夏士興,張?jiān)戮?,李興旺,王永國(guó),莫小剛,申英杰,姚寶權(quán)
Fe2+∶ZnSe激光晶體光學(xué)吸收及激光輸出性能
夏士興1,2,張?jiān)戮?,李興旺2,王永國(guó)1,2,莫小剛2,申英杰3,姚寶權(quán)3
(1.華北光電技術(shù)研究所;2.北京雷生強(qiáng)式科技有限責(zé)任公司,北京100015;3.哈爾濱工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,哈爾濱150001)
采用熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)制備了Fe2+∶ZnSe晶體,測(cè)試晶體樣品中鐵離子濃度達(dá)1.27× 1018cm-3。分析了Fe2+∶ZnSe晶體光譜的光學(xué)吸收特性,在室溫條件下,采用2.90μm激光器泵浦Fe2+∶ZnSe晶體,獲得了中心波長(zhǎng)4.45μm,平均功率67 mW的中紅外激光輸出。
Fe2+;ZnSe晶體;離子濃度;光學(xué)吸收;激光輸出
摻鐵硒化鋅(Fe2+∶ZnSe)晶體是一種可由激光器直接泵浦產(chǎn)生中紅外(3~5μm)激光輸出的激光晶體材料。其熒光壽命為0.3~100μs,波長(zhǎng)調(diào)諧范圍為3.7~5.1μm,且在低溫與室溫下均可實(shí)現(xiàn)中紅外激光輸出[1-4],被認(rèn)為是非常有前途的激光晶體材料之一[5-8]。
本文采用ZnSe晶體為基質(zhì)材料,F(xiàn)eSe為摻雜物,采用熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)制備了Fe2+∶ZnSe晶體。分析了Fe2+∶ZnSe晶體光學(xué)譜的吸收特性,實(shí)驗(yàn)測(cè)試了Fe2+∶ZnSe晶體的激光輸出性能。
本文中以化學(xué)氣相沉積(CVD)硒化鋅(ZnSe)晶體為基質(zhì)材料,純度為99.998%的硒化亞鐵(FeSe)粉末為摻雜物,通過(guò)熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)制備了Fe2+∶ZnSe晶體。圖1是采用熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)制備的Fe2+∶ZnSe晶體照片。由圖1中可以看出,制備的Fe2+∶ZnSe晶體呈深棕黃色,色澤均勻,晶體尺寸達(dá)Φ22 mm×2 mm。
采用Perkin Elmer型號(hào)Lambda900的UV/VIS/NIR Spectrometer和BRUKER型號(hào)EQUINOX55的紅外光譜儀測(cè)試了Fe2+∶ZnSe晶體的紅外透過(guò)光譜。采用二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)測(cè)試了熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)制備的Fe2+∶ZnSe晶體樣品中鐵離子摻雜濃度。采用2.90μm激光器為泵浦源抽運(yùn)Fe2+∶ZnSe晶體,測(cè)試了Fe2+∶ZnSe晶體的激光輸出性能。
圖1 Fe2+∶ZnSe晶體照片F(xiàn)ig1 Photo of Fe2+∶ZnSe crystal
圖2是熱擴(kuò)散摻雜前基質(zhì)ZnSe晶體與熱擴(kuò)散摻雜后Fe2+∶ZnSe晶體的紅外透過(guò)率對(duì)照譜圖。
圖2 ZnSe晶體與Fe2+∶ZnSe晶體的透過(guò)譜Fig.2 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal
由圖2中可以看出,熱擴(kuò)散摻雜后Fe2+∶ZnSe晶體的透過(guò)率略小熱擴(kuò)散摻雜前基質(zhì)ZnSe晶體的透過(guò)率,制得的Fe2+∶ZnSe晶體在2.9μm附近出現(xiàn)了明顯的Fe2+離子特征寬帶吸收,吸收峰寬度為2.2~5.3μm。
由于2.5~3.0μm波段范圍是Fe2+∶ZnSe晶體泵浦源激光器主要工作波段,本文深入分析Fe2+∶ZnSe晶體在的此波段范圍內(nèi)的紅外透過(guò)譜圖。本文選取了兩塊熱擴(kuò)散摻雜制得的Fe2+∶ZnSe晶體和一塊ZnSe晶體對(duì)其紅外透過(guò)譜進(jìn)行了分析。兩塊Fe2+∶ZnSe晶體的編號(hào)分別為1#和2#,其中1#(Fe2+∶ZnSe)晶體樣品中鐵離子摻雜濃度達(dá)9.13× 1017cm-3,2#(Fe2+∶ZnSe)激光晶體樣品中鐵離子摻雜濃度達(dá)1.27×1018cm-3。
圖3是選取的兩塊熱擴(kuò)散摻雜制得的Fe2+∶ZnSe晶體和ZnSe晶體在1.8~3.0μm波段范圍紅外透過(guò)譜。由圖3中可以看出,1#和2#(Fe2+∶ZnSe)晶體在2.2~3.0μm波段范圍內(nèi)相對(duì)ZnSe晶體出現(xiàn)了較大的吸收,這部分吸收是Fe2+離子特征吸收的一部分,且2#(Fe2+∶ZnSe)晶體的吸收強(qiáng)度略大于1#(Fe2+∶ZnSe)晶體的吸收強(qiáng)度。
圖3 ZnSe與Fe2+∶ZnSe晶體的2.2~3.0μm波段透過(guò)譜Fig.3 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal at2.2~3.0μm
分析圖3中1.8~3.0μm波段范圍內(nèi)的光學(xué)吸收,除了Fe2+離子特征吸收外,可能還有Fe3+離子引起的Zn2+離子的空位缺陷吸收,F(xiàn)e2+/Fe3+離子的共同存在使Fe2+∶ZnSe晶體光譜在1.8~3.0μm波段范圍內(nèi)的吸收強(qiáng)度增加,且隨著鐵離子摻雜濃度的增大,1.8~3.0μm波段范圍內(nèi)的吸收強(qiáng)度也在增加。
研究過(guò)程中發(fā)現(xiàn),隨著鐵離子摻雜濃度的增大,F(xiàn)e2+∶ZnSe晶體在近紅外區(qū)的吸收也在增大。圖4是ZnSe與Fe2+∶ZnSe晶體在0.45~0.6μm波段范圍內(nèi)的透過(guò)譜。由圖4可以看出,F(xiàn)e2+∶ZnSe晶體紫外吸收邊相對(duì)ZnSe晶體紫外吸收邊發(fā)生了紅移,且隨鐵離子摻雜濃度的增大,吸收邊紅移越趨明顯,圖4中表現(xiàn)為鐵離子摻雜濃度較高的2#(Fe2+∶ZnSe)晶體的吸收邊紅移趨勢(shì)比1#(Fe2+∶ZnSe)晶體的吸收邊紅移趨勢(shì)明顯。分析發(fā)生紅移的原因,主要是由于制備的Fe2+∶ZnSe晶體是以ZnSe晶體為基質(zhì)材料,在ZnSe晶體中摻雜的Fe2+離子相對(duì)于ZnSe晶體中格點(diǎn)位置上的Zn2+離子被Fe2+離子取代,使ZnSe晶體發(fā)生了空位缺陷VFeZn,正是空位缺陷VFeZn的存在,使Fe2+∶ZnSe晶體紫外吸收邊相對(duì)ZnSe晶體紫外吸收邊發(fā)生了紅移,且隨鐵離子摻雜濃度的增大,吸收邊紅移越趨明顯。
圖4 0.45~0.6μm波段范圍內(nèi)ZnSe與Fe2+∶ZnSe晶體的透過(guò)譜Fig.4 Transmission spectrum of ZnSe and Fe2+∶ZnSe crystal at0.45~0.6μm
切取尺寸為4 mm×4 mm×2 mm的Fe2+∶ZnSe晶體樣品,精細(xì)拋光后,在晶體樣品兩側(cè)鍍?cè)鐾改?。采用波長(zhǎng)2.90μm重復(fù)頻率1 kHz的泵浦源激光器抽運(yùn)Fe2+∶ZnSe晶體,當(dāng)泵浦源平均功率輸出1.4 W時(shí),獲得了中心波長(zhǎng)4.45μm,脈沖寬度25 ns,平均功率67 mW的中紅外激光輸出。圖5是Fe2+∶ZnSe晶體樣品激光輸出波長(zhǎng)調(diào)諧范圍。
圖5 調(diào)諧波長(zhǎng)Fig.5 Tuning wavelength
采用熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)獲得了光學(xué)性能較好的Fe2+∶ZnSe晶體,制得的Fe2+∶ZnSe晶體中鐵離子摻雜濃度達(dá)1.27×1018cm-3;該晶體樣品在2.9μm附近出現(xiàn)了明顯的Fe2+離子特征寬帶吸收,吸收峰寬度由2.2μm至5.3μm;Fe2+∶ZnSe晶體紫外吸收邊相對(duì)ZnSe晶體紫外吸收邊發(fā)生了紅移,且隨鐵離子摻雜濃度的增大,吸收邊紅移越趨明顯;室溫條件下,F(xiàn)e2+∶ZnSe晶體實(shí)現(xiàn)了中心波長(zhǎng)4.45μm,平均功率67 mW的中紅外激光輸出。
[1] JKernal,V V Fedorov,A Gallian,et al.3.9-4.8μm gain-switched lasing of Fe:ZnSe at room temperature[J]. Optics Express,2005,13(26):10608-10615.
[2] V V Fedorov,SBMirov,A Gallian,et al.3.77-5.05 μm tunable solid-state lasers on Fe2+-doped ZnSe crystals operating low and room temperatures[J].IEEE Journal of Quantum Electron.2006,42(9):907-917.
[3] N Myoung,D V Martyshkin,V V Fedorov,et al.Energy scaling of4.3μm room temperature Fe:ZnSe laser[J]. Optics Letters,2011,36(1):94-96.
[4] JW Evans,PABerry,K L Schepler.et al.840 mW continuous-wave Fe:ZnSe laser operating at 4140 nm[J]. Optics Letters,2012,37(23):5021-5023.
[5] U Demirbas,A Sennaroglu,M Somer.Synthesis and characterization of diffusion-doped Cr2+:ZnSe and Fe2+∶ZnSe[J].Optical Materials,2006,28:231-240.
[6] V V Fedorov,D V Martyshkin,M Mirov,et al.High Energy 4.1-4.6μm Fe:ZnSe laser[C]//Conference on Lasers and Electro-Optics,2012.
[7] ZHANG Liming,ZHOU Shouhuan,ZHAO Hong,et al.Introduction of Fe2+doped mid-infrared solid state laser[J].Laser&Infrared,2012,42(4):360-365.
張利明,周壽桓,趙鴻,等.Fe2+摻雜中紅外固體激光器技術(shù)綜述[J].激光與紅外,2012,42(4):360-365.
[8] N Myoung,D VMartyshkin,V V Fedorov,et al.Mid-IR lasing of iron-cobalt co-doped ZnS(Se)crystals via Co-Fe energy transfer[J].Journal of Luminescence,2013,133:257-261.
Optical absorption and laser output performance of Fe2+∶ZnSe laser crystal
XIA Shi-xing1,2,ZHANG Yue-juan2,LIXing-wang2,WANG Yong-guo1,2,MO Xiao-gang2,SHEN Ying-jie3,YAO Bao-quan3
(1.North China Research Institute of Electro-optics,Beijing,100015,China;2.Beijing Opto-Electronics Technology Co.Ltd.,Beijing,100015,China;3.National Key Laboratory of Tunable Laser Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China)
The Fe2+∶ZnSe crystal has been prepared by thermal diffusion doping technique.The iron ions doping concentration that was measured by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS)in the crystal sample reaches 1.27× 1018cm-3.The optical absorption spectrum of the Fe2+∶ZnSe crystalwas analyzed.The results show thata 2.90μm laser is used to pump the Fe2+∶ZnSe crystal at room temperature,67 mW average power ofmid-infrared laser output at center wavelength 4.45μm is obtained.
Fe2+∶ZnSe crystals;ions concentration;optical absorption;laser output
TN244
A
10.3969/j.issn.1001-5078.2014.09.010
1001-5078(2014)09-1000-03
夏士興(1972-),男,博士,高級(jí)工程師。主要從事紅外非線光學(xué)材料制備與光學(xué)性能研究。E-mail:xiashixing@oet.com.cn
2013-11-26