于瀟宇

(中國宏觀經(jīng)濟研究院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與技術(shù)經(jīng)濟研究所，北京 100038)

0 引言

近年來，我國不斷加大對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重視及扶持力度，產(chǎn)業(yè)整體技術(shù)創(chuàng)新水平快速提升，但由于產(chǎn)業(yè)起步晚和底子薄，高端芯片的核心技術(shù)、關(guān)鍵部件和專用裝備的對外依賴度仍較高，尖端技術(shù)的自主研發(fā)能力仍然偏弱，制約了產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿ΑＤ壳?，隨著芯片制造環(huán)節(jié)晶圓節(jié)點不斷演進(jìn)，指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展60余年的 “摩爾定律”面臨失效， “深度摩爾定律” “超越摩爾定律”不斷演進(jìn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) “后摩爾時代”已經(jīng)到來[1]。中央政府對此高度重視，在2021年5月14日國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會議上，特別就面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)進(jìn)行了專題討論。進(jìn)入后摩爾時代，各類突破式、顛覆式技術(shù)將不斷涌現(xiàn)，不同技術(shù)路線將激烈演化競爭[2]，為后發(fā)國家趕超打開了寶貴的機會窗口。縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史，日本、韓國、荷蘭和中國臺灣等后發(fā)經(jīng)濟體借助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與升級窗口，成功完成了技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)趕超，在全球半導(dǎo)體生態(tài)鏈中占據(jù)重要一席。面向后摩爾時代，中國應(yīng)如何設(shè)計半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略以實現(xiàn)后發(fā)趕超？全球后發(fā)經(jīng)濟體的趕超路徑可以提供哪些經(jīng)驗借鑒？以上問題的解答具有重要的理論與現(xiàn)實意義。

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 “卡脖子”問題已引起學(xué)界廣泛關(guān)注，但現(xiàn)有研究著重分析中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起源、現(xiàn)狀及問題[3]，而在后摩爾的時代背景下，有必要厘清造成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)前局面的深層內(nèi)在原因，并重新梳理新形勢下面臨的機遇和優(yōu)勢?，F(xiàn)有研究雖然針對主要經(jīng)濟體，如美國[4]、日本[5-7]、韓國[8-9]、中國臺灣[10]等介紹了其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗，但總體來看這部分研究主要基于國家或產(chǎn)業(yè)層面的歸納，缺乏從企業(yè)等微觀層面的對比分析，因而對后摩爾時代中國半導(dǎo)體企業(yè)的針對性和適用性不強。有學(xué)者圍繞當(dāng)前中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題，從多個層面 (如頂層設(shè)計、財稅政策、重大專項和人才培養(yǎng)等)提供了建議[11]，但已有文獻(xiàn)很少從機會窗口和創(chuàng)新情境的匹配性出發(fā)去歸納企業(yè)創(chuàng)新趕超戰(zhàn)略，因而需要結(jié)合相關(guān)產(chǎn)業(yè)趕超理論，對這一問題做進(jìn)一步探討。

本文采用歷史比較分析方法，選取全球主要后發(fā)經(jīng)濟體的四個微觀案例，即日本的超大規(guī)模集成電路 (VLSI)項目、韓國的三星、中國臺灣的臺積電和荷蘭的阿斯麥為研究對象，探討其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移升級的關(guān)鍵歷史時期，克服后發(fā)劣勢并成功趕超的典型路徑；借助機會窗口理論，從技術(shù)、需求和制度機會窗口視角分析其成功趕超的重要外部機遇；依據(jù) “技術(shù)范式”和 “創(chuàng)新模式”兩個維度，創(chuàng)新性地區(qū)分后發(fā)企業(yè)創(chuàng)新趕超的四類創(chuàng)新情境，分析主要后發(fā)經(jīng)濟體趕超路徑的一般規(guī)律，并提供相關(guān)啟示；面向后摩爾時代中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略制定提供了六點政策建議，對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新追趕和在國際戰(zhàn)略博弈中掌握主動權(quán)具有較強的政策啟示。

1 后摩爾時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

1.1 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和問題

圖1 芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈

中國是全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長最快的地區(qū)，技術(shù)發(fā)展水平也取得長足進(jìn)步。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國在全球半導(dǎo)體市場中的份額從2000年的7%持續(xù)快速增長，到2020年占比接近50%。但從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)看 (見圖1)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長期呈現(xiàn)出結(jié)構(gòu)失衡和供需失衡局面，與我國集成電路消費大國的地位嚴(yán)重不匹配。歸納來看，主要存在以下三方面問題。

(1)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)核心技術(shù)支撐不足。在上游IP核領(lǐng)域，我國硅知識產(chǎn)權(quán)IP核的供應(yīng)基本上來源于國外ARM、新思科技等供應(yīng)商；在晶元加工環(huán)節(jié)，原料硅晶圓被全球寡頭壟斷，前五大晶圓制造商占據(jù)全球市場超過90%的份額。在軟件設(shè)計環(huán)節(jié)，據(jù)統(tǒng)計，當(dāng)前中國EDA市場95%的份額由美國的新思、鏗騰和明導(dǎo)三大廠商壟斷，其余4%由其他境外企業(yè)占據(jù)。并且從軟件功能上看，我國EDA企業(yè) (如北京華大九天等)大部分以點工具為主，缺乏全面支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的能力。在光刻制造環(huán)節(jié)，我國的光刻技術(shù)與國際先進(jìn)技術(shù)相比存在15～20年的差距[12]。

(2)專用設(shè)備和關(guān)鍵材料技術(shù)差距明顯。從專用設(shè)備來看，國內(nèi)對國外設(shè)備供應(yīng)商依賴度較高，國內(nèi)產(chǎn)品占有率偏低。以光刻機為例，目前在全球市場上阿斯麥占領(lǐng)了高端極紫外 (EUV)光刻機市場，加工制程為7nm；三星和尼康占領(lǐng)了中端光刻機市場，加工制程為22nm，而國產(chǎn)上海微電子制造的光刻機加工制程為90nm。從關(guān)鍵材料看，雖然國產(chǎn)材料已經(jīng)在研磨液、電子特氣等方面取得不錯的成績，但相較于我國市場的需求和發(fā)展，半導(dǎo)體材料的自給能力仍相對偏低，與發(fā)達(dá)國家存在較大差距。

(3)高素質(zhì)人才供給難以適應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備十年以上研究背景的人員比例相對偏低。在高端專業(yè)人才方面，受國內(nèi)行業(yè)整體收益水平較低的影響，半導(dǎo)體企業(yè)對研發(fā)的高端人才缺乏吸引力，另外由于國外政策限制，難以通過海外并購、兼并等手段或者直接吸引國際先進(jìn)企業(yè)的領(lǐng)軍人才。在人才培養(yǎng)上，我國集成電路產(chǎn)業(yè)以追隨為主，高校和研究院所的人才缺乏尖端技術(shù)前沿的經(jīng)驗，大多集中于應(yīng)用層面，研究算法、芯片等底層系統(tǒng)的人才相對偏少。

1.2 造成當(dāng)前局面的深層內(nèi)在原因

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)前局面造成的原因，既有產(chǎn)業(yè)發(fā)展的客觀因素，也有戰(zhàn)略方面的不足，可以歸納為以下四點原因。

第一，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚，面臨發(fā)達(dá)國家技術(shù)封鎖。新中國成立之初，即面臨西方國家通過 “巴黎統(tǒng)籌委員會”等對新材料、新設(shè)備、新技術(shù)的貿(mào)易禁運和技術(shù)封鎖。21世紀(jì)以來，面對我國在集成電路領(lǐng)域的快速崛起，以美國為首的西方國家繼續(xù)通過 《瓦森納協(xié)議》等手段，對相關(guān)領(lǐng)域知識產(chǎn)權(quán)和貿(mào)易加強防范。尤其自中美貿(mào)易摩擦以來，美國等國家對我國半導(dǎo)體企業(yè)的遏制上升到新的高度，并不惜采用極端手段對我半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)行打擊。自2016年以來，美國濫用國家安全限制手段，先后將中興通訊、華為、?？低?、大華股份、烽火科技、云從科技和中國電子科技等幾十家半導(dǎo)體企業(yè)列入實體管制清單，一定程度上阻礙了中國半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品、資金、人才等要素的自由流動，掣肘了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展[13]。

第二，發(fā)達(dá)國家具有先發(fā)優(yōu)勢，產(chǎn)業(yè) “生態(tài)鏈”壁壘難以突破。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有明顯的生態(tài)鏈特點，半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)基于客觀技術(shù)優(yōu)勢和策略性的專利、標(biāo)準(zhǔn)布局，形成了極強的市場用戶粘性，使得處于追趕階段、技術(shù)成熟度不高的中國芯片企業(yè)很難獲得早期用戶，造成技術(shù)追趕的鴻溝。在實踐中，設(shè)備制造企業(yè)需要借助用戶的意見來改進(jìn)設(shè)計與工藝等，同時又對其供應(yīng)零部件和元器件的上游企業(yè)起到同樣的牽引作用。但由于本土的整機生產(chǎn)企業(yè)對本土零部件信任不夠，彼此之間缺乏供應(yīng)和需求上的較強聯(lián)系，造成本土零部件供應(yīng)商提高零部件的開發(fā)能力弱化，加劇了本土整機生產(chǎn)企業(yè)對國外零部件的依賴，導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后發(fā)劣勢加劇。

第三，微觀企業(yè)研發(fā)動力不足，陷入 “沒錢研發(fā)—產(chǎn)品落后—盈利困難”的惡性循環(huán)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有 “大投入，大收益；中投入，沒收益；小投入，大虧損”的投資規(guī)律。長期以來，受規(guī)模和盈利能力制約，國內(nèi)企業(yè)研發(fā)投入相對較低，另外在過去很長一段時期，在可以獲得外來技術(shù)的情況下，國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)新意識較弱，缺乏開發(fā)原始創(chuàng)新的動力。例如，根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院數(shù)據(jù)，2017年，集成電路的研發(fā)總投入不超過45億美元，僅占行業(yè)銷售收入的6.7%，甚至未達(dá)到英特爾公司研發(fā)投入的一半。不過，隨著近年來西方個別國家對中國出口管制政策加劇，在很大程度上已成功倒逼中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)整創(chuàng)新模式，政府通過國家大基金等加強對集成電路企業(yè)技術(shù)研發(fā)和國外戰(zhàn)略性并購支持，加快構(gòu)建以 “自主創(chuàng)新”為主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系[14]，使這一情況得到較大改觀。

第四，科研體系基礎(chǔ)偏弱，科研成果轉(zhuǎn)化效率較低。從基礎(chǔ)研究看，半導(dǎo)體產(chǎn)品制程涉及光學(xué)、物理、化學(xué)、數(shù)學(xué)、電子類等多基礎(chǔ)學(xué)科技術(shù)積累，但長期以來中國基礎(chǔ)研究投入總量不足、結(jié)構(gòu)不夠合理，同時基礎(chǔ)創(chuàng)新研究具有周期長、變現(xiàn)能力差、投資風(fēng)險大的特點，導(dǎo)致很多學(xué)者和企業(yè) “敬而遠(yuǎn)之”——最終導(dǎo)致中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)工藝能力不足，重大原創(chuàng)性技術(shù)缺乏。在應(yīng)用研究方面，受限于原有科研體制機制因素，部分科研項目成果與實際需求不匹配，無法實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)落地。這一方面是科研機構(gòu)研發(fā)出的新技術(shù)和新產(chǎn)品不夠成熟穩(wěn)定，另一方面是科研機構(gòu)本身缺乏持續(xù)投入研發(fā)，將科研成果推向市場的動力。由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、開發(fā)試驗研究等尚未與產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈及其高中低各段價值鏈有效對接，造成原創(chuàng)性成果的市場轉(zhuǎn)化效率較低。

1.3 后摩爾時代中國的機遇和優(yōu)勢

進(jìn)入后摩爾時代，隨著諸多新興技術(shù)不斷涌現(xiàn)，集成電路技術(shù)范式也將面臨根本性改變，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后發(fā)趕超帶來重要機遇。同時，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多年發(fā)展和積累，也已具備諸多獨特發(fā)展優(yōu)勢。

(1)行業(yè)技術(shù)軌道轉(zhuǎn)變?yōu)楹蟀l(fā)趕超帶來天然機遇。目前后摩爾時代主導(dǎo)技術(shù)路線方向尚未確定，同時存在 “新興范式” “類腦模式” “硅-馮范式”和 “類硅模式”等多個富有前景的發(fā)展方向。從歷史經(jīng)驗看，新興技術(shù)變革會在一定程度上削弱先行者優(yōu)勢，引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局的重新洗牌。如在個人電腦時代，微軟和英特爾的 “Wintel體系”唱主角，但在智能手機時代，ARM與Andriod系統(tǒng)的 “AA體系”大行其道。在新興技術(shù)積累方面，中國在AI創(chuàng)新等若干細(xì)分基礎(chǔ)研究領(lǐng)域已具有較強競爭潛力。近五年來，中國在AI領(lǐng)域論文產(chǎn)出量較美國多出43.1%，而AI領(lǐng)域高被引前1%的4130篇論文中，中國以1166篇暫居第二，僅略少于美國 (1345篇)[15]。

(2)中國占據(jù)全球最大的半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場，需求前景廣闊。下游終端市場需求決定了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿?，在過去的60年里，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動力最早為軍事、工業(yè)應(yīng)用，后來轉(zhuǎn)移到20世紀(jì)80和90年代的個人計算機，最后是近年來的手機、平板電腦等移動通信產(chǎn)品。目前中國擁有全球最大的電子終端產(chǎn)品消費群體，市場需求占全球市場的三分之一以上。隨著量子計算、5G、人工智能、元宇宙等新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)逐步成熟，中國將成為全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增速最快的經(jīng)濟體之一。據(jù)最新預(yù)測，2020—2023年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)的年均復(fù)合增長率將達(dá)15%。巨大的市場需求為后摩爾時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了廣闊空間，也能夠提供海量反饋知識，助力產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步。

(3)中國在相關(guān)特色工藝等領(lǐng)域具備制造封測優(yōu)勢。改革開放40年來，中國建立了門類齊全的現(xiàn)代工業(yè)體系，是世界上唯一擁有完整的制造業(yè)體系、產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)鏈的制造大國。后摩爾時代，中國在先進(jìn)封裝、測試等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢將會凸顯。據(jù)統(tǒng)計，隨著異構(gòu)計算的發(fā)展，先進(jìn)封裝測試規(guī)模在封測業(yè)中的占比達(dá)到約30%。通過先進(jìn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、特色工藝和先進(jìn)封裝在芯片制造方面的結(jié)合運用，國產(chǎn)替代空間巨大，有望在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域首先取得突破。但是，也要清醒地看到，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在后摩爾時代仍面臨諸多挑戰(zhàn)。例如在諸多新技術(shù)上，與國外大廠仍存在很大差距，如異構(gòu)集成領(lǐng)域的中高端技術(shù)仍掌握在幾家國際巨頭手中。同時，在尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)上仍存在很大的不確定性。在政策方面，受 《瓦森納協(xié)議》等西方國家不合理困鎖和限制，國外相關(guān)精密零部件如光柵、鏡頭、軸承等對中國仍然禁運，因此產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈和創(chuàng)新鏈風(fēng)險仍需引起足夠重視。

2 主要后發(fā)經(jīng)濟體的典型趕超路徑分析

自20世紀(jì)以來，全球芯片制造業(yè)主要經(jīng)歷了兩次轉(zhuǎn)移與升級[16]，許多后發(fā)國家和地區(qū)通過抓住世界科技革命和產(chǎn)業(yè)革命的歷史機遇，成功實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力的跨越式提升。第一次是從美國向日本的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，日本通過承接美國的芯片裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，成功培育了索尼、東芝等系統(tǒng)廠商。第二次是從美國、日本向韓國、中國臺灣的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，20世紀(jì)80年代韓國在存儲芯片領(lǐng)域成功趕超日本，并培育了三星等廠商；中國臺灣從美國承接了晶圓代工環(huán)節(jié)，成功培育了臺積電等代工廠商。此外，在芯片專用設(shè)備領(lǐng)域，荷蘭的阿斯麥僅用30余年時間在光刻機領(lǐng)域建立起極高的技術(shù)壁壘，成為該領(lǐng)域的王者。因此，本文以日本VLSI項目、韓國三星、中國臺積電和荷蘭阿斯麥四個代表性的微觀企業(yè)案例作為研究對象，對其典型趕超路徑做分析總結(jié)。

2.1 日本VLSI：企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)式趕超路徑

20世紀(jì)70年代中期，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相比美國存在不小的差距，整體水平落后10年以上。1976—1979年，日本通產(chǎn)省組織實施了超大規(guī)模集成電路項目，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五家企業(yè)為主體，日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實驗室等作為支持，就集成電路、計算機、激光制造、電子元件等技術(shù)進(jìn)行聯(lián)合攻關(guān)。四年間，政府平均每年撥付的175億日元的研發(fā)費用相當(dāng)于五大計算機公司每年研發(fā)投入總和的兩到三倍。在研究領(lǐng)域上，設(shè)定了六個研究室，分別針對VLSI所必需的通用和基礎(chǔ)技術(shù) (如VLSI的制造設(shè)備等)展開研發(fā)工作?？傮w來看，日本VLSI項目 “企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)”式趕超路徑效果明顯：1985年，日本NEC登上全球半導(dǎo)體廠商年銷售收入榜首，并在之后連續(xù)7年穩(wěn)坐頭把交椅。1986年，日本的半導(dǎo)體產(chǎn)品在全球市場份額超過美國 (44%)，達(dá)到45.5%，成為全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)國。

2.2 韓國三星：聚焦細(xì)分市場式趕超路徑

20世紀(jì)90年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在日美 “半導(dǎo)體貿(mào)易戰(zhàn)”后陷入頹勢，韓國充分利用這一外部契機，從存儲芯片市場入手，迅速提升技術(shù)水平。1992年后，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功趕超日本，成為世界新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心。其中，最具代表性的是其產(chǎn)業(yè)龍頭三星集團(tuán)。三星主要采用 “聚焦細(xì)分市場”路徑，即首先集中力量攻克次先進(jìn)技術(shù)，進(jìn)而形成低成本的量產(chǎn)優(yōu)勢成功贏得市場。1984年，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的低潮期，英特爾退出存儲芯片領(lǐng)域，日本電氣等日企大幅削減資本開支，三星卻選擇逆周期投資繼續(xù)擴大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的存儲芯片 (Dynamic Random Access Memory，DRAM)。三星擴大的產(chǎn)能立即填補了日本主動限產(chǎn) “自廢武功”的市場空缺，供給全球半導(dǎo)體市場的剛性需求，并最終以低成本優(yōu)勢迫使DARM領(lǐng)域多數(shù)對手走向負(fù)債破產(chǎn)。同時，韓國政府形成的 “政府+財閥”的產(chǎn)業(yè)支持模式，使三星集團(tuán)始終保證戰(zhàn)略性研發(fā)投入，技術(shù)水平不斷提升。1984年三星在存儲芯片市場的份額幾乎為零，但到1986年已經(jīng)增長到1.4%，到1993年達(dá)到10.2%，1994年三星成為MOS存儲芯片及DRAM市場的全球市場領(lǐng)導(dǎo)者。

2.3 中國臺積電：重構(gòu)分工體系式趕超路徑

中國臺灣地區(qū)在發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的過程中走出了一條獨特的 “品牌代工”發(fā)展道路，其中最具代表性的是臺灣積體電路制造股份有限公司 (簡稱 “臺積電”)。臺積電采用 “重構(gòu)分工體系”式趕超路徑，通過對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)原有價值鏈進(jìn)行拆分，以晶圓代工嵌入全球分工體系，成功地在芯片制造環(huán)節(jié)積累起深厚壁壘。臺積電成立時，全球的半導(dǎo)體巨頭 (如日本廠商NEC、東芝、日立等)均采取單一的IDM模式，主業(yè)是設(shè)計和銷售自己的產(chǎn)品，缺乏專業(yè)的晶元代工服務(wù)。臺積電看準(zhǔn)晶元代工細(xì)分市場的機會，以此嵌入全球產(chǎn)業(yè)鏈。1992—2017年，臺積電的每年研究費用從500萬美元快速增長至27億美元。臺積電不斷擴大的研發(fā)規(guī)模能持續(xù)提供給客戶領(lǐng)先的制程技術(shù)及解決方案，逐漸縮小了與領(lǐng)先企業(yè)英特爾的技術(shù)差距。21世紀(jì)初，臺積電快速追趕，在技術(shù)工藝上逐步領(lǐng)先；2005年，臺積電領(lǐng)先業(yè)界成功試產(chǎn)65納米芯片，在晶圓代工行業(yè)內(nèi)占據(jù)了絕對領(lǐng)先地位。

2.4 荷蘭阿斯麥：整合利益網(wǎng)絡(luò)式趕超路徑

光刻環(huán)節(jié)是集成電路制造中最復(fù)雜、最為關(guān)鍵的工藝步驟，而光刻機作為芯片制造的核心設(shè)備，被譽為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。荷蘭阿斯麥公司 (ASML)作為1984年成立的 “后起之秀”，通過積極展開上下游戰(zhàn)略合作，不斷整合利益網(wǎng)絡(luò) (見圖2)，一舉完成對行業(yè)龍頭尼康、佳能的趕超。自成立之初，阿斯麥便持續(xù)進(jìn)行高強度的研發(fā)投入，在光刻機領(lǐng)域成功建立起深厚的技術(shù)壁壘，有效地掌握合作主動權(quán)[17]。在產(chǎn)業(yè)上游，阿斯麥通過投資、入股等方式與重要廠商開展戰(zhàn)略合作[18]，攫取了光源、鏡頭等光刻機零件領(lǐng)先的技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)下游，阿斯麥以接受股東注資的方式引入英特爾、三星、臺積電三家重要客戶作為戰(zhàn)略合作方，不僅獲得了大量研發(fā)資金注入，而且有效共享股東的先進(jìn)科技。在2002年的光刻機 “干濕”技術(shù)路線之爭中，阿斯麥同臺積電共同合作研發(fā)，成功推出全球首臺193nm浸潤式光刻機，使阿斯麥的全球市場占有率從2001年的25%一路攀升到2009年80%。此外，阿斯麥通過參與打造囊括外部技術(shù)合作伙伴、研究機構(gòu)、高等院校的巨大開放式研究網(wǎng)絡(luò)，積累了深厚的知識產(chǎn)權(quán)和研究成果。1995年，經(jīng)過阿斯麥多方斡旋，成功獲準(zhǔn)加入美國EUV LLC聯(lián)盟，共享其研究成果，大大推進(jìn)了極紫外光刻機 (EUV)的研發(fā)進(jìn)程，最終于2010年研制成功，成為全球EUV超高端市場的獨家壟斷者。

圖2 阿斯麥整合的公司利益網(wǎng)絡(luò)

3 案例的縱向比較與啟示

3.1 基于機會窗口理論的縱向比較

在后發(fā)經(jīng)濟體的趕超過程中，企業(yè)外部機會窗口是滲透主流市場和掌握主流標(biāo)準(zhǔn)的重要機遇，如果錯失機會窗口則會繼續(xù)處于落后狀態(tài)[19]。根據(jù)相關(guān)學(xué)者對產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新系統(tǒng)的知識與技術(shù)體制、需求條件、制度和參與者的分析[20]，機會窗口主要包括技術(shù)、需求和制度三類[21]。技術(shù)機會窗口是指后發(fā)者可以先于先發(fā)者采取新技術(shù)，在新的技術(shù)領(lǐng)域取得優(yōu)勢；需求機會窗口是指后發(fā)者利用市場需求的改變給新技術(shù)提供反饋信息，改善新技術(shù)；制度機會窗口是指后發(fā)者利用新的公共政策保證企業(yè)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，以取得產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。從機會窗口理論的視角，可以對本文四個代表性案例做縱向比較分析，如表1所示。

表1 基于三類機會窗口的縱向比較

日本VLSI項目成功抓住了技術(shù)、需求和制度機會窗口。日本通過技術(shù)協(xié)同攻關(guān)，進(jìn)行幾代DRAM技術(shù)的同步研發(fā)，以及超前使用5英寸晶圓制造裝備等，成功抓住了第一類窗口。20世紀(jì)80年代，日本的本土電子消費品領(lǐng)域如隨身聽、錄像機等消費電子市場的繁榮發(fā)展為其半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)提供了終端應(yīng)用，日本龐大的國內(nèi)需求提供了需求機會窗口。日本官產(chǎn)學(xué)合作技術(shù)聯(lián)盟為產(chǎn)業(yè)研發(fā)提供了穩(wěn)定和連續(xù)的資本保證，體現(xiàn)了與政策、體制相關(guān)的第三類機會窗口。

韓國三星的后發(fā)趕超與需求和制度兩類機會窗口緊密相關(guān)。三星等企業(yè)正是積極抓住日美半導(dǎo)體貿(mào)易沖突這一外部需求機遇，在市場需求處于低谷時繼續(xù)擴大產(chǎn)能，方能成功擠占日本廠商的原有份額，即綜合利用了第二類和第三類機會窗口。此外，韓國特有的 “政府+財閥”支持模式，將資源集中于少數(shù)財團(tuán)，使企業(yè)迅速進(jìn)入資本密集型的存儲芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，幫助其克服生產(chǎn)初期巨大的財務(wù)損失，即利用了第三類機會窗口。

中國臺積電的后發(fā)崛起，主要利用了需求和制度機會窗口。臺積電抓住行業(yè)需求積極參與全球化分工，通過專注晶圓代工，迅速完成技術(shù)積累并打開市場，體現(xiàn)了需求機會窗口的重要。另外，在產(chǎn)業(yè)國際轉(zhuǎn)移的潮流中，臺灣積極主動承接封裝、測試技術(shù)環(huán)節(jié)，重視技術(shù)引進(jìn)與招商引資、整體規(guī)劃與政策支持 (如提出 “積體電路計劃草案” “兩兆雙星”的發(fā)展目標(biāo))，為臺積電等企業(yè)提供了第三類機會窗口。

荷蘭阿斯麥的后來居上，主要利用了技術(shù)和制度機會窗口。阿斯麥公司在193nm光刻技術(shù)的技術(shù)路線變軌期成功利用技術(shù)機會窗口，通過押注 “浸潤式”光刻技術(shù)完成對日本尼康等競爭對手的技術(shù)趕超。另外，在阿斯麥的發(fā)展初期，不僅荷蘭與歐洲共同體為公司提供了大量研發(fā)補貼和技術(shù)貸款，而且美國政府也在其背后暗中扶持。阿斯麥正是利用美國政府對日本半導(dǎo)體廠商的忌憚，成功加入美國光刻研發(fā)聯(lián)盟 (EUV LLC)，而其對手日本尼康則被拒之門外，造成雙方技術(shù)差距，巧妙利用了制度機會窗口。

3.2 基于創(chuàng)新情境的匹配分析

在企業(yè)后發(fā)趕超過程中，一方面在技術(shù)范式上，半導(dǎo)體企業(yè)的創(chuàng)新活動存在基于舊技術(shù)范式和新技術(shù)范式的區(qū)別，另一方面從創(chuàng)新類型上，后發(fā)企業(yè)不但可以通過技術(shù)創(chuàng)新成功完成趕超，也能通過商業(yè)模式創(chuàng)新達(dá)到同樣目的[22]。因此，本文從技術(shù)范式和創(chuàng)新類型兩個維度，區(qū)分四類不同的創(chuàng)新情境，對本文所述案例做進(jìn)一步歸納分析，如表2所示。

表2 基于四類創(chuàng)新情境的縱向比較

第一類創(chuàng)新情境是 “舊技術(shù)范式+技術(shù)創(chuàng)新”，此時日本VLSI “企業(yè)聯(lián)合攻關(guān)”式趕超路徑值得借鑒。面對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的舊技術(shù)范式，產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線基本確定，企業(yè)趕超路徑屬于漸進(jìn)式創(chuàng)新，VLSI項目 “聯(lián)合攻關(guān)、成員共享”的模式具有一定借鑒意義。雖然在后摩爾時代技術(shù)范式面臨變化，但在既有技術(shù)范式和成熟工藝條件下，后發(fā)經(jīng)濟體仍有較大創(chuàng)新空間，因而可以通過官產(chǎn)學(xué)研合作實現(xiàn)技術(shù)水平提升。但這一趕超路徑對政府和企業(yè)的要求較高，一方面，芯片屬于相對短周期、技術(shù)前沿不斷推進(jìn)，需要參與企業(yè)本身具備較高程度的技術(shù)儲備和積累 (20世紀(jì)日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)積累雄厚，70年代索尼公司正是憑借在隧道二極管領(lǐng)域的貢獻(xiàn)獲得諾貝爾物理學(xué)獎)；另一方面，創(chuàng)新主體需要對技術(shù)和市場變化做出快速反應(yīng)，因而政府要適時協(xié)調(diào)好各方參與主體的利益，處理好參與企業(yè)間的 “競爭”和 “合作”關(guān)系，方能最大程度發(fā)揮企業(yè)聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)的優(yōu)勢。

第二類創(chuàng)新情境是 “舊技術(shù)范式+商業(yè)模式創(chuàng)新”，此時三星的 “聚焦細(xì)分市場”和臺積電的 “重構(gòu)分工體系”式趕超路徑有較強啟示。在舊技術(shù)范式下技術(shù)創(chuàng)新存在較大困難時，后發(fā)者可采用商業(yè)模式創(chuàng)新的方式優(yōu)先占領(lǐng)細(xì)分市場。后發(fā)企業(yè)可以借鑒三星 “聚焦細(xì)分市場”路徑，對消費者市場進(jìn)行重新細(xì)分和定位，利用低成本優(yōu)勢等使新產(chǎn)品首先占據(jù)某一細(xì)分市場，而后在積累技術(shù)能力的基礎(chǔ)上以顛覆式創(chuàng)新謀取主流市場。另外，也可以借鑒臺積電 “重構(gòu)分工體系”模式，針對新出現(xiàn)的產(chǎn)業(yè)鏈分工需求 (如設(shè)計、測試、組裝和代工等)，對產(chǎn)業(yè)鏈原有分工體系進(jìn)行細(xì)分重構(gòu)，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈不可或缺的一環(huán)。

第三類創(chuàng)新情境是 “新技術(shù)范式+技術(shù)創(chuàng)新”，阿斯麥的 “整合利益網(wǎng)絡(luò)”式趕超路徑具有較強借鑒意義。在新技術(shù)范式下，技術(shù)創(chuàng)新方向難以預(yù)料，技術(shù)路線仍不確定，因而屬于風(fēng)險極大的突破性創(chuàng)新或顛覆式創(chuàng)新。在后摩爾時代，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可重點把握新技術(shù)范式下的創(chuàng)新機遇，借鑒阿斯麥的 “整合利益網(wǎng)絡(luò)”方式，發(fā)揮國內(nèi)超大規(guī)模市場和制造業(yè)優(yōu)勢，通過加強集成電路產(chǎn)業(yè)上下游戰(zhàn)略合作等方式，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品和技術(shù)在國際市場的綜合競爭力。

第四類創(chuàng)新情境是 “新技術(shù)范式+商業(yè)模式創(chuàng)新”，這是中國等后發(fā)國家半導(dǎo)體企業(yè)在后摩爾時代具有潛力的發(fā)展方向。在新興技術(shù)范式下的商業(yè)模式創(chuàng)新，意味著主動發(fā)現(xiàn)新興技術(shù)對應(yīng)的新市場需求。雖然在本文分析的案例中尚未出現(xiàn)成熟的趕超路徑，但進(jìn)入后摩爾時代，可以重點考慮通過需求側(cè)創(chuàng)新的方式，利用商業(yè)模式創(chuàng)新匹配新技術(shù)，成為行業(yè)新技術(shù)范式的開拓者和領(lǐng)導(dǎo)者。從需求側(cè)看，當(dāng)前新能源、電動汽車、5G 網(wǎng)絡(luò)、大數(shù)據(jù)中心和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新基建項目為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了豐富的應(yīng)用場景，政府可以針對早期用戶提供補貼等需求側(cè)政策支持，為企業(yè)創(chuàng)造通過 “用中學(xué)”不斷提升技術(shù)能力的機會[23]。半導(dǎo)體后發(fā)企業(yè)可以結(jié)合5G、AI、IoT 和量子計算等下一代信息技術(shù)，加速芯片技術(shù)研發(fā)及標(biāo)準(zhǔn)的研究制定、系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)以及大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。芯片企業(yè)可采用 “蛙跳式路徑”，由 “通用計算”變?yōu)?“異構(gòu)計算”提升算力，即通過 “云計算”背景下的 “芯片開源”解決先進(jìn)芯片制程技術(shù)難題。目前阿里巴巴、華為、百度等企業(yè)已提前布局云計算和AI芯片，是對這一新賽道的有益嘗試。

3.3 小結(jié)與啟示

在后摩爾時代，中國半導(dǎo)體企業(yè)在后發(fā)追趕中需要重視技術(shù)、需求和制度機會窗口帶來的發(fā)展機遇。目前，前兩類 “機會窗口”已經(jīng)自然打開。從技術(shù)機會窗口看，后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)范式面臨轉(zhuǎn)變，新興技術(shù)創(chuàng)新機會的不斷涌現(xiàn)為后發(fā)企業(yè)自然打開了技術(shù)窗口。從需求機會窗口看，5G、人工智能、大數(shù)據(jù)、量子計算等新一代信息技術(shù)的加速普及應(yīng)用帶來全新的商業(yè)生態(tài)和生活方式，成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的驅(qū)動力，因此第二類機會窗口也已開啟。制度機會窗口則需要政府主動開啟，應(yīng)根據(jù)當(dāng)前的技術(shù)范式特征結(jié)合企業(yè)創(chuàng)新類型，制定適宜的創(chuàng)新戰(zhàn)略，以適應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體企業(yè)要注意從動態(tài)視角分析企業(yè)創(chuàng)新環(huán)境，應(yīng)根據(jù)創(chuàng)新情境與所掌握的資源和能力選擇合適的創(chuàng)新戰(zhàn)略，通過企業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略與創(chuàng)新情境的動態(tài)性匹配實現(xiàn)成功趕超。

4 研究啟示與政策建議

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為全球市場競爭的重點和大國戰(zhàn)略博弈的焦點，縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展興衰，后發(fā)經(jīng)濟體的成功趕超離不開制度優(yōu)勢與 “技術(shù)窗口”和 “需求窗口”的有效配合。面向后摩爾時代，中國應(yīng)合理運用體制機制優(yōu)勢，優(yōu)化政策支持工具，實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。針對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新戰(zhàn)略，本文提供以下幾方面思路建議。

4.1 堅定自主開發(fā)意志，打造產(chǎn)業(yè)完整生態(tài)

后摩爾時代，世界上將同時存在一個以中國為主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)和創(chuàng)新體系，以及一個以美國為主導(dǎo)的體系，兩者本質(zhì)上是相互競爭的體系[24]。中國要解決半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科技自立自強問題，必須下決心建立 “以我為主”的產(chǎn)業(yè)體系[25]，在本土的整機企業(yè)和零部件企業(yè)之間形成相互依賴、相互支持的良性互動關(guān)系。一是以自主產(chǎn)品開發(fā)打通產(chǎn)業(yè)鏈循環(huán)，從基礎(chǔ)的指令系統(tǒng)做起，到底層的芯片、系統(tǒng)軟件和中間件，打造自主產(chǎn)品開發(fā)平臺，打通 “芯片—軟件—整機—系統(tǒng)—信息服務(wù)”的產(chǎn)業(yè)鏈循環(huán)。二是推進(jìn)產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)同演化進(jìn)步，以產(chǎn)業(yè)鏈布局為抓手，加強EDA工具與設(shè)計制造的協(xié)同、材料與制造的協(xié)同、設(shè)備與制造的協(xié)同，使 “設(shè)計—制造—封裝測試—裝備與材料”彼此之間形成協(xié)同演化效應(yīng)。三是以技術(shù)開發(fā)帶動基礎(chǔ)研究突破，尤其重視產(chǎn)業(yè)技術(shù)開發(fā)實踐中提出的重大問題、 “卡脖子”問題，并以此為抓手帶動基礎(chǔ)研究突破，提高科研成果轉(zhuǎn)化率。

4.2 完善新型舉國體制，強化企業(yè)技術(shù)水平

作為中國獨特的科技體制優(yōu)勢，新型舉國體制有利于組織戰(zhàn)略科技力量，協(xié)同市場資源，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)突破。一是對于相對成熟的關(guān)鍵技術(shù)，可立足于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵領(lǐng)域和國家重大戰(zhàn)略發(fā)展需求，加強產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)攻關(guān)。實踐中，可優(yōu)先選擇一兩個具有突出代表性、各項條件相對成熟的關(guān)鍵共性技術(shù)攻關(guān)項目，結(jié)合 “揭榜掛帥” “賽馬制”等新型體制機制，確定承接單位和企業(yè)展開相關(guān)體制機制建設(shè)探索。二是借鑒日本VLSI項目研究經(jīng)驗，可遴選一批在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上有能力承擔(dān) “數(shù)十億美元”投資的具備綜合技術(shù)知識經(jīng)驗的龍頭企業(yè)，支持組建共性技術(shù)創(chuàng)新攻關(guān)聯(lián)盟[26]，引導(dǎo)其在通用芯片的共性技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行持續(xù)研發(fā)投入，鼓勵其沿不同技術(shù)路線獨立研發(fā)后摩爾時代有前景的專用技術(shù)。三是充分發(fā)揮公共創(chuàng)新平臺優(yōu)勢，積極打造產(chǎn)業(yè)內(nèi)合作開放平臺，建立產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基礎(chǔ)性、支持性服務(wù)，保障最終成果轉(zhuǎn)移、落地、擴散和商業(yè)化進(jìn)程。

4.3 發(fā)揮制造市場優(yōu)勢，做優(yōu)產(chǎn)業(yè)細(xì)分領(lǐng)域

應(yīng)充分利用自身完整的制造體系優(yōu)勢和超大市場規(guī)模優(yōu)勢，集中主要力量發(fā)展優(yōu)勢環(huán)節(jié)，培育若干項優(yōu)勢核心技術(shù)。一是利用制造體系優(yōu)勢，先集中力量把單個種類專門設(shè)備做到 “獨門絕技”，再逐一突破、連點成面，最終實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的整體躍進(jìn)。例如，在刻蝕、清洗、沉積三個方向上，本土企業(yè)技術(shù)儲備較充分且產(chǎn)業(yè)規(guī)模較大，可以作為半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的集中突破點。二是立足國內(nèi)超大規(guī)模市場需求，鼓勵智能手機和平板、智能家電、新能源汽車等終端產(chǎn)品廠商和芯片廠商聯(lián)合研制整機所需芯片，并進(jìn)行聯(lián)合測試、試用，形成產(chǎn)品升級和芯片研發(fā)的雙向促進(jìn)局面，打造終端產(chǎn)品與芯片市場互動發(fā)展的產(chǎn)業(yè)鏈格局。三是在技術(shù)的先導(dǎo)期，應(yīng)積極探索符合世界貿(mào)易和投資準(zhǔn)則的政府采購政策，從軍用、航空、民用等多方面共同支持本土半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展，提高擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品在各級政府采購中的比例。

4.4 提升企業(yè)創(chuàng)新動力，緊抓新興技術(shù)機遇

應(yīng)堅定鼓勵企業(yè)家精神，以財稅手段為抓手，提升企業(yè)創(chuàng)新動力，通過市場競爭機制的 “試金石”來篩選出優(yōu)勝者。一是堅持企業(yè)家在企業(yè)創(chuàng)新中的核心作用，保障企業(yè)家合法權(quán)益。同時，應(yīng)加強資本市場管理，加強對房地產(chǎn)、金融、互聯(lián)網(wǎng)等快速造富行業(yè)的壟斷問題治理，減少尋租和套利空間，以倒逼產(chǎn)生更多的 “創(chuàng)新型”企業(yè)家[27]。二是以財稅手段鼓勵企業(yè)保持戰(zhàn)略性研發(fā)投入。例如，可考慮國家大基金中增設(shè)專項業(yè)務(wù)投資基金，重點增加支持設(shè)備和材料企業(yè)、存儲器企業(yè)以及EDA和IP核企業(yè)等。推進(jìn)落實半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的稅收支持政策，針對性地制定政府補助方案，為較強發(fā)展?jié)摿Φ钠髽I(yè)提供稅收減免服務(wù)。三是鼓勵國內(nèi)企業(yè)力爭在國際壟斷巨頭尚未形成時，以原創(chuàng)性、顛覆式創(chuàng)新打破國際技術(shù)壟斷。例如，在人工智能芯片等新興領(lǐng)域，應(yīng)鼓勵產(chǎn)生更多寒武紀(jì)、地平線等智能芯片獨角獸企業(yè)，支持阿里巴巴、小米等互聯(lián)網(wǎng)公司開展針對自身垂直業(yè)務(wù)的平臺和芯片等核心技術(shù)研發(fā)。

4.5 優(yōu)化人才引育機制，保持產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿?/h3>

應(yīng)建立人才引入和培養(yǎng)的長效機制，從根本上提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿?。一是重視半?dǎo)體領(lǐng)域人才培養(yǎng)，加快世界一流大學(xué)和一流學(xué)科建設(shè)，加強關(guān)鍵領(lǐng)域博士培養(yǎng)；同時加強企業(yè)聯(lián)合培養(yǎng)模式，支持相關(guān)企業(yè)與高校共研共建，精準(zhǔn)對接市場需求。二是加大集成電路高端人才的引進(jìn)力度，可依托國家、省、市各級雙創(chuàng)計劃等支持政策，吸引一批掌握關(guān)鍵技術(shù)、能夠突破產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向的國際人才及研發(fā)團(tuán)隊；積極營造有利于海外高端人才在華工作條件，打造具有國際水平的戰(zhàn)略人才梯隊。三是深化現(xiàn)行的人才評價機制改革，積極優(yōu)化多元人才福利制度，提升個人貢獻(xiàn)在福利補助中所占比重。堅持以創(chuàng)新能力、工作質(zhì)量、已有貢獻(xiàn)為導(dǎo)向，實施動態(tài)人才評估機制，將科技工作者的重心引導(dǎo)到創(chuàng)新跑道，使其潛心科研、扎實創(chuàng)新。

4.6 擴大國際開放合作，積極參與國際競爭

面向后摩爾時代，中國秉持開放性和包容性原則，加強企業(yè)在國際開放市場中競爭和合作的勇氣，在參與國際競爭的過程中提升話語權(quán)和反制能力。一是進(jìn)一步加強與日本、韓國、歐洲供應(yīng)商的供需往來、技術(shù)合作、資本對接，引導(dǎo)海外先進(jìn)技術(shù)補齊我國的缺失環(huán)節(jié)，建立更廣大的產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略同盟，做大科技合作 “朋友圈”。二是在自主可控前提下，在材料和設(shè)備等領(lǐng)域加大政策支持 “引進(jìn)來”力度，鼓勵更多優(yōu)秀企業(yè)來中國落地生產(chǎn)。充分發(fā)揮RCEP、CAI 等國際和區(qū)域貿(mào)易協(xié)議的作用，積極爭取盡快加入 CPTPP，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展國際合作創(chuàng)造有利條件[28]。三是積極獲取全球半導(dǎo)體技術(shù)與投資對接機會，瞄準(zhǔn)能夠顯著提升自身技術(shù)能力的標(biāo)的，重點關(guān)注集成電路設(shè)備和材料、設(shè)計架構(gòu)和設(shè)計工具等領(lǐng)域，以產(chǎn)業(yè)鏈上下游并購提升國際競爭力。