張玉清,陳同彩,王春霞,陳志強,孫佳銘,楊佳衛(wèi)
(南昌航空大學分析測試中心,江西南昌330063)
鋼鐵材料具有較好的綜合性能,廣泛應(yīng)用于海洋船舶、飛機起落架等工業(yè)領(lǐng)域,但其耐蝕性差,在海洋環(huán)境中容易發(fā)生腐蝕,因此需要在鋼鐵材料表面鍍鎘以提高其耐蝕性。鎘是具有銀白色金屬光澤的軟質(zhì)金屬,其標準電極電位為0.4 V,比鐵的標準電極電位(0.44 V)稍正,然而在3% NaCl溶液中鎘的電位比鐵負,因此鋼鐵件鍍鎘層隨著不同的使用環(huán)境,其保護方式會發(fā)生相應(yīng)的變化,鍍鎘鋼鐵件在鹽霧以及堿性氣氛條件下具有良好的耐腐蝕性[1]。
目前,航空企業(yè)大多使用傳統(tǒng)的氰化鍍鎘技術(shù),其鍍液穩(wěn)定、鍍層質(zhì)量較好。但氰化物為劇毒物質(zhì),對工作人員及環(huán)境的危害性巨大,國家已經(jīng)嚴格限制氰化物電鍍技術(shù)的使用。顯然,繼續(xù)使用氰化物鍍鎘是不可取的,無氰鍍鎘代替氰化鍍鎘勢在必行[2-3]。EDTA體系無氰鍍鎘液的電流效率低,且鍍層粗糙,耐蝕性較差,難以適應(yīng)生產(chǎn)要求[4]。本實驗在鍍液中加入不同的添加劑,研究添加劑對鍍液電流效率及鍍層耐蝕性能等的影響。
電 解 液 組 成:CdCl2·2.5H2O 40 g/L、EDTA 30 g/L、NTA 60g/L、NH4Cl 180 g/L、NH4COOH 25 g/L。添加劑分別為硫脲、聚乙烯亞胺、維生素B衍生物。所用藥品均為分析純。
采用恒電流法在45#鋼基體(5 cm×5 cm×1 mm)表面制備鎘鍍層,鍍層沉積電流為1 A/dm2,沉積時間為30 min。電鍍前基體先依次經(jīng)320#、800#、1200#、1500#砂紙打磨并在40 mL/L的稀鹽酸中活化10 s。
采用RST5200電化學工作站研究添加劑對無氰鍍鎘溶液陰極極化性能的影響,測試體系采用三電極體系,以1 cm2的45#鋼為工作電極,輔助電極為鉑電極,參比電極為飽和甘汞電極,電位掃描速度為10 mV/s。
采用D8ADVANCE-D8X型X射線衍射儀對鍍層結(jié)構(gòu)及晶粒大小進行表征。實驗條件:銅靶,室溫,掃描角度20°~80°,掃描速度5°/min。采用Nova Nano SEM450型場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀察不同添加劑制備的鍍層形貌。采用Byes-60A型鹽霧試驗箱對鍍層耐蝕性進行檢測,溫度為室溫,工作液為5% NaCl溶液。采用JC2000C1接觸角測量儀對不同添加劑制備的鍍層進行接觸角測量,溫度為室溫,工作液為5%NaCl溶液。
分別在基礎(chǔ)鍍液中添加1.5 g/L硫脲、0.1 mL/L聚乙烯亞胺、4 g/L維生素B衍生物,測試了不同添加劑對鍍液陰極極化性能的影響,結(jié)果如圖1所示。可以看出,在電流密度2 A/dm2時,加入硫脲或聚乙烯亞胺后陰極電位負移至-1.1 V,加入維生素B衍生物后陰極電位負移至-1.3 V,相比其他兩種添加劑,維生素B衍生物的極化效果更好,更容易得到細致均勻的鍍層。相同電流密度下極化度(dE/dJ)可以直觀的表現(xiàn)出鍍液的極化程度,在2 A/dm2的電流密度下,加入維生素B衍生物的鍍液極化度最大,鍍液分散能力較其他兩種添加劑要好,鍍層細致均勻。
圖1 鍍液添加不同添加劑后的陰極極化曲線Fig.1 Cathodic polarization curves after adding different additives to the plating solution
由于維生素B衍生物具有多個雙鍵,其能吸附在電極表面,且維生素B對鎘具有一定的絡(luò)合作用,可將擴散到電極表面的鎘離子絡(luò)合,降低鎘離子在陰極表面還原的速率,從而得到結(jié)晶細致均勻的鍍層。
在基礎(chǔ)鍍液中分別加入1.5 g/L硫脲、0.1 mL/L聚乙烯亞胺、4 g/L維生素B衍生物,然后在1 A/dm2的電流密度下施鍍20 min,對制備的鍍層進行XRD測試,結(jié)果如圖2所示。
圖2 添加不同添加劑制備的鍍層的XRD衍射譜圖Fig.2 XRD diffraction patterns of coatings prepared by adding different additives
采用晶面的織構(gòu)系數(shù)TChkl來表征晶面擇優(yōu)程度,織構(gòu)系數(shù)計算公式為:
式中:Ihkl為鎘鍍層(hkl)晶面的衍射強度,I0,hkl為無織構(gòu)標樣晶面的衍射強度。TChkl值越大,表明晶面擇優(yōu)程度越高。通過計算得出各晶面TChkl值,結(jié)果如圖3所示。由圖3可以看出由基礎(chǔ)鍍液制備的鍍層的晶面擇優(yōu)取向為(200)晶面,基礎(chǔ)鍍液加入硫脲后鍍層各晶面均勻生長,而加入聚乙烯亞胺后鍍層主要沿(100)、(110)、(200)晶面生長,無明顯擇優(yōu)取向?;A(chǔ)鍍液加入維生素B衍生物后鍍層晶面擇優(yōu)取向為(100)晶面??梢钥闯鼍S生素B衍生物吸附在電極表面后,抑制了除(100)晶面以外的其它晶面生長,使鍍層主要沿(100)晶面生長,從而得到細致均勻的鍍層。
圖3 不同鍍層各晶面的織構(gòu)系數(shù)Fig.3 Texture coefficient of each crystal plane of different coatings
按照謝樂公式計算晶粒尺寸,公式為:
式中:D為晶粒尺寸,nm;k為參數(shù);λ為波長,nm;β為衍射峰半高寬,rad;θ為衍射角,rad。通過計算得出不同鍍液下鍍層晶粒尺寸,結(jié)果如圖4所示。由圖4可以看出,加入硫脲或者聚乙烯亞胺后,鍍層晶粒尺寸有所降低,但加入維生素B衍生物后鍍層晶粒尺寸最小。
圖4 不同鍍層的晶粒尺寸Fig.4 Grain size of different coatings
圖5 為在不同鍍液中制備的鍍層的微觀形貌,可以看出基礎(chǔ)鍍液鍍鎘層的晶粒為塊狀結(jié)構(gòu),晶粒粗大,且大小不均勻,說明電沉積反應(yīng)受擴散控制程度比較高,這與陰極極化曲線測試結(jié)果一致?;A(chǔ)鍍液加入硫脲后,所得鍍層晶粒變小,但結(jié)晶仍舊不均勻。晶粒變小是由于擴散控制程度減弱,濃差極化減小。加入聚乙烯亞胺后制備的鍍層結(jié)晶也變小,且表面相對均勻,這是由于聚乙烯亞胺可以優(yōu)先吸附在陰極微觀峰處,使離子在電極表面放電困難,提高電化學反應(yīng)控制程度,增大陰極極化?;A(chǔ)鍍液加入維生素B衍生物后,鍍層晶粒為球狀,且晶粒尺寸比其它鍍層明顯減小,鍍層表面致密均勻,這是由于沉積過程的電化學反應(yīng)控制程度大幅提高,使得陰極極化增加。
圖5 不同鍍層的微觀形貌Fig.5 Micro morphology of different coatings
圖6 為不同鍍層經(jīng)360 h鹽霧腐蝕實驗后的表面形貌測試結(jié)果??梢钥闯觯円簾o添加劑制備的鎘鍍層經(jīng)過鹽霧實驗后,鍍層腐蝕嚴重,出現(xiàn)較大的腐蝕坑?;A(chǔ)鍍液加入添加劑后鍍層的耐蝕性得到很大提高,其中加入聚乙烯亞胺和硫脲的鍍層經(jīng)鹽霧實驗后未出現(xiàn)明顯的腐蝕坑,但均有不同程度的腐蝕現(xiàn)象出現(xiàn),而加入維生素B衍生物的鍍層經(jīng)鹽霧實驗后,鍍層無明顯變化,表明該鍍層的耐蝕性能最優(yōu)。
圖6 不同鍍層經(jīng)鹽霧腐蝕后的形貌圖Fig.6 The topography of different coatings after corrosion by salt spray
圖7 為制備的不同鍍層的接觸角測試結(jié)果,可以看出加入添加劑后,鍍層接觸角均有所提高,其中加入維生素B衍生物的鍍層的接觸角提高最多,這表明鍍層結(jié)晶越細致,接觸角越大。當接觸角低時,鹽霧會一直平鋪在試樣表面,接觸角變大則鹽霧與試片表面接觸面積減小或者在試樣表面滑落,從而提高鍍層耐蝕性。鍍層接觸角測試結(jié)果進一步證實鍍液中加入維生素B衍生物后制備的鍍層的耐蝕性更好。
圖7 不同鍍層的接觸角Fig.7 Contact angle of different coatings
綜上所述,選用維生素B衍生物作為鍍液添加劑可以改善鍍層質(zhì)量,提高鍍層耐蝕性。
利用250 mL赫爾槽對鍍液進行分散能力測試,陰極為100 mm×70 mm×0.5 mm的銅片,陽極為鎘板,沉積電流1 A,電鍍時間20 min。根據(jù)距離最近端的距離將試片平均分成10份,每一份邊緣部位的鍍層利用XRF熒光測厚儀測量其厚度,記為Di,根據(jù)下式計算分散能力:
式中:T為鍍液分散能力;D2為距離近端2 cm處鍍層的厚度,μm;Di為距離近端3~9 cm中任意一處的鍍層厚度,μm,通常i取6。對加入維生素B衍生物的鍍液分散能力進行測試,實驗結(jié)果如表1所示。從表1中可以看出,從近端到遠端鍍層厚度依次減小,這是由于從近端到遠端的沉積電流密度在不斷減小。但從D2到D6,鍍層厚度變化很小,這部分的電流密度范圍為0.5 A/dm2~3.5 A/dm2,說明此鍍液可在此電流密度范圍內(nèi)進行施鍍。根據(jù)公式計算出鍍液的分散能力T≈84.0%。同樣的方法測得氰化物鍍鎘的分散能力約為85%。說明加入維生素B衍生物的無氰鍍鎘液分散能力與氰化鍍鎘體系相差不大,可以較好的滿足產(chǎn)品質(zhì)量要求。
表1 赫爾槽陰極不同位置處的鍍層厚度Table 1 Coating thickness at different positions of Hull cell cathode
在1 A/dm2電流密度下,測試加入維生素B衍生物的無氰鍍鎘液和氰化物鍍鎘液的電流效率,結(jié)果如表2所示??梢钥闯鰞煞N鍍鎘體系的電流效率基本相同。
表2 電流效率Tab.2 Current efficiency
測試不同電流密度下無氰鍍鎘體系的鍍層沉積速率,結(jié)果如圖8所示??梢钥闯?,隨著電流密度的不斷增加,鍍層沉積速率不斷提高,符合沉積速率與電流密度的關(guān)系趨勢。在電流密度0.5~1 A/dm2范圍內(nèi),沉積速率增加較快,但電流密度大于1 A/dm2后,沉積速率基本不再變化。在電鍍過程中也可以發(fā)現(xiàn)此時的陰極析氫現(xiàn)象嚴重,表面大部分電流用于析氫反應(yīng),導致鎘沉積速率不再繼續(xù)快速增大。因此,無氰鍍鎘體系的沉積電流密度控制在1 A/dm2較為合適。
圖8 無氰鍍鎘體系不同電流密度下的沉積速率Fig.8 The deposition rate of cyanide-free cadmium plating system under different current densities
(1)加入維生素B衍生物后鍍液陰極極化提高,制備的鍍層晶粒尺寸約為44.8 nm,晶面擇優(yōu)取向為(100),鍍層結(jié)晶細致均勻,耐蝕性良好。
(2)本文研究的無氰鍍鎘體系的鍍液分散能力、電流效率與氰化鍍鎘體系基本相同,該體系的沉積電流密度控制在0.5~1 A/dm2范圍內(nèi)較為合適。