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精神分裂癥有暴力行為患者腦電圖特征*

2010-08-15 00:50梁福安李少成聞會英齊巧玲王會琴趙玉玲張金橋張少軍馮李子龍劉彥輝
中國健康心理學雜志 2010年2期
關鍵詞:精神病人暴力行為攻擊行為

梁福安 李少成 聞會英 齊巧玲 王會琴 趙玉玲 張金橋 張少軍馮 梅 李子龍 陳 蘭 劉 偉 李 靜 劉彥輝

精神分裂癥暴力攻擊行為是復雜的反社會行為,其產生機制尚不清楚。攻擊行為與腦功能紊亂之間關系備受關注。腦電圖在暴力行為研究中得到一定運用。研究顯示腦電圖檢測有助于對精神分裂癥暴力攻擊行為進行評估和預測。作者在血清皮質醇、醛固酮水平在偽裝精神病司法鑒定中的作用研究過程中,對精神分裂癥有暴力行為患者腦電圖特征文獻進行了回顧,現(xiàn)綜述如下。

1 暴力行為精神分裂癥患者腦電圖常見波形

研究顯示,精神分裂癥患者沖動攻擊行為可能與大腦癲癇樣放電征有關,大腦異常放電沖動刺激可能導致患者出現(xiàn)打人、毀物等暴力攻擊行為。精神分裂癥可能存在腦損害,大腦功能損害多見于左側半球,且多見于額顳區(qū),左側額顳在精神分裂癥發(fā)病機制中起著較重要的作用[1]。暴力行為精神分裂癥患者不論在何腦區(qū),δ波和θ波均顯著多于無暴力行為患者,而正常人很少在額區(qū)出現(xiàn)θ波;有無暴力行為精神分裂癥患者枕區(qū)α波無顯著差異,而均較正常人 100%出現(xiàn)顯著為低;β波在暴力組以枕區(qū)顯著為多,而非暴力組以額區(qū)顯著為多。在不同腦區(qū)出現(xiàn)異常波形,往往提示大腦結構及功能改變,可能的腦損害是暴利攻擊行為的生物學基礎[2]。

2 暴力行為精神分裂癥患者腦電圖異常所涉及大腦部位

對精神分裂癥暴力攻擊行為進行了腦誘發(fā)電位研究,發(fā)現(xiàn)精神分裂癥患者比正常人更多地存在著 BEP異常;在某些腦區(qū)潛伏期和波幅上,精神分裂癥有暴力行為者與無暴力行為者存在顯著差異。有暴力行為精神分裂癥患者 C4腦區(qū)波Ⅲ的絕對潛伏期和 P2腦區(qū)波Ⅴ的絕對潛伏期均較無暴力行為精神分裂癥明顯延長,提示精神分裂癥有暴力行為患者在上述腦區(qū)可能存在與某種內源性有關的、相對恒定的腦功能改變[3]。動物實驗和人類臨床研究認為額葉和顳葉是主要的攻擊中樞,與暴力攻擊行為密切相關[4]。暴力攻擊個體腦電圖慢波異常增加也主要集中于額葉和顳葉[5-6]。暴力攻擊行為與大腦左半球功能紊亂尤其是左側額葉和顳葉的功能異常有關[7-8]。

3 攻擊行為與腦電圖異常發(fā)生率

腦電圖對攻擊行為研究,始于 1943年 Hill和 Sargant的病例報道,人們發(fā)現(xiàn)一個無明顯原因將母親殺死的男子腦電圖檢測存在異常腦電活動[9]。后來暴力行為腦電圖研究對象主要是精神病人和健康暴力犯罪人群,研究顯示暴力攻擊行為者比正常人群腦電圖異常率高。Silverman報道精神病人暴力犯罪者有 50%腦電圖異常,軍隊暴力罪犯中腦電圖異常率為 75%[10]。 Hill和 Pond發(fā)現(xiàn)有嚴重暴力犯罪的住院精神病人腦電圖異常率是 48%。Bonkalo報道有攻擊行為的精神病人 30%~70%存在腦電圖異常。 Sayed等發(fā)現(xiàn)精神病人殺人犯腦電圖異常率是 60%,而對照組是 16%。李少成報道男性精神分裂癥暴力違法者腦電圖異常率 63.50%。而無暴力行為的精神分裂癥患者腦電圖異常率 39.25%。

4 暴力攻擊行為患者腦電圖異常表現(xiàn)特征

暴力行為者腦電圖異常常表現(xiàn)慢波增加。慢波增加以非特異性散發(fā)方式或特異性局灶性方式存在,后者多見。Ellingson對有攻擊行為的精神病人進行回顧性研究表明,最突出的腦電圖異常是θ和δ波增加[11]。Kennard等及 Bonkalo均發(fā)現(xiàn)精神病人暴力行為者腦電圖異常主要包括過度慢波。與Forssman等報道有反社會行為問題的男孩腦電圖顯示慢波增加結果相近。研究顯示兒童時期 EEG慢波異??赡茴A測成人期暴力犯罪傾向,如 Raine等的回顧性研究也表明 24歲暴力犯罪者腦電圖比其 15歲未犯罪時腦電圖有顯著慢波增加[12]。大多暴力行為者腦電圖慢波異常以局灶性方式存在,主要集中在與暴力攻擊行為密切相關腦區(qū):額區(qū)和顳區(qū),近來的研究也證實了這點。Vonvit發(fā)現(xiàn)有暴力行為精神分裂癥患者腦電圖慢波異常集中于額區(qū),提示額葉與暴力行為關系密切。腦電圖顳區(qū)異常者占多數(shù)[13]。Hill報道嚴重攻擊性精神病人的異常覺醒腦電活動出現(xiàn)在大腦顳區(qū),且異常程度在高攻擊性個體中表現(xiàn)更嚴重。W illams研究提示腦電圖異常位于兩側半球前顳區(qū)。Killey發(fā)現(xiàn) 50%腦電圖異常集中于顳區(qū),主要是右側。在對精神狀態(tài)正?;虍惓5臍⑷朔高M行腦電研究中,發(fā)現(xiàn)慢波增加集中在顳葉[14-15]。盡管暴力攻擊者腦電圖異常是攻擊行為的原因或結果,還是受到其他因素的影響尚不明確,但仍反映了攻擊個體存在腦功能異常,有力支持了腦影像學文獻報道暴力攻擊行為與額葉、顳葉功能紊亂有關的研究結果。

5 暴力攻擊行為的理論假設

因暴力攻擊者腦電圖出現(xiàn)異常慢波增加,有人提出暴力攻擊行為者“覺醒狀態(tài)”異常的假說,以此解釋攻擊行為的產生機制。 Hebb提出“最佳覺醒水平”的概念,認為覺醒水平與感覺傳入之相互作用都需借助最佳覺醒水平的維持。當覺醒水平低于最佳狀態(tài),刺激探索行為增加,有助于使覺醒水平恢復至最佳狀態(tài)。據(jù)此,暴力行為者存在生理性低覺醒水平,處于主觀不適狀態(tài),為將覺醒水平提升至最佳狀態(tài),故出現(xiàn)攻擊行為。 Hare采用“低覺醒理論”解釋反社會人群沖動攻擊行為,認為反社會者存在低皮層覺醒水平,比正常人活動減退,存在一個“刺激饑渴”的慢性階段。

“成熟化延遲”由 Hill和 Watterson提出的攻擊行為腦電圖慢波異常的假說,并得到縱向研究認同。Dustman等對 222位正常男性從其 4~ 90歲進行腦電圖頻譜變化研究 ,在中央區(qū)和枕區(qū)發(fā)現(xiàn)兒童時期δ波、θ波相對活性逐漸減少,成年期相對穩(wěn)定;在整個生存期限中α波相對活性平均在 6~ 24歲時逐漸增加,接著逐步衰減;β波在 4~ 8歲時相對活性最小,隨后穩(wěn)定增加[16]。Lindberg等發(fā)現(xiàn)反社會人格障礙殺人犯兩側枕區(qū) δ、θ波相對活性比正常人顯著增加;α波全面減少,以枕葉為甚,結果提示反社會人格障礙殺人犯存在腦成熟延遲。

精神分裂癥暴力行為腦電圖研究結果提示攻擊行為產生存在腦功能異常的生物學基礎。對攻擊行為的評估預測有一定指導作用。但腦電慢波增加與攻擊行為相互關系的解釋還停留在假說階段。回顧文獻,缺少精神分裂癥患者發(fā)病前的腦電圖資料。如發(fā)病前腦電圖存在普遍異常,其暴利行為與患病后的暴力行為有無相關性的研究將是有意義的。筆者推測腦功能損害及異常是暴力攻擊行為的病理基礎,而精神分裂癥與暴力攻擊行為可能互為因果。其相關機制有待進一步研究。

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