葉遠(yuǎn)波，李端超，謝民 ，王志華，毛玉榮

(1.國網(wǎng)安徽省電力有限公司，合肥 230022； 2.武漢凱默電氣有限公司，武漢 430223)

0 引 言

構(gòu)建新能源為主體的新型電力系統(tǒng)，可推動可再生能源從能源綠色低碳轉(zhuǎn)型的生力軍成長為碳達(dá)峰碳中和的主力軍，為構(gòu)建清潔低碳、安全高效的能源體系提供堅(jiān)強(qiáng)保障。國家電網(wǎng)、南方電網(wǎng)十四五規(guī)劃提出規(guī)模建設(shè)智能變電站為著力提升新能源消納和存儲能力，構(gòu)建新型電力系統(tǒng)提供大力支撐。

智能變電站中虛回路實(shí)現(xiàn)了智能變電站過程層設(shè)備間的數(shù)字信號傳輸，是變電站安全穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)[1-2]。在變電站投運(yùn)前，需要對變電站SCD(Substation Configuration Description)文件進(jìn)行虛回路校驗(yàn)，確保虛回路的正確性。SCD文件采用SCL(Substation Configuration description Language)語言配置[3-4]，可讀性差，且變電站二次回路復(fù)雜，人工校驗(yàn)專業(yè)度要求高、工作量大、易出錯，不適應(yīng)新型電力系統(tǒng)智能高效的需求。

現(xiàn)有研究針對人工校驗(yàn)的困難提出了一些解決方法，包括將SCD文件圖像可視化[5-9]、SCD差異性比對[10-12]、從SCD中導(dǎo)出虛端子表[13-14]等，并對實(shí)現(xiàn)虛回路自動校驗(yàn)做了一定的技術(shù)探索[15-18]；文獻(xiàn)[16]在變電站二次設(shè)備中部署虛端子模擬輸出模塊，通過逐一收發(fā)解析二次設(shè)備報文驗(yàn)證虛回路的正確性，測試工作量大，且要更改現(xiàn)場二次設(shè)備，現(xiàn)場適應(yīng)性不強(qiáng)；文獻(xiàn)[17]基于現(xiàn)有SCD文件中IED(Intelligent Electronic Device)描述及虛回路描述關(guān)鍵詞提取創(chuàng)建虛回路模板庫，通過關(guān)鍵字匹配實(shí)現(xiàn)虛回路的自動設(shè)計(jì)和校驗(yàn)?；赟CD文件直接建立模板庫，需要海量樣本，無法實(shí)現(xiàn)跨間隔的虛連接錯誤校驗(yàn)，由于描述的不規(guī)范性致使正確率難以保證。

針對人工校驗(yàn)效率低、正確性受外觀因素影響，及由于模型不規(guī)范造成的自動校驗(yàn)正確率不高的問題，并響應(yīng)新型電力系統(tǒng)智能高效的要求，文中提出一種基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法的虛回路自動校驗(yàn)技術(shù)，討論了標(biāo)準(zhǔn)端子庫和校驗(yàn)?zāi)０?tSCD)的建模方法，并開發(fā)了自動校驗(yàn)軟件，通過實(shí)例驗(yàn)證了所提方法的實(shí)際應(yīng)用效果。

1 虛回路自動校驗(yàn)流程

虛端子模型沿用IEC 61850標(biāo)準(zhǔn)中定義的層次化結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)格式為：邏輯設(shè)備/邏輯節(jié)點(diǎn).數(shù)據(jù)對象.數(shù)據(jù)屬性，并引用虛端子描述解釋通用虛端子的具體作用。IEC 61850標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了層次化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和類型，但并沒有規(guī)定模型中各個層次的命名規(guī)則，導(dǎo)致不同設(shè)備廠商虛端子建模方式存在差異[19]。不同廠家ICD(IED Configuration Description)文件中虛端子DOI(Instantiated Data Object)、DAI(Instantiated Data Attribute)描述、引用地址等存在差異。文章基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫，解決ICD文件模型不規(guī)范的問題；基于標(biāo)準(zhǔn)端子庫和不同地區(qū)已通過校驗(yàn)的SCD文件建立校驗(yàn)?zāi)０?，解決不同地區(qū)虛回路設(shè)計(jì)的差異性。

基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法的虛回路自動校驗(yàn)方法如圖1所示，包括以下步驟：

圖1 虛回路自動校驗(yàn)方法Fig.1 Virtual circuit automatic calibration method

(1)依據(jù)相關(guān)規(guī)范建立標(biāo)準(zhǔn)虛端子，將Word2Vector相似性引入Levenshtein距離計(jì)算，提高對文本語義的理解，利用改進(jìn)的Levenshtein距離算法計(jì)算SCD文件或ICD文件中IED各虛端子特征字符串與標(biāo)準(zhǔn)虛端子特征字符串的相似性，基于虛端子字符串間的相似性實(shí)現(xiàn)各IED虛端子到標(biāo)準(zhǔn)虛端子的自動映射，建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫;

(2)基于標(biāo)準(zhǔn)端子庫和已通過校驗(yàn)的SCD文件中的虛連接關(guān)系建立間隔模板。已通過校驗(yàn)的SCD文件提供正確的虛連接關(guān)系，通過標(biāo)準(zhǔn)端子庫將正確的虛連接關(guān)系標(biāo)準(zhǔn)化生成間隔校核模板。采用不同地區(qū)的SCD文件建立間隔校核模板，繼承了不同地區(qū)的SCD文件虛回路設(shè)計(jì)的特點(diǎn);

(3)基于間隔模板集成不同的tSCD文件。通過建立典型間隔模板，分地區(qū)按需集成為不同的tSCD文件，可以提高校驗(yàn)?zāi)０宓倪m用性，降低建立校驗(yàn)?zāi)０宓墓ぷ髁?。同一地區(qū)的校驗(yàn)?zāi)０逵糜谛ｒ?yàn)該地區(qū)的SCD文件，以適應(yīng)不同地區(qū)SCD設(shè)計(jì)的差異;

(4)校驗(yàn)時，SCD文件中各IED的虛端子依據(jù)IED的電壓等級、接線方式、設(shè)備類型、對象屬性自動匹配標(biāo)準(zhǔn)端子庫中的端子字典，將待校驗(yàn)的虛回路模型標(biāo)準(zhǔn)化，并配置IED的間隔和支路信息;

(5)選擇校驗(yàn)?zāi)０錿SCD文件，按照模板對SCD文件進(jìn)行自動校驗(yàn)，對多配、錯配、漏配的虛連接進(jìn)行告警，并輸出校驗(yàn)結(jié)果報告。

2 基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法的標(biāo)準(zhǔn)端子庫自動配置

標(biāo)準(zhǔn)端子庫建立了IED虛端子與標(biāo)準(zhǔn)虛端子的對應(yīng)關(guān)系，基于標(biāo)準(zhǔn)端子庫建立的校驗(yàn)?zāi)０鍖ED虛端子的非標(biāo)準(zhǔn)模型用標(biāo)準(zhǔn)模型替代，基于此實(shí)現(xiàn)自動校驗(yàn)。IED虛端子與標(biāo)準(zhǔn)虛端子的對應(yīng)關(guān)系通過計(jì)算IED各虛端子特征與標(biāo)準(zhǔn)虛端子特征之間的相似性建立。

文章采用Levenshtein距離衡量虛端子特征的相似度，Levenshtein距離指由一個字符串轉(zhuǎn)換成另一個字符串所需的最少編輯次數(shù)，編輯操作包括替換成另一個字符、插入一個字符、以及刪除一個字符。兩個字符串之間的Levenshtein距離越小，則兩個字符串的相似度越大。

提取虛端子的虛端子描述、邏輯設(shè)備、邏輯節(jié)點(diǎn)、數(shù)據(jù)對象、數(shù)據(jù)屬性5個屬性作為虛端子的特征字符串，如式(1)所示。

Li=(Ti1,Ti2,Ti3,Ti4,Ti5)

(1)

式中Ti1、Ti2、Ti3、Ti4、Ti5分別表示虛端子的虛端子描述、邏輯設(shè)備、邏輯節(jié)點(diǎn)、數(shù)據(jù)對象、數(shù)據(jù)屬性。SV(Sampled Value)虛端子的數(shù)據(jù)屬性通常為空，文章將SV虛端子的數(shù)據(jù)屬性視作空字符串。

其中對于虛端子的邏輯節(jié)點(diǎn)、數(shù)據(jù)對象屬性，國家電網(wǎng)公司頒布了相關(guān)規(guī)范中定義了屬性類型，但留有一定的自由度，允許廠家建模時在屬性類型中添加前綴或后綴引入相關(guān)信息，為消除不同廠家添加前綴或后綴方式不同引起的編輯距離計(jì)算的差異，文章對虛端子的邏輯節(jié)點(diǎn)與數(shù)據(jù)對象屬性進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，在提取虛端子的邏輯節(jié)點(diǎn)屬性時不考慮屬性的前后綴。

如某220 kV線路保護(hù)一條GOOSE(Generic Object Oriented Substation Event)發(fā)送虛端子為：跳斷路器-PIGO/LinPTRC1.Tr.phsA，文章提取特征字符串為{跳斷路器, PIGO, PTRC, Tr, phsA}。其中“跳斷路器”為虛端子描述，解釋該虛端子的具體作用，“PIGO”表示過程層GOOSE信號，“PTRC”表示保護(hù)跳閘出口，“Tr”表示跳閘，“phsA”表示A相。

兩個虛端子的相似度可以通過兩個虛端子的特征字符串Levenshtein距離相似度衡量，任意兩個虛端子，其Levenshtein距離相似度如式(2)所示。

(2)

兩個虛端子的相似度取組成虛端子字符串的5個屬性相似度加權(quán)平均值。wk為第k個數(shù)據(jù)屬性相似度權(quán)重，且滿足：

(3)

相似度計(jì)算如式(4)所示。

(4)

式中LD(Tik,Tjk)為虛端子Li、Lj第k個數(shù)據(jù)屬性之間的Levenshtein距離。

對于虛端子描述字符串，針對中文文本特點(diǎn)，引入Word2Vector提高對原文語義關(guān)系的理解[20]，通過兩個詞的詞向量的歐氏距離衡量兩個詞的相似性，并將相似性引入替換操作的編輯距離計(jì)算。

二次設(shè)備虛端子描述通常為短文本，文章采用Word2Vector中CBOW(Continuous Bag-of-Words)模型進(jìn)行詞匯向量化表征，CBOW模型如圖2所示。包含輸入層、隱藏層和輸出層，W1和W2分別為輸入層矩陣和輸出層矩陣；V為詞典的詞匯量；C為輸入的詞匯數(shù)量；輸入詞匯用One-hot編碼，記為xi；N為隱藏層的維度；h表示隱藏層詞向量的平均值，表達(dá)式如式(5)所示。

圖2 CBOW模型Fig.2 CBOW model

(5)

文本的輸出層的輸入向量u如式(6)所示。

u=W2hT

(6)

式中u0表示目標(biāo)詞匯的值,模型的損失函數(shù)E如式(7)所示。通過隨機(jī)梯度下降算法不斷更新輸入輸出層矩陣達(dá)到E的極小值，并最終求得各詞匯的詞向量值。

(7)

兩個詞匯詞向量的歐式距離如式(8)所示。

(8)

式中vs、vs′分別為詞匯s與s′的詞向量。

將詞匯的詞向量的歐式距離衡引入字符串Levenshtein距離計(jì)算，替換操作Levenshtein距離的大小應(yīng)與兩個詞的相似性大小相反，則兩個字符串S、S′的改進(jìn)Levenshtein距離的計(jì)算如式(9)所示。

(9)

對于一個IED，計(jì)算其各個虛端子特征字符串與各個標(biāo)準(zhǔn)虛端子特征字符串的改進(jìn)Levenshtein距離相似度，相似度最大的一對IED虛端子和標(biāo)準(zhǔn)虛端子則自動建立匹配關(guān)系。根據(jù)IED的電壓等級、設(shè)備類型、對象、接線方式等屬性匹配到標(biāo)準(zhǔn)端子庫中的標(biāo)準(zhǔn)端子，對于一個有n個虛端子的IED，其虛端子集可表示為L={L1,L2,...,Ln}，其匹配的端子數(shù)為m標(biāo)準(zhǔn)端子集可表示N={N1,N2,...,Nm}，其與標(biāo)準(zhǔn)端子集共有n×m中匹配組合，可表示為式(10)所示。

(10)

根據(jù)公式(2)計(jì)算每個匹配組的相似度，根據(jù)計(jì)算結(jié)果將IED虛端子依次匹配到相似度最大的標(biāo)準(zhǔn)端子。選取不同IED依據(jù)上述方式將IED虛端子匹配到標(biāo)準(zhǔn)端子，建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫。

基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法的標(biāo)準(zhǔn)端子庫配置流程如圖3所示。繼電保護(hù)相關(guān)信息模型規(guī)范[21-24]給出了各類型保護(hù)設(shè)備虛端子表，規(guī)范了保護(hù)設(shè)備虛端子模型。依據(jù)保護(hù)設(shè)備規(guī)范虛端子模型制定合并單元、智能終端等二次設(shè)備的規(guī)范虛端子模型，依據(jù)規(guī)范虛端子模型按層級建立標(biāo)準(zhǔn)虛端子，解析并計(jì)算目標(biāo)IED的虛端子特征字符串與標(biāo)準(zhǔn)虛端子字符串的相似度，建立匹配關(guān)系，生成標(biāo)準(zhǔn)端子庫。

圖3 標(biāo)準(zhǔn)端子庫配置流程Fig.3 Standard terminal library configuration process

標(biāo)準(zhǔn)端子庫結(jié)構(gòu)如圖4所示，包含6個層級,圖中標(biāo)注為L1～L6。第一層DZ_MB_LIB為根目錄，表示該文件為標(biāo)準(zhǔn)端子庫；第二層VolLevel 為電壓等級，包括750 kV、500 kV、330 kV、220 kV、110 kV、66 kV、35 kV、20 kV、10 kV；第三層ied為設(shè)備，包含iedType(設(shè)備類型)、objType(對象)、conType(接線方式)3個屬性。第四層為IED的端子集，包括SVSend(SV發(fā)布)、SVRcv(SV接收)、GooseSend(GOOSE發(fā)布)、GooseRcv(GOOSE接收)4個端子集，端子集依照繼電保護(hù)信息規(guī)范做最大化建模，不同功能配置的保護(hù)裝置可能存在不包含某一信號的情況；第五層DZ為標(biāo)準(zhǔn)端子，包括strName(端子的標(biāo)準(zhǔn)描述)、addr(端子標(biāo)準(zhǔn)引用地址)；第六層DZ_ZD為各廠家IED的端子字典，包括iedManuf(設(shè)備廠家)、IedType(設(shè)備類型)、desc(端子描述)、addr(端子引用地址)4個屬性。

圖4 標(biāo)準(zhǔn)端子庫結(jié)構(gòu)Fig.4 Standard terminal library structure

3 tSCD文件建模

基于標(biāo)準(zhǔn)端子庫與已通過校驗(yàn)的SCD文件中的虛連接關(guān)系建立間隔模板tied文件，已通過校驗(yàn)的SCD文件保證了虛回路的正確性，通過標(biāo)準(zhǔn)端子庫規(guī)范虛端子模型，將正確的虛回路規(guī)范化。間隔模板建立流程為：解析已通過校驗(yàn)的SCD文件，獲取IED列表，提取IED的屬性信息，與標(biāo)準(zhǔn)端子庫相關(guān)信息比較，自動匹配。提取標(biāo)準(zhǔn)端子庫中的電壓等級、IED屬性、端子標(biāo)準(zhǔn)描述作為每條連接關(guān)系的本側(cè)虛端子信息以及對側(cè)虛端子信息，生成tied文件。

基于tied集成為適用于對不同SCD文件進(jìn)行校驗(yàn)的tSCD文件。tSCD文件結(jié)構(gòu)如圖5所示，圖中矩形框內(nèi)是一個完整的tied文件結(jié)構(gòu)，tied第一層Interval為間隔類型，第二層IEDMB為中心設(shè)備，屬性包括iedName(設(shè)備名稱)、volLevel(電壓等級)、iedType(設(shè)備類型)、objType(對象)、conType(接線方式)、desc(設(shè)備描述)；第三層ExIED為中心設(shè)備關(guān)聯(lián)的IED，屬性包括、volLevel(電壓等級)iedType(設(shè)備類型)、objType(對象)、conType(接線方式)、desc(設(shè)備描述)；第四層為兩個IED間虛連接關(guān)系，包括SVSend(SV發(fā)布)、SVRcv(SV接收)、GooseSend(GOOSE發(fā)布)、GooseRcv(GOOSE接收)4個連接關(guān)系集，第五層為虛連接關(guān)系描述，包括fcdaDesc(本測虛端子標(biāo)準(zhǔn)描述)和extrefDesc(對測虛端子標(biāo)準(zhǔn)描述)。按電壓等級、接線方式集成tied文件即可形成不同的tSCD文件，用于SCD文件的虛回路自動校驗(yàn)。

圖5 tSCD模型結(jié)構(gòu)Fig.5 tSCD model structure

基于校驗(yàn)?zāi)０宓奶摶芈纷詣有ｒ?yàn)流程如圖6所示，導(dǎo)入待校驗(yàn)的SCD文件，配置IED的間隔及支路信息,程序根據(jù)SCD文件中IED名稱自動配置IED間隔屬性，對于名稱不標(biāo)準(zhǔn)無法獲取準(zhǔn)確間隔信息的IED軟件提示人工配置間隔信息，并根據(jù)變電站主接線圖配置IED的支路信息。

圖6 虛回路校驗(yàn)流程Fig.6 Virtual circuit calibration process

完成間隔支路信息配置后，依據(jù)IED屬性信息自動匹配標(biāo)準(zhǔn)端子庫中的端子字典，獲取標(biāo)準(zhǔn)端子描述，對于沒有匹配成功的IED，完善標(biāo)準(zhǔn)端子庫，重新匹配；匹配完成，將待校驗(yàn)的虛回路標(biāo)準(zhǔn)化。

依據(jù)待校驗(yàn)SCD的電壓等級、接線方式信息選擇合適的tSCD文件，依據(jù)tSCD文件進(jìn)行SCD虛回路自動校驗(yàn)，如無合適的tSCD文件，則依據(jù)待校驗(yàn)SCD的電壓等級、接線方式等信息集成新的tSCD文件用于校驗(yàn)。IED間隔支路信息配置可解決跨間隔虛連接錯誤校驗(yàn)問題。

4 基于校驗(yàn)?zāi)０宓奶摶芈纷詣有ｒ?yàn)

利用某公司開發(fā)的跨平臺C++圖形用戶界面應(yīng)用程序開發(fā)框架Qt5.0,開發(fā)了一套虛回路自動校驗(yàn)軟件，Qt提供了跨平臺的C++程序工具包，易于擴(kuò)展，允許組件編程。選擇30個已通過校驗(yàn)的220 kV智能變電站SCD文件建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫及校驗(yàn)?zāi)０澹?0個SCD包含超過3 000個IED的虛回路信息。提取IED的虛回路描述構(gòu)建詞向量，基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫，并建立校核模板。

以標(biāo)準(zhǔn)端子庫中220 kV線路保護(hù)的GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集為例介紹標(biāo)準(zhǔn)端子庫建立。根據(jù)相關(guān)規(guī)范建立標(biāo)準(zhǔn)端子庫中220 kV線路保護(hù)GOOSE發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)虛端子如表1所示。標(biāo)準(zhǔn)虛端子依照保護(hù)的技術(shù)規(guī)范做最大化建模，不同廠家及類型的保護(hù)配置的功能不同，可能存在不包含某一信號的情況。

表1 220 kV線路保護(hù)GOOSE發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)虛端子集Tab.1 220 kV line protection GOOSE transmission standard virtual terminal set

導(dǎo)入包含某廠家CSC-103A2 220 kV線路保護(hù)的SCD文件，解析獲得GOOSE發(fā)送虛端子集如表2所示，提取相關(guān)屬性生成虛端子特征字符串，基于編輯距離相似性計(jì)算進(jìn)行自動匹配，相似性矩陣如式(11)所示，其中行為CSC-103A2 GOOSE發(fā)送虛端子，序號與表2序號對應(yīng)，列為標(biāo)準(zhǔn)虛端子，序號與表1中序號對應(yīng)，虛端子各屬性權(quán)重取值w={0.2, 0.2, 0.2, 0.2, 0.2}，加粗字體對應(yīng)的虛端子為根據(jù)最大相似性匹配的結(jié)果，由表1和表2分析可知，匹配結(jié)果正確。

表2 CSC-103A2 GOOSE發(fā)送虛端子集Tab.2 CSC-103A2 GOOSE sending virtual terminal set

為驗(yàn)證所提方法的普適性，選取國網(wǎng)繼電保護(hù)“六統(tǒng)一”原則發(fā)布之前的保護(hù)裝置模型進(jìn)行匹配計(jì)算。某廠家CSC-103BE線路保護(hù)GOOSE發(fā)送虛端子如表3所示,“六統(tǒng)一”原則發(fā)布之前，設(shè)備廠家依據(jù)水利電力部組織編寫的“四統(tǒng)一”原則進(jìn)行設(shè)計(jì)，對“四統(tǒng)一”原則沒有涉及的模型文件、配置文件，各廠家私有定義，模型極不規(guī)范。

表3 CSC-103BE GOOSE發(fā)送虛端子集Tab.3 SC-103BE GOOSE sending virtual terminal set

利用文中所提方法進(jìn)行計(jì)算及匹配，其中虛端子各屬性權(quán)取值w=[0.6,0.1,0.1,0.1,0.1]，相似性矩陣如式(12)所示，加粗字體對應(yīng)的虛端子為根據(jù)最大相似性匹配的結(jié)果，由表1和表3分析可知，除虛端子14差動通道告警-PI/PTRC23.Tr.general外，CSC-103BE GOOSE發(fā)送數(shù)據(jù)集中的虛端子都正確匹配到標(biāo)準(zhǔn)虛端子。由式(6)中相似性數(shù)據(jù)可知，虛端子14與標(biāo)準(zhǔn)端子集中端子的相似性都很低，這是由于虛端子14的端子描述和引用地址都很不標(biāo)準(zhǔn)引起的，通過設(shè)置匹配相似度門檻值可以過濾低相似性匹配，通過人工方式匹配到標(biāo)準(zhǔn)端子。

(11)

(12)

由計(jì)算匹配結(jié)果可知文章所提方法對“六統(tǒng)一”原則發(fā)布前的保護(hù)裝置模型同樣適用。通過開放虛端子各屬性權(quán)重設(shè)置，對相對規(guī)范的屬性設(shè)置高權(quán)重，不規(guī)范的屬性設(shè)置低權(quán)重，以及設(shè)置匹配相似度門檻值，相似度低于門檻值的通過人工確認(rèn)，可確保匹配的正確性。

通過SCD組態(tài)工具修改樣本中的SCD文件，人工設(shè)置多接、少接、錯接等錯誤類型，基于建立的標(biāo)準(zhǔn)端子庫和校驗(yàn)?zāi)０鍖π薷暮蟮腟CD進(jìn)行虛回路校驗(yàn)，基于修改前的樣本建立的tSCD文件不包含人工設(shè)置的多接、少接和錯接的虛回路，依據(jù)tSCD文件對修改后的SCD文件進(jìn)行虛回路校核時，程序自動識別出所有錯誤的虛回路。如圖7所示，人工在SCD中增加的一條PM1101 110 kV母線保護(hù)母聯(lián)_保護(hù)跳閘→IE1101 110 kV母聯(lián)智能終端保護(hù)永跳2的虛回路，在基于已通過校驗(yàn)的SCD文件建立的tSCD中不存在該條虛回路，程序自動識別新增的虛連接，標(biāo)注“+”提醒，并顯示該條虛回路的詳細(xì)信息?；谖闹兴岱椒ń⒌臉?biāo)準(zhǔn)端子庫和tSCD文件自動校驗(yàn)了SCD文件的虛回路，校驗(yàn)結(jié)果正確，驗(yàn)證了文中所提方法的有效性。

圖7 校驗(yàn)結(jié)果Fig.7 Calibration results

5 結(jié)束語

智能變電站虛回路人工校驗(yàn)方式難以滿足新型電力系統(tǒng)智能高效的需求，文中提出了一種基于改進(jìn)Levenshtein距離匹配算法的虛回路校驗(yàn)技術(shù)，給出了標(biāo)準(zhǔn)端子庫和tSCD文件的建模方法，并基于改進(jìn)Levenshtein距離模糊匹配算法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)端子庫自動配置，解決了ICD模型不規(guī)范的問題，依據(jù)不同地區(qū)已通過校驗(yàn)的SCD文件建立間隔模板tied，繼承不同地區(qū)SCD文件虛回路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)，基于間隔模板分地區(qū)集成為不同的tSCD文件，解決不同地區(qū)虛回路設(shè)計(jì)差異性問題，開發(fā)了虛回路校驗(yàn)軟件，實(shí)現(xiàn)了虛回路自動校驗(yàn)。提升了智能變電站虛回路校驗(yàn)智能化水平和效率。