涂亞芳,牛曉娟
(江漢大學 物理與信息工程學院,湖北 武漢 430056)
近年來,半導體光催化技術(shù)因其在空氣凈化和污水處理等方面顯示出的巨大應(yīng)用前景而受到人們的廣泛關(guān)注。在各種半導體光催化材料中,TiO2因為具有化學性能穩(wěn)定、價廉、無毒、光生電子和空穴的電勢高及氧化還原性強等優(yōu)點而備受青睞[1]。但是在實際應(yīng)用中,TiO2仍然存在一定局限,如帶隙較寬,只能吸收紫外光,以致太陽光利用率低,且光生載流子復合率較高,光催化效率還有待進一步提高[2]。目前,提高TiO2對可見光的響應(yīng)及其光催化效率的常用方法包括金屬離子摻雜、非金屬離子摻雜、表面貴金屬沉積、復合半導體和染料敏化等。已有的研究表明,金屬離子摻雜是一種簡單、經(jīng)濟又有效的改性方法。其中,稀土離子摻雜可以有效抑制光生電子空穴的復合,明顯提高TiO2的光催化性能,是一種理想的摻雜元素[3-5]。然而目前報道的稀土離子摻雜TiO2光催化劑大多為粉末型,在污水處理中,粉末型光催化劑難以分離和回收,相對而言,負載型光催化劑更利于實際工業(yè)化應(yīng)用[6]。本文采用溶膠-凝膠法在石英玻璃襯底上制備了Ce 摻雜TiO2納米薄膜,對其結(jié)構(gòu)和性能進行了表征和分析,以亞甲基藍作為目標降解物考察了Ce摻雜對TiO2納米薄膜光催化性能的影響。
實驗原料為鈦酸丁酯(Ti(OBu)4)、二乙醇胺(C4H11NO2)、硝酸鈰(Ce(NO3)3·6H2O)和無水乙醇(C2H5OH)等,均為市售分析純試劑。首先將67.2 mL 無水乙醇、17.0 mL 鈦酸丁酯和4.8 mL 二乙醇胺混合,攪拌2 h,配成A 溶液,再將0.9 mL去離子水、10 mL 無水乙醇和適量的硝酸鈰混合均勻配成B 溶液,將溶液B 緩慢滴入到溶液A中,并不斷攪拌,滴加完畢后繼續(xù)攪拌30 min,得到均勻透明的不同Ce/Ti 摩爾比(1%、2%、5%)的溶膠,經(jīng)24 h 陳化后用于涂膜。涂膜前對用作襯底的石英玻璃表面進行清潔處理,先用去離子水清洗,再在無水乙醇中超聲處理10 min,最后放入烘箱中干燥。將已清潔和干燥處理好的石英玻璃基片固定在勻膠機的轉(zhuǎn)盤上,在基片上滴幾滴溶膠,控制轉(zhuǎn)盤的速度為800 r/min,旋轉(zhuǎn)20 s后,將基片放入100 ℃的烘箱中干燥5 min,再在空氣中冷卻5 min。之后重復以上步驟,得到4 層膜,最后把涂了4 層膜的基片放入馬弗爐中以6 ℃/min 升溫到500 ℃,恒溫1 h 后隨爐自然冷卻到室溫,即得到Ce 摻雜TiO2納米薄膜。以上過程中不加入硝酸鈰則得到純TiO2納米薄膜。
樣品的表面形貌用原子力顯微鏡(AFM,SPM-9500J3,Shimadzu)表征;用X 射線衍射儀(XRD,D8 Advance,Bruker Axs)分析樣品的相結(jié)構(gòu),衍射源為Cu- Kα(λ = 0.154 06 nm),掃描速度為4°/min;樣品的紫外-可見吸收光譜用紫外-可見分光光度計(UV-Vis,CARY 5000,Varian)測量。
用制備的Ce 摻雜TiO2納米薄膜在室溫下降解亞甲基藍溶液來研究其光催化性能。具體步驟如下:將1 cm × 1 cm 的薄膜樣品放入盛有3 mL亞甲基藍溶液(濃度為0.01 mM)的石英比色皿中,避光放置30 min,使亞甲基藍溶液在樣品表面達到吸附平衡。采用250 W 的高壓汞燈作為光源進行光催化反應(yīng),反應(yīng)開始后每隔30 min 用紫外-可見分光光度計測定亞甲基藍溶液在波長665 nm 處的吸光度。根據(jù)光照前后溶液吸光度的變化,計算亞甲基藍的降解率D:
其中A0為光照前溶液的吸光度,At為光照時間t后溶液的吸光度。
圖1 為純TiO2和不同Ce 摻雜量的TiO2納米薄膜的XRD 圖。其中2θ = 25.3°處的衍射峰是銳鈦礦相TiO2(101)面的特征峰,而2θ = 27.5°處的衍射峰對應(yīng)金紅石相TiO2(110)面。從圖1 可以看出,未摻雜和摻雜量較低的TiO2均為銳鈦礦相,當Ce 摻雜量為5%時,出現(xiàn)金紅石相。說明摻雜Ce 促進了TiO2從銳鈦礦相向金紅石相的轉(zhuǎn)變。這可能是由于Ce 有兩種價態(tài):Ce4+和Ce3+,在納米TiO2薄膜中這兩種價態(tài)可以相互共存,而Ce4+易得到電子變?yōu)镃e3+,所以容易在TiO2晶格表面發(fā)生還原反應(yīng),然后向晶格內(nèi)部擴散,產(chǎn)生氧空位。氧空位的形成為相變過程中TiO2晶格中離子的重排運動提供了空間,降低了應(yīng)變能,從而促進了相變[7]。Ce4+離子半徑(0.093 nm)和Ce3+離子半徑(0.103 nm)均大于Ti4+離子半徑(0.068 nm)[8],難以取代晶格位置上的Ti4+,但是可以以間隙原子的方式進入晶格內(nèi)部。隨著Ce含量的增加,不能進入間隙位置的Ce 可能以小團簇形式的氧化鈰均勻分散在TiO2納米粒子中[9],由于摻雜含量較低,所以XRD 圖譜中未發(fā)現(xiàn)其特征峰。
圖1 純TiO2和Ce 摻雜的TiO2納米薄膜的XRD 圖
圖2 為純TiO2和不同Ce 摻雜量的TiO2納米薄膜的AFM 圖。從圖2 可看出薄膜表面致密,顆粒分布均勻,粒徑均在納米尺度。隨著Ce 摻雜濃度的變大,TiO2顆粒粒徑也隨之變大,未摻雜的納米薄膜平均粒徑為43 nm,當Ce 摻雜量為5%時,平均粒徑為70 nm。這說明Ce 的加入對TiO2晶粒長大有一定的促進作用。這可能是由于氧化鈰微晶粒子彌散在TiO2納米粒子中起到橋聯(lián)作用,加快了TiO2晶粒之間相互聚集速度,導致晶粒變大。
圖2 純TiO2和Ce 摻雜的TiO2納米薄膜的AFM 圖(左邊為二維圖像,右邊為對應(yīng)的三維圖像)
圖3 為純TiO2和不同Ce 摻雜量的TiO2納米薄膜在波長325~450 nm 范圍的紫外-可見光吸光度曲線。從圖3 可知,Ce 摻雜TiO2納米薄膜在近紫外的吸光度高于未摻雜的TiO2,且隨著Ce 摻雜量的增加而增加。同時,純TiO2和不同Ce 摻雜量的TiO2均有明顯的吸收帶邊,摻雜Ce 后TiO2的吸收帶邊向長波方向移動,即發(fā)生了紅移,說明摻雜Ce 拓寬了TiO2的光譜響應(yīng)范圍,降低了材料的帶隙。
圖3 純TiO2和Ce 摻雜的TiO2納米薄膜的UV-vis 吸收光譜圖
對于間接帶隙半導體,其光吸收帶隙可以通過公式(αhν)1/2=B(hν-Eg)計算[11],其中α 為吸收系數(shù),hν 為光子能量,B 為材料的特征常數(shù),Eg為材料的帶隙能。
圖4 樣品的(αhν)1/2 和hν 關(guān)系曲線
以hν 為x 軸對(αhν)1/2作圖,將線性關(guān)系的部分外推至(αhν)1/2= 0,即可確定材料的帶隙能,結(jié)果如圖4 所示。從圖4 可知,純TiO2的帶隙能為3.24 eV,Ce 摻雜量為1%、2%和5%的TiO2納米薄膜的帶隙能分別為3.21、3.14 和3.08 eV,說明隨著摻雜量的增加,帶隙能逐漸降低,導致對應(yīng)吸收光譜上吸收邊發(fā)生紅移。已有研究表明,Ce 摻雜會在TiO2的帶隙中引入一個摻雜能級[12]。因此,Ce 摻雜樣品的吸收邊紅移源于電子從價帶到摻雜能級上的躍遷。另一方面,根據(jù)XRD 的結(jié)果,摻雜Ce 促進了TiO2由銳鈦礦相到金紅石相的相變,而金紅石相的帶隙比銳鈦礦相的帶隙小,所以這種相變應(yīng)該是吸收邊紅移的另一個原因。
Ce 摻雜對TiO2納米薄膜光催化性能的影響如圖5 所示。TiO2的光催化性能隨著Ce 摻雜量的增大而提高,但當Ce 摻雜量達到5%時,光催化活性反而降低,并且低于純TiO2,當Ce 的摻雜量為2%時,光催化效果最好,說明Ce 的摻雜量存在一個最佳值。
圖5 Ce 摻雜對TiO2納米薄膜光催化性能的影響
適量的摻雜Ce 使得TiO2納米薄膜的光催化活性增強的原因可能包括以下兩個方面:
1)根據(jù)前面的實驗結(jié)果,摻雜Ce 后,TiO2帶隙能減小,對紫外光的吸收能力增強。當受到紫外光照射時,會產(chǎn)生更多的光生電子空穴對,從而使TiO2的光催化性能提高。另一方面,Ce 摻雜使得TiO2納米粒子的粒徑變大,降低了比表面積,不利于光催化;并且Ce 摻雜為5%的樣品中出現(xiàn)了金紅石相,而一般認為TiO2金紅石相的光催化活性要低于銳鈦礦相,所以Ce 摻雜量較大時,光催化性能變低。
2)Ce 的可變價態(tài)使其具有很好的電子轉(zhuǎn)移特性,光激發(fā)TiO2形成的光生電子很容易被Ce4+捕獲生成Ce3+,Ce4+起到光生電子捕獲劑的作用,而Ce3+也可以成為光生空穴的捕獲劑[9],兩者共同作用使光生電子和空穴得到有效地分離,從而增強光催化活性。但當Ce 摻雜量較大時,隨著雜質(zhì)數(shù)量的增加,捕獲劑之間的平均距離變?。?],反而成為電子和空穴的復合中心,增大了電子和空穴的復合幾率,從而使TiO2光催化性能變低,故Ce 摻雜含量有一最佳值。
利用溶膠-凝膠法在石英玻璃襯底上制備了純TiO2和Ce 摻雜的TiO2納米薄膜,結(jié)果表明摻雜Ce 促進了TiO2從銳鈦礦相向金紅石相的轉(zhuǎn)變,使TiO2晶粒尺寸變大,并且使TiO2紫外-可見光吸收帶邊發(fā)生了紅移。降解亞甲基藍的實驗表明適量的Ce 摻雜能有效提高TiO2的光催化性能,Ce 的摻雜量為2%時,光催化性能最好。
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