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鍶鋅雙摻雜磷灰石型硅酸鑭電解質(zhì)的制備與表征

2019-11-02 05:45吳昌勝黃江勝姚東輝程怡林黃志良
關(guān)鍵詞:硅酸溶膠電導(dǎo)率

吳昌勝,雷 紅,黃江勝,姚東輝,程怡林,黃志良

武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,湖北 武漢 430205

近年來,固體氧化物燃料電池(solid oxide fuel cells,SOFCs)的研究方向主要是如何降低其運(yùn)行溫度。磷灰石型電解質(zhì)材料硅酸鑭,通式為La9.33Si6O26,簡(jiǎn)稱LSO,因其制備成本低、在中低溫范圍有高的離子電導(dǎo)率與好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最有潛力的中低溫電解質(zhì)材料[1-5]。

研究表明LSO的導(dǎo)電機(jī)制為間隙氧導(dǎo)電[6-9],引入其他離子來提高間隙氧的數(shù)量,可以有效地提高電解質(zhì)的電學(xué)性能,因?yàn)殚g隙氧做為主要的電導(dǎo)載流子,缺陷濃度越大,通道擴(kuò)散效率就越高,其電導(dǎo)增強(qiáng)效應(yīng)就越大。目前對(duì)于單摻雜已有較多的研究,雷紅等[10]通過在Si位摻雜Zn的研究發(fā)現(xiàn)Zn在Si位的摻雜可有效提高電導(dǎo)率。李文昭等[11]進(jìn)行了Cu和Ni的摻雜,發(fā)現(xiàn)Cu摻雜可有效提高LSO燒結(jié)體的電導(dǎo)率,而Ni在La位上摻雜則降低了燒結(jié)體的電導(dǎo)率。Gasparyan等[12]在Si位進(jìn)行了Al和Fe混摻,所制備的La9.83Si5Al0.25Fe0.75O26±δ在700℃的電導(dǎo)率達(dá)到了2.04×10-2S/cm。Xiang等[13]對(duì)稀土元素?fù)诫s進(jìn)行了研究,其中La9YbSi6O27的電導(dǎo)率最好,在800℃時(shí)其電導(dǎo)率達(dá)到了1.03×10-2S/cm,比La10Si6O26在 800℃的電導(dǎo)率5.84×10-3S/cm有很大的提升。Sansom等[14]用Ga在Si位摻雜,所制備的La10Si5GaO26.5在500℃下的電導(dǎo)率達(dá)到2.4×10-3S/cm。

由于目前對(duì)于雙位摻雜的研究較少,本實(shí)驗(yàn)在課題組之前研究[10]的Zn摻雜LSO基礎(chǔ)上進(jìn)行雙位摻雜,其結(jié)論中Zn為1時(shí)的摻雜效果最佳,若摻量小于1時(shí),燒結(jié)過程中晶粒的生長不完全,燒結(jié)體的孔隙率會(huì)增大;若摻量大于1時(shí),會(huì)出現(xiàn)過燒和晶界熔融。以上情況均會(huì)對(duì)電導(dǎo)率產(chǎn)生很大的影響,故本研究選用Zn在Si位摻雜其摻量為1,在La位則選用離子半徑與La相近的Sr進(jìn)行摻雜,這樣易在La位成功摻雜,同時(shí)也可避免因離子半徑相差較大在摻雜后破壞晶體結(jié)構(gòu)。Sr與Zn雙位摻雜的目的是為了引進(jìn)更多的間隙氧離子,使La9.33Si6O26的電導(dǎo)率得到提高。采用溶膠-凝膠法進(jìn)行摻雜前驅(qū)體的制備,并進(jìn)行成型、燒結(jié),成功制備了La9.33SrxSi5ZnO25+x電解質(zhì),進(jìn)行了電學(xué)性能的分析。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 藥品與儀器

藥品:氧化鑭、氧化鋅、氧化鍶、無水乙醇、正硅酸四乙酯、尿素(分析純,質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.99%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),氨水(分析純,質(zhì)量分?jǐn)?shù)25%~28%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),硝酸(分析純,質(zhì)量分?jǐn)?shù)67%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)。

儀器:分析天平(CPA1245,德國賽多利斯股份有限公司),恒溫磁力攪拌機(jī)(85-2A,金壇市瑞華儀有限公司),箱式節(jié)能電阻爐(GR.BF36/11,上海貴爾機(jī)械設(shè)備有限公司),鼓風(fēng)式烘干箱(GSH101-0,上海廣樹機(jī)電有限公司),手動(dòng)粉末壓片機(jī)(769YP-24B,北京新諾立華儀器有限公司),馬弗爐(CQ-G43,洛陽純青爐業(yè)有限公司),變溫介電測(cè)量系統(tǒng)(GWM200,武漢普斯特儀器有限公司)。

1.2 實(shí)驗(yàn)方法

本實(shí)驗(yàn)采用溶膠-凝膠法[15]進(jìn)行粉體合成。以正硅酸四乙酯為硅源、氧化鑭為鑭源、硝酸和無水乙醇為溶劑,氧化鍶與氧化鋅分別引入Sr和Zn。首先稱取一定量的氧化鑭、氧化鍶和氧化鋅,然后使其溶解于硝酸和無水乙醇的混合溶劑中,并在35℃進(jìn)行水浴加熱,調(diào)節(jié)PH至5~6,攪拌至溶液完全澄清再加入正硅酸四乙酯與尿素,持續(xù)攪拌待溶液澄清制得溶膠。將溶膠放入80℃的水浴鍋中,經(jīng)過2h形成前驅(qū)體凝膠。制得的前驅(qū)體凝膠在100℃下干燥除去凝膠中的水分,然后在600℃的馬弗爐中進(jìn)行點(diǎn)燃得到海綿狀產(chǎn)物,研磨產(chǎn)物至細(xì)粉再在800℃下煅燒12h,得到目標(biāo)粉體。取粉體0.8 g,放入直徑13 mm的模具中,以300 MPa的壓力進(jìn)行成型,然后在不同溫度下進(jìn)行燒結(jié),最后將不同溫度獲得的成品進(jìn)行表征。

1.3 測(cè)試與表征

采用轉(zhuǎn)靶多晶粉末X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)儀(Bruker D8 ADVANCE,德國)對(duì)不同摻雜含量的電解質(zhì)進(jìn)行分析。測(cè)試參數(shù):銅靶,工作電壓40 kV,X射線波長0.15418 nm,工作電流30 mA,掃描速度4(°)/min,掃描角度10~80°。

采用智能型傅里葉變換紅外光譜(Fourier transform infrared spectrometer,F(xiàn)T-IR)儀(Thermo Nicolet Nexus,USA)對(duì)電解質(zhì)分子結(jié)構(gòu)及化學(xué)組成進(jìn)行表征,掃描范圍400~1200 cm-1。

采用掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)(JEOLJSM5510LV,日本)對(duì)摻雜后的電解質(zhì)燒結(jié)體的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察。

采用武漢普斯特儀器有限公司的變溫介電測(cè)試系統(tǒng)(CHI 650C)對(duì)電解質(zhì)在中溫(500~800℃)進(jìn)行電導(dǎo)率測(cè)定。

2 結(jié)果與討論

2.1 XRD與FT-IR表征

圖1為不同含量的Sr、Zn摻雜的LSO電解質(zhì)在800℃煅燒12h后的XRD圖與FT-IR圖,通式為La9.33SrxSi5ZnO25+x(x=0.1,0.2,0.3,0.4),由圖1(a)可以看出摻雜后的LSO與未摻雜的LSO的標(biāo)準(zhǔn)圖譜(PDF#49-0443)基本一致,可觀察到摻雜后的LSO的特征峰有向低角度偏移的趨勢(shì),這是由于摻雜元素Sr、Zn進(jìn)入了LSO的晶格之中使晶格發(fā)生了膨脹,導(dǎo)致了特征峰向低角度偏移,表明摻雜已經(jīng)成功,而且LSO的晶體結(jié)構(gòu)也未被破壞。

由圖1(b)中可看出在911 cm-1處均有吸收峰的出現(xiàn),911 cm-1處的吸收峰為[ZnO4]6-的非對(duì)稱伸縮振動(dòng)特征峰,由此可判斷Zn已經(jīng)在Si位進(jìn)行了摻雜,并可以證明Sr的摻入并未破壞硅氧四面體的結(jié)構(gòu),可得知Sr是在La位進(jìn)行的摻雜。

圖1 La9.33SrxSi5ZnO25+x在800 ℃煅燒12h:(a)XRD圖,(b)FT-IR圖Fig.1 La9.33SrxSi5ZnO25+xsintered at 800 ℃ for 12h:(a)XRD patterns,(b)FT-IR spectra

2.2 SEM形貌分析

圖2為在不同溫度下燒結(jié)的La9.33Sr0.2Si5ZnO25.2的SEM圖。圖2(a)是在1300℃燒結(jié)3h后的形貌,可觀察到燒結(jié)體的晶粒緊密的堆積在一起,晶界明顯,但晶粒并不均勻,且孔隙較多,這可能是燒結(jié)溫度過低,導(dǎo)致部分晶粒生長不完全。圖2(b)是在1400℃燒結(jié)3h的形貌,燒結(jié)體的晶粒致密,孔隙較少,燒結(jié)效果好。圖2(c)為1500℃燒結(jié)的樣品形貌,部分晶界發(fā)生了熔融,孔隙率高,效果較1400℃差。

圖2 La9.33Sr0.2Si5ZnO25.2在不同溫度下燒結(jié)3h后的SEM圖:(a)1300 ℃,(b)1400 ℃,(c)1500 ℃Fig.2 SEM images of La9.33Sr0.2Si5ZnO25.2sintered 3h at different temperatures:(a)1300 ℃,(b)1400 ℃,(c)1500 ℃

圖3(a)~圖3(d)分別是 La9.33SrxSi5ZnO25+x摻雜量為0.1,0.2,0.3,0.4的SEM圖。圖3(a)中顆粒松散,孔隙多燒結(jié)效果較差;圖3(b)中的顆粒堆積緊密,孔隙少燒結(jié)效果好;圖3(c)中燒結(jié)體的顆粒堆積的較為緊密,但孔隙較大,整體的燒結(jié)效果一般;圖3(d)的顆粒松散,孔隙多,整體燒結(jié)效果差。由燒結(jié)體的SEM圖可以確定Sr的摻雜量為0.2時(shí)的燒結(jié)效果最佳。

圖3 La9.33SrxSi5ZnO25+x在1400℃煅燒后的SEM圖:(a)x=0.1,(b)x=0.2,(c)x=0.3,(d)x=0.4Fig.3 SEM images of La9.33SrxSi5ZnO25+xsintered at 1400℃:(a)x=0.1,(b)x=0.2,(c)x=0.3,(d)x=0.4

2.3 電性能分析

圖4為La9.33SrxSi5ZnO25+x(x=0.1,0.2,0.3,0.4)在不同溫度下的電導(dǎo)率,可看出Sr的摻入使整體的電導(dǎo)率較La9.33Si5ZnO25在800℃的電導(dǎo)率(2.1×10-2S/cm)有所降低,較未摻雜的LSO在800℃的電導(dǎo)率(1.7×10-3S/cm)有所提高,但隨著Sr的摻入量的變化,電導(dǎo)率也隨之改變,在x=0.2時(shí)電導(dǎo)率達(dá)到這個(gè)體系的最大值,即在800℃的電導(dǎo)率為5.43×10-3S/cm,當(dāng)x>0.2時(shí)電導(dǎo)率呈下降的趨勢(shì)。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因可能是在x=0.1時(shí)燒結(jié)的致密度較低,孔隙率高使整體的電導(dǎo)率降低,當(dāng)摻量為x=0.2時(shí)由于致密度的提高,電導(dǎo)率也隨之增加,Sr的摻入雖然引入了間隙氧離子但同時(shí)可能對(duì)間隙氧離子通道產(chǎn)生一定的阻礙,使得整體的電導(dǎo)率低于La9.33Si5ZnO25,當(dāng)Sr的摻量繼續(xù)增加時(shí),其燒結(jié)的致密度變低,而且隨著Sr摻量的增加對(duì)間隙氧離子通道的阻礙也更明顯,電導(dǎo)率也隨之呈下降趨勢(shì)。

圖4La9.33SrxSi5ZnO25+x(x=0.1,0.2,0.3,0.4)在不同溫度下的電導(dǎo)率Fig.4La9.33SrxSi5ZnO25+x(x=0.1,0.2,0.3,0.4)conductivities at different temperatures

3 結(jié) 語

1)采用溶膠-凝膠自蔓延燃燒法對(duì)La9.33Si6O26進(jìn)行Sr、Zn雙摻雜,XRD表征表明Sr、Zn成功摻入La9.33Si6O26中,并且未破壞LSO的晶體結(jié)構(gòu)。

2)通過SEM分析了不同溫度燒結(jié)的樣品的形貌,確定了Sr、Zn雙摻雜LSO的最佳燒結(jié)溫度為1400℃。

3)最佳摻量即Sr為0.2、Zn為1時(shí)所制備的La9.33Sr0.2Si5ZnO25.2在800℃的電導(dǎo)率為5.43×10-3S/cm。

4)Sr、Zn的摻入可以提高LSO的電導(dǎo)率,但與單摻雜Zn相比,Sr的摻入雖然可以引入間隙氧離子但同時(shí)也會(huì)對(duì)間隙氧離子通道造成阻礙,從而降低電導(dǎo)率。

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