。樣品的色坐標隨著Eu2+和Ce3+濃度配比的不同而改變,從(0.172,0.166)到(0.297,0.361)。在色度圖中顯示的顏色分布在藍光區(qū)域、黃綠光區(qū)域或者介于藍光與黃綠光之間,表明MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+的發(fā)光顏色可以通過調(diào)整Eu2+,Ce3+的摻雜濃度比來進行調(diào)節(jié)。所研制的熒光粉發(fā)射光缺少紅光部分,在作為白光LED熒光粉使用時,可與紅光熒光粉[13-14]同時使用,以得到顯色指數(shù)高的白光。

3 結(jié)論

采用高溫固相法合成了MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+熒光粉,其激發(fā)帶位于250~425 nm波長范圍的紫外光區(qū)域,能夠被紫外LED芯片有效激發(fā)。發(fā)射光譜主要由兩個譜帶組成,最大發(fā)射峰分別位于445 nm和565 nm處。該體系中Eu2+→Ce3+存在電偶極-電偶極能量傳遞。當Eu2+和Ce3+的摻雜濃度分別為0.01和0.06時,熒光粉的色坐標為(0.285,0.345),在CIE-1931色度圖中的位置落在黃綠光區(qū)域,同時可以通過改變基質(zhì)中Eu2+和Ce3+的摩爾比來調(diào)節(jié)熒光粉的色坐標。

圖5 340 nm激發(fā)下Mg0.99Y2-xAl4SiO12:0.01Eu2+,xCe3+的色坐標Fig.5 CIE coordinates forMg0.99Y2-xAl4SiO12: 0.01Eu2+,xCe3+excited at 340 nm

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Lum inescence Properties and Energy Transfer of Tunable Two-Color Phosphor M gY2A l4SiO12:Eu2+,Ce3+

WU Hai-qin,XU Yu,HU Qing-song,PAN Zai-fa*
(Zhejiang University of Technology,Hangzhou,Zhejiang 310014,China)

MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+phosphor was synthesized by a solid-state reaction method.The luminescence of the phosphor shows tunable two-color emission bands under the excitation of 340 nm.The blue emission bandswith peak center at 445 nm was corresponding to the transition of 4f65d1→4f7of Eu2+,while the yellow emission peaking at 565 nm was corresponding to the transition of 5d→4f(2F2/7,2F2/5)of Ce3+. Moreover,the energy transfermechanism of dipole-dipole interaction was deduced by Dexter resonance energy transfer theory and Reisfeld approximation calculation.The CIE chromaticity coordinate of the phosphor located at the yellow-green region,when the concentration of Eu2+and Ce3+were 0.01 and 0.06,respective ly.The chromaticity coordinates can be tuned by the change of concentration of Eu2+and Ce3+ions. MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+is a promising tunable two-color phosphor forwhite LED pumped byultraviolet chip.

MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+;luminescence properties;energy transfer;two-color phosphor

1006-4184(2017)1-0033-05

2016-04-20

吳海勤(1991-),女,江蘇南通人,碩士研究生在讀。E-mail:384889939@qq.com。

*通訊作者:潘再法,E-mail:panzaifa@zjut.edu.cn。

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