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沉淀分離-電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測(cè)定銀銅合金中的磷

2017-03-27 11:38:26甘建壯馬王蕊姚艷波
關(guān)鍵詞:中磷銅合金法測(cè)定

劉 偉 劉 文 徐 光 甘建壯 林 波 馬王蕊 姚艷波 崇 彪

(1貴研資源(易門)有限公司;2貴研鉑業(yè)股份有限公司,稀貴金屬綜合利用新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,昆明 650106)

沉淀分離-電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測(cè)定銀銅合金中的磷

劉 偉1劉 文1徐 光2甘建壯2林 波1馬王蕊1姚艷波1崇 彪1

(1貴研資源(易門)有限公司;2貴研鉑業(yè)股份有限公司,稀貴金屬綜合利用新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,昆明 650106)

建立了沉淀分離銀、銅,電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測(cè)定銀銅合金中微量磷的分析方法。重點(diǎn)研究了氯化銀沉淀分離銀和硫化銅沉淀分離銅的條件,以及ICP-AES法測(cè)定磷的工作條件和譜線選擇。結(jié)果表明,沉淀分離后[Ag+]<0.1 mg/L,[Cu2+]<1 mg/L,Cu的干擾可以忽略;儀器功率1.3 kW時(shí),分析線P 213.617 nm時(shí),方法的檢出限0.076 mg/L;測(cè)定銀銅合金中0.00092%~0.0032%的磷含量,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差5.3%~1.7%(n=7),樣品加標(biāo)回收率94.4%~103%,方法簡(jiǎn)便、快速,已應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中。

分析化學(xué);ICP-AES;AgCu合金;磷

前言

銀銅合金具有良好的導(dǎo)電性、流動(dòng)性、浸潤(rùn)性、耐磨性和抗熔焊性,常用作空氣斷路器、電壓控制器、電話繼電器、接觸器、起動(dòng)器等器件的接點(diǎn),以及導(dǎo)電環(huán)、定觸片、真空釬料等。微量雜質(zhì)磷對(duì)銀銅合金的產(chǎn)品性能有不利影響,必須嚴(yán)格控制其含量。

關(guān)于磷鉬藍(lán)光度法測(cè)定銅及銅合金中磷含量,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)[1]已有介紹。有文獻(xiàn)[2]報(bào)道了硫化物沉淀分離銀和銅,分光光度法測(cè)定Ag2Cu合金中0.005%~1%的磷含量。電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-AES)法因方法靈敏度高、分析快速、線性范圍寬等優(yōu)點(diǎn)[3],故近年來用于測(cè)定銅及銅合金中磷的報(bào)道[4-10]較多,但應(yīng)用于測(cè)定銀銅合金中微量磷未見報(bào)道。由于銅對(duì)磷的靈敏線213.617 nm有較大干擾,故多數(shù)采用177.4 nm和178.3 nm譜線,靈敏度差,測(cè)定低含量磷較為困難,且需要進(jìn)行紫外區(qū)吹掃。因此ICP-AES法測(cè)定磷通常需要分離銅,電解分離需要配備電解裝置,耗時(shí)長(zhǎng),萃取分離操作繁瑣,耗時(shí)費(fèi)力。本文系統(tǒng)研究了氯化銀沉淀分離銀,硫化銅沉淀分離銅和ICP-AES法測(cè)定磷的條件,建立了ICP-AES法測(cè)定AgCu28系列合金中微量磷的分析方法。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 主要試劑和儀器

磷標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液[(1 000 μg/mL,5%鹽酸),國(guó)家鋼鐵材料測(cè)試中心鋼鐵研究總院,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)溶液];鹽酸;硝酸;硫化銨溶液(含硫≥8%);所用試劑為分析純,水為超純水。氬氣(純度不小于99.99%)。

Optima 7000 DV電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(美國(guó)PE公司);分析天平(Mettler Toledo,瑞士,感量:0.1 mg)。

1.2 實(shí)驗(yàn)方法

1.2.1 試樣分解

稱取1.25 g(精確至0.000 1 g)試樣于150 mL燒杯中,加入2 mL水、2 mL硝酸,蓋上表面皿,低溫加熱至溶解完全,蒸干趕硝酸,冷卻。加入20 mL水,加熱溶解沉淀。

1.2.2 分離銀、銅

加入2 mL鹽酸,攪拌,加熱至溶液清亮、沉淀凝聚。上清液傾潷到另一只150 mL燒杯中,用水洗滌沉淀3次。在溶液中加入1 mL鹽酸,逐滴加入3 mL硫化銨溶液并攪拌,加熱至微沸,靜止澄清。滴加1滴硫化銨溶液,如果有沉淀產(chǎn)生,則再加0.5 mL硫化銨溶液,攪拌,加熱至微沸,靜止澄清。再次滴加硫化銨檢查,至不再有沉淀產(chǎn)生。過濾,收集濾液,洗滌沉淀3次。加熱濃縮至小體積,定容至50 mL,混勻,介質(zhì)為5%鹽酸體系。

1.2.3 測(cè)定

用ICP-AES法在表1給出的條件下依次測(cè)定濃度為0.0、0.1、0.5、5.0、25.0 mg/L的磷標(biāo)準(zhǔn)級(jí)差溶液,建立標(biāo)準(zhǔn)曲線后,測(cè)定試樣溶液。儀器自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,計(jì)算并輸出磷的質(zhì)量濃度,計(jì)算磷的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。

表1 儀器工作條件參數(shù)

2 結(jié)果與討論

2.1 銀的分離

文獻(xiàn)[2]采用硫化法一次沉淀分離銀和銅,是由于Ag2Cu合金中的銀含量較銅含量低得多。但是本文的主要研究對(duì)象是AgCu28系列合金,銀含量較銅含量高得多,采用硫化法一次沉淀分離銀和銅,生成的硫化物沉淀量多、難過濾、不能回收銀;而采用氯化銀沉淀法先分離銀,可以回收價(jià)值較高的銀。進(jìn)行氯化銀沉淀前要趕去過量的硝酸,于鹽酸(10%)介質(zhì)中沉淀銀并煮沸至溶液清亮,氯化銀沉淀凝聚成團(tuán),上清液的傾潷比過濾操作簡(jiǎn)便快速,殘余的微量銀在硫化時(shí)進(jìn)一步以硫化銀沉淀分離。

2.2 銅的分離

在發(fā)射光譜分析中,磷的靈敏線213.617 nm受到Cu 213.597 nm譜線的干擾,且Cu 213.597 nm譜線強(qiáng)度是P 213.617 nm譜線強(qiáng)度的約20倍,因此采用ICP-AES法測(cè)定含銅樣品中微量的磷時(shí),通常需要分離銅。文獻(xiàn)介紹的分離磷銅的方法有電解分離、沉淀分離和萃取分離。電解分離需要配備特殊的電解裝置、耗時(shí)長(zhǎng),萃取分離操作繁瑣、耗時(shí)費(fèi)力,而沉淀分離則簡(jiǎn)便快速。已知在25 ℃時(shí),CuS的溶度積常數(shù)(Ksp)為1.3×10-36,因此硫化沉淀能夠徹底地分離銅。

實(shí)驗(yàn)了采用硫化銨溶液和飽和硫化鈉溶液作沉淀劑,測(cè)定結(jié)果表明,因硫化鈉溶液引入的鈉離子對(duì)磷的測(cè)定有負(fù)干擾,測(cè)定結(jié)果偏低30%;采用硫化銨溶液則操作簡(jiǎn)便,加入量易于控制,過量的硫化銨與鹽酸反應(yīng),生成氯化銨和硫化氫,加熱揮發(fā)除去。

經(jīng)過兩次沉淀分離處理獲得的試液,用ICP-AES法測(cè)定,結(jié)果表明,[Ag+]<0.1 mg/L,[Cu2+]<1 mg/L,Cu對(duì)測(cè)定磷213.617 nm的干擾得以消除。

2.3 測(cè)定條件選擇

由于磷的電離能較一般金屬元素的電離能高,其發(fā)射光譜可選擇譜線少,強(qiáng)度弱,所以重點(diǎn)考察了分析功率對(duì)分析線強(qiáng)度的影響和分析線波長(zhǎng)的選擇。分析功率分別設(shè)定為1.1、1.2、1.3、1.4 kW,其它條件按表1設(shè)定,測(cè)定磷213.617 nm和214.914 nm分析線,制作工作曲線。測(cè)定空白11次所得標(biāo)準(zhǔn)偏差的10倍為檢出限,所得結(jié)果列于表2。從表2可以看出,當(dāng)分析功率為1.3 kW時(shí),0.1~25 mg/L的磷213.617 nm的相關(guān)系數(shù)達(dá)到0.999 992,檢出限0.076 mg/L,達(dá)到最佳條件。

表2 分析功率對(duì)工作曲線的影響

2.4 方法精密度

分別測(cè)定不同批次銀銅合金中的磷,結(jié)果列于表3。由表3可知,測(cè)得磷含量0.000 92%~0.003 2%時(shí),相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD,n=7)為1.7%~5.3%,測(cè)定結(jié)果滿足生產(chǎn)要求。

表3 樣品分析結(jié)果

2.5 方法準(zhǔn)確度

稱取C#和G#各三份樣品,每份1.25 g(精確至0.000 1 g),分別以磷標(biāo)準(zhǔn)溶液加入2.5、12.5、25 μg磷;加標(biāo)后按實(shí)驗(yàn)方法處理和測(cè)定,結(jié)果列于表4。由表4可知,磷的加標(biāo)回收率為94.4%~103%。

3 結(jié)語

采用氯化銀沉淀分離銀,硫化銅沉淀分離銅,ICP-AES法測(cè)定銀銅合金中的磷,ICP-AES分析功率1.3 kW,分析線波長(zhǎng)213.617 nm,方法檢出限為0.076 mg/L。測(cè)定銀銅合金中0.00092%~0.0032%的磷含量,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差5.3%~1.7%(n=7),樣品加標(biāo)回收率94.4%~103%,方法簡(jiǎn)便、快速,測(cè)定結(jié)果滿足實(shí)際生產(chǎn)需求。

表4 樣品加標(biāo)回收實(shí)驗(yàn)

[1] 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì).GB/T5121.2—2008銅及銅合金中磷含量的測(cè)定方法[S]. 北京:中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社,2008.

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Determination of Phosphorus in Silver-Copper Alloy by Precipitation Separation-ICP-AES

LIU Wei, LIU Wen,XU Guang,GAN Jianzhuang,LIN Bo,MA Wangrui,YAO Yanbo,CHONG Biao

(1.Sino-PlatinumMetalsResources(Yimen)Co.Ltd.; 2.StateKeyLaboratoryAdvancedTechnologiesforComprehensiveUtilizationofPlatinumMetals,Sino-PlatinuMetalsCo.Ltd.,Kunming,Yunnan650106,China)

A method for determination of phosphorus in silver-copper alloy by precipitation separation-ICP-AES was established. Analytical conditions including precipitation separation of silver chloride and copper sulfide, selection of spectral lines and determination conditions of ICP-AES were systematically investigated. The results showed that the concentrations of silver and copper ions were less than 0.1 mg/L and 1 mg/L, respectively. Cu interference could be neglected. The detection limit was 0.076 mg/L when the instrument power was 1.3 kW and P 213.617 nm was used as the analytical line. The contents of phosphorus in silver-copper alloy were determined as 0.00092%-0.0032%.The relative standard deviation (RSD,n=7) and the recovery were 5.3%-1.7% and 94.4%-103%, respectively. The method is simple, rapid, and has been applied to production analysis.

analytical chemistry; ICP-AES; silver-copper alloy; phosphorus

10.3969/j.issn.2095-1035.2017.01.011

2016-06-01

2016-10-13

稀貴金屬綜合利用新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目(SKL-SPM-201541)資助

劉偉,男,高級(jí)工程師,主要從事貴金屬分析技術(shù)研究。E-mail:liuweiynkm@sina.com

劉偉,劉文,徐光,等.沉淀分離-電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測(cè)定銀銅合金中的磷[J].中國(guó)無機(jī)分析化學(xué),2017,7(1):43-46. LIU Wei, LIU Wen,XU Guang,et al.Determination of Phosphorus in Silver-Copper Alloy by Precipitation Separation-ICP-AES[J].Chinese Journal of Inorganic Analytical Chemistry,2017,7(1):43-46.

O657.31;TH744.11

A

2095-1035(2017)01-0043-04

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