傳輸層
- 美軍“國(guó)防太空架構(gòu)”傳輸層建設(shè)運(yùn)用研究
月提出建設(shè)由“傳輸層、跟蹤層、監(jiān)管層、戰(zhàn)斗管理層、導(dǎo)航層、威懾層、支持層”組成的“國(guó)防太空架構(gòu)”（NDSA），強(qiáng)調(diào)基于威脅驅(qū)動(dòng)更多地利用微小衛(wèi)星星座，代替現(xiàn)有的少量、大型、高價(jià)值衛(wèi)星，以提高天基系統(tǒng)的靈活性、抗毀傷能力。此外，美國(guó)還在大力加強(qiáng)與盟國(guó)和商業(yè)公司的太空合作，意圖構(gòu)建“混合太空架構(gòu)”，進(jìn)一步提升太空體系彈性，應(yīng)對(duì)未來(lái)可能的太空高端戰(zhàn)爭(zhēng)。傳輸層作為美國(guó)下一代七層太空架構(gòu)，乃至“混合太空架構(gòu)”的核心和骨干，將以數(shù)百顆搭載光學(xué)星間鏈路、Link－16
衛(wèi)星應(yīng)用 2022年9期2022-10-20
- CH3NH3PbBr3鈣鈦礦發(fā)光二極管發(fā)光層成膜優(yōu)化的研究
層是旋涂于空穴傳輸層上的，空穴傳輸層會(huì)直接影響鈣鈦礦前驅(qū)體的成膜，進(jìn)而影響發(fā)光層的成膜。所以空穴傳輸層的空穴注入被提高，可以間接提高發(fā)光層的成膜質(zhì)量。本文中空穴傳輸層采用PEDOT：PSS溶液，其在旋涂時(shí)的旋涂速度會(huì)影響成膜質(zhì)量，于是探究5組旋涂轉(zhuǎn)速對(duì)鈣鈦礦層成膜及器件性能的影響。具體制備流程如下。1）清洗導(dǎo)電玻璃；2）空穴傳輸層制備，旋涂時(shí)轉(zhuǎn)速分別為：1 000 r/min、2 000 r/min、3 000 r/min、4 000 r/min、5 00
南方農(nóng)機(jī) 2022年17期2022-09-03
- 基于CuSCN/Cs3Bi2I6Br3納米薄膜的p-i-n 型光電探測(cè)器
兩側(cè)電子和空穴傳輸層的制備順序，光電探測(cè)器可分為p-i-n 型和n-i-p型兩種類(lèi)型，也稱(chēng)為“反型”和“正型”。其中基于p-i-n型結(jié)構(gòu)的PDs在制備工藝上更為成熟并得到廣泛應(yīng)用，且載流子傳輸層可用室溫溶液法來(lái)制備，無(wú)需額外的添加劑和高溫處理，極大地降低了制備成本[5]。為了使PDs在工作時(shí)具有更小的電流回滯，通常在選擇空穴傳輸層/吸光層界面時(shí)需考慮更佳的能級(jí)匹配，以此達(dá)到更好的傳輸效果[6]。在過(guò)去的幾十年里，寬帶隙半導(dǎo)體光電探測(cè)器因其合適的直接帶隙和低
發(fā)光學(xué)報(bào) 2022年8期2022-08-31
- 倒金字塔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的仿真研究
］，及其與電子傳輸層［22-23］、空穴傳輸層［24-27］之間的結(jié)構(gòu).本研究利用COMSOL多物理場(chǎng)仿真軟件，通過(guò)調(diào)整光吸收層、電子傳輸層及空穴傳輸層的接觸界面，并在優(yōu)化階段引入倒金字塔結(jié)構(gòu)，對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真改造.對(duì)太陽(yáng)能電池內(nèi)部采用陷阱輔助復(fù)合，降低能量損耗，使電極能夠收集更多的電子空穴；采用倒金字塔結(jié)構(gòu)能夠使內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生梯度，使盡可能多的電子和空穴在壽命耗盡之前到達(dá)電子傳輸層和空穴傳輸層，便于電子空穴傳輸，從而提高光收集效率，使光生載
深圳大學(xué)學(xué)報(bào)（理工版） 2022年4期2022-07-16
- 功能化富勒烯界面修飾層的應(yīng)用研究
池。而根據(jù)空穴傳輸層和電子傳輸層位置的不同，平面型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池又可以分為p-i-n型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(空穴傳輸層處于鈣鈦礦層的下方)和n-i-p型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(空穴傳輸層處于鈣鈦礦層上方)[5]。近年來(lái)，為了提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率和穩(wěn)定性，研究者們做出了許多努力。例如，對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池進(jìn)行界面修飾、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、鈣鈦礦組分調(diào)控以及制備方式優(yōu)化等[6-8]。而其中富勒烯以及富勒烯衍生物材料在提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率以及穩(wěn)定性方面有
化工管理 2022年18期2022-07-04
- 低溫制備SnO2 電子傳輸層用于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池*
SC 中,電子傳輸層在提取和傳輸光生電子,阻擋空穴,修飾界面,調(diào)節(jié)界面能級(jí)和減少電荷復(fù)合等方面起著至關(guān)重要的作用.TiO2具有合適的帶隙、高透射率、高電子提取率等優(yōu)點(diǎn),是目前應(yīng)用最為廣泛的電子傳輸材料[7,8].但TiO2薄膜的光穩(wěn)定性差,電子遷移率低,制備工藝需要500 ℃左右的高溫,限制了在柔性器件中的應(yīng)用,且TiO2PSC 能源消耗較大,阻礙了PSC 的商業(yè)化發(fā)展[2,9-11].因此,選擇性質(zhì)穩(wěn)定、制備工藝簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的電子傳輸材料具有重要的意義[12
物理學(xué)報(bào) 2022年11期2022-06-18
- 基于氨羧絡(luò)合劑螯合二氧化錫的高效鈣鈦礦/硅四端疊層太陽(yáng)能電池
，SnO2電子傳輸層（electron transport layer，ETL）具有與鈣鈦礦更好的能級(jí)匹配和低溫下（T≤150 °C）溶液法制備優(yōu)勢(shì)。在商業(yè)化生產(chǎn)的SnO2納米顆粒分散液中，納米顆粒容易受到相互之間的范德瓦爾斯力吸引而團(tuán)聚，導(dǎo)致前驅(qū)液穩(wěn)定性較差［10］。同時(shí)在低溫后處理過(guò)程中，SnO2表面處容易產(chǎn)生大量缺陷，在沉積鈣鈦礦薄膜后，載流子在界面處堆積與復(fù)合，限制了器件效率并產(chǎn)生明顯的回滯效應(yīng)［11］。此外，SnO2粗糙的表面形貌也會(huì)影響后續(xù)鈣鈦
武漢大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2022年2期2022-05-28
- 有機(jī)發(fā)光二極管空穴傳輸層探究
中包括了：空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)[1].OLED的發(fā)光原理為：在外加電壓的驅(qū)動(dòng)下，空穴和電子分別從正極和負(fù)極注入到有機(jī)材料中，空穴與電子在發(fā)光層中相遇、復(fù)合，釋放出能量，將能量傳遞給有機(jī)發(fā)光物質(zhì)的分子，使其從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)很不穩(wěn)定，受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，輻射躍遷而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色，構(gòu)成基本色彩[1，2].1 有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)空穴傳輸層NPB1.1 空穴傳輸層NP
呂梁學(xué)院學(xué)報(bào) 2022年2期2022-04-29
- ZnO/Cs2CO3雙電子傳輸層有機(jī)太陽(yáng)能電池
，包括改善電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)等界面層以及開(kāi)發(fā)新的活性層[3-5]，以便降低界面復(fù)合損耗和更好地匹配太陽(yáng)光譜. 在有機(jī)太陽(yáng)能電池器件中，電子傳輸層可以和活性層形成歐姆接觸，促進(jìn)電子傳輸，從而提高OSCs的PCE[6-7]，包括共軛聚電解質(zhì)(CPEs)[8]、非共軛聚電解質(zhì)(n-CPEs)[9]、小分子[10]、無(wú)機(jī)-有機(jī)雜化組合物[11]等都已經(jīng)被作為ETL在OSCs中應(yīng)用. 其中，金屬氧化物作為OSCs中ETL的新型材料，具有較高的
- 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池電子傳輸層的研究進(jìn)展
雙層和三層電子傳輸層材料能最大程度發(fā)揮其協(xié)同相互作用而被認(rèn)為是高效且穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的重要研究方向[9]。本文基于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的電子傳輸層結(jié)構(gòu)和材料，系統(tǒng)地介紹了鈣鈦礦電子傳輸層的最新研究進(jìn)展。從鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性角度，梳理了不同結(jié)構(gòu)和材料電子傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的優(yōu)缺點(diǎn)以及未來(lái)發(fā)展方向。1 單層電子傳輸層鈣鈦礦太陽(yáng)能電池1.1 無(wú)機(jī)電子傳輸材料TiO2、ZnO、SnO2等金屬氧化物是常用的無(wú)機(jī)電子傳輸材料(見(jiàn)表1)，其具有
江西科學(xué) 2022年1期2022-03-07
- 雙電子傳輸層結(jié)構(gòu)硫硒化銻太陽(yáng)電池的界面特性?xún)?yōu)化*
效地傳輸至電子傳輸層,實(shí)現(xiàn)器件短路電流密度和填充因子的有效提升.在此基礎(chǔ)上,引入ZnO/Zn1—xMgxO 雙電子傳輸層結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步優(yōu)化硫硒化銻太陽(yáng)電池性能.其中,Zn1—xMgxO 能級(jí)位置的改變可以同時(shí)調(diào)節(jié)界面和吸光層的能級(jí)分布,在Zn1—xMgxO導(dǎo)帶能級(jí)為—4.2 eV,對(duì)應(yīng)Mg 含量為20%時(shí),抑制載流子復(fù)合的效果最為明顯,硫硒化銻太陽(yáng)電池也獲得了最佳的器件性能.在去除缺陷態(tài)的理想情況下,雙電子傳輸層結(jié)構(gòu)硫硒化銻太陽(yáng)電池在600 nm厚時(shí)獲得了
物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-02-17
- 在空穴傳輸層聚(3-己基噻吩)中添加1,8-二碘辛烷改善碳基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的性能*
044)無(wú)空穴傳輸層的碳基鈣鈦礦太陽(yáng)能(PSCs)電池?fù)碛谐杀镜汀⒅苽洳襟E簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性高的優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用前景廣闊.但是碳電極與活性層的直接接觸,導(dǎo)致器件的光電轉(zhuǎn)換效率普遍低于其他金屬電極的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池.本文使用聚(3-己基噻吩)(P3HT)作為器件的空穴傳輸層,相比傳統(tǒng)的有機(jī)空穴傳輸層材料Spiro-OMeTAD,具有低成本和易于制造的優(yōu)點(diǎn),并通過(guò)在P3HT 中摻雜1,8-二碘辛烷(DIO)的方法優(yōu)化其光電性能,提升了載流子的遷移率,阻擋電子的運(yùn)輸,降低界
物理學(xué)報(bào) 2021年19期2021-11-01
- 基于BCP/PEIE雙電子傳輸層提高聚合物太陽(yáng)能電池性能
。因此不同界面傳輸層、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和新材料的應(yīng)用使PSC的性能得到了大幅度的改善和提升。而界面層材料對(duì)于提高光電轉(zhuǎn)化效率和電池穩(wěn)定性有很大的影響，因此選取合適界面層材料在一定程度上決定了器件性能。倒置結(jié)構(gòu)的聚合物太陽(yáng)能電池通常以單層的聚乙烯亞胺（PEIE）作為電子傳輸層（ETL），這是因?yàn)镻EIE不僅具有良好的溶解性且可以有效降低電極的功函數(shù)[2-3]。但PEIE是一種絕緣體材料且PEIE的帶隙比較大，導(dǎo)致PEIE不利于電荷的提取[4]。因此，PEIE界面
當(dāng)代化工研究 2021年15期2021-08-15
- Gd3+摻雜TiO2電子傳輸層的制備及其電池性能
通過(guò)電子和空穴傳輸層及時(shí)導(dǎo)走載流子且流向兩極，連接外電路形成閉合回路，產(chǎn)生電流.近年來(lái)，研究者們通過(guò)對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，使得電池光電轉(zhuǎn)換效率不斷提升[6-8].TiO2具有較好的傳輸電子的能力且來(lái)源廣泛，其中銳鈦礦相TiO2的禁帶寬度在3.2 eV左右[9]，其導(dǎo)帶底稍低于鈣鈦礦CH3NH3PbI3的最低未占據(jù)軌道能級(jí)，這將有利于光生電子的流入，因此被廣泛的作為電子傳輸材料使用.TiO2是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中普遍使用的介孔層材料，但是依然存在電導(dǎo)率
陜西科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年4期2021-07-20
- 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中電子傳輸層現(xiàn)狀研究
由底電極、電子傳輸層、光吸收層、空穴傳輸層和上電極組成[13]。其中，電子傳輸層(electron transport layer, ETL)在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中起著至關(guān)重要的作用[14]：(1)影響鈣鈦礦材料的晶體結(jié)構(gòu)；(2)有效提取和輸運(yùn)光生電子；(3)與光吸收層、電極之間的界面影響載流子輸運(yùn)。圖2 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)及能帶關(guān)系示意圖[11]Fig.2 Schematic diagram of structure and energy band r
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年5期2021-06-16
- 基于Python語(yǔ)言的網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議攻擊性行為研究
引言由于網(wǎng)絡(luò)傳輸層具有較強(qiáng)的脆弱性,網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議在使用過(guò)程中常常會(huì)遭受到攻擊性行為,危害網(wǎng)絡(luò)傳輸層安全。因此,以網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議脆弱性利用層面作為切入點(diǎn),研究網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議攻擊性行為,是目前較為有效的分析手段。在我國(guó),針對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議攻擊性行為本身就并不多見(jiàn),且主要集中在分析攻擊性行為特征層面,缺乏對(duì)攻擊性行為的全方位掌握,導(dǎo)致分析存在很大程度的局限性。為研究網(wǎng)絡(luò)傳輸層UDP協(xié)議攻擊性行為,必須掌握相關(guān)編程語(yǔ)言,從編程角度入手,
數(shù)字技術(shù)與應(yīng)用 2021年2期2021-04-22
- 基于硫氰酸亞銅的n-i-p型鈣鈦礦太陽(yáng)電池界面能級(jí)匹配及穩(wěn)定性的初步研究
導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層(ETL)、鈣鈦礦吸收層(PVK)、空穴傳輸層(HTL)、金屬電極，其中不同功能層之間的界面是影響器件性能的關(guān)鍵性因素之一[4-5]。目前基于CuSCN HTL n-i-p型鈣鈦礦太陽(yáng)電池的效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于基于spiro-OMeTAD HTL的鈣鈦礦太陽(yáng)電池，這主要是由于PVK/CuSCN的界面能級(jí)不匹配，電池的開(kāi)路電壓低。為了優(yōu)化PVK/CuSCN的界面，2018年，Park課題組在PVK和CuSCN之間引入2D鈣鈦礦，器件效率從13.6
人工晶體學(xué)報(bào) 2020年9期2020-10-20
- 鈣鈦礦太陽(yáng)電池中的緩沖層研究進(jìn)展*
.通過(guò)在載流子傳輸層/電極及載流子傳輸層/光吸收層之間引入能帶結(jié)構(gòu)合適的緩沖層,可有效改善界面間的能帶失配、載流子復(fù)合及化學(xué)反應(yīng)等問(wèn)題,進(jìn)而提高鈣鈦礦電池中的電荷分離及收集效率,實(shí)現(xiàn)界面及穩(wěn)定性問(wèn)題的有效改善.本文總結(jié)了當(dāng)前鈣鈦礦太陽(yáng)電池中引入的緩沖層材料,全面分析了不同緩沖層材料鈍化空穴傳輸層/陽(yáng)極、電子傳輸層/陰極、空穴傳輸層/吸收層及電子傳輸層/吸收層間界面的機(jī)理,對(duì)比了不同緩沖層材料對(duì)電池性能的影響,總結(jié)了緩沖層材料在鈣鈦礦電池中的作用,最后指出了
物理學(xué)報(bào) 2020年13期2020-07-14
- 富勒烯材料在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
有一個(gè)夾在電子傳輸層和空穴傳輸層之間的鈣鈦礦活性層以及收集電子和空穴的兩個(gè)對(duì)電極。根據(jù)器件結(jié)構(gòu)中是否具有介孔支架層，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池可分為介孔結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)兩種。介孔結(jié)構(gòu)沿用于染料敏化太陽(yáng)能電池[8]，是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中最早出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)，通常由導(dǎo)電玻璃(FTO)、電子傳輸層、金屬氧化物介孔支架(TiO2或Al2O3)層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和金屬電極(Ag 或Au)組成，如圖1(b)所示。介孔支架層有助于形成高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜，目前高效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池
化工學(xué)報(bào) 2020年6期2020-06-22
- 應(yīng)用于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中金屬氧化物電子傳輸材料的研究進(jìn)展
電池之一。電子傳輸層是PSCs結(jié)構(gòu)的基本組成之一，對(duì)PSCs的性能和穩(wěn)定性起著重要的作用。其重要性主要表現(xiàn)在以下幾方面：(1)電子傳輸層的選取與鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶性有著極為密切的關(guān)系；(2)電子傳輸層起著光生載流子的提取與輸運(yùn)的作用；(3)電子傳輸層與鈣鈦礦光活性層和電極之間的界面對(duì)載流子運(yùn)輸動(dòng)力學(xué)具有重要影響；(4)電子傳輸層在器件封裝、光譜調(diào)控、界面化學(xué)反應(yīng)等方面對(duì)PSCs的性能會(huì)產(chǎn)生重要影響。到目前為止，電子傳輸材料主要分為兩大類(lèi)：金屬氧化物與有機(jī)物。
發(fā)光學(xué)報(bào) 2020年5期2020-05-10
- 基于P3HT空穴傳輸層的碳基無(wú)機(jī)CsPbIBr2鈣鈦礦太陽(yáng)電池
AD）作為空穴傳輸層和金電極，這與其成本效應(yīng)（cost effective）的特點(diǎn)是不相符合的。因此，基于低成本碳電極的無(wú)空穴傳輸層CsPbIBr2太陽(yáng)電池受到了更多的青睞，但其較低的開(kāi)路電壓和填充因子是限制效率提升的主要原因。本文選用了更低成本的3-己基聚噻吩（P3HT）［19］空穴傳輸材料制備了碳基CsPbIBr2鈣鈦礦太陽(yáng)電池。測(cè)試結(jié)果表明，相比無(wú)空穴傳輸層的碳基參考器件，P3HT的引入提高了電池的內(nèi)建電勢(shì)，改善了載流子輸運(yùn)，減少了載流子復(fù)合，實(shí)現(xiàn)了
上海航天 2020年2期2020-04-27
- 基于ZnO- SiO2 為電子傳輸層的全無(wú)機(jī)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池
池主要是由電子傳輸層，鈣鈦礦層以及空穴傳輸層構(gòu)成[4]。其中ZnO 因具有直接寬禁帶、高電子遷移率和透明導(dǎo)電性等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于電子傳輸層，但ZnO 表面的羥基和氧空位等缺陷導(dǎo)致電池嚴(yán)重不穩(wěn)定性和能量損失[5]。本實(shí)驗(yàn)采用SiO2水解的方法有效的鈍化了ZnO, 由改良后的ZnO構(gòu)成的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池具有增強(qiáng)的開(kāi)路電壓，短路電流，填充因子并且實(shí)現(xiàn)了12.42%的光電轉(zhuǎn)換效率。2 實(shí)驗(yàn)2.1 電池組裝：依此使用玻璃清洗劑，去離子水，丙酮，異丙醇超聲清洗每次10
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2020年7期2020-04-27
- 二硫化鎢納米片制備及其鈣鈦礦太陽(yáng)能電池空穴傳輸層應(yīng)用
-10]?？昭?span id="syggg00" class="hl">傳輸層是常見(jiàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的重要組成部分，其主要作用是降低載流子復(fù)合，增強(qiáng)光吸收[11]。常用的空穴傳輸層材料主要是PEDOT∶PSS，因?yàn)樗芗?jí)匹配性好、載流子遷移率高并且溶解過(guò)程簡(jiǎn)單。但PEDOT∶PSS不僅價(jià)格昂貴，而且具有吸濕性和高酸性，容易導(dǎo)致有機(jī)層和有機(jī)物降解，影響了器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性[12-15]。因此，開(kāi)發(fā)低成本、高穩(wěn)定性的無(wú)機(jī)空穴傳輸層材料是鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究的熱點(diǎn)之一[16-18]。二維過(guò)渡金屬硫化物(2D-TMDs
發(fā)光學(xué)報(bào) 2020年2期2020-03-09
- 利用銀納米立方增強(qiáng)效率的多層溶液加工白光有機(jī)發(fā)光二極管*
在發(fā)光層/電子傳輸層界面附近復(fù)合.本文將銀納米立方摻入電子傳輸層中, 使銀納米立方與激子之間產(chǎn)生充分的耦合作用, 提高激子發(fā)光強(qiáng)度.對(duì)銀納米立方包裹二氧化硅外殼, 一方面優(yōu)化納米立方與激子之間的距離, 另一方面減小其對(duì)器件中電荷傳輸?shù)挠绊?通過(guò)優(yōu)化銀納米立方的濃度, 多層溶液加工白光有機(jī)發(fā)光二極管的電流效率達(dá)到30.0 cd/A, 是基礎(chǔ)器件效率的2倍.另外, 由于銀納米立方的等離子體共振光譜較寬, 同時(shí)增強(qiáng)了白光中藍(lán)光和黃光的強(qiáng)度,因此引入銀納米立方基本
物理學(xué)報(bào) 2020年4期2020-02-28
- 低溫電子傳輸層對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能的影響
導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層(ETL)、光吸收層、空穴傳輸層和金屬電極層組成。其中，電子傳輸層在提取電子和阻擋空穴方面發(fā)揮著重要作用。正置結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的電子傳輸材料主要為T(mén)iO2，ZnO和SnO2等透明金屬氧化物。由于鈣鈦礦電池由染料敏化電池發(fā)展而來(lái)，因此在染料敏化電池中應(yīng)用最廣泛的電子傳輸材料TiO2在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中也得到了廣泛應(yīng)用。但是，為提高TiO2的電荷傳輸能力，TiO2在制備過(guò)程中往往需要500 ℃高溫?zé)Y(jié)使無(wú)定形相轉(zhuǎn)變?yōu)殇J鈦礦相[2-3]，
太原理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年1期2020-02-06
- 摻雜在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
電池器件的電子傳輸層和空穴傳輸層摻雜有利于提高其載流子遷移效率，從而有助于提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件的光電轉(zhuǎn)換效率；而對(duì)鈣鈦礦層摻雜不僅有助于提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)還可以提高鈣鈦礦材料的工作穩(wěn)定性。本文僅以鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的鈣鈦礦層、電子傳輸層(ETM)、空穴傳輸層(HTM)的摻雜為視角，重點(diǎn)闡述摻雜在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用。2 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池概述2.1 鈣鈦礦材料狹義上的鈣鈦礦指的是CaTiO3本身，廣義上的鈣鈦礦是指結(jié)構(gòu)為ABX3型
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2019年4期2019-09-12
- 關(guān)于智能變電站中物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用探討
；物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)；傳輸層；應(yīng)用層引言：物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)是指依托互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與傳統(tǒng)電信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)對(duì)實(shí)物進(jìn)行信息控制的網(wǎng)絡(luò)，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣泛，在智能變電站中的應(yīng)用，更是提高了智能變電站的數(shù)字化管理水平，為變電站的發(fā)電、輸電、變電、配電、用電等工作的開(kāi)展實(shí)施了智能化的調(diào)度與管理，促使變電站的各個(gè)工作環(huán)節(jié)更加完善。1智能變電站中物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的組成1.1感知層物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)在智能變電站中應(yīng)用的感知層主要用于變電站內(nèi)各項(xiàng)信息的采集，如電力的生產(chǎn)、消耗與分之等數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與收
科學(xué)與財(cái)富 2019年18期2019-07-10
- 碳材料在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
TAD作為空穴傳輸層，將此類(lèi)電池的效率提升至9.7%。自此引發(fā)了研究鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的熱潮。短短6年時(shí)間，該類(lèi)電池的轉(zhuǎn)換效率迅速提升[8-11]。截止到目前，美國(guó)可再生能源國(guó)家實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證公布，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了22.1%[12]。如此迅速的發(fā)展速度是太陽(yáng)能電池發(fā)展歷史上前所未有的，展現(xiàn)了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光明的發(fā)展前景。鈣鈦礦材料具有高消光系數(shù)[13]、直接帶隙[14]和較長(zhǎng)的載流子擴(kuò)散距離[4]等優(yōu)異的性質(zhì)。在一般結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中，
材料工程 2019年6期2019-06-19
- 自組裝制備硫化銅空穴傳輸層用于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池
器件主要的空穴傳輸層材料為有機(jī)材料PEDOT/PSS［聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽），這種有機(jī)材料由于遷移率低導(dǎo)致電子與空穴的傳遞不平衡，這將導(dǎo)致電荷的累積從而使器件的填充因子（FF）不高。同時(shí)這種材料易于吸水，易引起鈣鈦礦層分解，從而使得鈣鈦礦電池的穩(wěn)定性較差［9］。因此，需要尋找一種遷移率高同時(shí)抗水性好的空穴傳輸材料。與有機(jī)傳輸材料相比，無(wú)機(jī)材料（如 NiO［10］、CuSCN 和 CuI［11］等）具有高的光學(xué)透過(guò)性、高的空穴遷移率、良好的
無(wú)機(jī)鹽工業(yè) 2019年3期2019-03-14
- 硒化銻薄膜太陽(yáng)電池的模擬與結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究?
太陽(yáng)電池的電子傳輸層中.結(jié)果顯示,應(yīng)用CdS和ZnO都能實(shí)現(xiàn)較高的器件性能,并發(fā)現(xiàn)電子傳輸層電子親和勢(shì)(χe-ETL)的變化能夠調(diào)節(jié)Sb2Se3太陽(yáng)電池內(nèi)部的電場(chǎng)分布,是影響器件性能的關(guān)鍵參數(shù)之一.過(guò)高或者過(guò)低的χe-ETL都會(huì)使電池的填充因子降低,導(dǎo)致電池性能劣化.當(dāng)χe-ETL為4.2 eV時(shí),厚度為0.6μm的Sb2Se3太陽(yáng)電池取得了最優(yōu)的7.87%的轉(zhuǎn)換效率.應(yīng)用優(yōu)化好的器件模型,在不考慮Sb2Se3層缺陷態(tài)的理想情況下,厚度為3μm的Sb2Se
物理學(xué)報(bào) 2018年24期2018-12-28
- 柔性有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)電池研究進(jìn)展
用的電子和空穴傳輸層材料，最后對(duì)柔性PSC未來(lái)的發(fā)展進(jìn)行了展望。2 柔性PSC性能的發(fā)展柔性PSC可充分利用鈣鈦礦材料的高光吸收系數(shù)、可低溫溶液法制備、高機(jī)械柔性等優(yōu)勢(shì)，與卷對(duì)卷連續(xù)鍍膜工藝相結(jié)合大幅降低其生產(chǎn)成本，還有利于PSC的輕量化，在光伏建筑一體化、可穿戴設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力，近年來(lái)受到了人們的廣泛關(guān)注。圖1顯示了近年來(lái)柔性PSC性能的主要發(fā)展歷程。2013年，Kumar等[5]利用低溫工藝制備的氧化鋅(ZnO)納米棒作為電子傳輸
發(fā)光學(xué)報(bào) 2018年12期2018-12-13
- 基于三維ZnO/TiO2復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的|鈣鈦礦太陽(yáng)能電池增效研究
鈣鈦礦層、電子傳輸層、空穴傳輸層等的性質(zhì)。其中電子傳輸層在PSCs起著重要的作用，比如：對(duì)光生電荷的有效分離和對(duì)光生電荷復(fù)合的抑制等[5-7]。電子傳輸層常用的材料是TiO2。然而，TiO2作為電子傳輸層也存在一些缺點(diǎn)，比如：需要高溫?zé)Y(jié)才能得到獲得高光電轉(zhuǎn)換效率的銳鈦礦相TiO2。這樣不但增加了制備成本，同時(shí)也不能在柔性材料上制備PSCs[8]。因此，國(guó)內(nèi)外科研工作者一直在尋找其他電子傳輸層材料。比如可以在低溫條件制備的ZnO，SnO2等等[9-10]，
皖西學(xué)院學(xué)報(bào) 2018年5期2018-11-19
- L-3,4-dihydroxyphenylalanine and Dimethyl Sulfoxide Codoped PEDOT:PSS as a Hole Transfer Layer: towards High-Performance Planar p-i-n Perovskite Solar Cells
調(diào)控電子/空穴傳輸層可以有效促進(jìn)載流子發(fā)生分離并傳輸?shù)綄?duì)應(yīng)的電極，在制備高效的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池起了至關(guān)重要的作用。常用的空穴傳輸材料有：聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺] (PTAA)10，2,2’,7,7’-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9’-螺二芴(Spiro-OMeTAD)11，聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)12，4,4’-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺] (TAPC)13，聚 3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2018年11期2018-11-16
- 有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合雙層電子傳輸層的量子點(diǎn)發(fā)光二極管
厚度，結(jié)合電子傳輸層厚度的調(diào)節(jié)提高空穴和電子在量子點(diǎn)層中的復(fù)合效率，提高器件的性能。但由于采用穩(wěn)定性不佳的Alq3作為電子傳輸層，器件的穩(wěn)定性較差。Qian等[8]以具有較高電子遷移率的ZnO納米顆粒作為電子傳輸層，獲得了亮度較高、穩(wěn)定性較好的QLEDs器件。Pan等[9]在遷移率較低的PVK空穴傳輸層中摻入TAPC，當(dāng)PVK和TAPC的比例為3∶1時(shí)，器件的電流效率以及穩(wěn)定性比未加TAPC的器件提高了50%以上。Jiang等[10]首次在國(guó)內(nèi)通過(guò)噴墨印刷
發(fā)光學(xué)報(bào) 2018年10期2018-10-26
- 鈣鈦礦太陽(yáng)電池的原理及研究進(jìn)展
礦吸收層、電子傳輸層、空穴傳輸層、透明電極和金屬電極5部分組成，如圖1所示。在關(guān)于鈣鈦礦太陽(yáng)電池的研究中，電子傳輸層材料通常采用致密TiO2，也采用一些其他的金屬氧化物、有機(jī)小分子和復(fù)合材料等。透明電極一般采用FTO和ITO導(dǎo)電玻璃。金屬電極通常采用Au、Ag或石墨烯材料?？昭?span id="syggg00" class="hl">傳輸層主要采用spiro-OMeTAD和聚噻吩類(lèi)材料。鈣鈦礦吸收層采用CH3NH3PbI3等鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鹵化物?？昭?span id="syggg00" class="hl">傳輸層、鈣鈦礦吸收層與電子傳輸層將在下文進(jìn)行詳細(xì)介紹。圖1 鈣鈦礦
太陽(yáng)能 2018年9期2018-09-27
- 空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性研究
逐漸認(rèn)識(shí)到空穴傳輸層對(duì)電池穩(wěn)定性（主要是電池效率的穩(wěn)定）有重要影響[4].究其原因，這與空穴傳輸層能否有效隔離空氣中濕氣對(duì)光吸收層鈣鈦礦材料的侵蝕有關(guān).2 空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的研究進(jìn)展根據(jù)文獻(xiàn)結(jié)果，當(dāng)前空穴傳輸層影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的研究，主要集中在以下三方面內(nèi)容.2.1 使用新的空穴傳輸材料在正置結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電池中，Spiro-OMeTAD是使用最為廣泛的空穴傳輸材料.作為p型半導(dǎo)體材料，Spiro-OMeTAD具有一般有機(jī)小分子材料共同的缺點(diǎn)
赤峰學(xué)院學(xué)報(bào)·自然科學(xué)版 2018年7期2018-08-11
- 基于磷鉬酸和納米氧化鉬的復(fù)合空穴傳輸層材料及其在有機(jī)太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用
9],但是空穴傳輸層(hole transport layer,HTL)多采用真空蒸鍍的方法制備,操作復(fù)雜、成本較高.因此,實(shí)現(xiàn)有機(jī)太陽(yáng)能電池器件的全溶液法制備,尋求可溶液法制備的空穴傳輸材料就變得非常緊迫.聚(3,4-乙烯二氧噻吩單體):聚苯乙烯磺酸鈉(poly(3,4-ethylendioxythiophene):poly(sodium-p-styrenesulfonate),PEDOT:PSS)因其具有較高的透明度和導(dǎo)電性、良好的工藝加工性以及可調(diào)節(jié)
- 我國(guó)開(kāi)發(fā)出一種鈦傳輸層的新型高效鈣鈦礦太陽(yáng)能電池
金屬鈦?zhàn)鳛殡娮?span id="syggg00" class="hl">傳輸層，其光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)18.1%，是目前金屬材料與鈣鈦礦層直接接觸器件所達(dá)到的最高轉(zhuǎn)換效率。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池有正式和反式2種結(jié)構(gòu)，反式平面結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池憑借制備工藝簡(jiǎn)單、可低溫成膜、無(wú)明顯遲滯效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)受到越來(lái)越多的關(guān)注，但是仍然面臨諸多問(wèn)題，如光電轉(zhuǎn)換效率稍顯不足，有機(jī)電子傳輸層的熱穩(wěn)定性差、成本昂貴等。為解決這些問(wèn)題，固體所研究人員利用金屬鈦取代有機(jī)電子傳輸層，設(shè)計(jì)出新型鈣鈦礦太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。相比于有機(jī)電子傳輸層的制備條件，金屬
鈦工業(yè)進(jìn)展 2018年5期2018-01-27
- 基于車(chē)輛通信的TCP/IP安全協(xié)議比較分析
、基于字節(jié)流的傳輸層通信協(xié)議；②TCP/ AH，其是利用AH協(xié)議和字節(jié)流傳輸流量的安全協(xié)議；③TCP/ESP，其是利用ESP協(xié)議的流量安全協(xié)議；④UDP（用戶(hù)數(shù)據(jù)報(bào)協(xié)議），其是一種無(wú)連接的傳輸層協(xié)議，提供面向事務(wù)的簡(jiǎn)單不可靠信息傳送服務(wù)；⑤UDP/AH，其是利用AH協(xié)議的UDP流量安全控制協(xié)議；⑥UDP/ESP，其是利用ESP協(xié)議的UDP流量安全協(xié)議；⑦TLS（安全傳輸層協(xié)議），其用于保障傳輸層安全和單獨(dú)連接的TCP流量協(xié)議；⑧DTLS（數(shù)據(jù)包傳輸層安全性
汽車(chē)文摘 2017年9期2017-12-06
- 基于物聯(lián)網(wǎng)GIS的消防智能巡檢系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
智能巡檢系統(tǒng) 傳輸層 RFID標(biāo)簽消防設(shè)施是城市重要的設(shè)施，為保證這些設(shè)施的使用，讓其安全運(yùn)行，日常對(duì)設(shè)備進(jìn)行巡視檢查至關(guān)重要，而為優(yōu)化巡視檢查的效果，改變?cè)械姆绞?，我們需引入物?lián)網(wǎng)、GIS等技術(shù)，進(jìn)行設(shè)施的巡視工作，讓巡視工作向規(guī)范化、專(zhuān)業(yè)化轉(zhuǎn)變。1 消防智能巡檢系統(tǒng)的設(shè)計(jì)1.1 整體結(jié)構(gòu)基于物聯(lián)網(wǎng)與GIS技術(shù)構(gòu)建智能巡檢系統(tǒng)，是根據(jù)不同部分的需求，用不同方式滿(mǎn)足。另物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)構(gòu)分為三層，包括感知層、網(wǎng)絡(luò)層與應(yīng)用層，故智能巡檢系統(tǒng)會(huì)以這三個(gè)層次為結(jié)構(gòu)，
電子技術(shù)與軟件工程 2017年19期2017-11-09
- Improving The Performance of Inverted Planar Heterojunction Perovskite Solar Cells via Poly(n-vinylcarbazole) as Additive in Electron Transporting Layer
3)資助在電子傳輸層中添加PVK提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的性能妙 亞1,2,董素娟1,2,劉少偉1,2,王亞凌1,2,楊 銀1,2,曹煥奇1,2,秦文靜1,2,楊利營(yíng)1,2*,紀(jì)偉偉3,4*,印壽根1,2*(1.天津理工大學(xué) 顯示材料與光電器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津 300384 ；2.天津理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津 300384；3.天津大學(xué) 化工學(xué)院，天津 300072； 4.中國(guó)電子科技集團(tuán)第18研究所，天津 3
發(fā)光學(xué)報(bào) 2017年9期2017-09-04
- 雙添加劑處理電子傳輸層富勒烯衍生物[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能的影響?
添加劑處理電子傳輸層富勒烯衍生物[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能的影響?劉毅 徐征?趙謖玲 喬泊 李楊 秦梓倫 朱友勤(北京交通大學(xué),發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100044)(北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所,北京 100044)有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合鈣鈦礦材料被證明是非常出色的光伏材料,目前主要通過(guò)優(yōu)化鈣鈦礦材料的結(jié)晶和形貌來(lái)提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率.而對(duì)于電荷傳輸層,特別是p-i-n結(jié)構(gòu)中電子傳輸層的研究相對(duì)較少.因此,本文制備
物理學(xué)報(bào) 2017年11期2017-08-09
- 基于Alq3摻雜Bphen電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光二極管
Bphen電子傳輸層的有機(jī)發(fā)光二極管袁桃利1， 王秀峰2*， 牟 強(qiáng)1， 張方輝1， 李亭亭1(1. 陜西科技大學(xué) 電氣與信息工程學(xué)院， 陜西 西安 710021；2. 陜西科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院， 陜西 西安 710021)制備了結(jié)構(gòu)為ITO/MoO3(30 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶R-4B(8%)(30 nm)/電子傳輸層(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的器件，其中R-4B為紅色磷光染
發(fā)光學(xué)報(bào) 2017年8期2017-08-02
- NAPT技術(shù)對(duì)數(shù)據(jù)包分片的處理實(shí)驗(yàn)
地址轉(zhuǎn)換）使用傳輸層標(biāo)示符來(lái)確定一個(gè)特定的數(shù)據(jù)包和私有主機(jī)之間的聯(lián)系。那么對(duì)于不含標(biāo)示符的數(shù)據(jù)包分片如何處理？在H3 Cloud Lab模擬器上進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn)，對(duì)數(shù)據(jù)包進(jìn)行分片，探究NAPT對(duì)分片的處理過(guò)程。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)地址轉(zhuǎn)換設(shè)備記錄并保存了數(shù)據(jù)包首片的標(biāo)示符信息，以便對(duì)后續(xù)分片（不合標(biāo)示符）的處理。關(guān)鍵詞：網(wǎng)絡(luò)端口地址轉(zhuǎn)換；分片；傳輸層；路由；MTU1概述局域網(wǎng)內(nèi)的IP地址大多為私有地址，但私有地址只能在局域網(wǎng)內(nèi)部網(wǎng)中使用，不能在Internet公網(wǎng)上使用，
電腦知識(shí)與技術(shù) 2017年16期2017-07-14
- 基于激子和電致激基復(fù)合物雙重發(fā)光的白光OLED
適的鄰層(空穴傳輸層/電子傳輸層)形成電致激基復(fù)合物。利用材料的本征激子發(fā)光及其電致激基復(fù)合物發(fā)光，可以得到理想的白光電致發(fā)光。將TPE-4Br和TPE-3Br摻雜于mCP中作為發(fā)光層，以TAPC和TmPyPB分別作為空穴傳輸層和電子傳輸層分別制備器件A和器件B，所得器件在操作電壓為9 V時(shí)的色坐標(biāo)分別為(0.32，0.33)和(0.31，0.34)。其中器件B的最大亮度和最大電流效率分別為364.66 cd·m－2與0.79 cd·A－1。白光有機(jī)發(fā)光二
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2017年5期2017-05-11
- 電子傳輸層厚度及阻塞層對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光二極管性能的影響
101)?電子傳輸層厚度及阻塞層對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光二極管性能的影響馬 航1， 李鄧化1,2*， 陳雯柏2， 葉繼興2 (1. 北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院， 北京 100044; 2. 北京信息科技大學(xué) 自動(dòng)化學(xué)院， 北京 100101)針對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)中載流子注入不平衡的問(wèn)題，對(duì)空穴和電子在量子點(diǎn)層的注入速率進(jìn)行了研究。制備了不同電子傳輸層厚度、結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED樣品。Alq3
發(fā)光學(xué)報(bào) 2017年1期2017-02-15
- 基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
為控制層和物理傳輸層兩個(gè)邏輯層級(jí)。通過(guò)綜合驗(yàn)證本設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸接口的速率可達(dá)到800Mhz，高負(fù)載運(yùn)行下錯(cuò)誤數(shù)據(jù)校準(zhǔn)率為100%，芯片邏輯資源占用率低于6.5%，因此能夠滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸以及可靠性和低資源占用的要求，同時(shí)具備同家族芯片可移植性強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，并給出了系統(tǒng)功能仿真的驗(yàn)證結(jié)果。FPGA；高云GW2A55；DDR3 SDRAM控制器；JESD79-3F1 引言DDR3 SDRAM是由 JEDEC在 DDR SDRAM 的基礎(chǔ)上進(jìn)行開(kāi)發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
大眾科技 2016年10期2016-12-22
- 傳輸層網(wǎng)絡(luò)編碼研究
研究所 劉 釗傳輸層網(wǎng)絡(luò)編碼研究中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十研究所 劉釗底層網(wǎng)絡(luò)隨機(jī)丟包導(dǎo)致的TCP傳輸性能的惡化的問(wèn)題由來(lái)已久。為了保障TCP的吞吐量在無(wú)線網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下依然能夠保持優(yōu)良的性能，通過(guò)分析傳輸層網(wǎng)絡(luò)編碼（TCP/NC協(xié)議）的基本原理，結(jié)果表明：傳輸層網(wǎng)絡(luò)編碼能夠有效克服底層的隨機(jī)丟包帶來(lái)的影響，提升TCP吞吐量。網(wǎng)絡(luò)編碼；傳輸層；傳輸層網(wǎng)絡(luò)編碼引自2000年來(lái)，Ahlswede［1］等人的研究開(kāi)創(chuàng)了網(wǎng)絡(luò)編碼的新領(lǐng)域。網(wǎng)絡(luò)編碼是一種融合了路由和編碼
電子世界 2016年16期2016-09-27
- 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)分析
電池;鈣鈦礦;傳輸層;光電轉(zhuǎn)換效率1鈣鈦礦材料鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的吸光物質(zhì)鈣鈦礦材料可以表示為ABX3，一般A為CH3NH3，B為金屬元素Pb，X為鹵族元素Cl、Br、I，是一種有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化的材料，其基本結(jié)構(gòu)單元為正八面體，如下圖1所示：圖1 鈣鈦礦材料結(jié)構(gòu)示意圖CH3NH3PbI3屬于半導(dǎo)體染料，其禁帶寬度為1.55eV，對(duì)可見(jiàn)光的吸收效果非常好，在太陽(yáng)能電池的制備過(guò)程中被用作光吸收材料，對(duì)于CH3NH3PbX3，其中-X可為鹵素元素-Cl、-Br、-
- 基于瀏覽器代理審查機(jī)制的研究
操作序列所遵從傳輸層插件，提出了使插件產(chǎn)生大量短暫代理，基于瀏覽器代理不間斷產(chǎn)生和消失以實(shí)現(xiàn)客戶(hù)端代理；通過(guò)三個(gè)代理實(shí)驗(yàn)得出自然限制帶寬比人工限制更加嚴(yán)格，從而使傳輸所用時(shí)間達(dá)到近似線性，基于瀏覽器代理審查是穩(wěn)定。瀏覽器；代理；審查；插件；模型0 引言當(dāng)互聯(lián)網(wǎng)開(kāi)始作為研究網(wǎng)絡(luò)并放開(kāi)相關(guān)信息以來(lái)，許多國(guó)家就開(kāi)始過(guò)濾互聯(lián)網(wǎng)上傳輸?shù)男畔?。OpenNet長(zhǎng)期關(guān)注追蹤因特網(wǎng)過(guò)濾的報(bào)道，列出了大量進(jìn)行互聯(lián)網(wǎng)信息過(guò)濾的國(guó)家。像YouTube和FaceBook這樣的網(wǎng)站在
網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)與應(yīng)用 2016年9期2016-02-06
- 雙電子傳輸層對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管效率及其衰減的改善
237)雙電子傳輸層對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管效率及其衰減的改善陸 勍,陳炳月,楊魏強(qiáng),張彤蕾,呂昭月*(華東理工大學(xué)理學(xué)院物理系,上海 200237)采用Bphen和BCP制成雙電子傳輸層(Double electron transport layers,DETLs)的有機(jī)發(fā)光二極管器件,與Bphen單獨(dú)作ETL的器件相比,DETLs器件具有較小的空穴漏電流,效率提升10%。與BCP獨(dú)自作ETL的器件相比,更多的電子注入使DETLs器件的效率在50～600 mA/
發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年9期2015-07-21
- 物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線通信傳輸層動(dòng)態(tài)通道保障機(jī)制
關(guān)技術(shù)單位研究傳輸層協(xié)議設(shè)計(jì)了一種新的技術(shù)設(shè)施，即動(dòng)態(tài)附加傳輸通道保障機(jī)制。它能夠在傳輸出現(xiàn)擁堵問(wèn)題的時(shí)候，喚起第二代代理器，判斷出最佳的參數(shù)傳送方向，并開(kāi)展單獨(dú)游歷，實(shí)現(xiàn)附加通道的快速更迭。針對(duì)這樣的現(xiàn)象，我們就一定要結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線通信傳輸層運(yùn)轉(zhuǎn)的實(shí)際情況，運(yùn)用理論公式對(duì)其進(jìn)行推導(dǎo)，從而有效避免TCP長(zhǎng)時(shí)間處于慢啟動(dòng)階段，做好動(dòng)態(tài)通道的保障機(jī)制。關(guān)鍵詞：物聯(lián)網(wǎng)；無(wú)線通信；傳輸層；動(dòng)態(tài)通道；保障機(jī)制中圖分類(lèi)號(hào)：TP393 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1009
電腦知識(shí)與技術(shù) 2014年36期2015-01-20
- 頂發(fā)射白光有機(jī)電致發(fā)光器件的優(yōu)化
有機(jī)材料的電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)，并在有機(jī)的發(fā)光層(EML)中復(fù)合生成激子，激子輻射躍遷回到基態(tài)而發(fā)光[1-2]。由于OLED具有亮度高、響應(yīng)快、能耗低、視角寬、工藝簡(jiǎn)單、可彎曲等優(yōu)點(diǎn)，在全彩顯示與固態(tài)照明等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用潛力[2-3]。白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)一直是有機(jī)電致發(fā)光研究中的焦點(diǎn)，因?yàn)榘坠獠坏梢杂脕?lái)照明，而且WOLED作背光源加上彩色濾光片可以調(diào)節(jié)發(fā)光的顏色，實(shí)現(xiàn)全彩顯示。有源驅(qū)動(dòng)有機(jī)電致發(fā)光器件(AMOLED)
- 傳輸層主結(jié)構(gòu)子結(jié)構(gòu)通路分層應(yīng)用
學(xué)洛杉磯分校）傳輸層主結(jié)構(gòu)子結(jié)構(gòu)通路分層應(yīng)用王玉忠1，陳 曦2（1．北京油氣調(diào)控中心；2．加州大學(xué)洛杉磯分校）傳輸層電域和光域交叉包括數(shù)據(jù)在子結(jié)構(gòu)鏈和主結(jié)構(gòu)環(huán)保護(hù)中分層，子結(jié)構(gòu)中繼段在匯聚節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)收斂，通路可用度在減少電交叉的次數(shù)中得到提高，主結(jié)構(gòu)節(jié)點(diǎn)光傳輸層數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)了安全傳輸。傳輸層子結(jié)構(gòu)中電中繼段鏈狀結(jié)構(gòu)的通路VC12，VC3，VC4能夠?qū)崿F(xiàn)端到端、端到環(huán)、端到鏈的多種組合，選擇VC12作為通路數(shù)據(jù)鏈路，將ETF口信源編碼，多個(gè)百兆口的數(shù)據(jù)在一個(gè)VC4
數(shù)字通信世界 2014年4期2014-02-28
- 全無(wú)機(jī)膠體量子點(diǎn)顯示技術(shù)
力。含有機(jī)電荷傳輸層的膠體量子點(diǎn)顯示器件QLED已經(jīng)取得了令人矚目的發(fā)展，表現(xiàn)了具有超越現(xiàn)有OLED電致發(fā)光特性的潛力[8]，但是由于這種器件中含有有機(jī)材料，存在對(duì)空氣中的水和氧氣比較敏感，在高溫條件下有機(jī)材料容易降解等問(wèn)題[9]，需要對(duì)器件進(jìn)行密閉封裝而使成本增加。為了解決這樣的問(wèn)題，全無(wú)機(jī)量子點(diǎn)顯示器件作為一種理想的平板顯示技術(shù)引起了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的極大關(guān)注。本文較全面地介紹了目前國(guó)際上全無(wú)機(jī)膠體量子點(diǎn)顯示器件的研究現(xiàn)狀和發(fā)展方向，結(jié)合典型的全無(wú)機(jī)發(fā)光
液晶與顯示 2014年4期2014-02-02
- 內(nèi)含C60摻雜空穴傳輸層的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件
荷注入層、電荷傳輸層和發(fā)光層所決定，尤其是器件的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光效率和穩(wěn)定性等性能都與器件的電荷注入層和傳輸層相關(guān)。目前將QD-LED應(yīng)用在顯示或者固態(tài)照明等領(lǐng)域還存在很多問(wèn)題，比如器件的效率低、有機(jī)傳輸層發(fā)光和量子點(diǎn)缺陷發(fā)光等。這些問(wèn)題主要是由于載流子不能有效地注入到量子點(diǎn)發(fā)光層及電子-空穴這兩種載流子注入不平衡導(dǎo)致的。與有機(jī)分子或者聚合物的最高占有分子軌道及最低未占分子軌道(分別為-5.5 eV左右和-3 eV左右)相比，量子點(diǎn)擁有更低的價(jià)帶(-6～-7
無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào) 2014年6期2014-01-02
- ＩＳＯ網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu)
路層 網(wǎng)絡(luò)層 傳輸層 會(huì)話層中圖分類(lèi)號(hào)：TP3文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1671－7597（2009）0310130－01計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的體系結(jié)構(gòu)就是指計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各層及其協(xié)議的集合，或計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)及其部件所應(yīng)完成的功能。計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的體系結(jié)構(gòu)存在的目的就是使不同計(jì)算機(jī)廠家的計(jì)算機(jī)能夠相互通信，以便在更大的范圍內(nèi)建立計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO于1983年正式提出了一個(gè)七層參考模型，叫做開(kāi)放式系統(tǒng)互連模型（通稱(chēng)ISO/OSI）。OSI參考模型將整個(gè)網(wǎng)絡(luò)通信的功能
新媒體研究 2009年5期2009-04-09