朱雄梅，蔡慧楠，劉瑞琪，林佩錦，郞雙怡，黃悅， 鄧舒琪，莫億偉*，金晨鐘*

（1. 湖南人文科技學院農(nóng)田雜草防控技術與應用協(xié)同創(chuàng)新中心，湖南 婁底 417000；2. 紹興文理學院生命科學學院，浙江 紹興 312000）

植物根系主要由兩部分組成，一種起源于胚根的初生根，另一種在主根上形成側根及生長于成熟組織的不定根。側根和根毛的形成均受到多種植物激素調(diào)控[1-2]，特別是生長素（IAA）在側根的起始分化和形成中起著關鍵作用[3]，而根系的IAA 源于地上部分向根部運輸，當IAA 向根部運輸增多時則利于更多側根形成[4]；當IAA 極性運輸受阻，側根的數(shù)量則顯著下降[5]。一氧化氮（Nitric oxide，NO）在參與植物逆境調(diào)節(jié)和側根發(fā)育中均起著重要作用，植物體內(nèi)的NO 合成有兩種途徑，一種是依賴亞硝酸還原途徑依靠硝酸還原酶1(NIA1) 和硝酸還原酶2(NIA2)，另一種是依靠L-精氨酸的氧化途 徑[6-7]。有研究表明，提供外源NO 供體硝普鈉（Sodium nitroprusside，SNP）時，可使番茄側根原基及側根數(shù)量顯著增多[8]；當受NO 合成酶（NOS）抑制劑（N’-硝基-L-精氨酸甲酯鹽酸鹽，L-NAME）處理時，根系NO 含量顯著降低并抑制側根形成[9]。基于IAA 和NO 在側根形成過程中均起到重要的調(diào)控作用，但這兩種信號物質(zhì)相互調(diào)節(jié)機制尚未弄清，有的研究認為NO 是IAA 的上游信號物質(zhì)，因為在擬南芥葉片發(fā)育中發(fā)現(xiàn)，NO 可調(diào)控IAA 極性運輸輸出載體PIN1 蛋白積累于葉原基處，從而促進葉片形成[10-11]；有的研究則認為NO 是IAA 的下游信號物質(zhì)，因為用NOS 抑制劑L-NAME 或NO 清除劑（2-（4-羧基苯基）-4,4,5,5-四甲基咪唑啉-1-氧基-3-氧化物鉀鹽，cPTIO）處理后可抑制IBA 對側根的誘導，且NAA 可通過誘導NO 的合成促進番茄側根發(fā)育[12]。此外，活性氧（Reactive oxygen species, ROS）作為一種信號分子，在植物生長發(fā)育和激素信號調(diào)控中起著重要作用，如ROS 增多也可促進側根及根毛形成[13-14]。由此說明，IAA、NO和O2·-在調(diào)控側根形成過程中均有著重要作用，但前人的相關研究結果主要來源于雙子葉模式植物擬南芥等，在水稻等主要農(nóng)作物則研究較少。前人為了更直觀地探討IAA 定位和功能的關系，有研究發(fā)現(xiàn)，DR5 比天然的IAA 反應元件（AuxREs）具有更強的IAA 反應能力，表達活性可增加5～10 倍[15]， 以DR5 為啟動子與報告基因重組，構建成IAA 響應報告基因DR5::GUS，轉(zhuǎn)入植物體獲得轉(zhuǎn)基因植株，已成為研究IAA 的定位及其作用的良好工具[16]，利用DR5::GUS 報告基因研究IAA 的分布已在擬南芥[11]、水稻[17]和棉花[18-19]等多種植物得到應用。水稻是重要的糧食作物，側根形成的水平直接影響水稻植株對養(yǎng)分的吸收能力，本研究以DR5-GUS標記轉(zhuǎn)基因水稻為材料，深入探討IAA、NO 和O2·-對水稻側根形成的影響，以期提高水稻根系的養(yǎng)分利用效率。

1 材料與方法

1.1 實驗材料和處理

DR5::GUS 標記的轉(zhuǎn)基因水稻（Oryza sativa L.）由華中農(nóng)業(yè)大學王學路教授饋贈，SNP、NO 合成酶抑制劑（L-NAME）、2-（4-羧基苯基）-4,4,5,5-四甲基咪唑啉-1-氧基-3-氧化物鉀鹽（cPTIO）、NO 熒 光 探 針（5,6-Diaminofluorescein diacetat，DAF-2DA）、IAA 檢測的DR5::GUS 報告基因染色液均購自生工生物工程(上海)股份有限公司。水稻種子浸種和催芽后，選擇種子根長約為0.5 cm 生長一致的幼苗，置于含兩層濾紙的培養(yǎng)皿中，加入1/50 MS 微量元素培養(yǎng)溶液（以防單鹽毒害），保持根系置于培養(yǎng)液中進行相應的處理。

1.2 NO 供體及清除劑對水稻種子根根系生長的影響

為研究NO 供體及NO 清除劑對水稻種子根根系生長的影響，設計了如下三組試驗。1）為了探討外源NO 供體對側根形成的影響，設計在1/50 MS 微量元素培養(yǎng)溶液中分別加入0（對照）、5、10、15、20 和25 μmol/L SNP 的處理。2）為了探討NO 合成酶抑制劑對側根形成的影響，設計在1/50 MS 微量元素培養(yǎng)溶液中分別加0（對照）、50、100、200、400、800 μmol/L NO 合成酶抑制劑的處理。3）為了探討NO 清除劑對側根形成的影響，設計在1/50 MS 微量元素培養(yǎng)溶液中分別加0（對照）、50、100、200、400、800 μmol/L cPTIO 的處理。

所有處理組均置于光照培養(yǎng)箱中，每個處理設置4 個生物學重復，每個培養(yǎng)皿放置8 粒種子。光照培養(yǎng)箱的溫度設置為28 ℃，光照強度為 500 μmol/(m2·s)，每天13 h 光照，11 h 黑暗，相對濕度為85%。每天補充相應溶液，在處理的第3 d和第5 d，分別測量初生根、側根、冠根的長度及數(shù)量。

1.3 NO、IAA 和O2·-在側根起始部位的定位觀察

1.3.1 NO 染色 經(jīng)上述處理后，第3 d 剪取開始出現(xiàn)側根生長的初生根，參考Sánchez-Vicente 等[10]的方法，用100 mmol/L pH7.2 的磷酸鈉緩沖液配制成10 μM DAF-2DA 溶液，在25 ℃黑暗條件下對根系染色30 min，再用ddH2O 浸泡3 次，每次5 min，以洗掉材料表面的染料，置于顯微鏡下觀察并照相。

1.3.2 GUS 染色 參考胥華偉[20]等用GUS 染色法確定IAA 在側根的定位，具體方法為根系材料用GUS 染色液(100 mmol/L pH7.2 磷酸鈉緩沖液、0.5 mmol/L 高鐵氰化鉀、0.5 mmol/L 亞鐵氰化鉀、1.0 mmol/L X-gluc 和2.0% DMSO)在37 ℃染色2 h 后，經(jīng)ddH2O 浸泡3 次，每次5 min，以洗掉材料表面的染料，置于顯微鏡下觀察并照相。

1.3.3 NBT 染色 將根系材料置于NBT 染液中(100 mmol/L pH7.2 磷酸鈉緩沖液，NBT 濃度為0.1mg/mL)， 室溫染色1.5 h，倒掉染色液，再用ddH2O 浸泡3次，每次5 min，以洗掉材料表面的染料后，置于顯微鏡下觀察并照相。根據(jù)染色的程度判斷各處理對NO、IAA 和O2·-在側根起始部位分布的影響。

1.4 SNP 和NO 合成酶抑制劑處理對NO 形成相關基因表達水平的檢測

取上述不同SNP 及NO 合成酶抑制劑處理3 d的幼苗初生根（基部1.5 cm 內(nèi)能形成側根的部分），通過Takara RNA 提取試劑盒提取RNA，反轉(zhuǎn)錄成cDNA，-20 ℃保存?zhèn)溆谩⒖糧hou 等[21]方法，利用實時熒光定量PCR 分析與NO 合成相關的硝酸還原酶1（OsNIA1）和硝酸還原酶2（OsNIA1）表達情況，以水稻Actin1 作為內(nèi)參基因OsActin1 (LOC_Os03g50890)，具體引物設計如下：OsNIA1 引物為：F：5′-CCAATTCTTTCATCGTGTTCT-3′，R：5′-CATG CAGCATTTCGTTTCT-3′；OsNIA2 引物為：F：5′-AC TGGTGCTGGTGCTTCTGG-3′，R：5′-CGGCTGGG TGTTGAGGGACT-3′；Actin1 引物為：F：5′-CAACA CCCCTGCTATGTACG-3′，R：5′-CATCACCAGAGTC CAACACAA-3′。熒光定量PCR 試劑盒為Thermo Scientific DyNAmo ColorFlash SYBR Green qPCR Kit (Thermo)，儀器為Stratagene Mx3005P 熒光定量PCR 儀，反應體系及條件參照試劑盒說明書進行。以上實驗至少重復5 次，結果用平均值±SD 表示，用SPSS16.0 軟件進行單因素方差分析。

2 結果與分析

2.1 不同濃度SNP 處理對水稻初生根長度及側根數(shù)量的影響

從表1 可知，SNP 處理濃度為5 μmol/L 時，在處理后的第3 d 和第5 d，初生根長、側根和冠根的數(shù)量與對照相比無顯著差異（P ＞0.05）；當SNP處理濃度達10 μmol/L 以上時，隨著SNP 處理濃度的增加，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量也逐漸增大，各處理初生根長度、側根數(shù)量及冠根數(shù)量均顯著大于對照處理。其中以SNP 處理為20 μmol/L時效果最佳，在處理后的第3 d，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理提高59.95%、26.89%和67.80%，均達顯著性差異（P ＜0.05）；在處理后的第5 d， 初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理提高28.04%、25.37%和65.49%，均達顯著性差異（P ＜0.05）。但當SNP 濃度達25 μmol/L 時，與20 μmol/L 的使用濃度相比，對初生根長度、側根數(shù)量及冠根數(shù)量不再有顯著促進作用（P ＞0.05），結果表明水稻幼苗根系生長需要NO信號的參與。

表1 硝普納處理對初生根長度、側根及冠根數(shù)的影響Table 1 The effects of SNP treatment on primary root length, lateral root and crown root number

2.2 NO 合成酶抑制劑對水稻初生根長度及側根數(shù)量的影響

從表2 可知，當NO 合成酶抑制劑為50 μmol/L 時，在處理后的第3 d 和第5 d，初生根長、側根和冠根的數(shù)量與對照相比無顯著差異（P ＞0.05）；當NO 合成酶抑制劑達100 μmol/L 以上時，隨著NO合成酶抑制劑處理濃度的增加，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量也逐漸減小。NO 合成酶抑制劑濃度達100 μmol/L 以上時，各處理的初生根長度、側根數(shù)量及冠根數(shù)量均顯著低于對照處理。其中以NO 合成酶抑制劑為800 μmol/L 時效果最佳，如在處理后的第3 d，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理降低30.96%、56.94%和55.05%，均達顯著性差異（P ＜0.05）；在處理后的第5 d 時，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理降低51.38%、64.12%和58.59%，也均達顯著性差異（P ＜0.05）。結果表明NO 合成受到抑制時，也抑制了根系的生長。

表2 NO 合成酶抑制劑處理對初生根長度、側根及冠根數(shù)的影響Table 2 The effects of NO synthetase inhibitor treatment on primary root length, lateral root and crown root number

2.3 NO 清除劑處理對水稻初生根長度及側根數(shù)量的影響

從表3 可知，當NO 清除劑為50 μmol/L 時，在處理的第3 d 和第5 d，初生根長、側根和冠根的數(shù)量與對照相比無顯著差異（P ＞0.05）；當NO清除劑達100 μmol/L 以上時，隨著NO 清除劑處理濃度的增加，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量也逐漸減小。當NO 清除劑cPTIO 濃度達100 μmol/L 以上時，各處理的初生根長度、側根數(shù)及冠根數(shù)均顯著低于對照處理，其中以800 μmol/L NO 清除劑cPTIO 處理的效果最佳，如在處理后的第3 d，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理降低49.80%、56.26%和76.75%，均達顯著性差異 （P ＜0.05）；在處理后的第5 d 時，初生根長度、側根數(shù)量和冠根數(shù)量分別比對照處理降低56.67%、56.61%和55.41%，均達顯著性差異（P ＜0.05）。結果表明，當根系的NO 受到cPTIO 清除后，初生根、側根及冠根的生長均受到抑制作用。

表3 NO 清除劑處理對初生根長度、側根及冠根數(shù)的影響Table 3 The effects of NO scavenger treatment on primary root length, lateral root and crown root number

2.4 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對側根NO 分布的影響

從圖1 可知，經(jīng)SNP 處理后，結果發(fā)現(xiàn)NO 在根表皮及根內(nèi)大部分細胞均有分布，主要集中分布于側根形成部位和側根根尖部分，且熒光強度越大，表示NO 含量越高。與對照相比，外源SNP 處理后，NO 熒光強度明顯大于對照處理。受NO 合成酶抑制劑和清除劑處理后，染色程度明顯下降。側根清除處理后起始部位的NO 含量明顯減少，且NO 的熒光強度最淺，側根數(shù)量少而短（圖1），結果表明當NO 積累減少，側根數(shù)量下降。

2.5 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對側根IAA 分布的影響

圖 1 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對NO 分布的影響Fig. 1 The effects of SNP, NO synthetase inhibitor and scavenger treatments on NO distribution

圖 2 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對IAA 分布的影響Fig. 2 The effects of SNP, NO synthetase inhibitor and scavenger treatments on IAA distribution

從圖2 可知，經(jīng)SNP 處理后，通過對DR5:: GUS 標記水稻側根起始部位染色，結果發(fā)現(xiàn)IAA主要分布在根的維管束部位，極性分布于側根形成部位和側根根尖部分，在初生根的維管束與側根形成起始部位，明顯看到染色較深，說明IAA 含量較多（圖2），與對照相比，外源的SNP 處理后，染色程度明顯大于對照處理。而受到NO 合成酶抑制劑和清除劑處理后，側根數(shù)量減少，染色程度明顯下降，以受NO 清除劑處理后，IAA 的GUS染色最淺，結果表明由初生根向側根運輸IAA 含量明顯減少，IAA 極性積累于側根起始形成部位，有益于側根形成，當IAA 積累減少，側根形成量顯著下降。

2.6 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對側根O2·-分布的影響

經(jīng)SNP 處理后，用NBT 對水稻側根的起始部位染色，結果發(fā)現(xiàn)O2·-主要分布在根的維管束部位，極性分布于側根形成部位及側根根尖部分，在初生根維管束與側根形成起始部位，明顯看到染色較深，表明O2·-含量較多（圖3）。與對照相比，外源SNP處理后，染色程度明顯大于對照處理。受到NO 合成酶抑制劑和清除劑處理后，O2·-染色程度明顯下降。表明O2·-極性積累于側根起始形成部位，有益于側根形成，當O2·-積累減少時，側根的形成量顯著下降。

2.7 外源SNP 對OsNIA1 和OsNIA2 基因表達的影響

從圖4 可知，隨著SNP 處理濃度的增加，對基因OsNIA1 和OsNIA2 相對表達量的促進作用逐漸增大。當SNP 達10 μmol/L 以上時，各處理濃度均可顯著提高OsNIA1 和OsNIA2 基因的表達（P ＜0.05）。如當SNP 濃度為15 μmol/L、20 μmol/L和25 μmol/L 時，OsNIA1 表達量分別比對照處理增 加 了107.65%、88.82% 和79.41%（P ＜0.05），OsNIA2 表達量分別比對照處理增加了109.36%、152.71%和146.31%（P ＜0.05）。表明外源SNP 能促進與NO 合成相關基因OsNIA1 和OsNIA2 的表達，且當SNP 濃度達到15 μmol/L 時，對OsNIA1誘導效果最好，而SNP 濃度超過20 μmol/L 時，對OsNIA2 誘導效果最佳。

圖 3 SNP、NO 合成酶抑制劑及清除劑處理對側根O2·-分布的影響Fig. 3 The effects of SNP, NO synthetase inhibitor and scavenger treatments on O2·- distribution

圖4 SNP 處理對OsNIA1 和OsNIA2 基因表達的影響Fig. 4 The effect of SNP treatment on the expression of OsNIA1 and OsNIA2

2.8 外源NO 合成酶抑制劑對OsNIA1 和OsNIA2基因表達的影響

從圖5 可知，隨著NO 合成酶抑制劑處理濃度的增加，對基因OsNIA1 和OsNIA2 相對表達量的抑制作用逐漸增大。當NO 合成酶抑制劑達100 μmol/L 時，可顯著抑制OsNIA1 表達（P＜0.05），對OsNIA2 表達沒有顯著影響（P＞0.05），當NO 合成酶抑制劑達200 μmol/L 時，可顯著抑制OsNIA2 的表達（P＜0.05），當NO 合成酶抑制劑濃度為800 μmol/L 時，對OsNIA1 和OsNIA2 的表達量受到的抑制作用最大，分別比對照下降63.85%和60.58%（P＜0.05）。表明外源NO 合成酶抑制劑可抑制與NO 合成相關基因OsNIA1 和OsNIA2 的表達。

2.9 外源SNP 對NO 含量及O2·-產(chǎn)生速率的影響

從圖6 可知，當SNP 處理濃度低于5 μmol/L時，對NO 的含量無促進作用，與對照相比無顯著性差異（P ＞0.05）。當SNP 達10 μmol/L 以上時，隨著SNP 處理濃度的增加，對NO 含量的促進作用也逐漸增大，如SNP 濃度為10 μmol/L、15 μmol/L、20 μmol/L 和25 μmol/L 時，NO 含量則分別比對照增加了45.99%、78.17%、96.43%和71.42%，均達顯著性差異（P＜0.05），其中當SNP 濃度為20 μmol/L處理時，NO 含量最高，當濃度達25 μmol/L 時，NO 含量又有所下降。進一步探究SNP 處理對側根形成部位O2·-產(chǎn)生速率的影響時發(fā)現(xiàn)，當SNP 處理濃度低于5 μmol/L 時，對O2·-的產(chǎn)生速率無促進作用，與對照相比無顯著性差異（P ＞0.05）。當SNP 達10 μmol/L 以上時，隨著SNP 處理濃度增加，對NO 含量和O2·-產(chǎn)生速率的促進作用也逐漸增大，如在SNP 濃度為10 μmol/L、15 μmol/L、20 μmol/L和25 μmol/L 時，O2·-產(chǎn)生速率分別比對照增加了64.07%、131.13%、208.98%和174.65%，均達顯著性差異（P＜0.05），當SNP 濃度為20 μmol/L 處理時，O2·-產(chǎn)生速率最大，當濃度達25 μmol/L 時，O2·-產(chǎn)生速率又有所下降。

3 討論

3.1 水稻側根形成需要NO、IAA 和O2·-極性積累于側根起始部位

圖 5 NO 合成酶抑制劑處理對OsNIA1 和OsNIA2 基因表達的影響Fig. 5 The effect of NO synthetase inhibitor treatment on the expression of OsNIA1 and OsNIA2

圖 6 SNP 處理NO 含量及O2·-產(chǎn)生速率的影響Fig. 6 The effect of SNP treatment on NO content and O2·-generation rate

本研究結果證實，水稻側根形成需要NO 信號調(diào)控，且需要NO、IAA 和O2·-極性積累于側根的起始部位。當有外源的SNP 供體時，NO 在側根形成部位的熒光強度與對照組相比顯著增強，當受到NO 合成酶抑制劑或NO 清除劑處理后，水稻側根部位的NO 熒光強度顯著減弱，同時IAA 和O2·-在側根起始部位的積累也顯著降低，表明側根數(shù)量和長度均受到顯著抑制，當清除NO 時，側根的數(shù)量顯著下降[22]。研究結果表明，O2·-和IAA 極性積累于側根起始部位受到NO 信號調(diào)節(jié)，受NO 供體SNP 處理后，能夠促進IAA 和O2·-極性積累于側根起始部位及根尖，從而誘導側根的發(fā)生頻率和快速生長。該研究結果與前人在擬南芥中發(fā)現(xiàn)IAA 在側根初始細胞的選擇、根原基發(fā)育和側根分生組織激活等過程中均起到關鍵作用的結論基本一致[23]。但這三種信號物質(zhì)如何選擇主根中的特定中柱細胞作為側根原基并促進側根發(fā)育的具體機制，還需深入研究。

3.2 NO 促進IAA 和O2·-積累于側根起始部位利于側根發(fā)育

通過對DR5-GUS 標記轉(zhuǎn)基因水稻IAA 進行GUS 染色發(fā)現(xiàn)，IAA 主要分布在初生根中柱部位和側根根尖，而在初生根皮層細胞的含量很少，在無側根發(fā)育部位甚至無極性積累。當NO 供體SNP 濃度增加時，側根形成部位NO 含量也隨之增加，同時，IAA 的GUS 染色顯著加深，表明側根形成部位IAA 的積累也相應提高。因此，該研究結果證實了水稻側根發(fā)生確實需要IAA 極性積累于側根起始細胞才有利于側根的快速生長，這與前人的研究結果相似[24]，且本研究結果也說明IAA 位于NO 的下游信號物質(zhì)。水稻側根的形成需要NO 調(diào)控IAA極性積累于側根起始部位，NO 信號是促進IAA 極性運輸還是加強了IAA 從頭合成再向側根原基的極性積累，還需深入研究。

此外，水稻根受外源NO 供體SNP 處理后，隨著NO 含量增加，側根形成部位及根尖的O2·-極性積累也增加，這與前人發(fā)現(xiàn)NO 在調(diào)控ROS 在植物體內(nèi)的代謝平衡有著重要作用的結論一致[25-26]。且有研究表明，NO 通過ONOO-來調(diào)控H2O2的信號，這與前人發(fā)現(xiàn)水稻種子萌發(fā)時受外源O2·-清除劑處理則可顯著抑制初生根生長的結果相似[27-28]。因為已有研究發(fā)現(xiàn)，O2·-是植物生長的重要調(diào)節(jié)信號物質(zhì)，在生長活躍區(qū)都有O2·-產(chǎn)生，當O2·-積累后可誘導SOD 活性增加，SOD 將O2·-轉(zhuǎn)化成H2O2，再在O2·-和H2O2信號下誘導側根的形成[29]。而且O2·-經(jīng)SOD 作用產(chǎn)生H2O2的同時也形成.OH 時，.OH可促進細胞壁木糖和果膠的裂解，從而促進細胞壁松動，進而促進細胞生長，當.OH 形成途徑受阻時，玉米根尖伸長區(qū)生長明顯受到抑制[30]。所以側根形成及快速生長均需O2·-信號的參與。當水稻幼苗NO 合成受到抑制或受清除時，O2·-在側根的積累量顯著下降，導致側根形成受阻，這與前人在NO 促進其他植物不定根形成的研究結果類 似[31]。當超表達O2·-供體煙酰胺腺嘌呤二核苷酸磷酸氧化酶（Respiratory burst oxidase homologue, Rboh） 時，擬南芥的側根數(shù)量明顯增多，當Rboh基因表達受到抑制或突變時，側根數(shù)量顯著減少，當利用外源的KI 清除O2·-后，側根數(shù)量也顯著降低[14]，說明側根形成也需要O2·-積累于側根的起始部位。Orman-Ligeza 等[14]進一步研究表明，外源IAA 和NAA 處理可顯著提高Rboh基因家族表達、Rboh 蛋白在側根原基積累可促進H2O2含量增加，從而誘導側根形成，且外源H2O2還能部分恢復生長素運輸aux1 和lax3 雙突變體的側根數(shù)量，由此說明O2·-作為IAA 下游信號物質(zhì)調(diào)控側根的形成，或存在著互作與協(xié)同關系[32]。因此，在NO 調(diào)控水稻側根形成過程中，可能是NO 先促進IAA 極性積累，再促進O2·-極性積累，從而利于側根形成。但水稻側根形成過程中，NO 信號調(diào)控IAA 和O2·-極性積累并促進側根形成的具體生理與分子機制還需要深入研究，特別是中側根原基起始細胞的選擇與NO 調(diào)控信號的關系也需深入探討。

4 結論

1）水稻幼苗側根形成需要NO 信號參與，當提供外源的NO 供體SNP 時，可顯著促進IAA 和O2·-極性積累于側根原基起始細胞和側根的尖端，從而促進側根形成。當提供外源NO 合成受到抑制和清除劑時，降低了NO 在側根起始部位的積累，也顯著降低了側根數(shù)量。

2）在水稻幼苗側根形成過程中，IAA 可能是NO 的下游信號物質(zhì)，O2·-則可能是IAA 的下游信號物質(zhì)，他們共同調(diào)控側根的形成。