安 坤,王廣甫,2,*,于令達(dá),吳冰冰
(1.北京師范大學(xué) 核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 射線束技術(shù)與材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100875;
2.北京市輻射中心,北京 100875)
串列加速器具有結(jié)構(gòu)緊湊、在較低電壓下獲得較高能量等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于材料和環(huán)境樣品的離子束分析中[1-3]。濺射負(fù)離子源是串列加速器最常采用的離子源,而電離器是濺射離子源的關(guān)鍵部件,因其工作在高溫下,成為濺射負(fù)離子源最易損的部件之一。近30年來,國內(nèi)各串列加速器實(shí)驗(yàn)室在運(yùn)行中均先后研制了濺射離子源電離器或?qū)ζ溥M(jìn)行了改進(jìn)[4-8]。北京師范大學(xué)GIC4117 2×1.7 MV串列加速器于1986年投入運(yùn)行,并配備了860 A濺射負(fù)離子源[9],1989年開始研制濺射源電離器,并對自制電離器形狀和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)。本文將介紹電離器研制及對離子源電源做相應(yīng)改進(jìn)的情況。
860 A濺射負(fù)離子源原裝電離器呈螺線管形[10],其形狀和不連續(xù)的發(fā)射面使正離子在陰極表面的濺射區(qū)域較大。雖然陰極靶電流可達(dá)3 mA,但由于發(fā)射度過大,使通過加速器的傳輸效率較低[9]。為改善銫離子聚焦?fàn)顩r,1990年,北京師范大學(xué)串列實(shí)驗(yàn)室研制了一種鉭片筒形電離器,由于表面電離集中于電離器內(nèi)襯鉭片內(nèi)側(cè),減少了雜散離子的產(chǎn)生。為進(jìn)一步縮小濺射區(qū)域,1991年初又研制了鉭片球面形電離器[9]。球面形電離器的設(shè)計(jì)考慮了860 A型源體的最大允許尺寸及可提供的電離器加熱功率等因素,改善了銫束的聚焦,但不破壞860 A的源體結(jié)構(gòu)、不改變引出部分的光學(xué)特性,且不影響860 A原裝電離器的使用。1993年開始使用中國科學(xué)院物理研究所和沈陽有色金屬加工廠研究所拉制的套管外徑2.5 mm、鉭絲直徑1 mm的鉭鎧裝熱絲[5]自制電離器。鉭鎧裝熱絲燒毀后,采用套管外徑為2.5 mm、鎳鉻絲直徑為0.5 mm的不銹鋼鎧裝熱絲繞制成球形電離器作為替代,并通過內(nèi)襯電真空鎳網(wǎng)提高銫電離率。研制的球形電離器降低了離子源的發(fā)射度,提高了整個(gè)加速器的傳輸效率,并通過采用內(nèi)襯電真空鎳網(wǎng)提高了銫的電離率[11]。但采用不銹鋼鎧裝熱絲后,因內(nèi)絲較細(xì)電阻率較大,使電離器電阻增大,電離器電源與電離器不匹配,需對電離器電源進(jìn)行改進(jìn)。
離子源電離器供電電源如圖1所示,其中,R1為電離器,R2為調(diào)壓器,T1為變壓器。變壓器的兩個(gè)副線圈為并聯(lián)模式,每個(gè)子副線圈上的最大電壓和電流分別為18 V、20 A,R1上的最高電壓為18 V。
由于原鉭鎧裝熱絲繞制的電離器工作時(shí)電阻約為0.5 Ω,而普通不銹鋼鎧裝熱絲電離器電阻約為3.0 Ω,在原有電離器電源(18 V,40 A)的工作條件下,鉭鎧裝熱絲電離器最大電流可達(dá)36 A,實(shí)際工作于25 A以下,而不銹鋼鎧裝電離器最大電流僅達(dá)到6 A。因此,不銹鋼鎧裝熱絲電離器與原供電電源不匹配,電流較低,無法達(dá)到所需工作溫度。因此將電離器供電電源變壓器的次級線圈由原來的雙線包并聯(lián)改為串聯(lián)(圖2),電離器的供電電源變?yōu)?6 V、20 A,不銹鋼鎧裝熱絲電離器最大電流可達(dá)到12 A。為保證使用壽命,此電離器一般工作在11 A以下。經(jīng)電源改進(jìn)后,這種內(nèi)襯鎳網(wǎng)的透射電離器能滿足常規(guī)離子束分析和MeV量級的離子注入的需求,自2007年在北京師范大學(xué)GIC4117 2×1.7 MV串列加速器上使用至今。
圖2 電離器改裝后供電電源
2012年10月,電離器電源的調(diào)壓器R2(0.7 kVA,50 Hz/60 Hz)燒毀。由于電離器電源懸浮于-20 kV的引出電壓上,通過尼龍桿調(diào)節(jié)調(diào)壓器來調(diào)節(jié)電離器電流,而高壓機(jī)箱空間有限,且國內(nèi)無滿足需要的小尺寸750 W調(diào)壓器,本工作使用電壓連續(xù)可調(diào)的36 V、15 A的直流開關(guān)電源[12]作為電離器電源,通過尼龍桿調(diào)節(jié)一多圈電位器來連續(xù)調(diào)節(jié)開關(guān)電源的輸出電壓(圖3)。其中,R3為多圈電位器,分流器R4(20 A/75 mV)與表頭V(20 A/75 mV)構(gòu)成電流表。為滿足不同電離器需求,本工作裝配了兩個(gè)開關(guān)電源,參數(shù)分別為0~36 V、15 A和0~18 V、30 A,前者對應(yīng)原電離器電源變壓器次級線包串聯(lián),適用于較大電阻的不銹鋼鎧裝熱絲電離器,后者對應(yīng)線包并聯(lián),適用于較小電阻的原裝電離器和自制鉭鎧裝熱絲電離器。
圖3 采用開關(guān)電源后電離器供電示意圖
圖4 離子源供電示意圖
GIC4117 2×1.7 MV串列加速器在離子源和雙45°磁鐵之間用三圓筒浸沒透鏡對離子源引出束流進(jìn)行聚焦,浸沒透鏡電源采用懸浮在引出電壓上的供電方式。由于原安裝于離子源電源柜高壓機(jī)箱內(nèi)的浸沒透鏡電源燒毀,國內(nèi)無法找到合適的10 kV 直流電源,故在實(shí)驗(yàn)中采用連續(xù)可調(diào)的0~-20 kV的高壓電源代替,并將電源放置在離子源機(jī)箱外,處于地電位。如圖4所示,原浸沒透鏡電源0~10 kV懸浮在-20 kV的引出電壓上,透鏡中間圓筒實(shí)際對地電壓范圍為-10~-20 kV。改裝后,浸沒透鏡電源直接置于地電位,電壓范圍為0~-20 kV,包含原電壓范圍,可正常工作。
在改用直流開關(guān)電源作為濺射源電離器電源后,本實(shí)驗(yàn)室對電離器電壓電流特性和對離子源引出束流的影響進(jìn)行了測試。圖5示出了銫爐溫度為室溫、靶壓為6 kV、靶材料為鈦吸氫時(shí),GIC4117 2×1.7 MV串列加速器前注入器H-流強(qiáng)和電離器電壓隨電離器加熱電流的變化情況。在電離器工作電流范圍內(nèi)電離器電壓與電流呈線性關(guān)系,鎳鉻絲的電阻變化不大,基本穩(wěn)定在3 Ω,原鉭裝熱絲電阻隨溫度變化[6]較明顯。電離器電流9 A時(shí),對應(yīng)電壓為27.4 V,即功率為246 W。
圖5 注入器H-流強(qiáng)及電離器電壓隨電離器加熱電流的變化
從圖5可看出,當(dāng)電流小于7 A時(shí),H-流強(qiáng)增大不明顯,電流為7~8 A時(shí),H-流強(qiáng)增加很快,電流達(dá)8 A后,增長速率下降,出現(xiàn)一個(gè)平緩增長區(qū),但仍未達(dá)最大值,本次試驗(yàn)測得的最大H-流強(qiáng)為10 μA。若升高銫爐溫度,靶區(qū)銫流增大,可獲得更高的H-流強(qiáng)。
自1991年,北京師范大學(xué)串列實(shí)驗(yàn)室一直采用自制電離器。為解決高電阻不銹鋼鎧裝熱絲電離器的供電問題,對電離器供電電源進(jìn)行了改進(jìn),并用連續(xù)可調(diào)直流開關(guān)電源代替原裝交流電源作為電離器電源。原裝浸沒透鏡燒毀后,用自制的置于地電位的0~-20 kV電源代替原懸浮于-20 kV引出電壓上的10 kV浸沒透鏡電源。自制電離器和離子源電源的改進(jìn)解決了電離器供應(yīng)問題,并保證了GIC4117 2×1.7 MV串列加速器的正常運(yùn)行。
參考文獻(xiàn):
[1] 王廣甫. GIC4117 2×1.7 MV串列加速器的運(yùn)行、改進(jìn)和應(yīng)用[J]. 現(xiàn)代儀器,2008,19(1):53-55.
WANG Guangfu. The status and applications of the GIC4117 tandem accelerator[J]. Modern Instruments, 2008, 19(1): 53-55(in Chinese).
[2] 何俊. GIC-4117串列加速器系統(tǒng)及應(yīng)用研究[D]. 武漢:武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,2011.
[3] 桂偉燮,洪忠悌. 粒子加速器原理[M]. 北京:原子能出版社,1984:112-118.
[4] 王曉飛,包軼文,秦久昌. 強(qiáng)流濺射源負(fù)離子出束實(shí)驗(yàn)研究[J]. 原子能科學(xué)技術(shù),2004,38(3):239-242.
WANG Xiaofei, BAO Yiwen, QIN Jiuchang. Production study of negative ion beam on the intensive sputter source[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2004, 38(3): 239-242(in Chinese).
[5] 王賢義,李正芳. 一臺自制濺射負(fù)離子源的改進(jìn)[J]. 原子核物理評論,1998,15(1):35-37.
WANG Xianyi, LI Zhengfang. Improvement of model sputter negative ion-source[J]. Nuclear Physics Review, 1998, 15(1): 35-37(in Chinese).
[6] 周俊思,邱長青,徐天冰,等. 自制濺射負(fù)離子源電離器的材料、結(jié)構(gòu)、制作及使用情況[J]. 核技術(shù),1992,15(6):377-379.
ZHOU Junsi, QIU Changqing, XU Tianbing, et al. The structure and work conditions of an ionizer for home-made sputter negative ion source[J]. Nuclear Techniques, 1992, 15(6): 377-379(in Chinese).
[7] 饒雨生,席伯齡,陳后鵬,等. 銫濺射負(fù)離子源電離器的熱物理特性研究[J]. 真空科學(xué)與技術(shù),1990,10(5):298-301.
RAO Yusheng, XI Boling, CHEN Houpeng, et al. Study on the thermophysical characteristics of the ionizer in cesium sputter-type negative ion source[J]. Vacuum Science and Technology (China), 1990, 10(5): 298-301(in Chinese).
[8] 斯厚智,張維忠,朱錦華,等. AMS用多靶位強(qiáng)流濺射負(fù)離子源的研制[J]. 核技術(shù),1992,15(6):365-366.
SI Houzhi, ZHANG Weizhong, ZHU Jinhua, et al. Development of a multi-sample high intensity sputter negative ion source for AMS[J]. Nuclear Techniques, 1992, 15(6): 365-366(in Chinese).
[9] 繳桂躍. 860 A型高強(qiáng)度濺射離子源的改進(jìn)[J]. 核技術(shù),1993,16(3):152-155.
JIAO Guiyue. Improvements of model 860 A high intensity sputter source[J]. Nuclear Techniques, 1993, 16(3): 152-155(in Chinese).
[10] MIDDLETON R. A negative-ion cookbook[D]. Philadelphia: University of Pennsylvania Philadelphia, 1990.
[11] 王廣甫,王文勛,董平. 用于濺射負(fù)離子源的透射表面電離器的研制[J]. 原子能科學(xué)技術(shù),1997,31(6):499-502.
WANG Guangfu, WANG Wenxun, DONG Ping. A porous surface ionizer for the negative sputtering ion source[J]. Atomic Energy Science and Technology, 1997, 31(6): 499-502(in Chinese).
[12] 趙軍. 開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展[J]. 船電技術(shù),2005,34(5):13-16.
ZHAO Jun. Summary of switching mode power supply technology[J]. Marine Electric & Electronic Engineering, 2005, 34(5): 13-16(in Chinese).