戴欣華 ,蘇新彥 ,姚金杰 ,江潤東 ,唐 強(qiáng)
(1.中北大學(xué) 信息探測與處理山西省重點(diǎn)實驗室,山西 太原030051;2.西安機(jī)電信息技術(shù)研究所,陜西 西安710065)
小型毫米波雷達(dá)在單兵雷達(dá)[1]、汽車防撞[2]、探測制導(dǎo)[3]等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 而在此類應(yīng)用中一個非常突出的問題是如何在狹小的安裝空間內(nèi)同時滿足大探測范圍和足夠遠(yuǎn)的探測距離,對應(yīng)天線的特性為高增益和寬波束寬度。因此設(shè)計滿足高增益和寬波束寬度需求的陣列天線具有相當(dāng)大的實際意義和工程價值。
文獻(xiàn)[4]提出的一種四元并聯(lián)饋電雙天線陣,采用傳統(tǒng)并聯(lián)饋電設(shè)計陣列增益不足[4];文獻(xiàn)[1]、[2]中的串并聯(lián)混合饋電設(shè)計都采用矩形柵格矩形邊界陣,存在口徑效率不足這個問題。 文獻(xiàn)[5]采用加載寄生元件方法擴(kuò)展了波束寬度,但當(dāng)頻率上升到Ka 波段時對加工精度的要求過于苛刻[5]。 提高增益的最直接做法是增加陣元數(shù)目,而增加陣元數(shù)目會降低波束寬度,因此在陣列天線設(shè)計過程中引入智能優(yōu)化算法對陣列的性能進(jìn)行優(yōu)化十分必要。 以遺傳算法為例,通常做法是將陣列的結(jié)構(gòu)參數(shù)[6]、幅相分布[7]、相對位置[8-9]等作為優(yōu)化變量,選取合適的選擇、交叉、變異算子及策略獲得滿足設(shè)計需求的陣列天線。 在對文獻(xiàn)[6]~文獻(xiàn)[9]研究的基礎(chǔ)上可知,工程實踐中對遺傳算法優(yōu)化天線的具體方案不能以一概全,要根據(jù)具體情況采取最合適的設(shè)計方案。
本文開展了將遺傳算法應(yīng)用在天線優(yōu)化中的研究并提出了一種運(yùn)用于小型毫米波雷達(dá)前端的微帶陣列天線,天線陣列采用串并聯(lián)混合的饋電方式,通過遺傳算法優(yōu)化正交傳輸線的長度控制子陣列的相對位置,實現(xiàn)指定載體上小型化微帶陣列天線高增益和寬波束寬度目標(biāo)。
本文提出的天線所需要滿足的具體指標(biāo)包括收發(fā)天線陣列排布在直徑為30 mm 的圓形基底內(nèi),天線中心頻率為36 GHz,在中心頻率36 GHz 增益大于12 dBi,E 面和H 面波束寬度不低于15°。 由此單個收發(fā)陣列約束在半徑為15 mm 的半圓內(nèi),微帶陣列設(shè)計為8 元,陣列分為兩種子陣以及饋電網(wǎng)絡(luò)共三部分。陣列天線的設(shè)計流程包括設(shè)計陣元和饋電網(wǎng)絡(luò),陣列分為串聯(lián)子陣和并聯(lián)子陣,互相之間通過子陣饋電網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行功率分配。
根據(jù)工程經(jīng)驗選擇厚度為10 mil、介電常數(shù)為2.2 的Rogers 5880 作為介質(zhì)基板,銅厚1 oz,串聯(lián)和并聯(lián)子陣內(nèi)的陣元略有不同,但是都可以用傳輸線模型進(jìn)行分析設(shè)計。傳輸線法將矩形微帶貼片看作場沿橫邊沒有變化的傳輸線諧振器,沿縱向呈駐波變化,輻射主要由兩開路端處的邊緣場產(chǎn)生,因此,可以將矩形微帶貼片表示為兩條平行縫隙[10]。 貼片的尺寸由經(jīng)驗公式(1)~(4)估算:
式中:W、L 分別為貼片輻射邊和非輻射邊的長度;fr是天線諧 振 頻 率;εr、εe、h 分 別 為介質(zhì) 的 相 對 介 電 常 數(shù)、等效相對介電常數(shù)和厚度;εr、Δl 分別是介質(zhì)中的波導(dǎo)波長和開路端縫隙等效導(dǎo)納的延伸長度。同時在饋電方式的選擇上,串聯(lián)子陣的陣元采用邊緣饋電,并聯(lián)子陣的陣元采用嵌入式饋電。 確定初始尺寸后,在仿真軟件中微調(diào)使貼片在中心頻率諧振。串饋兩陣元及并饋陣元結(jié)構(gòu)見圖1。
分別仿真串聯(lián)子陣以及并聯(lián)子陣。 串聯(lián)子陣由兩個矩形貼片組成,分別是傳輸單元和匹配單元,可以等效為4 元輻射電導(dǎo)諧振電路,根據(jù)1.1 節(jié)結(jié)果將初始尺寸帶入子陣仿真,考慮到組陣后貼片之間互耦,沿微帶線在每個貼片邊設(shè)置探針檢測諧振狀態(tài)[11],再微調(diào)陣元尺寸使得子陣在中心頻率諧振。 并聯(lián)子陣同理。 串聯(lián)子陣為避免反射波同向疊加,串聯(lián)饋電的兩陣元間隔不是半波長的倍數(shù), 因此波束不是指向邊射方向而是傾斜的,且主波束隨頻率偏移[10]。 兩并聯(lián)子陣從輸入端至各陣元等長,各單元同相,形成邊射波束。
陣列采用50 Ω 同軸線經(jīng)2.92 mm 連接器從底部饋電,饋電口距離板邊0.5 mm,通過一段35.36 Ω 的四分之一波長阻抗變換器變換成25 Ω 后分為兩路50 Ω,每一路再分別分為兩路,一路為兩貼片串聯(lián),另一路為兩貼片并聯(lián)。 并聯(lián)子陣通過一段正交饋線與饋電點(diǎn)連接,通過優(yōu)化正交饋線的長度控制串聯(lián)子陣與并聯(lián)子陣的相對位置從而優(yōu)化陣列輻射特性。 由于陣列尺寸限制,串聯(lián)子陣的安裝空間較為狹隘難以做阻抗變換,在主饋線與串、并聯(lián)子陣的連接處采取不等分功分器,由式(5)、式(6)通過改變傳輸線的特性阻抗調(diào)整功率分配比。根據(jù)串聯(lián)子陣及主傳輸線寬度并考慮加工公差,并聯(lián)子陣與串聯(lián)子陣的功分比為1.3:1。 各饋線特性阻抗見表1。
表1 各饋線特性阻抗
圖1 陣列天線結(jié)構(gòu)示意圖
收發(fā)陣列之間放置0.5 mm 寬、28 mm 長的矩形條以提升隔離度,陣列設(shè)計完成之后的結(jié)構(gòu)如圖1 所示。
單個收發(fā)陣列若干隨機(jī)陣元分布情況下的陣列諧振峰有多個且都不在中心頻率,由此出現(xiàn)阻抗失配損耗,當(dāng)陣元間距過大會導(dǎo)致出現(xiàn)柵瓣,這些都必然影響天線陣列的增益[12]。 因此有必要使用遺傳算法進(jìn)行優(yōu)化布陣,以期在給定約束下確定天線陣列的物理布局,獲取滿足期望性能指標(biāo)的輻射方向圖。
在子陣已經(jīng)設(shè)計好的基礎(chǔ)上,各陣元在各子陣中位置確定,只要確定子陣位置即可確定各陣元位置。 以子陣中兩陣元的中點(diǎn)為圓心,用兩陣元的外接圓作為子陣的模型,示意圖如圖2 所示。串饋陣只有一維自由度,并饋陣有二維自由度。根據(jù)子陣模型可以給出陣列的陣因子方向圖函數(shù):
式 中Pxn、Pyn為 陣 元n 的 位 置 坐 標(biāo),N 為 陣 元 個 數(shù),θ、φ為陣面掃描角,In為陣元激勵幅度,I0為陣元放置在原點(diǎn)的信號強(qiáng)度[13]。 由式(7)可知,陣因子方向圖取決于陣元位置,串饋子陣的位置(x1,ya)由l3確定,并饋子陣列的位置(xb,yb)由P4、P5決定,將其作為決策變量。 約束條件包括子陣及饋電網(wǎng)絡(luò)之間不能重疊且所有陣元及饋電網(wǎng)絡(luò)都要在基底上以及根據(jù)工程實際要在板邊留出安全距離。 據(jù)此計算后建立劃分串并聯(lián)子陣平面陣列形式下的優(yōu)化模型見式(8),模型中所用常量見表2。
圖2 子陣模型示意圖
表2 優(yōu)化模型常量表
主饋電網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化變量是兩串饋陣列的距離、兩并饋陣相對于串饋陣的距離,子陣的各陣元之間存在互耦。由2.1 節(jié)可知,天線陣的各個參數(shù)并非獨(dú)立地影響著天線的輻射特性,而是相互影響,相互作用,單獨(dú)對相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分析很難得到較優(yōu)的天線方向圖性能。 在求解這種非線性多約束的多元組合優(yōu)化問題上,智能優(yōu)化算法具有獨(dú)特的優(yōu)勢。 基于遺傳算法對天線陣列進(jìn)行優(yōu)化。
采用的遺傳算法流程如圖3 所示,生成初始種群時群體規(guī)模NP 取100。 編碼采用實數(shù)編碼,將各優(yōu)化變量作為基因構(gòu)成染色體。 為了實現(xiàn)在對主瓣方向上的增益進(jìn)行控制的同時實現(xiàn)需求的波束寬度要求,根據(jù)最大E面波束寬度、中心頻率處最大主瓣增益構(gòu)造適應(yīng)度函數(shù)。
式中,G 為主瓣相對增益,GT 為目標(biāo)主瓣相對增益;BW 為波束寬度,TBW 為目標(biāo)波束寬度,G、GT、BW、TBW都采用歸一化dB 值來表示。 通過調(diào)整加權(quán)系數(shù)a、b調(diào)整對增益和波束寬度要求的權(quán)衡,根據(jù)經(jīng)驗選取a=0.8,b=0.2。 波束寬度越大,增益越高,適應(yīng)度函數(shù)越趨近于0。
圖3 遺傳算法流程
隨后對種群中的個體進(jìn)行選擇、交叉、變異的操作,選擇和交叉操作采用“君主方案”,就是根據(jù)群體適應(yīng)度值高低排序的基礎(chǔ)上,用最優(yōu)個體與其他偶數(shù)位的所有個體進(jìn)行交叉,每次交叉產(chǎn)生兩個新個體,交叉后對新產(chǎn)生的群體進(jìn)行多點(diǎn)變異產(chǎn)生新群體,在計算其適應(yīng)度值,然后和父群體合并,按照適應(yīng)度值進(jìn)行排序,選擇前NP 個個體為新群體[14]。同時為了防止Pareto 最優(yōu)解丟失并加速算法的快速收斂,參考非支配排序遺傳算法(NSGA-Ⅱ)[15],引入精英策略,保留父代中的優(yōu)良個體直接進(jìn)入子代,具體操作為在交叉、變異之后用父代最優(yōu)個體替換新種群中的最差個體。交叉概率取0.5,變異概率取0.1。
遺傳算法在MATLAB 中完成,將參數(shù)傳遞給CST MWS之后調(diào)用求解器進(jìn)行全波仿真,隨后提取CST 中中心頻率處的方向圖數(shù)據(jù)(波束寬度、增益)供MATLAB 讀取,進(jìn)行計算適應(yīng)度值、選擇、交叉變異的遺傳操作。當(dāng)獲得全局最優(yōu)解或達(dá)到迭代次數(shù)限制時停止迭代并輸出優(yōu)化變量。 優(yōu)化完畢之后陣列天線的結(jié)構(gòu)參數(shù)如表3 所示。
表3 天線陣列結(jié)構(gòu)參數(shù)(mm)
優(yōu)化完畢之后更新結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行全波仿真,在PCB加工后采用矢網(wǎng)測量反射系數(shù)曲線如圖4 所示。 在微波暗室中測試天線實物如圖5 所示,測試得到E 面、H 面方向圖如圖6、圖7 所示。
圖4 仿真及實測S11 曲線
陣列天線的-10 dB 阻抗帶寬為6.94%(34.8~37.3 GHz),反射系數(shù)與仿真結(jié)果相比有差異原因可能是所用2.92 mm連接頭與天線的饋電點(diǎn)手工粘合導(dǎo)致?lián)p耗及測量誤差。測試E、H 面波束寬度分別為28°、15°,與仿真值略有差異可能是加工精度不夠?qū)е隆?在中心頻率36 GHz 處測試得到最大增益為15 dBi,與仿真結(jié)果基本相符。
圖5 天線實物及暗室測試圖
圖6 E 面方向圖
圖7 H 面方向圖
針對小型化毫米波雷達(dá)對大探測范圍及遠(yuǎn)距離探測的需求,本文設(shè)計了一種Ka 波段小型高增益陣列天線,天線結(jié)構(gòu)參數(shù)采用遺傳算法優(yōu)化,仿真及測試結(jié)果表明天線具有15 dBi 的高增益及在E 面28°、H 面15°較寬的波束寬度,可以應(yīng)用在小型毫米波雷達(dá)及相關(guān)領(lǐng)域,具有一定的實際意義和工程價值。