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雙介孔鋯鋁材料的一步法制備及表征

2018-07-17 07:00黃一峰楊麗娜
關(guān)鍵詞:介孔氧化鋁孔徑

黃一峰,楊麗娜,白 金,李 劍

(遼寧石油化工大學(xué)化學(xué)化工與環(huán)境學(xué)部,遼寧 撫順 113001)

介孔材料具有比表面積大和介孔孔徑可調(diào)等優(yōu)點(diǎn),在催化、吸附、光學(xué)傳感器和鋰離子電池等方面應(yīng)用廣泛[1-5]。但傳統(tǒng)介孔材料孔徑單一,不利于大分子混合物的擴(kuò)散和擇形,而雙介孔可以提供大分子擴(kuò)散的孔道,同時可以保證材料具有高的比表面積,因此具有廣泛的應(yīng)用前景[6]。

氧化鋯作為酸堿催化劑被應(yīng)用在脫水、烷基化等催化反應(yīng)中[7,8],但是氧化鋯易形成結(jié)晶度較高的單斜晶體,其比表面積較低。而介孔氧化鋁材料具有比表面積高和熱穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),結(jié)合氧化鋁和氧化鋯各自的優(yōu)點(diǎn)可以滿足石油化工等領(lǐng)域?qū)Υ蠓肿踊旌衔锏拇呋磻?yīng)需求,因此制備雙介孔型鋯鋁材料具有重要的意義。

Kruglova M A等[9]采用硝酸鋯和氧化鋁制備出的鋯鋁氧化物孔徑分布寬化,比表面積低。Jabbarnezhad P 等[10]以 Al(OH)3、ZrOCl2·8H2O 為 原料,采用無模板劑法制備出的鋯鋁納米材料,雖然孔徑分布集中,但其比表面積仍然較低。高比表面積的介孔氧化鋁可以采用月桂酸為模板劑,仲丁醇鋁為鋁源,通過仲丁醇鋁的水解來制備[11]。本研究直接利用ZrOCl2·8H2O的水溶液進(jìn)行水解,制備出了具有高比表面積而且有序的雙介孔鋯鋁復(fù)合材料。

1 實(shí)驗部分

1.1 材料與試劑

氧氯化鋯(ZrOCl2·8H2O),仲丁醇鋁(C12H27AlO3),仲丁醇(C4H10O),月桂酸(CH3(CH2)10COOH),98%,分析純,國藥集團(tuán)。實(shí)驗中所用的水均為去離子水。所有藥品直接使用,沒有進(jìn)一步純化。

1.2 材料制備

采用無模板劑法制備介孔氧化鋁,取8.21g仲丁醇鋁和15.3mL仲丁醇于燒杯中,然后添加4.8mLH2O,常溫攪拌24h,抽濾,80℃下干燥24h,550℃下焙燒5h,制得介孔氧化鋁,標(biāo)記為NPMAl(non-template mesoporous aluminum)。

模板劑法制備介孔氧化鋁,取仲丁醇鋁8.21g,仲丁醇15.3mL,混合后常溫攪拌1h后形成鋁溶液,記作A溶液;取月桂酸1.33g,仲丁醇15mL,混合后在室溫下攪拌1h形成模板劑溶液,記作B溶液;將A溶液逐滴加入B溶液,然后添加4.8mL H2O,其它操作與NPMAl相同,制得介孔氧化鋁,標(biāo)記為PMAl(templated mesoporous aluminum)。

模板劑法制備介孔鋯鋁,將上述A溶液和B溶液混合后,滴加4.8mL的ZrOCl2溶液(w=6%),滴加速度為16mL/h,其它操作與NPMAl相同,制得介孔鋯鋁, 標(biāo)記為 PMZrAl(templated mesoporous zirconium-aluminum)。

1.3 主要測試儀器

XRD在日本Rigaku D/MAX-1AX型X射線衍射儀上完成,電壓為40kV,管電流為100mA,輻射源為 Cu-Kα,小角掃描范圍 0~5°,掃描速度為 0.5°/min;大角掃描范圍 10~80°,掃描速度為 4°/min。 N2吸附-脫附在ASAP 2010型物理吸附儀上完成,吸附質(zhì)為液態(tài)氮,樣品預(yù)先在100℃、100Pa下進(jìn)行預(yù)處理,用BET方程計算樣品的比表面積,用BJH方法得到樣品的孔徑分布曲線。TEM分析在XL30 ESEM TMP型電鏡上進(jìn)行,工作電壓0.2~30kV,可調(diào)。

2 結(jié)果與討論

2.1 N2吸附-脫附

由圖1可知,樣品PMAl、PMZrAl和NPMAl均呈現(xiàn)IUPAC分類中的IV型等溫線特征,均屬于典型的介孔材料[12]。PMAl呈現(xiàn)H2型滯后環(huán),有飽和吸附平臺,反映孔徑分布較為集中,孔結(jié)構(gòu)可能是瓶形孔。NPMAl呈現(xiàn)H3型等溫線特征,沒有飽和的吸附平臺,說明介孔結(jié)構(gòu)不規(guī)整,孔徑集中程度差,這類孔通常是由平板狹縫或裂縫所形成的。而PMZrAl呈現(xiàn)兩個連續(xù)的滯后環(huán),分別為H1型和H3型,其相對壓力分別為0.45~0.65和0.65~0.95,表明PMZrAl具有明顯的雙介孔結(jié)構(gòu)。低壓滯后環(huán)對應(yīng)直筒形孔道,而高壓滯后環(huán)對應(yīng)顆粒聚集體中形成的縫隙,高壓滯后環(huán)對應(yīng)的介孔孔徑較大[12]。

圖1 N2吸附脫附等溫線圖Fig.1 N2adsorption and desorption isotherms

樣品的孔徑分布如圖2所示,NPMAl的孔徑分布不集中,而PMAl的孔徑分布集中且孔徑主要集中在4.7nm。PMZrAl具有兩種孔徑,小介孔集中分布于3.5nm左右,而大孔分布不集中,孔徑為12.7nm左右,與等溫線中回滯環(huán)結(jié)果相符。由于介孔材料的孔徑大于5nm時,孔壁的三維骨架不穩(wěn)定,容易出現(xiàn)部分孔道坍塌現(xiàn)象,導(dǎo)致大介孔孔徑分布不集中[13]。一方面,Zr4+抑制棒狀膠束的形成,使膠束變得松散,同時水作為溶劑進(jìn)入膠束親水區(qū)增大了親水區(qū)域面積,從而使部分膠束變大,且不規(guī)則[14,15];另一方面,ZrOCl2溶液分解出的Cl-對膠束有一定的影響,隨著氯離子含量的增加,氯離子與羧基形成配合物,使有機(jī)-無機(jī)界面不穩(wěn)定,造成膠束進(jìn)一步變大,且不規(guī)則,經(jīng)焙燒后孔徑略微變大且孔徑分布變寬[16]。

圖2 樣品孔徑分布Fig.2 Pore size distribution of samples

樣品的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1所示,對于比表面積,PMAl和PMZrAl的比表面積分別為368m2/g和379m2/g,均大于NPMA的比表面積231m2/g。對于孔容和孔徑,NPMA的孔容和平均孔徑分別為0.554cm3/g和9.5nm,引入模板劑后,PMAl的孔容增加到0.613cm3/g,平均孔徑減少到6.6nm。而引入鋯源后,PMZrAl的孔容雖未發(fā)生明顯變化,但其孔徑分布發(fā)生了顯著變化,形成了含孔徑分別為3.5nm和12.7nm的雙介孔結(jié)構(gòu)。這說明加入模板劑后,利于規(guī)則孔的形成。而加入無機(jī)鋯源后,形成的雙介孔結(jié)構(gòu)是因為出現(xiàn)了較多的小介孔[17]。

表1 樣品孔結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)Table 1 Pore structure data of samples

2.2 小角XRD

圖3是樣品的小角XRD結(jié)果,可以看出,PMAl和 PMZrAl分別在 2θ=0.50°和 0.49°附近有一個衍射峰,屬于長程有序的介孔結(jié)構(gòu)[18]。PMZrAl比PMAl的介孔有序,說明鋯修飾了介孔鋁的晶體結(jié)構(gòu)。

圖3 小角XRD譜圖Fig.3 Low-angle XRD patterns

2.3 廣角XRD

圖4為樣品的廣角XRD譜圖,從圖4可以看出,PMAl的譜圖中 2θ=37.7°、45.8°和 66.8°附近出現(xiàn)三個衍射峰,根據(jù)JCPDS卡片進(jìn)行標(biāo)定,發(fā)現(xiàn)衍射峰對應(yīng)著面心立方結(jié)構(gòu)的Al2O3的衍射峰 (2θ=37.708°、45.877°和 66.895°)。 從圖 4 可以看出,PMZrAl的氧化鋁衍射峰消失了,但是在2θ=30.2°、50.4°和58.5°附近出現(xiàn)三個衍射峰,通過對照ZrO2-AlO2的標(biāo)準(zhǔn)譜圖,發(fā)現(xiàn)衍射峰對應(yīng)著ZrO2-AlO2的面心立方 結(jié)構(gòu) 的衍 射峰 (2θ=30.270°,50.475°,58.511°),說明 Zr4+取代了部分 Al3+,形成了鋯鋁復(fù)合氧化物。衍射峰強(qiáng)度高無寬化,說明形成的鋯鋁復(fù)合氧化物結(jié)晶度高且有序。在2θ=50°和28°左右的峰都有所降低,這說明鋯源的加入改變了氧化鋁的結(jié)構(gòu)。

圖4 大角XRD譜圖Fig.4 High angle XRD patterns

2.4 TEM表征

PMZrAl的TEM表征結(jié)果如圖5所示,PMZrAl的孔結(jié)構(gòu)呈蠕蟲狀,且比較規(guī)整,ZrO2一定程度上改變了Al2O3的孔的結(jié)構(gòu)[19,20],這與BET的表征結(jié)果一致。

圖5 PMZrAl的TEM照片F(xiàn)ig.5 TEM image of PMZrAl

3 結(jié)論

以月桂酸為模板劑,仲丁醇鋁為鋁源、氧氯化鋯為鋯源合成具有雙介孔結(jié)構(gòu)的鋯鋁材料,該材料具有ZrO2-AlO2面心立方晶相結(jié)構(gòu),較小介孔集中分布于3.5nm,較大介孔的集中分布性差,分布在12.7nm左右,其比表面積和孔容分別為379.71m2/g和0.616cm3/g。

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