陳 杰，安之煥，唐占元，盧志超，高 健，韋克強(qiáng)，馮 娜，楊世芳

（1.國(guó)網(wǎng)青海省電力公司經(jīng)濟(jì)技術(shù)研究院，青海 西寧 810000；2.華北電力大學(xué) 河北省輸變電設(shè)備安全防御重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北 保定 071000）

0 引言

目前復(fù)合絕緣子是電力系統(tǒng)中使用最多的絕緣子。環(huán)境污染會(huì)導(dǎo)致空氣中的有害物質(zhì)大幅增加，使得戶外絕緣設(shè)備發(fā)生污閃的可能性增大，從而對(duì)電網(wǎng)的可靠運(yùn)行造成極大的威脅[1-2]。生物污染在熱帶及亞熱帶地區(qū)比較常見(jiàn)，在這些地區(qū)的絕緣設(shè)備表面會(huì)不同程度地出現(xiàn)微生物附著，并形成親水性的生物膜，導(dǎo)致較厚的生物積污，難以徹底清除[3-4]。H C FLEMMING[5]研究表明形成的生物膜通常由細(xì)菌、真菌、原生動(dòng)物和藻類(lèi)的混合種群共存。S WALLSTROM等[6]對(duì)表面存在生物膜的硅橡膠絕緣子進(jìn)行了檢測(cè)，發(fā)現(xiàn)所有被測(cè)絕緣體上的生物都是由單細(xì)胞綠藻、細(xì)菌和絲狀真菌組成。當(dāng)污層被水分潤(rùn)濕時(shí)，絕緣子表面的電場(chǎng)分布發(fā)生改變，出現(xiàn)導(dǎo)電層，隨后在強(qiáng)電場(chǎng)作用下發(fā)生絕緣子閃絡(luò)。此時(shí)硅橡膠絕緣子的絕緣性能會(huì)發(fā)生很大改變。H E ROJAS等[7]研究發(fā)現(xiàn)，被真菌生物污染后，陶瓷和聚合物絕緣體的閃絡(luò)電壓分別降低了約21%和8%。R S GORUR等[8]針對(duì)佛羅里達(dá)州熱帶環(huán)境內(nèi)陸研究發(fā)現(xiàn)，與沒(méi)有明顯霉菌生長(zhǎng)的其他硅橡膠絕緣子相比，具有明顯霉菌生長(zhǎng)的硅橡膠絕緣子的表面電阻和污染耐受能力顯著降低。

此外，生物膜還會(huì)引起pH值、氧化還原電位、氧和鹽濃度的梯度，以及影響與表面腐蝕相關(guān)的參數(shù)[5]。真菌分泌大量胞外酶的能力[9]以及易在表面定植的能力，都會(huì)促使材料快速降解，因此真菌在生物抗性測(cè)試中尤為重要[10]。硅橡膠材料柔軟而有彈性，真菌菌絲更容易滲透到聚合物材料中，會(huì)在表面附近形成多孔結(jié)構(gòu)[4]，從而使絕緣材料產(chǎn)生裂縫和孔隙，這導(dǎo)致材料的機(jī)械穩(wěn)定性降低，并為水分進(jìn)入絕緣材料提供了通道[11]。

絕緣子上生物膜的存在可能會(huì)影響硅橡膠絕緣子材料的功能和特性[12]。

S KUMAGAI[13]提到霉菌生長(zhǎng)時(shí)絕緣子幾乎沒(méi)有疏水性。M N DINESH等[14]認(rèn)為在鹽霧條件下，有、無(wú)生物污染的絕緣子性能基本相同。R S GORUR等[12]研究得出大氣中的鹽分不利于霉菌生長(zhǎng)的結(jié)論。以上結(jié)論的差異可能是因?yàn)辂}分濃度不同導(dǎo)致霉菌生長(zhǎng)密度的不同，進(jìn)而引起對(duì)硅橡膠絕緣子的影響程度不同。XIA G等[15]認(rèn)為與地衣生長(zhǎng)相比，絕緣子表面的霉菌生長(zhǎng)對(duì)安全操作具有更大的危害。在雨天或薄霧條件下，具有較大霉菌生長(zhǎng)的復(fù)合絕緣子在運(yùn)行時(shí)非常危險(xiǎn)。WANG J等[3]也研究發(fā)現(xiàn)，如果大部分絕緣子被生物膜覆蓋，特別是在生物膜沒(méi)有隔離成較小區(qū)域的情況下，硅橡膠絕緣子的運(yùn)行狀態(tài)將受到很大影響。

硅橡膠產(chǎn)品中的各種添加劑可以作為定植微生物的初始營(yíng)養(yǎng)素，使微生物得以在硅橡膠表面形成穩(wěn)定的生物膜，進(jìn)而導(dǎo)致硅橡膠的憎水性、絕緣性能急劇下降。相應(yīng)地電氣設(shè)備的絕緣性能和使用壽命也會(huì)受到不同程度的影響。

真菌的生長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致絕緣子的憎水性急劇下降，其絕緣性能也會(huì)受到影響，但影響程度目前暫無(wú)統(tǒng)一定論。到目前為止，大部分文獻(xiàn)的研究對(duì)象仍為硅橡膠絕緣子表面綠藻、青苔的生長(zhǎng)及地衣和真菌的混合生長(zhǎng)，針對(duì)真菌本身對(duì)硅橡膠絕緣子影響情況研究相對(duì)較少。而真菌污染在戶外運(yùn)行的絕緣子生物污染中占據(jù)不小的比重。目前尚無(wú)真菌污染引發(fā)硅橡膠絕緣子跳閘的故障，這是因?yàn)榻^緣子表面產(chǎn)生大面積真菌附著現(xiàn)象后，運(yùn)檢人員會(huì)及時(shí)清除或者更換該絕緣子，所以目前覆菌硅橡膠絕緣子運(yùn)行年限有限，菌類(lèi)尚不能對(duì)其穩(wěn)定運(yùn)行造成威脅。但有必要對(duì)真菌長(zhǎng)時(shí)間、大面積附著的硅橡膠絕緣子的電氣性能進(jìn)行研究，用以判斷真菌對(duì)硅橡膠絕緣性能的影響以及制定防治策略。

本文將在實(shí)驗(yàn)室條件下培養(yǎng)的真菌移植到絕緣子表面，然后對(duì)受污染的絕緣子進(jìn)行靜態(tài)接觸角、鹽密和灰密及污閃電壓的測(cè)量，從而分析真菌對(duì)于硅橡膠絕緣子憎水性的抑制情況及對(duì)污閃電壓的影響。

1 微生物污穢特性及樣品制備

1.1 微生物混合污穢的生長(zhǎng)及分布特性

XIA G等[15]認(rèn)為在相同的環(huán)境條件下，絕緣子的表面會(huì)同時(shí)出現(xiàn)地衣和霉菌，地衣主要集中在上表面，而霉菌則主要集中在下表面。A F LEON等[16]提到這種霉菌是一種真菌，其在絕緣子表面會(huì)產(chǎn)生菌落。菌類(lèi)一般趨向于生長(zhǎng)在熱帶和亞熱帶的森林山地區(qū)域或沿海高鹽密污穢地區(qū)，沿海的高鹽密為真菌生命體提供必要的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)。同時(shí)，真菌膜層的胞外多聚物可溶解鹽分、吸引灰分，進(jìn)一步提高污穢地區(qū)的鹽灰密[17-20]。

1.2 試驗(yàn)材料的制備

1.2.1 真菌懸浮液的制備

白腐真菌是已知的最具有攻擊性的降解真菌之一，為絕緣子主要污染菌種。在之前的研究中發(fā)現(xiàn)白腐真菌為優(yōu)勢(shì)種群，因此，本研究選擇白腐真菌黃孢原毛平革菌（phanerochaetc chrysosporium）為試驗(yàn)菌種，菌種在顯微鏡下的形貌如圖1所示。

圖1 顯微鏡下的白腐真菌Fig.1 White-rot fungus under microscope

菌株采用沙氏葡萄糖液體培養(yǎng)基培養(yǎng)，培養(yǎng)基使用胰酪胨5.0 g，蛋白胨5.0 g，葡萄糖20.0 g混合調(diào)制而成，溫度為25℃，最終pH維持在5.6±0.2。

取30.0 g培養(yǎng)基粉末溶解于1 L純水中，在醫(yī)用立式蒸汽滅菌器中用蒸餾水蒸氣進(jìn)行高溫高壓滅菌，于115℃條件下滅菌20 min并冷卻至室溫。真菌凍存管開(kāi)啟前，先用75%酒精棉擦拭凍存管表面進(jìn)行消毒，防止其他微生物的污染。用滅菌接種環(huán)將白腐真菌接種至液體培養(yǎng)基中。整個(gè)操作過(guò)程在無(wú)菌操作臺(tái)中通風(fēng)進(jìn)行。此后，培養(yǎng)液在溫度為（25±1）℃、濕度≥80%及24 h光照的人工氣候培養(yǎng)箱中培養(yǎng)10天。

采用抽濾的方式將真菌培養(yǎng)液中的真菌與液體培養(yǎng)基進(jìn)行分離。在進(jìn)行抽濾之前，用力震蕩燒瓶使分散菌絲體將真菌從孢子中釋放出來(lái)。然后用纖維濾紙過(guò)濾菌絲，將抽濾后得到的物質(zhì)溶解在滅菌純水中。

1.2.2 硅橡膠樣品的制備

將10 mL液體室溫硫化硅橡膠（RTV）均勻地倒在90 mm×15 mm的細(xì)菌培養(yǎng)皿中，待樣品凝固后用無(wú)水乙醇對(duì)樣品進(jìn)行清洗備用。

本試驗(yàn)采用定性分析的方式探究真菌濃度對(duì)硅橡膠絕緣子電氣性能的影響。在5個(gè)相同的無(wú)菌燒杯中分別加入N、4N/5、3N/5、2N/5、N/5 mL的真菌懸浮液，然后每個(gè)燒杯均用無(wú)菌純水稀釋到20 mL，從而實(shí)現(xiàn)N、4N/5、3N/5、2N/5、N/5五個(gè)不同的真菌懸浮液濃度等級(jí)，其中N是細(xì)胞濃度，取值為106個(gè)/mL。再將稀釋后得到的20 mL溶液分別倒入5個(gè)硅橡膠樣品表面（此時(shí)真菌懸浮液恰好完全浸沒(méi)硅橡膠樣品），從而形成5組不同真菌濃度接種的硅橡膠樣品。將硅橡膠樣品在實(shí)驗(yàn)室條件下自然干燥24 h。

2 真菌在硅橡膠表面污穢特性的研究

2.1 靜態(tài)接觸角

憎水性通過(guò)測(cè)量靜態(tài)接觸角進(jìn)行分析，測(cè)量時(shí)采用微量進(jìn)水器把少量的去離子水（如2 μL）滴在硅橡膠表面，滴3次液滴，當(dāng)液滴穩(wěn)定在表面上并且三相邊界不移動(dòng)，此時(shí)液滴切面和固體平面的夾角就是靜態(tài)接觸角，如圖2中的θ1和θ2。

圖2 靜態(tài)接觸角Fig.2 Static contact angle

分別對(duì)真菌濃度為N、4N/5、3N/5、2N/5、N/5的真菌懸浮液接種的硅橡膠樣品試片進(jìn)行測(cè)量，編號(hào)依次為1、2、3、4、5，另設(shè)一組對(duì)照組，編號(hào)為0。

每個(gè)硅橡膠樣品試片分別在不同方位隨機(jī)選取5個(gè)點(diǎn)測(cè)量接觸角，并取5次測(cè)量結(jié)果的平均值作為該濃度下的靜態(tài)接觸角。將3次重復(fù)試驗(yàn)的平均值作為最終該濃度下的靜態(tài)接觸角。

接種不同濃度真菌懸浮液的硅橡膠樣品表面靜態(tài)接觸角測(cè)量圖像如圖3所示。

圖3 靜態(tài)接觸角圖像Fig.3 Static contact angle images

從圖3可以看出，當(dāng)接種的真菌懸浮液濃度為N/5時(shí)，雖有真菌覆蓋在硅橡膠樣品上，但濃度不高，接觸角沒(méi)有明顯的變化，水滴仍然呈現(xiàn)大圓，說(shuō)明低濃度的真菌對(duì)硅橡膠樣品的憎水性影響不大；真菌懸浮液濃度為2N/5時(shí)，相對(duì)于對(duì)照組，水滴已經(jīng)有向周?chē)鷶U(kuò)散的趨勢(shì)；當(dāng)真菌懸浮液濃度為3N/5時(shí)，相較于前面幾組樣品，水滴擴(kuò)散得相對(duì)明顯；當(dāng)濃度繼續(xù)增大，沒(méi)有再呈現(xiàn)出明顯的水滴狀。

通過(guò)圖3可直觀地看到，隨著接種在硅橡膠樣品表面真菌懸浮液濃度的增大，受污染的硅橡膠樣品表面靜態(tài)接觸角不斷變小，從鈍角慢慢演變成銳角，水滴鋪開(kāi)的范圍也越來(lái)越大。這表明了硅橡膠樣品表面憎水性會(huì)因真菌的存在而明顯下降，真菌濃度越大，靜態(tài)接觸角變小越明顯。

每個(gè)樣品從不同方位分別測(cè)取5個(gè)水滴的靜態(tài)接觸角，測(cè)試液滴為2 μL純水，該樣品的靜態(tài)接觸角為5次不同方位測(cè)量下測(cè)得的靜態(tài)接觸角的平均值。試驗(yàn)重復(fù)3次。3組樣品多次靜態(tài)接觸角數(shù)值如表1～3所示。每組試驗(yàn)中不同濃度下對(duì)應(yīng)樣品的靜態(tài)接觸角已經(jīng)為5次隨機(jī)采樣得到的平均值，由于試驗(yàn)重復(fù)了3次，應(yīng)再取3次重復(fù)試驗(yàn)的平均值作為該濃度下的靜態(tài)接觸角，如表4所示。

表1 第1組硅橡膠樣品的靜態(tài)接觸角Tab.1 Static contact angle of silicone rubber samples in group 1

表2 第2組硅橡膠樣品的靜態(tài)接觸角Tab.2 Static contact angle of silicone rubber samples in group 2

結(jié)合圖3和表4可以看出，接種真菌的硅橡膠樣品表面的靜態(tài)接觸角隨著真菌濃度的增大不斷減小，說(shuō)明硅橡膠表面會(huì)隨著真菌濃度增大逐漸失去憎水性。標(biāo)準(zhǔn)硅橡膠絕緣子的靜態(tài)接觸角為（95±5）°，考慮到材料樣品中可能含有雜質(zhì)，樣品表面較為粗糙，使得對(duì)照樣品的靜態(tài)接觸角偏大。同時(shí)由于硅橡膠材料具有憎水遷移特性，在真菌懸浮液晾干后，硅橡膠的硅氧烷小分子可能會(huì)遷移到絕緣子表面。雖然真菌為親水性物質(zhì)，但在接種的真菌濃度較小時(shí)，可能會(huì)受到硅橡膠憎水遷移特性的影響使其靜態(tài)接觸角變化不大；隨著真菌濃度的增大，靜態(tài)接觸角的減小開(kāi)始明顯。

表3 第3組硅橡膠樣品的靜態(tài)接觸角Tab.3 Static contact angle of silicone rubber samples in group 3

表4 硅橡膠樣品的靜態(tài)接觸角平均值Tab.4 Mean value of static contact angle of silicone rubber sample

將6組樣品每隔4 h測(cè)一次靜態(tài)接觸角，用來(lái)表征樣品的憎水遷移過(guò)程，結(jié)果如圖4所示。從圖4可以看出，對(duì)照組與樣品1、2都表現(xiàn)出良好的憎水遷移性。在24 h以內(nèi)6組試品的憎水遷移性都有一定的恢復(fù)，并在24 h后逐漸達(dá)到穩(wěn)態(tài)。樣品3、4最后無(wú)法恢復(fù)良好的憎水性，靜態(tài)接觸角小于90°時(shí)憎水性喪失。

圖4 硅橡膠樣品的憎水遷移性Fig.4 Hydrophobic migration of silicone rubber samples

2.2 鹽密和灰密

2.2.1 鹽密

鹽密全稱(chēng)為等值附鹽密度（ESDD），指外絕緣設(shè)備上單位表面積的等值鹽密。測(cè)量方法：使用一定量的蒸餾水將硅橡膠表面的污穢全部洗掉，用哈希9531400-Proket Pro型電導(dǎo)率儀測(cè)量污穢溶液電導(dǎo)率，再通過(guò)公式換算轉(zhuǎn)化為等值鹽密。

在實(shí)驗(yàn)室中模擬絕緣子的積污，可直接對(duì)真菌懸浮液進(jìn)行電導(dǎo)率的測(cè)量。對(duì)不同濃度真菌懸浮液用電導(dǎo)率測(cè)試筆進(jìn)行電導(dǎo)率的測(cè)量。并通過(guò)式（1）進(jìn)行鹽密的換算。

式（1）中：D為電導(dǎo)率測(cè)量值，μS/cm；S為每片被測(cè)硅橡膠表面積，cm2；K為換算系數(shù)（若D≤800 μS/cm，K=0.910；若 800 μS/cm≤D≤3 000 μS/cm，K=0.925；若3 000 μS/cm≤D≤20 000 μS/cm，K=0.938）。

對(duì)5個(gè)不同濃度下的真菌懸浮液接種的硅橡膠進(jìn)行鹽密的測(cè)量。硅橡膠均裁成直徑為90 mm的圓形試片，表面積為63.6 cm2。分別測(cè)量不同濃度真菌懸浮液的電導(dǎo)率，代入式（1）后得到不同真菌懸浮液濃度下硅橡膠的鹽密值，如表5所示。從表5可以看出，隨著真菌懸浮液濃度的增大，硅橡膠樣品表面的鹽密值逐漸升高。

表5 硅橡膠樣品的等值鹽密Tab.5 Equivalent salt density of silicone rubber samples

2.2.2 灰密

灰密全稱(chēng)為非溶性沉積物密度（NSDD），是指外絕緣設(shè)備上單位表面積的等值灰密。

直接采用一定體積下不同濃度的真菌懸浮液進(jìn)行處理，并通過(guò)式（2）進(jìn)行灰密（NSDD）的換算。

式（2）中：Wf為干燥條件下含污穢的濾紙質(zhì)量，g；Ws為干燥條件下濾紙自身的質(zhì)量，g；S為硅橡膠的表面積，cm2。

對(duì)濾紙進(jìn)行編號(hào)，一種濃度的真菌懸浮液使用一張濾紙。與鹽密測(cè)量同理，只用對(duì)不同濃度下的真菌懸浮液進(jìn)行灰密的測(cè)量。真菌懸浮液體積與真菌數(shù)量有關(guān)，因此進(jìn)行灰密測(cè)量時(shí)采用的不同濃度真菌懸浮液樣品體積需要嚴(yán)格保持一致。將濾紙分成5組，1～5組編號(hào)分別對(duì)應(yīng)真菌懸浮液濃度為N/5、2N/5、3N/5、4N/5、N。

首先稱(chēng)量每組干燥濾紙的質(zhì)量，隨后采用真空泵對(duì)20 mL的不同濃度真菌懸浮液進(jìn)行抽濾，之后將濾紙放進(jìn)真空干燥箱，在100℃下干燥20 min。干燥結(jié)束后立即用分析天平稱(chēng)出每張濾紙的質(zhì)量，稱(chēng)重過(guò)程應(yīng)在30 s之內(nèi)完成，并按照編號(hào)做好記錄。不同真菌懸浮液濃度下硅橡膠樣品的灰密值如表6所示。

表6 硅橡膠樣品的等值灰密Tab.6 Equivalent grey density of silicone rubber samples

將上述所得到的等值灰密除以等值鹽密，結(jié)果如表7所示。從表7可以看出，灰密約為鹽密的2.92倍，說(shuō)明灰密對(duì)硅橡膠樣品的影響更大。

表7 灰密和鹽密的比值Tab.7 The specific value between NSDD and ESDD

由表5～6可知，隨著真菌懸浮液濃度的增大，硅橡膠樣品表面的鹽密和灰密也有所提高。在戶外運(yùn)行情況下，受真菌污染的絕緣子由于表面不再光滑，很容易在絕緣子表面積污積水，這將更加容易引發(fā)真菌在其表面生長(zhǎng)繁殖。當(dāng)絕緣設(shè)備表面憎水性能下降時(shí)，常常伴隨著鹽密和灰密的提高，從而對(duì)絕緣子的電氣特性產(chǎn)生影響，進(jìn)而危害電網(wǎng)安全。

3 污閃試驗(yàn)

3.1 試驗(yàn)

通常在加壓條件下，戶外絕緣子會(huì)自然積污。在當(dāng)?shù)胤e污最重時(shí)期將絕緣子取下進(jìn)行測(cè)量。對(duì)一部分樣品測(cè)量鹽密、灰密，另一部分樣品置于人工霧室受潮使積污樣品達(dá)到吸水飽和狀態(tài)，再以逐漸升壓法測(cè)量樣品的閃絡(luò)電壓。每組樣品閃絡(luò)3次，并取其最低閃絡(luò)電壓作為該樣品的污閃電壓值。

因?yàn)槭窃趯?shí)驗(yàn)室模擬絕緣子的積污，研究對(duì)象為被真菌污染的硅橡膠絕緣子，所以可將受潮的樣品直接做沿面閃絡(luò)試驗(yàn)。

將硅橡膠絕緣子分成6組。第0組為對(duì)照試驗(yàn)，硅橡膠樣品不進(jìn)行處理。1～5組對(duì)應(yīng)接種的真菌懸浮液濃度分別為N/5、2N/5、3N/5、4N/5、N。污閃試驗(yàn)中樣品與憎水性試驗(yàn)中的樣品相對(duì)應(yīng)，其鹽密和灰密分別見(jiàn)表5～6。

對(duì)樣品采用逐漸升壓法進(jìn)行試驗(yàn)。由于試驗(yàn)設(shè)備的限制，硅橡膠絕緣子的受潮在人工氣候培養(yǎng)箱內(nèi)進(jìn)行。先使絕緣子表面充分受潮，將硅橡膠絕緣子樣品放置在溫度為（25±1）℃、濕度≥95%及24 h光照的人工氣候培養(yǎng)箱中5 h。試驗(yàn)過(guò)程中絕緣子一端接地，一端接工頻高壓，其余部分懸空。因?yàn)榻^緣子樣品為大小相同的圓形，所以可以認(rèn)為爬電距離近似相同。啟動(dòng)工頻高壓試驗(yàn)控制臺(tái)，合閘后均勻升壓，初始電壓為0。在升壓的過(guò)程中，出現(xiàn)滋滋的電流聲時(shí)表明絕緣子即將達(dá)到閃絡(luò)電壓，在某次加壓后一瞬間絕緣子發(fā)出響聲，工頻高壓試驗(yàn)控制臺(tái)自動(dòng)分閘并發(fā)出警報(bào)聲，此時(shí)記下電壓值為閃絡(luò)電壓。

對(duì)每組絕緣子樣品重復(fù)閃絡(luò)試驗(yàn)5次，同時(shí)記錄下每一次的閃絡(luò)電壓值見(jiàn)表8～10。每組樣品的5次閃絡(luò)試驗(yàn)結(jié)束后，采用他們的平均值作為該濃度樣品試片的閃絡(luò)電壓。將3次重復(fù)試驗(yàn)的平均值作為該濃度下的最終閃絡(luò)電壓值。

表8 第1組硅橡膠絕緣子樣品的沿面閃絡(luò)電壓值Tab.8 The surface flashover voltage of the silicone rubber insulator samples in group 1

每組試驗(yàn)中不同濃度下對(duì)應(yīng)試品的閃絡(luò)電壓值為5次閃絡(luò)得到的平均值，試驗(yàn)重復(fù)3次，對(duì)各次試驗(yàn)的不同濃度下得到的平均值再取3次重復(fù)試驗(yàn)的平均值，即為該濃度下最終的閃絡(luò)電壓值。硅橡膠絕緣子樣品的閃絡(luò)電壓平均值如表11所示。

3.2 結(jié)果分析

從表11可以看出，由于第1組接種的真菌濃度較小，沿面閃絡(luò)電壓下降幅度相對(duì)較小。但即使?jié)舛冗M(jìn)一步增大，硅橡膠絕緣子的沿面閃絡(luò)電壓下降也不明顯。總體來(lái)看，污閃電壓稍有下降，但數(shù)值變化不大。這可能是因?yàn)樵撛囼?yàn)中的樣品鹽密較低（最高鹽密約為0.04 mg/cm2）、灰密也較低（最高灰密約為0.1 mg/cm2），導(dǎo)致真菌的污穢溶解作用有限。在這種較為清潔的環(huán)境中，真菌單獨(dú)作用于硅橡膠表面，對(duì)硅橡膠的閃絡(luò)電壓影響不大。

表9 第2組硅橡膠絕緣子樣品的沿面閃絡(luò)電壓值Tab.9 The surface flashover voltage of the silicone rubber insulator samples in group 2

表10 第3組硅橡膠絕緣子樣品的沿面閃絡(luò)電壓值Tab.10 The surface flashover voltage of the silicone rubber insulator samples in group 3

表11 硅橡膠絕緣子樣品的沿面閃絡(luò)電壓值Tab.11 Flashover voltage of silicone rubber insulator sample

4 結(jié)論

（1）真菌污染會(huì)使硅橡膠絕緣子表面的憎水性下降。隨著樣品表面接種的真菌濃度增大，硅橡膠絕緣子表面逐漸失去憎水性。

（2）隨著真菌懸浮液濃度的增大，硅橡膠絕緣子樣品表面的鹽密和灰密有所提高?；颐軐?duì)硅橡膠絕緣子樣品的影響更大。

（3）在較為清潔的環(huán)境中，真菌單獨(dú)作用于硅橡膠表面，對(duì)其閃絡(luò)電壓影響不大。