李文文,袁瑞銘,都正周,張蓬鶴,薛陽,黃明山
(1.國網(wǎng)冀北電力有限公司電力科學(xué)研究院,北京100045;2.河南許繼儀表有限公司,河南許昌461000;3.中國電力科學(xué)研究院,北京100192)
為響應(yīng)我國“階梯電價(jià)”政策推行,滿足智能電網(wǎng)“信息化、自動(dòng)化、互動(dòng)化”的管理要求,實(shí)現(xiàn)用電信息采集系統(tǒng)“全采集、全覆蓋、全費(fèi)控”的建設(shè)目標(biāo),國家電網(wǎng)公司大力推行智能電能表[1-3]。負(fù)荷開關(guān)作為智能電能表的核心部件,是實(shí)現(xiàn)“全費(fèi)控”目標(biāo)的重要保障,主要起到接通電源或斷開電源的作用,并可以使輸入與輸出之間完全隔離、相互間無電的聯(lián)系[4]。但通過統(tǒng)計(jì)分析國網(wǎng)公司運(yùn)行智能電能表故障數(shù)據(jù),控制單元故障占設(shè)備故障比例超過40%,而控制單元故障主要原因?yàn)殡娔鼙韮?nèi)置負(fù)荷開關(guān)觸點(diǎn)燒蝕、短路電流下觸點(diǎn)斥開、受外界電磁干擾未正確執(zhí)行跳合閘命令等[5-7]。電能表用負(fù)荷開關(guān)故障一方面會(huì)導(dǎo)致電能表燒毀引發(fā)停電、火災(zāi)和爆炸等安全隱患,另一方面會(huì)給智能電網(wǎng)的安全、穩(wěn)定運(yùn)行帶來了巨大威脅。
目前,針對(duì)智能電能表的費(fèi)控機(jī)制僅依靠用戶繳納電費(fèi)情況,未考慮用戶負(fù)載實(shí)際情況,且內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)由于空間限制多數(shù)不具備滅弧措施。當(dāng)負(fù)荷開關(guān)斷開瞬間觸頭通過大電流,極易拉弧而引發(fā)觸點(diǎn)熔焊或燒毀等;當(dāng)負(fù)荷開關(guān)閉合瞬間觸頭承載高電壓,極易因電壓突變產(chǎn)生感應(yīng)電流而引發(fā)觸點(diǎn)電弧[8-10]。因此,亟需開展單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)優(yōu)化控制技術(shù)研究。
交流電流在每個(gè)周期內(nèi)會(huì)有兩次過零點(diǎn),當(dāng)電流經(jīng)過零點(diǎn)時(shí),電極間的輸入能量為零,電弧溫度隨之降低。電流正弦曲線在過零前和過零后的一小段時(shí)間內(nèi),電極之間電阻值變得很大,所以電流的大小會(huì)受其影響。在過零前后的一小段時(shí)間內(nèi)的電流的變化趨勢并不是正弦曲線,而是以其他的規(guī)律變化,電流的大小是電弧電壓和電阻的比值,由于弧隙之間的高電阻值,電流基本為零。因此,為降低智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)斷開、閉合動(dòng)作瞬間觸點(diǎn)電弧,應(yīng)充分利用交流負(fù)載過零特性。
單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)動(dòng)態(tài)過程包括閉合和斷開過程,以閉合過程為例分析其動(dòng)作過程,斷開過程分析方法與此相同。閉合過程可分為兩階段:(1)從控制線圈接通電壓到電流增加到閉合觸點(diǎn)為止的過程,電磁吸力小于或等于觸簧反力,雖已施加動(dòng)作脈沖電壓,但銜鐵尚未運(yùn)動(dòng),稱此階段為閉合延遲過程;(2)隨著線圈電流的增大,電磁吸力逐漸大于觸簧反力,由于吸力大于反力,銜鐵開始運(yùn)動(dòng),氣隙逐漸減小,直至觸點(diǎn)完全閉合,稱此階段為閉合動(dòng)作過程。參考文獻(xiàn)[11-13]可知內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)線圈電流、電壓動(dòng)態(tài)波形如圖1。閉合延遲過程所對(duì)應(yīng)的時(shí)間定義為負(fù)荷開關(guān)閉合延遲時(shí)間,對(duì)應(yīng)圖1中t1,同理斷開延遲過程所對(duì)應(yīng)的時(shí)間定義為負(fù)荷開關(guān)斷開延遲時(shí)間。
圖1 負(fù)荷開關(guān)動(dòng)作過程波形圖Fig.1 Action process waveform of load switch
單相智能電能表用負(fù)荷開關(guān)線圈回路可以等效為如圖2所示電路,其中U為動(dòng)作脈沖電壓,R為線圈回路等效電阻,L為線圈回路等效電感。
圖2 內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)線圈等效電路Fig.2 Coil equivalent circuit of built-in load switch
由等效電路圖可將負(fù)荷開關(guān)閉合特性用下述狀態(tài)方程組表示:
式中IS為線圈的穩(wěn)態(tài)電流;τ為電磁時(shí)間常數(shù),τ=。
銜鐵一旦動(dòng)作,則有:
可見,線圈通電瞬間到銜鐵動(dòng)作之前,線圈電流呈指數(shù)規(guī)律增長。銜鐵開始運(yùn)動(dòng)后,運(yùn)動(dòng)反電動(dòng)勢使電流逐漸下降,一直到銜鐵終止動(dòng)作為止[14]。
首先,通過高速高精度AD數(shù)據(jù)采集卡測得智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)線圈穩(wěn)態(tài)電流IS。再利用高斯—牛頓法和邁克脫法,通過泰勒展開對(duì)非線性回歸模型進(jìn)行逐次“線性化”[15],并采用最小二乘法進(jìn)行參數(shù)估計(jì)線性參數(shù)辨識(shí)方法即可求解得到負(fù)荷開關(guān)動(dòng)作延遲時(shí)間。
為降低單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)動(dòng)作過程觸點(diǎn)燃弧燒蝕,利用交流負(fù)載每周期存在兩個(gè)過零點(diǎn)的特性,通過如下方法控制內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)在交流負(fù)載電流過零時(shí)刻斷開、在交流負(fù)載電壓過零時(shí)刻閉合[16]:
(1)測試并記錄每一只負(fù)荷開關(guān)線圈通電瞬間到銜鐵動(dòng)作之前的線圈電流波形,利用2.2節(jié)方法計(jì)算閉合延遲時(shí)間tcd及斷開延遲時(shí)間tbd,并將該參數(shù)寫入對(duì)應(yīng)的單相智能電能表存儲(chǔ)器內(nèi);
(2)當(dāng)用戶欠費(fèi)達(dá)到跳閘閾值或用戶繳費(fèi)后,單相智能電能表接收到跳閘或合閘指令后,利用交流電壓過零點(diǎn)觸發(fā)電路,檢測負(fù)載交流電壓過零時(shí)刻tu0;
(3)讀取動(dòng)作指令發(fā)出后負(fù)載瞬時(shí)功率因數(shù)cosφ。若內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)接收到斷開指令,則計(jì)算電流過零點(diǎn)時(shí)刻:
ti0'=tu0+arccosφ ×T/2π (5)
若內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)接收到斷開指令,則計(jì)算電流過零點(diǎn)時(shí)刻:
tu0'=tu0+T (6)注:T為工頻交流電周期,0.020 s;
(4)若單相智能電能表接收到斷開命令,則動(dòng)作脈沖輸出時(shí)刻tb為:
tb=ti0'+T+T/2-tbd=t0'+3/2T-tbd(7)
若單相智能電能表接收到閉合指令,則動(dòng)作脈沖輸出時(shí)刻tc為:tc=tu0'+T+T/2-tcd=t0'+3/2T-tcd(8)式(8)增加半周期T/2是為了避免在容性負(fù)載下出現(xiàn)負(fù)延時(shí)。
為實(shí)現(xiàn)單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)優(yōu)化控制方案,硬件控制需具備如下條件:
(1)可檢測交流電源電壓過零時(shí)刻基準(zhǔn)信號(hào);
(2)可準(zhǔn)確讀取功率因數(shù)以及功率象限以確定電流過零點(diǎn)位置;
(3)智能電能表MCU能夠在精確的時(shí)間點(diǎn)發(fā)出控制信號(hào)。
交流電壓過零時(shí)刻基準(zhǔn)信號(hào)的獲取可利用如圖3所示的電路圖實(shí)現(xiàn)[17]。其中,R1~R4為交流信號(hào)采樣輸入限流電阻;D1為半導(dǎo)體二極管,用于半波整流;D2用于防護(hù)光耦輸入端被D1的反向漏電損傷;U1是光電耦合器,用于隔離交流采樣信號(hào);C10用于濾波,避免噪聲信號(hào)影響。在實(shí)際工作過程中,L、N輸入端連接交流電源,交流半波信號(hào)輸出端連接MCU單片機(jī)處理器的輸入I/O。
圖3 交流電壓過零時(shí)刻基準(zhǔn)信號(hào)檢測電路Fig.3 Reference signal detection circuit of AC voltage zero crossing time
在得到交流電壓過零時(shí)刻基準(zhǔn)點(diǎn)后,為準(zhǔn)確執(zhí)行優(yōu)化控制方案,需由智能電能表MCU芯片讀取計(jì)量芯片的功率因數(shù)、有功方向、無功方向等測量數(shù)據(jù),經(jīng)過上述處理方法進(jìn)行計(jì)算,從而得出交流電流過零點(diǎn)相對(duì)于電壓過零點(diǎn)的偏移量[18]。其中MCU控制流程如圖4所示。
圖4 優(yōu)化控制機(jī)制下電能表MCU控制流程Fig.4 MCU control flow of smart meter under optimal control mechanism
對(duì)單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)施加80 A交流負(fù)載,負(fù)載功率因數(shù)分別選擇1.0、0.5L,利用示波器記錄采用優(yōu)化控制方案下的斷開電流、閉合電壓波形,如圖5、圖6所示。由圖可見,應(yīng)用優(yōu)化控制機(jī)制,可有效控制單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)在交流負(fù)載電流過零時(shí)刻斷開、在交流負(fù)載電壓過零時(shí)刻閉合。
圖5 閉合電壓波形Fig.5 Closing voltage waveform
圖6 斷開電流波形Fig.6 Breaking current waveform
選取同一廠家、同一批次18只單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)開展電壽命對(duì)比試驗(yàn)[19],試驗(yàn)方案見表1。分別記錄測試前、測試后內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)參數(shù),試驗(yàn)結(jié)果見表2、表3。電壽命試驗(yàn)結(jié)束后負(fù)荷開關(guān)對(duì)比照片見圖7。
表1 電壽命對(duì)比試驗(yàn)方案Tab.1 Electrical life comparison test program
表2 電壽命試驗(yàn)前數(shù)據(jù)Tab.2 Data before electrical life test
對(duì)比現(xiàn)隨機(jī)通斷控制方式下的單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)電壽命試驗(yàn)數(shù)據(jù),采用優(yōu)化控制方案,內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)電壽命試驗(yàn)前后接觸電阻變化率明顯降低,且抗電強(qiáng)度較試驗(yàn)前未發(fā)生變化;試驗(yàn)過程中,未發(fā)生觸點(diǎn)粘接甚至粘死的情況。
如圖7所示,電壽命試驗(yàn)后,采用優(yōu)化控制方案的單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)觸點(diǎn)燒蝕情況明顯優(yōu)于現(xiàn)有控制方式下的負(fù)荷開關(guān)觸點(diǎn)燒蝕情況。隨機(jī)控制方式下的負(fù)荷開關(guān)在電壽命試驗(yàn)后觸點(diǎn)燒蝕嚴(yán)重,相鄰組件如簧片、推桿等也發(fā)生明顯燒蝕。而采用優(yōu)化控制方式的內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)整體狀況良好,僅在觸頭緊密接觸的表面有所燒損變黑。
圖7 電壽命試驗(yàn)后負(fù)荷開關(guān)Fig.7 Load switch after electrical life test
表3 電壽命試驗(yàn)后數(shù)據(jù)Tab.3 Data after electrical life test
同時(shí),由實(shí)測數(shù)據(jù)證明,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電源恒定時(shí),單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)動(dòng)作時(shí)間一致性較好,可控制在±1ms以內(nèi)。而在實(shí)際應(yīng)用過程中,優(yōu)化控制方案并非將動(dòng)作時(shí)間絕對(duì)控制在電壓或電流過零時(shí)刻點(diǎn),而只需將其控制在過零時(shí)刻點(diǎn)附近即可,這樣負(fù)荷開關(guān)閉合或斷開瞬間,電壓或電流值較低,觸點(diǎn)燒蝕損傷大大降低。
分析了單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)動(dòng)作過程,提出了綜合考慮“全費(fèi)控”功能實(shí)現(xiàn)、負(fù)載電流、負(fù)載性質(zhì)等因素的電能表用負(fù)荷開關(guān)優(yōu)化控制機(jī)制,通過測試采用優(yōu)化控制機(jī)制后單相智能電能表內(nèi)置負(fù)荷開關(guān)使用電壽命顯著提升,有效降低了負(fù)荷開關(guān)觸點(diǎn)燃弧,減少了智能電能表運(yùn)行故障,為智能電網(wǎng)的安全、穩(wěn)定運(yùn)行提供了可靠保障。