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金屬鉍靶件制備研究

2021-02-25 06:23楊紅偉向?qū)W琴胡連生馬俊平
同位素 2021年1期
關(guān)鍵詞:孔道鋁箔氦氣

楊紅偉,向?qū)W琴,胡連生,馬俊平,劉 路

(中國原子能科學研究院 同位素研究所,北京 102413)

210Po主要發(fā)射5.3 MeV的α粒子,γ輻射分支比很小,半衰期為138 d,衰變到穩(wěn)定的206Pb。210Po常用于制備高比活度α源、高強度210Po-Be中子源和高功率熱源,它可以通過將中子輻照209Bi生成210Bi經(jīng)過β衰變后獲得,其制備方法主要包括濕法、高溫化學萃取及高溫蒸餾等[1]。

制備210Po常用的輻照靶件有金屬鉍靶件和Bi2O3靶件兩種。靶件的制靶質(zhì)量關(guān)系到提高放射性核素產(chǎn)額、減少放射性核素雜質(zhì)和確保輻照安全等的重要問題。在相同的輻照條件下,金屬鉍靶可獲得更多的210Po產(chǎn)額及更少的放射性核素雜質(zhì),金屬鉍靶件入堆輻照安全的關(guān)鍵條件是在輻照過程中始終保證靶件的完整性。本文以金屬鉍為靶材料進行靶件制備研究,經(jīng)過靶件設(shè)計、傳熱計算及靶件密封性檢查,制備靶件并分析靶件的安全性,為后續(xù)中國先進研究堆(CARR)輻照金屬鉍制備210Po提供支持。

1 金屬鉍靶件設(shè)計

1.1 靶件組成

靶件組成為鋁筒,內(nèi)裝4個金屬鉍棒,金屬鉍棒用鋁箔包裹,鋁筒一端焊接密封。靶件示意圖示于圖1,主要參數(shù)列于表1。靶材選用高純鉍(99.999%),主要雜質(zhì)元素含量列于表2;靶筒選用6061鋁合金,主要雜質(zhì)元素含量列于表3。

圖1 靶件示意圖

表1 兩種靶件主要參數(shù)

表2 金屬鉍主要雜質(zhì)元素含量

表3 6061鋁合金主要雜質(zhì)元素含量

1.2 210Po產(chǎn)額計算

核反應(yīng)如下:

(1)

2 核發(fā)熱計算

2.1 中子注量率

輻照孔道選取CARR堆內(nèi)熱中子注量率偏高的水冷孔道進行靶件輻照的計算,根據(jù)孔道中子注量率的分布,取CARR堆芯活性區(qū)下-30 cm處為靶件底端的位置,靶件的物理計算結(jié)果,利用MCNP程序計算靶件的中子注量率。靶件在輻照孔道內(nèi)的位置分布示意圖示于圖2。

圖2 靶件輻照位置圖

2.2 核發(fā)熱

根據(jù)中子注量率計算結(jié)果計算核發(fā)熱,反應(yīng)堆功率按照滿功率60 MW計算,利用MCNP程序計算靶件的中子碰撞熱、γ光子熱和β衰變熱等。分別計算金屬鉍及鋁靶筒在反應(yīng)堆中的最大發(fā)熱量。

3 傳熱計算

靶件核發(fā)熱產(chǎn)生的熱量通過金屬鉍棒、氦氣間隙和鋁靶筒傳入反應(yīng)堆水冷孔道中,鉍棒與鋁靶筒內(nèi)熱傳遞為導熱過程,鋁靶筒與水冷孔道的熱傳遞為對流換熱過程[2-4]。

3.1 金屬鉍棒導熱

核發(fā)熱為一種內(nèi)熱源,設(shè)定金屬鉍棒為均勻體積熱源,忽略軸向?qū)?,其穩(wěn)態(tài)柱坐標形式的傳熱關(guān)系式為:

(2)

式(2)中,r為徑向坐標,m;λ為導熱系數(shù),W/m·K;t為溫度,℃;q為功率密度,W/m3。

金屬鉍棒中心與表面溫差為:

(3)

式(3)中,rBi為鉍棒半徑,m;λBi為鉍導熱系數(shù),W/m·K。

3.2 氦氣間隙導熱

3.2.1導熱模型 金屬鉍棒處于鋁靶筒中心,將氦氣間隙看成無內(nèi)熱源的均勻圓筒,忽略氦氣對流換熱的影響,根據(jù)表面溫度恒定的圓筒模型,推導出溫差為:

(4)

式(4)中,Q為鉍棒發(fā)熱功率,W;L為鉍棒長度,m;T1、T2為氦氣間隙內(nèi)外的溫度,℃;r1、r2為氦氣間隙內(nèi)外的半徑,m;λHe為氦氣導熱系數(shù),W/m·K。

3.2.2氣隙接觸導熱模型 由于氦氣的熱導率很低,即便氦氣間隙很薄,氦氣隙內(nèi)仍會產(chǎn)生相當大的溫降。為保證金屬鉍棒在反應(yīng)堆輻照過程中的幾何形態(tài),需將鉍棒用鋁箔包裹后放入鋁靶筒內(nèi),鋁箔與鋁靶筒在許多點上形成接觸,此時氣隙導熱方式為氣隙接觸導熱。通過氣隙的溫降為:

(5)

式(5)中,Q為鉍棒發(fā)熱功率,W;L為鉍棒長度,m;αg為氣隙換熱系數(shù),典型值范圍為8 000~11 000,W/m2·K。

3.3 鋁靶筒導熱

鉍棒核發(fā)熱遠大于鋁靶筒的核發(fā)熱,將鋁靶筒的核發(fā)熱累計到鉍棒的核發(fā)熱上,按照無內(nèi)熱源的圓筒推導出鋁靶筒的溫差為:

(6)

式(6)中,QBi、QAl為鉍棒、鋁靶筒發(fā)熱功率,W;L為鋁靶筒長度,m;Tin,Ts為鋁靶筒內(nèi)外的溫度,℃;rin,rs為鋁靶筒內(nèi)外的半徑,m;λAl為鋁導熱系數(shù),W/m·K。

3.4 鋁靶筒外壁對流換熱

鋁靶筒外壁與冷卻水的換熱方式主要是對流換熱,對流換熱的熱量為:

Q=aA(Ts-Tl)

(7)

式(7)中,Q為熱量,W;a為對流換熱系數(shù),W/m2·K;Ts、Tl為鋁靶筒外壁、冷卻水的溫度,℃。

4 靶件密封性檢查

鉍棒用鋁箔包裹后塞入鋁靶筒中,靶筒內(nèi)沖入氦氣,用氬弧焊焊封,焊后的靶件用氦質(zhì)譜檢漏儀檢漏,檢查靶件密封性。

5 結(jié)果與討論

5.1 210Po產(chǎn)額

熱中子注量率最大為5.21×1014n/cm2·s條件下輻照30 d后,以210Po放射性活度-冷卻時間作圖,結(jié)果示于圖3。

圖3 210Po放射性活度隨冷卻時間曲線圖

從圖3可知,熱中子注量率最大為5.21×1014n/cm2·s條件下輻照30 d后,由于210Bi半衰期為5.013 d,需要將其充分衰變?yōu)?10Po,冷卻時間以15~20 d為宜,a靶件210Po理論產(chǎn)額為115 Ci,b靶件210Po理論產(chǎn)額為169 Ci。

5.2 核發(fā)熱

利用MCNP程序計算中子注量率,結(jié)果見表4。核發(fā)熱計算結(jié)果見表5。

由表4、表5結(jié)果可見,靶件a與靶件b處于反應(yīng)堆輻照孔道同一水平位置,二者中子注量率分布基本一致。由于靶件b核反應(yīng)生成的同位素比靶件a生成的同位素多,相對由生成的同位素衰變引起的核發(fā)熱多,靶件b總發(fā)熱量大于靶件a總發(fā)熱量。

表4 靶件堆照部位中子注量率

表5 靶件核發(fā)熱

5.3 傳熱

5.3.1輸入?yún)?shù) 金屬鉍導熱系數(shù):λBi=7.97 W/(m·℃),6061鋁導熱系數(shù):λAl=160 W/(m·℃),氦氣導熱系數(shù):λHe=0.15 W/(m·℃),氦氣接觸導熱換熱系數(shù):αHe=8 000 W/m2·K,水冷孔道內(nèi)徑:D=70 mm,入口溫度:50 ℃,流速:1.0 m/s。

5.3.2計算結(jié)果 氦氣間隙傳熱分別為間隙導熱和接觸導熱時靶件各部分溫度列于表6。鋁具有良好的導熱性能,容易將輻照產(chǎn)生的熱量傳遞到水冷孔道中,鋁靶筒外壁溫度低于100 ℃,靶筒的幾何形狀保持完好。

表6 靶件溫度分布

鉍棒與鋁靶筒間的間隙為1 mm,鉍棒核發(fā)熱產(chǎn)生的熱量有兩種模式通過氦氣傳遞到鋁靶筒,分別為氦氣間隙導熱和氦氣接觸導熱。氦氣間隙導熱時,由于氦氣導熱系數(shù)小,會產(chǎn)生超過600 ℃以上的氦氣間隙溫差,鉍棒溫度大于734 ℃,造成鉍棒熔化。氦氣接觸導熱時,鉍棒用鋁箔包裹,鋁箔與鋁靶筒接觸,鉍棒通過鋁箔將熱量傳遞到鋁靶筒,鉍棒與鋁靶筒之間產(chǎn)生13 ℃的接觸間隙溫差,鉍棒中心溫度低于鉍的熔點。因此,針對熔點低的靶材料,要采用接觸導熱的模式制備靶件。

5.4 密封性檢查

經(jīng)傳熱計算,用鋁箔包裹鉍棒后靶件a的中心溫度比靶件b的中心溫度低28.3 ℃,靶件a更安全。按照靶件a設(shè)計的尺寸焊接3個靶件,焊接后的靶件用氦質(zhì)譜檢漏儀進行檢漏,靶件的氣密性檢查結(jié)果見表7。

表7 泄漏率

焊后靶件氦氣泄漏率低于3.2×10-9Pa·m3/s,密封良好。

6 結(jié)論

在熱中子注量率最大為5.21×1014n/cm2·s條件下輻照30 d,冷卻15~20 d,a靶件210Po理論產(chǎn)額約為115 Ci,b靶件210Po理論產(chǎn)額約為169 Ci。鉍棒用鋁箔包裹,在CARR堆水冷孔道中輻照靶件,鉍棒中心溫度最高為191.8 ℃,低于鉍的熔點,鉍棒不會在反應(yīng)堆熔化變形。

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