朱宇光, 方云團(tuán)
(1. 常州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 信息工程與技術(shù)學(xué)院, 江蘇 常州 213164;2. 江蘇大學(xué) 計(jì)算機(jī)科學(xué)與通信工程學(xué)院, 江蘇 鎮(zhèn)江 212013)
光波吸收器件是指把入射的光波電磁能量轉(zhuǎn)化為熱能或其他形式能量的一種結(jié)構(gòu),它在太陽(yáng)能收集[1-2]、熱電轉(zhuǎn)換[3]、傳感[4]、紅外探測(cè)[5]、熱輻射調(diào)制[6-7]等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用??紤]到容易加工,基于金屬和介質(zhì)組成的一維層狀結(jié)構(gòu)是常見(jiàn)的電磁波吸收器的構(gòu)型[8-10]。但其普遍存在吸收效率低、對(duì)入射方向敏感等問(wèn)題。近年來(lái),石墨烯由于具有非常獨(dú)特的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)[11-12],被廣泛應(yīng)用于各種光電子器件的研究中。但由于石墨烯的厚度極薄,小于1 nm,這使得其光吸收率很低,從而限制了石墨烯在光吸收領(lǐng)域的應(yīng)用。最近Liu等研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)石墨烯位于光子晶體表面時(shí),石墨烯和間隔層在光子晶體表面構(gòu)成了表面缺陷,從而導(dǎo)致光的局域化。這種局域化將使得由石墨烯能帶間躍遷所導(dǎo)致的可見(jiàn)光吸收被增強(qiáng)大約4倍[13]。Xiang和Nefedov等利用石墨烯的雙曲型超材料結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了電磁波的完美吸收[14-15]。最近,國(guó)內(nèi)研究者也相繼提出基于石墨烯吸收的研究[16-17]。但上述研究中的完美吸收都是針對(duì)特定的頻率范圍。從太陽(yáng)能電池的實(shí)際應(yīng)用來(lái)看,可見(jiàn)光全波段和寬角度吸收的器件更有應(yīng)用價(jià)值。目前的研究還很少在這方面有所突破。本課題組借助石墨烯超材料復(fù)合結(jié)構(gòu),成功實(shí)現(xiàn)在100~6 000 nm波長(zhǎng)范圍的高吸收[18]。本文設(shè)計(jì)了石墨烯和一維光子晶體復(fù)合結(jié)構(gòu),在一維光子晶體周期單元每一層的表面都鍍上石墨烯材料。該結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)利用一維光子晶體特有的傳輸特性,極大地增強(qiáng)了電磁波與石墨烯作用的次數(shù)和時(shí)間,提高了吸收率,擴(kuò)大了吸收帶寬。通過(guò)調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)參數(shù),把吸收譜調(diào)節(jié)到可見(jiàn)光范圍。石墨烯的界面效應(yīng)又能使吸收譜對(duì)光波入射角度不敏感,具有寬角度吸收特性。本文的研究實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)光全波段寬角度吸收。
石墨烯的性質(zhì)主要由其電導(dǎo)率決定,可采用Kubo模型來(lái)描述整個(gè)波段的大小分布[19-21],其表面電導(dǎo)率大小表示為:
(1)
其中ω是入射光角頻率,e是電子的電量,?是簡(jiǎn)約普朗克常數(shù),kB是波爾茨曼常數(shù),T是溫度,EF是費(fèi)米能,τ是電子弛豫時(shí)間。石墨烯是單層原子結(jié)構(gòu),其厚度小于一個(gè)納米。對(duì)于單層石墨烯結(jié)構(gòu),電磁波入射到石墨烯表面經(jīng)歷的反射和透射行為與普通介質(zhì)層明顯不同,所以必須采取特殊的分析方法。文獻(xiàn)[21]從麥克斯韋方程組要求的電磁場(chǎng)邊界條件出發(fā),借助傳輸矩陣方法推導(dǎo)出電磁波在石墨烯表面的傳輸規(guī)律。本文利用同樣的原理研究石墨烯與一維光子晶體的復(fù)合結(jié)構(gòu)對(duì)光波的吸收規(guī)律。
設(shè)計(jì)模型如圖1所示,一維光子晶體由石墨烯層G和兩種介質(zhì)層A、B交替沿z軸分布而成,表示為(GAGB)N,N為周期數(shù)目,石墨烯設(shè)置在A和B的分界面上。介質(zhì)層A和B的折射率和厚度分別為nA、dA、nB、dB。整個(gè)結(jié)構(gòu)放置在空氣背景中,入射面為xz平面??紤]p極化電磁波,磁場(chǎng)只有y分量,電場(chǎng)只有x和z分量。在任一介質(zhì)層內(nèi)電磁波是正反兩個(gè)方向平面電磁波的疊加,表示為:
Hy(x,z)=
(2)
其中kx表示波矢的切向分量,在傳輸過(guò)程中保持不變。由麥克斯韋方程可以推導(dǎo)對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)為x分量,表示為:
(3)
當(dāng)電磁波在兩種普通介質(zhì)層j和i的界面過(guò)渡時(shí),電場(chǎng)和磁場(chǎng)在切向(x,y方向)的分量均保持連續(xù),用矩陣表示為
(4)
在圖1所示的結(jié)構(gòu)中,由于石墨烯的厚度小于1 nm,故可以把它看作沒(méi)有厚度的界面。當(dāng)電磁波從j層經(jīng)過(guò)石墨烯過(guò)渡到i層時(shí),由于石墨烯存在表面電流,導(dǎo)致磁場(chǎng)的切向不再連續(xù),如圖2所示,邊界過(guò)渡條件變?yōu)閇21]:
圖1 石墨烯與一維光子晶體復(fù)合結(jié)構(gòu)
Fig.1 Schematic of compound structure of grapheme and one-dimensional photonic crystal
圖2 石墨烯表面的過(guò)渡邊界
(5)
(6)
于是公式(4)變形為:
(7)
(8)
公式(8)中下標(biāo)“0”表示空氣層。由此得到結(jié)構(gòu)透射率t、反射率r和吸收率A計(jì)算公式:
(9)
(10)
A=1-t-r.
(11)
為了實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)在可見(jiàn)光波段的高吸收,經(jīng)過(guò)多次嘗試,最后結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化如下:dA=167 nm,dB=100 nm,nA=1.5,nB=2.5, 電子馳豫時(shí)間τ=10-14s,費(fèi)米能EF=0.1 eV。先考慮正入射情況,θ=0°,在周期N=20,40,80,160的條件下,結(jié)構(gòu)的反射譜、透射譜和吸收譜如圖3所示。由于電磁波在光子晶體里面受到周期性調(diào)制,會(huì)出現(xiàn)特定的通帶和禁帶,其帶結(jié)構(gòu)是由光子晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)決定的。在當(dāng)前優(yōu)化的結(jié)構(gòu)參數(shù)下,在頻段350~850 THz出現(xiàn)通帶,在該通帶范圍,反射率很小。在通帶頻率范圍,電磁波進(jìn)入結(jié)構(gòu)內(nèi)部,與石墨烯發(fā)生相互作用,產(chǎn)生能量轉(zhuǎn)換,從而出現(xiàn)較大的吸收譜值。在周期數(shù)較小時(shí),通帶范圍內(nèi)反射譜出現(xiàn)較大的振蕩,隨著周期的增加,振蕩幅度逐漸減小,但在帶隙的中間600 THz附近出現(xiàn)一個(gè)逐漸增大的反射峰。該反射峰對(duì)吸收不利,但因?yàn)閹捄苷?,?duì)吸收器影響不大,下文我們分析其產(chǎn)生原因。對(duì)于透射譜,在周期數(shù)較小時(shí),通帶范圍內(nèi)透射譜也出現(xiàn)較大的振蕩,隨著周期的增加,透射率和振蕩幅度均逐漸減小。反射譜和透射譜的性質(zhì)決定了吸收譜的分布特征。只有在通帶范圍內(nèi),電磁波在透射過(guò)程中才能與石墨烯發(fā)生充分的相互作用,產(chǎn)生較大的吸收。在周期數(shù)較小時(shí),通帶范圍內(nèi)吸收譜也出現(xiàn)較大的振蕩,隨著周期的增加,吸收率逐漸增加,振蕩幅度均逐漸減小。599 THz處出現(xiàn)一個(gè)吸收率的下降峰,但范圍很小。于是在整個(gè)可見(jiàn)光390~790 THz頻段產(chǎn)生較大的吸收效應(yīng)。圖中599 THz附近反射峰產(chǎn)生的原因是由于結(jié)構(gòu)的布拉格反射。A和B層光學(xué)厚度均為或接近250 nm,光通過(guò)入射和反射光程差為500 nm,正好等于599 THz對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng),從而產(chǎn)生反射疊加、干涉增強(qiáng)效應(yīng)。在周期數(shù)較小時(shí),反射增強(qiáng)效應(yīng)不明顯,隨著周期數(shù)的增加,在該頻率處產(chǎn)生孤立的反射峰。這個(gè)孤立的反射峰導(dǎo)致吸收譜在該位置產(chǎn)生突然下降,對(duì)吸收器的性能是不利的,但由于頻帶很窄,對(duì)吸收器的整體性能影響不大。
圖3 正入射條件下不同周期數(shù)目結(jié)構(gòu)的反射譜(a)、透射譜(b)和吸收譜(c)。
Fig.3 Reflectance(a), transmittance(b) and absorption(c) spectra withNon the normal incidence.
為了進(jìn)一步增加吸收率,我們進(jìn)一步增加周期數(shù)目。但結(jié)果發(fā)現(xiàn),周期數(shù)目達(dá)到150吸收率就達(dá)到飽和,于是我們把周期數(shù)選定在N=160。石墨烯一個(gè)重要的特點(diǎn)是可調(diào)制性,即它的費(fèi)米能可以通過(guò)外加電壓來(lái)改變。石墨烯的吸收屬性主要取決于它的電導(dǎo)率。在上述結(jié)構(gòu)參數(shù)條件下,我們計(jì)算不同費(fèi)米能下電導(dǎo)率的實(shí)部和虛部,結(jié)果如圖4所示。在300~900 THz頻譜范圍內(nèi)電導(dǎo)率σg對(duì)費(fèi)米能EF在小于0.5 eV的條件下實(shí)部和虛部變化很小,因此在這個(gè)范圍結(jié)構(gòu)的吸收率基本不發(fā)生變化。但在EF>0.5 eV后,電導(dǎo)率σg實(shí)部和虛部變化明顯,此時(shí)吸收譜如圖5所示。由于電導(dǎo)率σg實(shí)部和虛部在EF>0.5 eV后在400~450 THz頻段出現(xiàn)明顯的下降,在石墨烯表面產(chǎn)生的感應(yīng)電流變小,導(dǎo)致吸收譜在該頻段出現(xiàn)較大的下降,且下降的范圍逐漸向高頻移動(dòng),但在高吸收譜段,吸收率沒(méi)有明顯的變化。因此,作為可見(jiàn)光吸收器的設(shè)計(jì),費(fèi)米能要控制在較小的范圍內(nèi)。
圖4 石墨烯電導(dǎo)率隨費(fèi)米能的變化
Fig.4 Values ofσgas the function of frequency with differentEF
圖5 結(jié)構(gòu)的吸收譜隨費(fèi)米能的變化
作為吸收器,對(duì)入射光的角度響應(yīng)也是很重要的。為此,在圖3結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上我們計(jì)算了結(jié)構(gòu)的吸收頻譜隨入射角度的變化,結(jié)果如圖6所示。隨著角度的增加,吸收譜的下降峰向高頻移動(dòng),吸收譜有整體右移趨勢(shì),但低頻段移動(dòng)較小,高頻段移動(dòng)較大。吸收譜的右移是由于入射角增加時(shí),波矢在介質(zhì)層的法向投影變小,但電磁波在介質(zhì)層產(chǎn)生共振透射需要一定波矢的法向分量,因此要保持共振透射,波矢的值要變大,波長(zhǎng)變小,頻率增加。但在整體高吸收頻段,吸收率變化不大。因此,本文設(shè)計(jì)的吸收器有很好的角度響應(yīng),能在可見(jiàn)光范圍寬角度范圍實(shí)現(xiàn)較高的吸收。究其原因,石墨烯的界面效應(yīng)使該結(jié)構(gòu)的能帶屬性對(duì)入射角度不敏感,從而入射方向的變化沒(méi)有對(duì)吸收譜產(chǎn)生較大的影響。
圖6 結(jié)構(gòu)的吸收譜隨電磁波入射角度的變化
因?yàn)樯鲜鼋Y(jié)果在599 THz處還存在吸收下降峰的問(wèn)題,所以還不能?chē)?yán)格地說(shuō)在可見(jiàn)光全波段的高吸收。為了解決這個(gè)問(wèn)題,首先要弄清楚產(chǎn)生吸收下降峰的原因。前面的分析已經(jīng)指出,在599 THz處由于布拉格散射產(chǎn)生反射光干涉加強(qiáng)效應(yīng),從而形成很窄的反射峰。在該頻率的電磁場(chǎng)由于高反射無(wú)法進(jìn)入與石墨烯發(fā)生作用。我們知道光子晶體傳輸譜和結(jié)構(gòu)尺寸具有同比例縮放的屬性。如果將我們?cè)O(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)每層同比例縮小,則反射峰的位置將會(huì)偏離599 THz。因此,我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)級(jí)聯(lián)的光子晶體結(jié)構(gòu),即在圖3結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上級(jí)聯(lián)一個(gè)按比例縮放的同樣的光子晶體結(jié)構(gòu),總結(jié)構(gòu)表示為(GA1GB1)N1(GAGB)N, 其中介質(zhì)層A1和B1的厚度表示為dA1=sdA,dB1=sdB,s是比例系數(shù)。對(duì)前半段(GA1GB1)N1,反射峰不在599 THz,這樣599 THz附近的電磁波被有效地吸收。但(GA1GB1)N1本身又會(huì)產(chǎn)生新的反射峰,造成可見(jiàn)光波段吸收譜不完整。此時(shí)可適當(dāng)減小它的周期數(shù)N1。經(jīng)過(guò)精心選擇N1和s的取值,可將整體結(jié)構(gòu)在可見(jiàn)光波段的吸收實(shí)現(xiàn)完美的優(yōu)化。圖7是N1=30,s=1.05結(jié)構(gòu)(GA1GB1)N1的結(jié)果,可見(jiàn)該結(jié)構(gòu)反射峰偏離599 THz,出現(xiàn)在569 THz,且幅度很小。圖8是級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的傳輸譜和吸收譜??梢?jiàn)只有在569 THz和599 THz兩個(gè)頻率處吸收率為0.7和0.66,形成2個(gè)極小的吸收下降峰值。其中569 THz的下降峰值是前半段結(jié)構(gòu)反射產(chǎn)生的,599 THz的下降峰值還是原結(jié)構(gòu)反射的原因,但現(xiàn)在其反射將被前半段有效吸收。因此通過(guò)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu),原結(jié)構(gòu)在特定頻率造成的吸收下降得到了有效的抑制。除了這兩個(gè)特殊頻率,在整個(gè)可見(jiàn)光波段(380~790 THz),吸收率均在0.88左右,形成了理想的吸收頻帶。
圖7 正入射條件下結(jié)構(gòu)(GA1GB1)30的反射譜(a)、透射譜(b)和吸收譜(c)。
Fig.7 Reflectance(a), transmittance (b) and absorption (c) spectra of structure (GA1GB1)30on the normal incidence.
圖8 正入射條件下級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)(GA1GB1)30(GAGB)160的反射譜(a)、透射譜(b)和吸收譜(c)。
Fig.8 Reflectance(a), transmittance (b) and absorption (c) spectra of structure (GA1GB1)30(GAGB)160on the normal incidence.
同樣,我們觀察圖8的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)吸收對(duì)入射角度的響應(yīng)。圖9顯示了在0°、20°、40°和60°入射條件下的吸收譜??梢园l(fā)現(xiàn),整體吸收譜隨角度的增加向高頻移動(dòng),吸收帶在低頻移動(dòng)較慢,吸收帶仍完全包含可見(jiàn)光頻率。兩個(gè)吸收下降峰值也向高頻移動(dòng),下降峰變得更低。在入射角度較大時(shí),會(huì)出現(xiàn)多個(gè)下降峰值,下降幅值也越來(lái)越大。但在其他頻率,吸收率不僅沒(méi)有減小,反而有逐漸增加的趨勢(shì)。與一般光子晶體傳輸譜隨入射角改變變化較大相比較,本文設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)具有對(duì)入射角度相對(duì)不敏感的特征。本研究只考慮了p極化波(TM波)在結(jié)構(gòu)中的吸收規(guī)律,對(duì)s極化波(TE波)也可以作類(lèi)似的研究。實(shí)際上,根據(jù)一維結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),p極化波和s極化波在正入射條件下結(jié)果完全一樣。在斜射條件下我們也研究了s極化波在結(jié)構(gòu)中的吸收性質(zhì)。作為對(duì)比,在圖9結(jié)構(gòu)參數(shù)條件下,我們也畫(huà)出s極化波在不同入射角度下的結(jié)構(gòu)的吸收譜,結(jié)果如圖10所示。我們發(fā)現(xiàn),隨著入射角度的增加,整體吸收譜右移且下降,60°時(shí)譜中間還形成較大的下降峰,說(shuō)明s極化波對(duì)入射角度的響應(yīng)性能沒(méi)有p極化波好。究其原因,隨著入射角度的增加,磁場(chǎng)的矢量方向與邊界方向的夾角增加,導(dǎo)致磁場(chǎng)沿環(huán)流減小,感應(yīng)電流變小,吸收變小。
圖9 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的p極化波吸收譜隨電磁波入射角度的變化
Fig.9 p polarization absorption spectra of cascade structure with different incidence angles
圖10 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的s極化波吸收譜隨電磁波入射角度的變化
Fig.10 s polarization absorption spectra of cascade structure with different incidence angles
本文采用數(shù)值方法研究了石墨烯和一維光子晶體的復(fù)合結(jié)構(gòu)對(duì)光波的吸收屬性,該結(jié)構(gòu)能在可見(jiàn)光全波段實(shí)現(xiàn)寬角度高效率的吸收。該結(jié)構(gòu)為設(shè)計(jì)太陽(yáng)能吸收器提供了重要參考。