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低頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)降低運(yùn)動(dòng)皮層興奮性的研究

2010-03-03 14:30劉運(yùn)洲張忠秋
中國體育科技 2010年4期
關(guān)鍵詞:興奮性皮層振幅

劉運(yùn)洲,張忠秋

1 前言

經(jīng)顱磁刺激 TMS(Transcranial Magnetic Stimulation)是一種安全、無創(chuàng)傷、無疼痛的新型認(rèn)知神經(jīng)科學(xué)技術(shù),該技術(shù)由Barker等[2]于1985年首先創(chuàng)立的一種皮質(zhì)刺激方法而發(fā)展起來。它通過時(shí)變磁場使深部腦組織產(chǎn)生感應(yīng)電流,從而對刺激區(qū)域及較遠(yuǎn)的相關(guān)區(qū)域產(chǎn)生影響,且所產(chǎn)生的生物學(xué)效應(yīng)能夠持續(xù)到刺激停止后的一段時(shí)間。重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)可調(diào)節(jié)大腦皮層的興奮性,其所產(chǎn)生的興奮或抑制效應(yīng)取決于刺激參數(shù)如強(qiáng)度、頻率、脈沖總數(shù)、持續(xù)時(shí)間等,一般來說,高頻(>5 Hz)rTMS能夠促進(jìn)皮層的興奮性,而低頻(≤1 Hz)rTMS則抑制皮層的興奮性,基于它能調(diào)節(jié)大腦皮層的興奮性而被廣泛地應(yīng)用于精神病學(xué)和神經(jīng)病學(xué)的臨床治療[9,19]。

運(yùn)動(dòng)訓(xùn)練過程中尤其是鄰近比賽,焦慮問題時(shí)常困擾著廣大運(yùn)動(dòng)員及教練員,實(shí)踐中常常采用放松訓(xùn)練、認(rèn)知調(diào)節(jié)、表象演練等方式進(jìn)行調(diào)控[1],然而有時(shí)效果并不理想。低頻(≤1 Hz)rTMS能夠抑制皮層的興奮性[9],推定rTMS存在抗焦慮作用的最初證據(jù)來自健康志愿者的研究,依據(jù)“效價(jià)假說”,van Honk[24]和 Schutter[23]等對健康被試進(jìn)行了一系列實(shí)驗(yàn),結(jié)果顯示,在右側(cè)背外側(cè)前額葉(DLPFC)施加閾下低頻rTMS可減少焦慮相關(guān)行為,與假刺激相比尤其可降低自評焦慮及對側(cè)腦電θ波活動(dòng)增加。此外,d’Alfonso等在健康被試右側(cè)背外側(cè)前額葉(DLPFC)施加低頻rTMS后,被試選擇性注意憤怒的面孔,其解釋為通過對右半球的抑制起到抗焦慮作用[7]。由此可見,在右側(cè)DLPFC施加低頻rTMS可調(diào)節(jié)軀體行為(減少焦慮相關(guān)行為[24])、認(rèn)知(選擇性注意憤怒的面孔[9])及大腦皮層的活動(dòng)(對側(cè)腦電θ波活動(dòng)增加[24],大腦皮層是情緒活動(dòng)的最高控制中樞),從而起到降低焦慮的作用。結(jié)構(gòu)和功能神經(jīng)影像學(xué)研究顯示,焦慮發(fā)生時(shí)右側(cè)前額葉皮層興奮性增加[6],而低頻(≤1 Hz)rTMS能抑制皮層興奮性[2]且具有一定的抗焦慮作用[23,24],為此,可嘗試將 rTMS作為干預(yù)手段,通過在右側(cè)DLPFC施加低頻rTMS來降低運(yùn)動(dòng)員的狀態(tài)焦慮,即從中樞神經(jīng)系統(tǒng)對運(yùn)動(dòng)員的賽前焦慮進(jìn)行調(diào)控,將具有一定的理論意義和實(shí)踐意義。

當(dāng)前,一些研究證實(shí)了低頻(≤1 Hz)rTMS能夠抑制皮層的興奮性,不僅可使刺激區(qū)域皮層的興奮性降低約幾s至數(shù) min(取決于刺激持續(xù)時(shí)間)[5,21],而且還能引發(fā)對側(cè)皮層興奮性的改變(即較遠(yuǎn)的相關(guān)區(qū)域)[21,25]。如 Chen等人(1997)首次研究了低頻rTMS對運(yùn)動(dòng)皮層興奮性的影響,他們考察0.9 Hz的rTMS刺激15 min后的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位(M EP),指出低頻率rTMS導(dǎo)致MEP減少19.5%,且在刺激停止后這種效應(yīng)至少持續(xù)了 15 min[5];Romero等[22](2002)的研究顯示,1 Hz,90%RM T(靜息閾值)的600次rTMS導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位(MEP)減少,刺激停止后這種效應(yīng)至少持續(xù)了10 min。

然而,另有研究表明,刺激強(qiáng)度對高頻rTMS或低頻rTMS的刺激效果起著至關(guān)重要的決定作用[20]。如 Gabrielle等[14]的研究顯示,在2Hz和6Hz的600次rTMS刺激中,80%RM T均導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性降低。在刺激強(qiáng)度為90%RM T的一些研究中(刺激頻率范圍為1~15 Hz)則出現(xiàn)了較大的被試內(nèi)差異,這些研究認(rèn)為,90% RM T可能落在一個(gè)閾值范圍,高于此強(qiáng)度的rTMS利于興奮而低于此強(qiáng)度的rTMS利于抑制[14,20]。由此可見,rTMS的刺激效果不僅與頻率有關(guān),而且,強(qiáng)度、脈沖總數(shù)、持續(xù)時(shí)間等也有關(guān)。

總之,由于 rTMS的刺激參數(shù)較多,導(dǎo)致了影響刺激效果的因素也較多,到目前為止,在具體參數(shù)的設(shè)置上尚未取得一致意見,不能簡單認(rèn)為高頻rTMS促進(jìn)興奮而低頻rTMS導(dǎo)致抑制,在實(shí)際應(yīng)用之前須對刺激參數(shù)的神經(jīng)生理效果進(jìn)行檢驗(yàn)。為此,要想將rTMS作為降低焦慮的一種干預(yù)手段,首先必須確定出適宜的刺激參數(shù)并對參數(shù)的刺激效果進(jìn)行檢驗(yàn)。當(dāng)前,大部分研究證實(shí)了1 Hz的rTMS能夠降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性[5,21],而 Gabrielle等[11]的研究認(rèn)為,無論是高頻(6Hz)rTMS還是低頻(2Hz)rTMS,80%RM T均可導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性降低,于是,在此基礎(chǔ)上,考慮到實(shí)際應(yīng)用的需要,本研究擬采用1 Hz, 80%RM T的rTMS在被試左側(cè)初級運(yùn)動(dòng)皮層(M 1區(qū))施加刺激,分別對500次、1 000次、1 500次rTMS的刺激效果進(jìn)行檢驗(yàn),旨在確定能夠較好降低運(yùn)動(dòng)皮層興奮性且具有足夠持續(xù)效應(yīng)的磁刺激參數(shù),為使用rTMS降低運(yùn)動(dòng)員的賽前焦慮提供理論基礎(chǔ)。研究假設(shè)為1 Hz,80%RM T, 1 500次rTMS能夠較好地降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性及產(chǎn)生較長的后效應(yīng)。

2 方法

2.1 被試

體校學(xué)生8名,右利手,其中,男、女各4名,平均年齡16±2.52歲,運(yùn)動(dòng)年限 6~9年,均為二級以上運(yùn)動(dòng)員。被試經(jīng)過嚴(yán)格篩選,無既往病史、家族病史及精神類疾病,符合經(jīng)顱磁刺激(TMS)實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。所有被試均自愿參加,且未參加過相關(guān)實(shí)驗(yàn),也不知道實(shí)驗(yàn)?zāi)康?。告知被試?shí)驗(yàn)過程、可能的影響,并與其簽訂實(shí)驗(yàn)協(xié)議及付給相應(yīng)報(bào)酬。

2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

被試內(nèi)設(shè)計(jì)。所有被試均接受4種刺激條件的實(shí)驗(yàn),即假刺激a、磁刺激b、磁刺激c、磁刺激d。為了避免遺留效應(yīng),各實(shí)驗(yàn)間均間隔一周[8];為了避免順序效應(yīng),男、女被試均按拉丁方的順序參加實(shí)驗(yàn):即:1)a b c d;2)b c d a ;3)c d a b;4)d a b c。此外,要求被試在實(shí)驗(yàn)期間不要飲酒及服用興奮性或抑制性藥物,保持正常的飲食和作息習(xí)慣,測試時(shí)間為上午8:30~11:30。4種刺激條件的刺激參數(shù)如下:

假刺激a:1 Hz,80%RM T,1 500次rTMS(150個(gè)序列,共30 min);磁刺激b:1 Hz,80%RM T,500次 rTMS (50個(gè)序列,共10 min);磁刺激c:1 Hz,80%RM T,1 000次rTMS(100個(gè)序列,共20 min);磁刺激 d:1 Hz,80% RM T,1 500次rTMS(150個(gè)序列,共30 min),所有刺激序列均持續(xù)10 s間隔2 s,每個(gè)序列10次刺激。

2.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)備

經(jīng)顱磁刺激器:Magtism RAPID2型(英國Magtism公司)磁刺激儀,使用標(biāo)準(zhǔn)蝶型70 mm雙線圈(即“8字型”線圈,具有較好的聚焦性能,刺激部位更精確),磁場強(qiáng)度為2.2 T。

2.4 實(shí)驗(yàn)過程

實(shí)驗(yàn)在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行,實(shí)驗(yàn)前簡單介紹 TMS、實(shí)驗(yàn)程序、注意事項(xiàng)及可能的影響,并告知被試實(shí)驗(yàn)過程中如有不適可隨時(shí)終止實(shí)驗(yàn)。分別測試刺激前,刺激結(jié)束后即刻,刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min時(shí)放松狀態(tài)下右手拇短展?。‵irst Dorsal Interosseous-FDI)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(Motor Evoked Potential Amplitude-MEP Amplitude)。

磁刺激:被試舒服地坐在兩側(cè)有扶手的靠椅上,保持全身放松,下顎放在固定的支架上。線圈平面與被試顱骨表面相切,置于左側(cè)初級運(yùn)動(dòng)皮層(即M 1區(qū),位于國際標(biāo)準(zhǔn)腦電10~20記錄系統(tǒng)的Cz點(diǎn))能夠最佳激活右手拇短展肌的位置,按照設(shè)定的刺激參數(shù)實(shí)施刺激。

假刺激:實(shí)施方法與磁刺激相同,操作時(shí)將輸出強(qiáng)度降低到20%,使之遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于大腦皮層產(chǎn)生生理反應(yīng)的強(qiáng)度[13]。

靜息閾值(Rest Motor Threshold-RM T):指目標(biāo)肌肉在完全放松的情況下,連續(xù)10次經(jīng)顱磁刺激中有5次以上產(chǎn)生大于50μV運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位(MEP)的最小磁刺激強(qiáng)度。靜息閾值測定時(shí),線圈的輸出強(qiáng)度設(shè)置為70%,先找到能誘發(fā)出波幅最大且重復(fù)性好的最佳刺激點(diǎn),然后在此點(diǎn)每次減少5%的輸出強(qiáng)度,找到能夠誘發(fā) 50μV左右MEP的輸出強(qiáng)度后,再以每次增加或減少1%的輸出強(qiáng)度進(jìn)行微調(diào),直至找到在連續(xù)10次的經(jīng)顱磁刺激中有5次以上產(chǎn)生大于50μV M EP的最小刺激強(qiáng)度。

運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位(Motor Evoked Potential-MEP):采用Magtism RAPID2型磁刺激儀的M EP模塊及其專用電極線記錄右手拇短展肌(FDI)的表面肌電(M EP參數(shù)為:時(shí)間基值50ms,濾波通帶2 Hz~10K Hz)。記錄電極置于拇短展肌肌腹,參考電極置于遠(yuǎn)心端的肌腱,接地極置于手腕。

運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性采用運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(M EP Amplitude)進(jìn)行評價(jià),其機(jī)制為肌肉的隨意收縮使細(xì)胞膜電位上升,對刺激的興奮性增加,TMS刺激可募集更多數(shù)量的肌細(xì)胞參與收縮[27]。運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅通過測量波峰與波谷之間的電位差來確定。為了考察rTMS后運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅的變化,采用單脈沖磁刺激(sTMS)在放松狀態(tài)下誘發(fā)右手拇短展肌(FDI)產(chǎn)生M EP,刺激強(qiáng)度設(shè)置為能夠誘發(fā)1.0~2.0 mV運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅的強(qiáng)度。各被試在整個(gè)測試中均保持同一刺激強(qiáng)度,將連續(xù)6次sTMS的結(jié)果平均后作為測試值,sTMS之間間隔5 s。為了保持測試的準(zhǔn)確性,實(shí)驗(yàn)中用彩筆在刺激位置做上標(biāo)記。為了便于比較刺激前、后運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅的變化,將刺激后運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅與刺激前運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅的百分比來表示。

2.5 統(tǒng)計(jì)方法

使用統(tǒng)計(jì)軟件SPSS 15.0對數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,顯著性水平定為α=0.05。

3 結(jié)果

rTMS刺激過程中被試均未感到疼痛,未引起不適反應(yīng),刺激后沒有產(chǎn)生不利影響。

將刺激參數(shù)(假刺激a,磁刺激b,磁刺激c,磁刺激d)和測試時(shí)間(刺激前,刺激結(jié)束后即刻,刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min)作為被試內(nèi)主因素,對運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(MEP Amplitude)進(jìn)行雙因素重復(fù)測量方差分析(表1),結(jié)果顯示刺激參數(shù)的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn)(4,28)= 101.274,P<0.0005;測試時(shí)間的主效應(yīng)極端顯著, F(3,21)=108.302,P<0.0005;更重要的是,刺激參數(shù)與測試時(shí)間的交互作用極端顯著,F(xiàn)(12,112)=32.844,P< 0.0005。

表1 本研究4種刺激參數(shù)刺激前、后的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅一覽表 (M±SD)

對4種刺激參數(shù)刺激前、后各自的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(MEP Amplitude)分別進(jìn)行重復(fù)測量方差分析及采用成對樣本t檢驗(yàn)進(jìn)行事后比較分析(圖1)。

圖1 本研究4種刺激參數(shù)刺激前、后的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅示意圖

假刺激 a:測試時(shí)間的主效應(yīng)不顯著,F(xiàn)(4,28)= 1.548,P=0.216。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,刺激結(jié)束后即刻、刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明假刺激a未能導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅發(fā)生變化。

磁刺激 b:測試時(shí)間的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn)(4,28)= 10.392,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,刺激前和刺激結(jié)束后即刻差異極顯著,t=4.640,df=7,P=0.002,刺激前和刺激結(jié)束后30 min(t=-0.210,df=7,P= 0.839)、刺激結(jié)束后 60 min(t=-0.146,df=7,P= 0.888)、刺激結(jié)束后120 min(t=0.633,df=7,P=0.547)均差異不顯著。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,刺激結(jié)束后即刻的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減小了11.27%,刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明磁刺激b導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間小于30 min。

磁刺激c:測試時(shí)間的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn)(4,28)= 41.979,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,刺激前和刺激結(jié)束后即刻差異極端顯著,t=8.159,df=7,P<0.0005,刺激前和刺激結(jié)束后30 min差異極顯著,t=4.614,df= 7,P=0.002,刺激前和刺激結(jié)束后60 min(t=0.000,df =7,P=1.000)、刺激結(jié)束后120 min(t=-0.908,df= 7,P=0.394)均差異不顯著。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,刺激結(jié)束后即刻、刺激結(jié)束后30 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅分別減少了21.24%、14.41%,刺激結(jié)束后60 min、刺激結(jié)束后120 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明磁刺激c導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間大于30 min小于60 min。

磁刺激d:測試時(shí)間的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn)(4,28)= 105.869,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,刺激前與刺激結(jié)束后即刻(t=12.484,df=7,P<0.0005)、刺激結(jié)束后30 min(t=11.950,df=7,P<0.0005)、刺激結(jié)束后60 min(t=9.794,df=7,P<0.0005)均差異極端顯著,刺激前與刺激結(jié)束后120 min差異不顯著,t=2.066,df =7,P=0.078。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,刺激結(jié)束后即刻、刺激結(jié)束后30 min、刺激結(jié)束后60 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅分別減少 37.07%、32.94%、17.25%,刺激結(jié)束后120 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明磁刺激d導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間大于60 min小于120 min。

對刺激結(jié)束后即刻,刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min時(shí)四種刺激參數(shù)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(M EP amplitude)分別進(jìn)行重復(fù)測量方差分析及采用成對樣本 t檢驗(yàn)進(jìn)行事后比較分析(圖2):

圖2 本研究4種刺激參數(shù)刺激后運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅比較示意圖

刺激結(jié)束后即刻:刺激參數(shù)的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn)(3, 21)=105.869,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,假刺激a與磁刺激b差異極顯著,t=4.467,df=7,P=0.003,假刺激a與磁刺激c(t=10.077,df=7,P<0.0005)、磁刺激d(t=11.086,df=7,P<0.0005)均差異極端顯著,磁刺激b與磁刺激c差異顯著,t=2.862,df=7,P= 0.024,磁刺激b(t=5.170,df=7,P=0.001)、磁刺激c(t =5.639,df=7,P=0.001)與磁刺激 d均差異極顯著。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,磁刺激b、磁刺激c、磁刺激 d的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅分別減小 11.27%、21.24%、37.07%,假刺激a的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明刺激結(jié)束后即刻,在運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度上,磁刺激d>磁刺激c>磁刺激b。

刺激結(jié)束后30 min:刺激參數(shù)的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn) (3,21)=65.003,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,磁刺激d與假刺激a(t=-10.783,df=7,P<0.0005)、磁刺激b(t=-10.097,df=7,P<0.0005)均差異極端顯著,磁刺激d與磁刺激c差異極顯著,t=-4.777,df=7,P =0.002,假刺激a(t=6.520,df=7,P<0.0005)、磁刺激b(t=6.917,df=7,P<0.0005)與磁刺激c均差異極端顯著,假刺激a與磁刺激b差異不顯著,t=0.732,df= 7,P=0.488。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,磁刺激c、磁刺激d的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅分別減少了14.41%、32.94%,假刺激a和磁刺激 b的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化。表明刺激結(jié)束后30 min時(shí),在運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度上,磁刺激d>磁刺激c。

刺激結(jié)束后60 min:刺激參數(shù)的主效應(yīng)極端顯著,F(xiàn) (3,21)=38.930,P<0.0005;成對樣本 t檢驗(yàn)顯示,假刺激a(t=9.095,df=7,P<0.0005)、磁刺激b(t=9.029, df=7,P<0.0005)、磁刺激c(t=9.029,df=7,P< 0.0005)與磁刺激d均差異極端顯著,假刺激a與磁刺激 b (t=-0.532,df=7,P=0.617)、磁刺激c(t=-0.069, df=7,P=0.947)均差異不顯著,磁刺激b與磁刺激c差異不顯著,t=0.317,df=7,P=0.761。與刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,磁刺激d的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少了17.25%,假刺激a、磁刺激b、磁刺激c的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅無明顯變化,表明刺激結(jié)束后60 min時(shí),只有磁刺激d仍能導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少。

刺激結(jié)束后 120 min:刺激參數(shù)的主效應(yīng)不顯著, F(3,21)=1.653,P=0.208。同刺激前的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅相比,假刺激a、磁刺激b、磁刺激c、刺激d的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅均無明顯變化,表明4種刺激參數(shù)在刺激結(jié)束后120 min時(shí)均不能導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少。由此可見,在運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度上,磁刺激d>磁刺激b>磁刺激c。

4 討論

本研究按照 TMS實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對被試進(jìn)行了嚴(yán)格篩選,刺激過程中被試均未感到疼痛,未引起不適反應(yīng),刺激后沒有產(chǎn)生不利影響。結(jié)果顯示:在被試左側(cè)初級運(yùn)動(dòng)皮層(M 1區(qū))施加1 Hz,80%RM T的500次、1 000次、1 500次 rTMS(持續(xù)10 s間隔2 s)均能導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少及產(chǎn)生一定持續(xù)時(shí)間的后效應(yīng);與500次、1 000次rTMS相比,1 500次rTMS的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度較大及后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間較長。該結(jié)果與研究假設(shè)一致,即1 Hz,80%RM T,1 500次rTMS能較好地降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性及產(chǎn)生較長的后效應(yīng)。

研究中對實(shí)驗(yàn)過程和額外變量進(jìn)行了嚴(yán)格控制,并設(shè)置了控制組(假刺激),假刺激未能導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅發(fā)生變化,說明運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅的變化均由rTMS引起,所得出的結(jié)果是 rTMS直接作用的結(jié)果。研究顯示, 1 Hz,80%RM T的500次、1 000次、1 500次rTMS(持續(xù)10 s間隔2 s)均能降低運(yùn)動(dòng)皮層興奮性,該結(jié)果與當(dāng)前一些采用類似刺激參數(shù)的研究結(jié)果一致[21,22],可能由于低頻rTMS抑制了皮層中間神經(jīng)元的興奮性或降低了中間神經(jīng)元與皮質(zhì)細(xì)胞之間的聯(lián)系[10,11],從而導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性降低。

研究中比較了4種刺激參數(shù)刺激前、后各自的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅(圖1),旨在了解刺激是否能夠降低運(yùn)動(dòng)皮層興奮性及其所能持續(xù)的時(shí)間;并對4種刺激參數(shù)刺激結(jié)束后即刻、刺激結(jié)束后30 min、60 min、120 min時(shí)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅進(jìn)行比較(圖2),旨在了解刺激后各參數(shù)導(dǎo)致運(yùn)動(dòng)皮層興奮性降低的程度,結(jié)果顯示,磁刺激d(1 Hz, 80%RM T,1 500次rTMS)的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度較大及其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間較長。與500次、1 000次rTMS相比,1 500次rTMS的運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位振幅減少的幅度較大及后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間較長,一方面,可能與神經(jīng)遞質(zhì)γ-氨基丁酸(簡稱 GABA)的釋放有關(guān)[24],γ-氨基丁酸屬于抑制性神經(jīng)遞質(zhì),在大腦皮層淺層及小腦的浦肯野細(xì)胞中含量較高,隨著刺激次數(shù)的增多其釋放增加。氨基酸類遞質(zhì)是與交感節(jié)前神經(jīng)元形成突觸的軸突末梢釋放的重要遞質(zhì),γ-氨基丁酸的釋放增加可引起交感節(jié)前神經(jīng)元發(fā)生抑制,從而降低神經(jīng)元的活性及減慢神經(jīng)傳導(dǎo)速度;另一方面,可能與突觸的可塑性有關(guān),低頻刺激時(shí),突觸前膜釋放的谷氨酸使突觸后膜的NMDA受體激活,鈣離子流入樹突后,鈣離子濃度的適度增高激活了磷酸酶,從而誘導(dǎo)出長時(shí)程抑制(LTD)[16],于是,隨著刺激次數(shù)的增加,突觸的傳遞效率便出現(xiàn)了長時(shí)程降低。

前額葉參與許多復(fù)雜的認(rèn)知和行為功能,通過廣泛的皮層間及皮層下通路與邊緣系統(tǒng)聯(lián)系(邊緣系統(tǒng)由杏仁核、海馬、隔核、扣帶回、下丘腦等組成),焦慮發(fā)生時(shí),右側(cè)前額葉皮層興奮性增加[6],此時(shí),如果在右側(cè)前額葉皮層施加適宜的低頻rTMS,則可抑制其興奮性及降低邊緣系統(tǒng)間的聯(lián)系。邊緣系統(tǒng)間聯(lián)系的降低可減輕高喚醒度情緒的激活程度[17]及減弱下丘腦-垂體-腎上腺(HPA)軸和內(nèi)臟植物神經(jīng)的活動(dòng),從而減輕應(yīng)激反應(yīng)[26]。此外,低頻rTMS還可促進(jìn)抑制性神經(jīng)遞質(zhì)γ-氨基丁酸的釋放,γ-氨基丁酸可降低神經(jīng)元的活性及減慢神經(jīng)傳導(dǎo)速度,起到抗焦慮的作用[19]。當(dāng)前研究證實(shí)了低頻(≤1 Hz)rTMS能夠抑制皮層的興奮性[2]且具有一定的抗焦慮作用[23,24],本研究在體校學(xué)生(二級以上運(yùn)動(dòng)員)左側(cè)初級運(yùn)動(dòng)皮層區(qū)域(M 1區(qū))施加不同參數(shù)的 rTMS,結(jié)果顯示磁刺激d(1 Hz,80%RM T,1 500次rTMS)具有較強(qiáng)的抑制效應(yīng)且其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間較長,于是可嘗試將參數(shù)的rTMS作為干預(yù)手段用于降低運(yùn)動(dòng)員的賽前焦慮。由于其后效應(yīng)持續(xù)時(shí)間較長(大于60 min小于120 min),從而可使運(yùn)動(dòng)員產(chǎn)生抑制的時(shí)間也相對較長,于是使得在賽前進(jìn)行調(diào)控成為可能,即可實(shí)現(xiàn)從中樞神經(jīng)系統(tǒng)對運(yùn)動(dòng)員的賽前焦慮進(jìn)行調(diào)節(jié)與控制。

本研究探討了不同刺激數(shù)量的低頻rTMS(1 Hz,80% RM T)的刺激效果,為將rTMS作為降低運(yùn)動(dòng)員賽前焦慮的一種干預(yù)手段提供了適宜的刺激參數(shù)。在今后的研究中,應(yīng)繼續(xù)對它的抗焦慮作用及其機(jī)制進(jìn)行深入探討,為使用rTMS降低賽前焦慮提供理論基礎(chǔ)。此外,由于rTMS的參數(shù)較多,在今后的研究中仍需繼續(xù)對各種參數(shù)的刺激效果進(jìn)行檢驗(yàn),以便在應(yīng)用中能夠找到具有最佳效果的刺激參數(shù)。

5 結(jié)論

1.1 Hz,80%RM T,500次rTMS(持續(xù)10 s間隔2 s, 50個(gè)序列,每個(gè)序列10次刺激,共10 min)能夠降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間小于30 min。

2.1 Hz,80%RM T,1 000次rTMS(持續(xù)10 s間隔2 s, 100個(gè)序列,每個(gè)序列10次刺激,共20 min)能夠降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間大于30 min小于60 min。

3.1 Hz,80%RM T,1 500次rTMS(持續(xù)10 s間隔2 s, 150個(gè)序列,每個(gè)序列10次刺激,共30 min)能夠降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性,其后效應(yīng)持續(xù)的時(shí)間大于60 min小于120 min。

4.與 500次、1 000次 rTMS相比,1 500次 rTMS (1 Hz,80%RM T,持續(xù)10 s間隔2 s)能較好地降低運(yùn)動(dòng)皮層的興奮性及產(chǎn)生較長的后效應(yīng),可作為使用rTMS降低運(yùn)動(dòng)員賽前焦慮的刺激參數(shù)。

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