李 佳,張 淼,高麗麗,牟佳佳,田原野,代 星,張 超
(1.北華大學(xué)理學(xué)院,吉林 吉林 132013;2.蘇州大學(xué)放射醫(yī)學(xué)與防護國家重點實驗室,江蘇 蘇州 215123;3.安徽理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,安徽 淮南 232001)
金剛石(Diamond)和立方氮化硼(c-BN)是性能十分優(yōu)異的兩種超硬材料,由于其寬帶隙、高導(dǎo)熱性和化學(xué)穩(wěn)定性而被認為是高溫電子、紫外探測器和紫外發(fā)光二極管等器件的可行替代材料[1].近年來研究者們可以制備p型摻雜的金剛石,如果在p型金剛石基底上制備n型摻雜的立方氮化硼,進而形成PN結(jié)構(gòu),將極大推進金剛石和立方氮化硼這兩種材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用.相對于塊體材料,二維納米材料由于性能特殊且優(yōu)異,已成為近些年的研究熱點,并在許多領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛能.自2004年發(fā)現(xiàn)單原子層石墨材料——石墨烯后,很快人們已經(jīng)能夠成功可控地合成單個或數(shù)個原子層石墨烯.二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的建立促進了對混合層狀材料的廣泛研究,目前比較常見的異質(zhì)結(jié)構(gòu)有磷/氮化硼[2]、石墨烯/氮化硼和其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)[3].這些新型低維材料非同尋常的結(jié)構(gòu)和性能使其適合于電磁設(shè)備的新應(yīng)用,與單個二維材料相比,往往具有出色的性能.二維納米材料的研究熱潮大大促進了對立方相結(jié)構(gòu)向?qū)訝畈牧习l(fā)展的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用探索.近年來,二維金剛石材料[4]和二維氮化硼材料[5]的研究應(yīng)運而生,并通過理論預(yù)測發(fā)現(xiàn),二維金剛石和氮化硼材料都具有明顯的各向異性以及區(qū)別于三維體材料的物理性質(zhì).由于氮化硼材料中B-N之間表現(xiàn)出部分離子性,金剛石C-C之間表現(xiàn)共價鍵的特性,若將BN層和金剛石C層結(jié)合起來,必將產(chǎn)生新型的二維夾層結(jié)構(gòu),有望預(yù)測出新型多功能復(fù)合納米膜材料.
因此,受目前提出的二維金剛石和二維氮化硼材料啟發(fā),本文通過第一性原理計算,設(shè)計以金剛石和氮化硼為基的二維三明治薄層結(jié)構(gòu),得到其在常壓下納米膜結(jié)構(gòu)特征和電學(xué)/光學(xué)性質(zhì),為能夠滿足新型電子納米器件的實際應(yīng)用提供理論參考依據(jù).
本文采用基于密度泛函理論的廣義梯度近似的理論方法,應(yīng)用Materials Studio中的CASTEP模塊和VASP軟件進行計算.在幾何優(yōu)化中,總能量的精度為1.0×10-5eV/原子,截斷能為700 eV,優(yōu)化所有結(jié)構(gòu)和晶格參數(shù),為防止周期之間的相互影響,真空層選擇為20 ?.布里淵區(qū)k點的網(wǎng)絡(luò)選擇6×6×1.分子動力學(xué)計算采用NVT,溫度為300 K,間隔為1 fs,共計10 ps.三明治結(jié)構(gòu)中間層為C原子,上下兩層為BN原子,初始結(jié)構(gòu)選擇為3層,并在BN原子層不同終端通過雙側(cè)加氫飽和,超胞選擇大小為2×2.
優(yōu)化后的二維三明治結(jié)構(gòu)如圖1所示(具體的鍵長標(biāo)注在圖1上).從圖1可以看出,B-H之間的鍵長為1.223 ?,N-H之間的鍵長為1.033 ?,在層間N與C、B與C之間均形成sp3鍵,在層內(nèi),B-N之間鍵長為1.524 ?,略小于BN體材料的1.560 ?,N-B-N之間的鍵角為108.079°,與體材料的109.471°較為接近,說明BN層保持住較好的立方相特征.對于中間C層,C-C之間的鍵長為1.575 ?,略大于金剛石體材料的1.540 ?,C-C-C之間的鍵角為110.116°,略大于體材料的109.471°,這表明BN層對中間C層具有更強的結(jié)合力,使得C層發(fā)生微小的形變.
圖1 二維B-C-N結(jié)構(gòu)
為確定二維三明治結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,進一步應(yīng)用動力學(xué)和熱力學(xué)進行穩(wěn)定性判定,本文采用有限位移的方法,選取一定大小的超元胞,再根據(jù)結(jié)構(gòu)的對稱性,將原子按特定方式移動離開平衡位置一定距離,計算出對應(yīng)位移的受力情況,經(jīng)過多次位移就可以得出結(jié)構(gòu)振動時的受力情況,從而解出聲子振動能譜.圖2為聲子色散曲線,譜線均在0以上說明結(jié)構(gòu)無虛頻,表明動力學(xué)穩(wěn)定,但若將BN和C層替換,即上下兩層為C層,中間為BN層,聲子譜則出現(xiàn)虛頻,因此不再考慮這種構(gòu)型.另外,采用正則系綜分子動力學(xué)方法(NVT)進一步驗證B-C-N結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性(見圖3),設(shè)置溫度為300 K,間隔為1 fs,總計時長為9 ps.經(jīng)過分子動力學(xué)測定,結(jié)構(gòu)沒有破裂,并且隨著溫度變化可以保持住三明治結(jié)構(gòu),說明該結(jié)構(gòu)熱力學(xué)也穩(wěn)定.
a.H-N;b.B-C;c.C-N;d.B-H.
為了進一步探究C-B成鍵和C-N成鍵對于電子態(tài)的影響,本文對平行于鍵合方向的電子波函數(shù)中的空間電荷分布直接進行了比較,如圖4所示.從圖4中我們可以清楚地觀察到,C-B鍵中電子電荷被限制得更接近C原子,而C-N鍵中電子電荷則是更被限制在靠近N原子附近.從圖4中我們還可以發(fā)現(xiàn),每個原子上的電荷分布嚴重扭曲到相鄰的原子上,這意味著在H-N、B-C、C-N、B-H之間具有很強的相互作用.由于C、B、N之間不同的電負性,導(dǎo)致電荷的重新分布,并主要集中在N原子周圍.
為了探究二維三明治結(jié)構(gòu)的電學(xué)性質(zhì),研究了其能帶和電子態(tài)密度,如圖5所示.從能帶圖可以明顯的看出二維B-C-N結(jié)構(gòu)為一直接帶隙半導(dǎo)體,如圖5a,且?guī)秾挾群苄。s為0.24 eV.這個帶隙寬度幾乎與三層BN(111)表面雙側(cè)加氫帶隙一致[6],但是小于三層金剛石(111)表面雙側(cè)加氫2.7 eV[7].由圖5 b和圖5 c的分波態(tài)密度可以明顯的看出C-B和C-N原子之間均發(fā)生了軌道sp雜化,B原子和N原子分別與C原子形成新的鍵,B-C和N-C之間表現(xiàn)較明顯的差異.從雜化的強度上可以看出,C-B之間的雜化強度要更強,峰值更高,與之前電子密度分析得到的結(jié)論是一致的.因此,在實驗合成上,可以預(yù)知在金剛石基底上外延生長氮化硼,C-B鍵是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),也最可能出現(xiàn)在實際的生長過程中,這個結(jié)論與之前報道的實驗[8]和理論[9]結(jié)果相吻合.
圖5 二維B-C-N結(jié)構(gòu)
根據(jù)上述的電學(xué)研究發(fā)現(xiàn),能帶寬度0.24 eV是一典型的窄帶隙半導(dǎo)體,將具有較好的光學(xué)吸收,因此我們計算二維三明治夾層結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì).從圖6 a的光學(xué)吸收譜中可以明顯的看出,二維三明治夾層結(jié)構(gòu)的主要吸收峰主要集中在50~150 nm真空紫外光區(qū)域,且在100 nm波長出現(xiàn)最強的吸收峰值.
圖6 二維三明治夾層結(jié)構(gòu)
同時,我們計算了二維三明治夾層結(jié)構(gòu)的折射率n(ω)和消光系數(shù)k(ω),如圖6 b所示.計算結(jié)果表明:三明治夾層結(jié)構(gòu)的靜態(tài)折射率n(ω=0)為1.47 eV,小于氮化硼材料的4.53 eV[10]和金剛石體材料的2.20 eV[4],這表明光在三明治夾層結(jié)構(gòu)中的傳播速度要大于體材料.折射率的振蕩峰達到最大值1.55 eV,然后迅速下降到最小值0.5 eV,最后在 1 eV左右趨于穩(wěn)定.最大的消光系數(shù)出現(xiàn)在11 eV和13 eV附近,在這些位置,聲子會快速的被吸收.
通過第一性原理計算,系統(tǒng)研究了二維夾層三明治結(jié)構(gòu)特征、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì).結(jié)果表明:B-C-N原子之間形成較好的類sp3鍵合,動力學(xué)和熱力學(xué)均表明結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性良好;B原子和N原子分別與C原子形成新的共價鍵,電負性的差異導(dǎo)致電子之間的電荷重新分布,C-B之間成鍵表現(xiàn)出更強的雜化特性.基于立方相氮化硼和金剛石材料所獲得的薄層二維三明治結(jié)構(gòu)具有良好的窄帶隙電學(xué)特征,并且光的傳播速度大于其在體材料中的傳播速度,其在真空紫外區(qū)表現(xiàn)出明顯的吸收特性.綜上,二維三明治夾層結(jié)構(gòu)有望應(yīng)用于微型光電器件中,本工作為探索新型二維材料提供了理論思路,并為實驗立方相金剛石氮化硼異質(zhì)外延生長提供了理論參考.