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PVDF 基儲能電介質(zhì)的設(shè)計及性能調(diào)控相關(guān)進(jìn)展

2024-10-21 00:00:00林之鳴包志偉李澤錕王炳博侯瑩李曉光
功能高分子學(xué)報 2024年3期

摘 要: 聚合物基介電電容器因具有擊穿場強高、介電損耗低、自愈性好以及良好的可加工性等優(yōu)勢,成為了電子電力系統(tǒng)中重要的儲能元器件。然而,聚合物的相對介電常數(shù)和放電能量密度較低,極大地限制了聚合物基固態(tài)電容器向小型化方向發(fā)展。因此,提高聚合物相對介電常數(shù),研發(fā)高放電能量密度和高儲能效率的聚合物基電容器成為了迫切需求。聚偏二氟乙烯(PVDF)以其良好的介電性能和較高的放電能量密度成為研究的熱點。本文從電介質(zhì)的儲能原理出發(fā),綜述了近年來PVDF 基納米復(fù)合電介質(zhì)材料的設(shè)計及其性能調(diào)控的主要方案:(1) 聚合物+無機高介電納米填料;(2) 聚合物+無機低介電納米填料;(3) 聚合物+金屬納米粒子。本文為進(jìn)一步提高聚合物基電介質(zhì)的儲能性能提供了重要參考。

關(guān)鍵詞: 聚合物基電介質(zhì);儲能性能;材料設(shè)計;高介電納米填料;低介電納米填料;金屬納米粒子

中圖分類號: TQ317 文獻(xiàn)標(biāo)志碼: A

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