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keV能區(qū)中子注量率測量初級標準裝置研制

2014-08-08 03:16韓善彪李春娟王志強駱海龍劉毅娜張偉華
原子能科學技術(shù) 2014年6期
關(guān)鍵詞:能區(qū)監(jiān)視器中子

李 瑋,陳 軍,韓善彪,李春娟,王志強,駱海龍,劉毅娜,張偉華

(1.中國原子能科學研究院 計量與校準技術(shù)重點實驗室,北京 102413;2.環(huán)境保護部 核與輻射安全中心,北京 100082)

大多數(shù)中子探測器在keV能區(qū)處于共振能區(qū),截面數(shù)據(jù)無法精確已知,所以keV能區(qū)中子注量率的絕對測量具有一定難度。國外對此的研究分兩種:以PTB和NPL[1]為代表,利用keV能區(qū)效率已知的長計數(shù)器測量該能區(qū)中子注量率,該長中子管的效率利用發(fā)射率精確已知的放射性核素中子源進行刻度;以日本東北大學為代表[2],在200 keV以上采用235U裂變電離室(FC)作為初級注量標準,反沖質(zhì)子望遠鏡、CH2-SSD(硅面壘探測器)以及6LiF-SSD計數(shù)器作為次級標準探測器。對于45Sc(p,n)45Ti反應(yīng),僅6LiF-SSD計數(shù)器可使用,這是因為裂變電離室效率在keV能區(qū)不易確定,235U的裂變截面在keV能區(qū)有共振。而6Li(n,t)α反應(yīng)截面在1 keV~0.1 MeV能區(qū)遵循1/v規(guī)律,是國際上推薦的標準反應(yīng)截面之一。在10-5eV~90 keV能區(qū),該截面的相對標準不確定度小于1%。6LiF-SSD探測器的有效性通過與FC探測器在0.55 MeV能量點比較得到。

中國原子能科學研究院計量與校準技術(shù)重點實驗室144 keV能區(qū)所用初級標準裝置含氫正比計數(shù)器,在27.4 keV能量點反沖質(zhì)子能量低,無法與γ信號、電子學噪聲甄別,不適合使用。而國內(nèi)無keV能區(qū)發(fā)射率精確已知的放射性核素中子源,故本文擬建立6LiF-SSD的keV能區(qū)注量率初級標準裝置,以用此代表中國參加國際計量局組織的單能中子計量關(guān)鍵參數(shù)國際比對。

1 測量原理

中子與6Li發(fā)生6Li(n,α)T反應(yīng),產(chǎn)生α粒子和T,測量反應(yīng)產(chǎn)物α或T在單位時間內(nèi)的計數(shù),通過式(1)即可確定中子注量率。

(1)

式中:φ為中子注量率;k為總修正因子;nx為α或T的計數(shù)率;NLi為6LiF轉(zhuǎn)換體中6Li的數(shù)目;σ為6Li(n,α)T反應(yīng)在測量能量點的反應(yīng)截面;f為除探測立體角等因素外的修正因子,主要包括閾下T計數(shù)損失修正和各種本底的扣除修正;R為6LiF-SSD在測量能量點的注量響應(yīng),其與NLi、σ和探測立體角等因素有關(guān),可利用蒙特卡羅程序計算得到。本工作選擇能量較大、更易測量的T的數(shù)目來確定中子注量率。

由于加速器中子源的中子注量率隨束流的變化而變化,因而通常給出每監(jiān)視器計數(shù)的歸一中子注量,其可由式(2)確定:

(2)

式中:Φ為歸一中子注量;nT為出射T的計數(shù)率;nM為測量期間監(jiān)視器計數(shù)率。

該放熱反應(yīng)的放出能量Q較大(α和T的能量分別為2.05 MeV和2.73 MeV),易于探測,適于熱能~100 keV能區(qū)中子的測量,且在該能區(qū)反應(yīng)截面遵循1/v規(guī)律,為標準反應(yīng)截面,已被精確測量和評價,相對標準不確定度小于1%。

2 6LiF-SSD的設(shè)計

所設(shè)計的6LiF-SSD基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,選擇產(chǎn)生帶電粒子反應(yīng)截面低的Al作為6LiF轉(zhuǎn)換體底襯和探測器的各組件(如限束光闌、探測器壓環(huán)、內(nèi)套筒等)。利用SRIM程序計算2.05 MeV α在Al中的射程以及2.73 MeV T在6LiF、Al、Si中的射程和能量損失(表1),以確定各部件的條件,如6LiF的厚度、6LiF轉(zhuǎn)換體Al箔底襯的厚度、Si半導(dǎo)體的耗盡層厚度等。最終選定Al箔底襯的厚度為10 μm,6LiF的質(zhì)量厚度在300~1 000 μg·cm-2之間,Si半導(dǎo)體最大耗盡層厚度大于40 μm,限束光闌直徑為20 mm。

圖1 6Li-SSD探測器的基本結(jié)構(gòu)示意圖

3 歸一中子注量絕對測量

利用6LiF-SSD絕對測量8.2 keV、24.5 keV和27.4 keV單能中子的歸一注量(每監(jiān)視器計數(shù)的中子注量)。通過測量的45Sc(p,n)45Ti反應(yīng)激發(fā)曲線可知,當加速器端電壓為1.444 5 MV時,可在0°方向獲得27.4 keV單能中子。測量過程中記錄實驗大廳的氣壓、溫度和濕度,以便進行空氣散射修正。利用影錐法和空靶測量扣除各中子本底。假設(shè)直接由靶產(chǎn)生的中子的貢獻為ΦD,由靶中子產(chǎn)生的室散射中子的貢獻為ΦDI,直接來自束流管道的本底中子的貢獻為ΦL,由束流管道本底中子產(chǎn)生的室散射中子的貢獻為ΦLI,直接來自靶底襯的本底中子的貢獻為ΦB,由靶底襯本底中子產(chǎn)生的室散射中子的貢獻為ΦBI,對應(yīng)上述中子測量時監(jiān)視器的計數(shù)分別為ΨD、ΨDI、ΨL、ΨLI、ΨB和ΨBI,且影錐散射對監(jiān)視器的貢獻為ΨS,各測量狀態(tài)對束流進行歸一。

表1 SRIM程序計算結(jié)果

1) 有靶無影錐時,總的中子的貢獻ΦT及相應(yīng)的監(jiān)視器計數(shù)可表示為:

ΦT=ΦD+ΦDI+ΦL+ΦLI+ΦB+ΦBI

(3)

ΨT=ΨD+ΨDI+ΨL+ΨLI+ΨB+ΨBI

(4)

2) 有靶有影錐時,總的中子的貢獻ΦSC及相應(yīng)的監(jiān)視器計數(shù)可表示為:

ΦSC=ΦDI+ΦLI+ΦBI

(5)

ΨSC=ΨD+ΨDI+ΨL+ΨLI+ΨB+ΨBI+ΨS

(6)

3) 空靶無影錐時,總的中子的貢獻ΦBT及相應(yīng)的監(jiān)視器計數(shù)可表示為:

ΦBT=ΦL+ΦLI+ΦB+ΦBI

(7)

ΨBT=ΨL+ΨLI+ΨB+ΨBI

(8)

4) 空靶有影錐時,總的中子的貢獻ΦBSC及相應(yīng)的監(jiān)視器計數(shù)可表示為:

ΦBSC=ΦLI+ΦBI

(9)

ΨBSC=ΨL+ΨLI+ΨB+ΨBI+ΨS

(10)

各本底中子的貢獻可通過式(11)扣除。

(11)

3.1 6LiF-SSD注量響應(yīng)計算

基于Geant4.9.4編寫了6LiF-SSD次級帶電粒子在硅半導(dǎo)體中能量沉積譜的蒙特卡羅模擬程序。

利用研發(fā)的響應(yīng)計算程序計算27.4 keV中子點源產(chǎn)生的次級帶電粒子脈沖幅度譜,模擬中子數(shù)為5×1011,距離探測器表面10.46 cm。計算的次級帶電粒子脈沖幅度譜如圖2所示,該結(jié)果未進行天然本底扣除和中子監(jiān)視器歸一。根據(jù)圖2可看出,理論計算譜同實驗測量譜符合較好。

3.2 實驗結(jié)果

利用式(11)本底扣除方法,分別測量了27.4 keV單能中子場有靶無影錐、有靶有影錐、空靶無影錐以及空靶有影錐4種條件下的脈沖幅度譜,測量結(jié)果亦如圖2所示。圖2中空靶效應(yīng)譜比空靶本底譜計數(shù)少,原因是空靶實驗條件下,有效事件非常少,天然本底的漲落對測量結(jié)果影響嚴重。在測量空靶效應(yīng)譜和空靶本底譜期間,要同時測量天然本底譜。修正時需扣除天然本底影響。

3.3 各項修正

圖2所示27.4 keV中子6LiF-SSD脈沖幅度測量譜中,空靶效應(yīng)譜的全譜積分計數(shù)比空靶本底譜的全譜積分計數(shù)多,這主要是由于空靶效應(yīng)譜和空靶本底譜計數(shù)率很低,與天然本底計數(shù)可比。實驗發(fā)現(xiàn),天然本底譜計數(shù)并不恒定。由于實驗測量時間較長,天然本底譜存在較大差異。測量譜扣除天然本底的方法是:首先找到各測量譜當天測量的天然本底譜,對測量譜和天然本底譜進行時間歸一后減去天然本底譜,得到扣除了天然本底的測量譜。各測量譜對應(yīng)的中子監(jiān)視器的計數(shù)也應(yīng)減去對時間歸一后測量天然本底譜時的監(jiān)視器計數(shù)。

根據(jù)6LiF-SSD探測器次級帶電粒子能量沉積計算譜,選擇合適的能量窗。能量窗的低能端選擇以不記錄低能α為宜,以扣除α粒子在硅半導(dǎo)體中的沉積事件。高能端選擇以T事件峰高能邊緣為宜,以扣除天然本底的影響。27.4 keV注量率測量實驗中選取能量窗為110~252道。

圖2 6LiF-SSD對27.4 keV中子的脈沖幅度譜

27.4 keV單能中子歸一計數(shù)測量數(shù)據(jù)列于表2,利用TARGET程序計算各能量點中子對6LiF-SSD的靶頭散射譜,計算未散射中子注量率占總中子注量率的比值,即可獲得靶頭散射修正因子,為0.924 4。利用MCNP程序計算真空和空氣中6LiF-SSD的計數(shù)比,即可獲得空氣散射修正因子,為0.998 2。以計算的靶頭散射中子能譜(總能譜)為源項,通過開發(fā)的注量響應(yīng)程序計算中子引起的6LiF-SSD脈沖幅度譜,由其可獲得6LiF-SSD的窗內(nèi)(110~252道)注量響應(yīng)為1.301 1×10-5cm-2。進行空氣散射和靶頭散射修正后27.4 keV的歸一中子注量率為4.77×10-2cm-2·s-1。

表2 27.4 keV中子歸一計數(shù)測量數(shù)據(jù)

4 結(jié)論

利用6LiF-SSD探測器建立了keV能區(qū)中子注量率測量初級標準裝置,基于Geant4計算的次級帶電粒子脈沖幅度譜與實驗測量的脈沖幅度譜吻合較好。利用該裝置絕對測量了27.4 keV中子注量率。由于在keV能區(qū)無其他探測裝置可進行比對,該初級標準裝置的量值溯源將通過國際比對進行。

參考文獻:

[1] DAVID J T. NPL contribution to an international comparison of 24.5 keV neutron fluence measurements[R]. Teddington, UK: Centre for Ionising Radiation Metrology National Physical Laboratory, 2001.

[2] BABA M, TAKADA M. Development of monoenergetic neutron calibration fields between 8 keV and 15 MeV[J]. Nucl Instrum Methods A, 1996, 376: 115-123.

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