朱 亨,陳細林,朱保吉,刁立軍,姚順和,邢 雨,郭曉清,姚艷玲,呂曉俠
(中國原子能科學研究院,北京 102413)
隨著核技術的應用愈加廣泛,環(huán)境中放射性污染監(jiān)控也愈加重要,水體中放射性含量檢驗成為水質理化檢驗中的一個重要項目。GB 5749-2006《生活飲用水衛(wèi)生標準》[1]中將水體中總α、總β放射性檢驗規(guī)定為強制性檢測內容。GB/T 5750.13-2006《生活飲用水標準檢驗方法-放射性指標》[2]、HJ/T 898-2017《水質-總α放射性的測定-厚源法》[3]等標準中規(guī)定了水體中總α放射性的厚源法測量方法。低本底α、β測量儀尤其是流氣式低本底α、β測量儀可大量應用于上述標準檢驗工作。JJG 1100-2014《流氣正比計數(shù)器總α、總β測量儀檢定規(guī)程》[4]要求用210Po平面源檢定儀器的α探測效率(≥65%),重復性(≤1.5%)和串道比(≤10%)本工作的目的為制備符合檢定規(guī)程要求的210Po標準平面源。
210Po是一種純α衰變的核素,與241Am、239Pu等核素相比,因其α射線是單能的且無低能X射線,更適合用于基于流氣式正比計數(shù)器的總α、總β測量儀的檢定中串道比指標的檢驗。210Po是鈾系衰變鏈中的衰變子體,發(fā)射α粒子能量為5.305 MeV,半衰期為138.4 d。210Po可從210Pb(半衰期22.3 a)β衰變至210Bi,再由210Bi(半衰期5.013 d)β衰變而來,也可通過核反應如熱中子輻照鉍[5]、α束流轟擊209Bi靶[6]獲得,后續(xù)通過溶解鉍靶、液液萃取等步驟進行鉍釙分離,操作繁瑣。比較方便的方法是定期分離210Pb溶液中的210Po,這種方法可以滿足較長時間內少量多次使用210Po的需求。
210Po平面源常用的制備方法有沉淀法和電化學方法。文獻報道的沉淀法有CuS微沉淀濾膜[7]、氯化亞錫還原沉淀釙[8]等方法。電化學方法包括電鍍法和自沉積法。電鍍法制源一般在不銹鋼片上進行電鍍[9],可電鍍的核素有U、Ni等,自沉積法制源的放射性核素有U、Am、Pu等[10]。本工作介紹了一種基于銀底襯用自沉積法制備210Po平面源的方法,對制備的210Po平面源進行了性能測試。
α譜儀:中國原子能科學研究院自主研制;MPC9604型流氣式低本底α、β測量儀:Ortec公司;2πα、2πβ表面發(fā)射率標準裝置:中國原子能科學研究院自主研制;自沉積裝置:自制,由PET小瓶與沉積槽構成,小瓶瓶身直徑45 mm,高60 mm,瓶口內徑35 mm,瓶口外螺紋可與沉積槽內槽通過螺紋配合;沉積槽:材質為有機玻璃,截面示意圖示于圖1,由槽體(A)與底座(B)構成,槽體中心有一內徑25 mm貫通槽,槽體上部與小瓶緊密配合盛放母液,槽體下部與放置銀片(C)的底座緊密配合,使銀片與母液存在接觸面。
圖1 自沉積槽示意圖
銀片:純度99.9%,外徑35 mm,厚度2 mm;210Pb溶液:1 mol/L硝酸體系,1 688 Bq/g,中國原子能科學研究院自制;硝酸、鹽酸、乙醇均為國產分析純試劑;蒸餾水:自制三重蒸餾水。
210Po在銀片上的自沉積過程中,鹽酸濃度對210Po自沉積速率影響不大[12],加熱和攪拌能加快反應的速率,考慮到實驗的安全性,選擇增加反應時間來保證自沉積反應程度。實驗均在室溫常壓下進行。
每種金屬元素都有一定的標準電極電勢,在溶液中電極電勢高的金屬離子,可以將浸在溶液中電極電勢較低的金屬置換下來,而自身沉積于金屬的表面。這個過程不需要外加電勢,也稱為自沉積過程。如下列電極半反應方程式(1)~(6)[11]所示,210Pb、210Bi、210Po三種放射系核素中,鉛的標準電極電勢為-0.126 3 V,鉍的標準電極電勢為+0.320 V,釙的標準電極電勢為+0.765 V,而銀的標準電極電勢為+0.799 6 V,正常情況下,210Po不能直接沉積于銀片上,但在鹽酸體系中,由于氯離子存在能與銀生成配合物,使溶液中的自由銀離子濃度降低,使銀的電極電勢降至+0.222 3 V,鉍的電極電勢降至+0.158 3 V,使釙的電極電勢高于銀的電極電勢,從而釙能夠自發(fā)沉積于銀表面,而鉛和鉍難以沉積于銀表面。因此,將銀片置入達成平衡的210Pb溶液中,在鹽酸條件下,210Po將自發(fā)沉積在銀片上。
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(1) 銀片預處理。用金相砂紙拋光銀片表面,至銀片一面光滑無劃痕,將銀片表面銀粉洗去后用沾稀硝酸溶液的脫脂棉花擦洗銀箔表面,再用蒸餾水漂洗干凈,干燥備用。(2) 取10 mL210Pb溶液于沉積瓶中,加入10 mL 1 mol/L的鹽酸,混勻備用。(3) 將銀片拋光面面向槽體,旋緊底座,再整體與小瓶旋緊配合。注意先使用盛蒸餾水小瓶保證無漏液情況出現(xiàn),再使用盛210Pb溶液的小瓶進行實驗。自沉積裝置組裝完畢后,將小瓶倒立,使銀片拋光面與210Pb溶液接觸,室溫下自沉積24 h。(4) 自沉積結束后,將小瓶正立放置一段時間,從底座中取出銀片,用脫脂棉沾無水乙醇擦拭沉積面以外區(qū)域兩次,置于樣品盒中。210Pb母液仍置于小瓶中密封,待下次使用。
(1) 用α譜儀測量平面源的α能譜。(2) 用2πα、2πβ表面發(fā)射率標準裝置測量210Po標準平面源的坪區(qū)特性曲線,測量其表面發(fā)射率。(3) 用制得的210Po標準平面源測試低本底α、β測量儀測量的探測效率(公式7)、α對β道的串道比(公式8)與重復性(公式9)。
(7)
(8)
(9)
在實驗室正常溫度壓力下,將210Po標準平面源置于自制小源盒中保存,平面源活性區(qū)域不與任何表面接觸。約300 d后,再次用其測試低本底α、β測量儀的重復性與α對β道串道比。
平面源活性區(qū)域為銀片中心直徑25 mm的圓形區(qū)域,能明顯觀察到中心區(qū)域有一圈稍顯灰暗的沉積痕跡。說明210Po正常沉積平面源上。
測量自沉積制得的210Po平面源的α能譜如圖2所示。測量的α能譜中只有一個5.304 MeV的α峰,半高寬為23.92 keV,未發(fā)現(xiàn)210Pb、210Bi等雜質核素的特征峰。
圖2 210Po平面源的α譜
用2πα、2πβ表面發(fā)射率標準裝置測量制得的210Po平面源的坪曲線,結果示于圖3。如圖3所示,坪區(qū)為0.8~1.8 kV,坪長1 000 V,平均每百伏坪斜為0.28%。在坪區(qū)選擇1.52 kV作為工作電壓測量210Po平面源的表面發(fā)射率,結果為2.565×104min-1(參考日期2019年1月3日), 擴展不確定度為2.7%(k=2),符合檢定規(guī)程對210Po標準平面源表面發(fā)射率1.0×104~2.0×105min-1、擴展不確定度不高于3.0%(k=2)的要求。
圖3 多絲正比計數(shù)器測量平面源時的工作曲線
用210Po平面源測試Ortec公司的MPC9604型流氣式低本底α、β測量儀,計算儀器的α探測效率、α對β道串道比以及重復性,結果列于表1。由表1可知,210Po標準平面源的α對β道的串道比均小于3%,符合檢定規(guī)程中串道比小于10%的要求;測量重復性均低于1.5%,符合檢定規(guī)程中重復性低于3%的要求;儀器α探測效率達到77%,符合檢定規(guī)程中探測效率大于65%的要求。試驗表明研制的210Po標準平面源可以用于流氣式低本底α、β測量儀的檢定工作。
在平面源存放約300 d后,再次用平面源測試MPC9604型流氣式低本底α、β測量儀,結果如表2所示。由表2可知,α對β道的串道比、α測量效率、重復性符合檢定規(guī)程要求。
表1 210Po標準平面源測試流氣式低本底α、β測量儀結果(2019年1月29日)
表2 210Po標準平面源測試流氣式低本底α、β測量儀結果(2019年11月23日)
用自沉積法從210Pb溶液中制備210Po標準平面源,經α譜儀、2πα、2πβ表面發(fā)射率標準裝置和流氣式低本底α、β測量儀等實驗,結果表明制得的210Po標準平面源符合檢定規(guī)程要求,可以作為標準源檢定流氣式低本底α、β測量儀。