李金橋
(乳源瑤族自治縣東陽光高純新材料有限公司,廣東韶關(guān) 512700)
ROSH標準的實施對鋁板帶箔中重金屬提出檢測與監(jiān)控要求,其中鎘是重點監(jiān)控的重金屬元素之一。鎘殘留人體,導(dǎo)致骨痛,產(chǎn)生致癌、致畸、致突變性等風險。因此,鎘的環(huán)境監(jiān)測與控制是一個重要課題,原子熒光光譜法是目前測定鎘元素最為優(yōu)良的方法。
鎘的氫化物發(fā)生是由鎘與硼氫化物接觸形成鎘離子與硼氫化物的配合物,硼氫化物中的氫向鎘原子轉(zhuǎn)移,配合物在反應(yīng)體系中氫離子的促進下分解,形成鎘的揮發(fā)性氫化物。在這過程中,反應(yīng)體系的酸度、絡(luò)合劑熒光增敏劑、金屬離子熒光增敏劑、表面活性劑熒光增敏劑、硼氫化物的濃度以及硼氫化物溶液中的堿度等將直接影響鎘的揮發(fā)性氫化物的形成。鎘的揮發(fā)性氫化物在氬-氫火焰中原子化,并在特質(zhì)空心陰極燈的光輻射下被激發(fā),隨后在去激發(fā)的過程中發(fā)射出一定波長的光輻射——原子熒光。原子熒光被日盲光電倍增管轉(zhuǎn)化為電信號,進入信號記錄儀,完成鎘元素的分析[1-3],上述化學反應(yīng)過程如下所示:
因此,本文研究鎘的氫化物發(fā)生歷程,以及增光增敏劑的作用機理,進而選擇最優(yōu)條件以及最佳試劑配比進行原子熒光分光光度計對鎘元素的分析。
試驗采用自制104μm、鋁純度≥99.98%的鋁電解電容器用光箔;主要試劑有H3PO4(85%,分析純,西隴科技)、HCl(38%,分析純,西隴科技)、H2SO4(98%,分析純,西隴科技)、HNO3(68%,分析純,光華科技)。主要設(shè)備和儀器有北京吉天儀器公司的AFS-820雙通道原子熒光光譜儀、用玻璃器皿,玻璃器皿使用前應(yīng)清洗干凈后用20% HNO3(68%,分析純,光華科技)浸泡不小于24h后,再用二級水沖洗干凈備用。
1.2.1 酸介質(zhì)的選擇
鎘的揮發(fā)性氫化物需要在一定的酸度下反應(yīng),因此選用鹽酸、硝酸、硫酸和磷酸等多種常用無機酸進行試驗,以1 μg/L鎘標準溶液,測試不同無機酸條件下,與還原劑進行反應(yīng)的熒光強度值。
1.2.2 熒光增敏劑配比的選擇
以2%鹽酸為介質(zhì),以1μg/L鎘標準溶液,與還原劑進行反應(yīng),分別以質(zhì)量分數(shù)為0.05%、0.10%、0.50%、1.00%、2.00%、3.00%、5.00%的硫脲與質(zhì)量濃度為 1.0 mg/L、2.0 mg/L、3.0 mg/L、4.0 mg/L、5.0 mg/L、10.0 mg/L、15.0 mg/L 的鈷離子一一配對,每組配比測試10次,取10次熒光強度的平均值作為結(jié)果,比較不同質(zhì)量分數(shù)的硫脲配不同質(zhì)量濃度的鈷離子的熒光增敏效果。
1.2.3 還原劑的選擇
以2%鹽酸為介質(zhì),配制1μg/L鎘標準溶液,溶液中含有質(zhì)量分數(shù)為0.50%的硫脲與質(zhì)量濃度為3.0 mg/L的鈷離子,與不同配比的氫氧化鉀—硼氫化鉀混合溶液進行反應(yīng),每組配比測試10次,取10次熒光強度的平均值作為結(jié)果,比較不同配比氫氧化鉀—硼氫化鉀條件下熒光強度的變化。
不同無機酸條件下所得熒光強度如圖1所示。HNO3介質(zhì)作用下,鎘的熒光強度顯著低于其他酸介質(zhì)。這是由于HNO3具有強氧化性,優(yōu)先大量消耗硼氫化物,使得鎘的揮發(fā)性氫化物產(chǎn)生率異常低。此外,由于H2SO4和H3PO4的粘度均較高,使得鎘離子與硼氫化物接觸反應(yīng)受到抑制,進而使得鎘的揮發(fā)性氫化物生成速率較低。由此可得,在粘度低、具有還原性的HCl介質(zhì)中,鎘元素的熒光強度較高,即分析靈敏度較高。
圖1 酸介質(zhì)對鎘原子熒光強度的影響
比較不同質(zhì)量分數(shù)的硫脲配不同質(zhì)量濃度的鈷離子的熒光增敏效果,結(jié)果如表1所示。硫脲與鈷離子混合后,效果最佳配比為質(zhì)量分數(shù)0.50%的硫脲與質(zhì)量濃度3.0 mg/L的鈷離子混合。熒光強度平均值為3569.50。相比于單獨使用硫脲或單獨使用鈷離子作用下的熒光增敏效果,硫脲與鈷離子混合后,熒光增敏效果有明顯增強,即硫脲與鈷離子混合后有明顯的效果疊加作用。
表1 熒光增敏劑配比對鎘原子熒光強度的影響
不同配比氫氧化鉀—硼氫化鉀混合溶液對熒光強度的影響如表2所示。還原劑采用質(zhì)量分數(shù)為0.5%的氫氧化鉀與質(zhì)量分數(shù)為3%的硼氫化鉀時,熒光強度最高,效果最佳。
表2 硫脲與鈷離子混合使用對鎘原子熒光強度的影響
氫氧化鉀的質(zhì)量濃度影響鎘的原子熒光強度,主要是由于氫氧化鉀會影響反應(yīng)體系的pH值。當氫氧化鉀質(zhì)量濃度低時,體系中反應(yīng)剩余的氫離子濃度偏高。剩余的氫離子競爭鎘離子與硼氫化鉀反應(yīng),影響鎘的揮發(fā)性氫化物的生成速率。而當氫氧化鉀質(zhì)量濃度高時,反應(yīng)體系中酸性會減弱,酸性弱時,電負性弱的鎘離子與硼氫化鉀結(jié)合形成的絡(luò)合物相對穩(wěn)定,生成揮發(fā)性氫化物的速率下降。
硼氫化鉀的質(zhì)量濃度會影響鎘的原子熒光強度,當硼氫化鉀的質(zhì)量濃度低時,硼氫化鉀的量不足以與所有的鎘離子反應(yīng),使鎘離子轉(zhuǎn)化為鎘的揮發(fā)性氫化物的轉(zhuǎn)化率下降。而當硼氫化鉀的質(zhì)量濃度過高時,過量的硼氫化鉀與溶液中的氫離子反應(yīng),使得溶液中的氫離子濃度迅速下降,反應(yīng)體系中局部酸度下降,影響鎘與硼氫化鉀形成的絡(luò)合物分解速率,降低鎘的揮發(fā)性氫化物的生成速率。同時,硼氫化鉀與氫離子反應(yīng)生成氫氣,“稀釋”鎘的揮發(fā)性氫化物,降低熒光強度。
綜上所述,以2%的鹽酸作為酸介質(zhì),加入質(zhì)量分數(shù)為0.50%的硫脲與質(zhì)量濃度為3.0 mg/L的鈷離子作為熒光增敏劑,以質(zhì)量分數(shù)為0.5%的氫氧化鉀和質(zhì)量分數(shù)為3%的硼氫化鉀作為還原劑反應(yīng),得到鎘的熒光強度最佳。