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4G基站的電磁輻射影響分析

2014-09-28 10:37:16勾興勇
環(huán)保科技 2014年3期
關(guān)鍵詞:雙工碧江區(qū)銅仁市

李 燕, 李 敏, 徐 瑋, 勾興勇

(1.貴州省環(huán)境科學(xué)研究設(shè)計(jì)院, 貴陽(yáng) 550081;2.貴州銘誠(chéng)生態(tài)監(jiān)測(cè)有限公司, 貴陽(yáng) 550002)

4G的標(biāo)準(zhǔn)有TD-LTE和FDD-LTE兩種。TD- LTE(Time Division Long Term Evolution,分時(shí)長(zhǎng)期演進(jìn))是基于3GPP長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)(LTE)的一種通訊技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn),屬于LTE的一個(gè)分支[1]。該技術(shù)由上海貝爾、諾基亞西門子通信、大唐電信、華為技術(shù)、中興通訊、中國(guó)移動(dòng)、高通、ST-Ericsson等業(yè)者共同開發(fā)。FDD(頻分雙工)是該LTE技術(shù)的雙工模式之一,應(yīng)用FDD(頻分雙工)式的LTE即為FDD-LTE。由于無(wú)線技術(shù)的差異、使用頻段的不同以及各個(gè) 廠家的利益等因素,F(xiàn)DD-LTE的標(biāo)準(zhǔn)化與產(chǎn)業(yè)發(fā)展都領(lǐng)先于TDD-LTE。FDD-LTE已成為當(dāng)前世界上采用的國(guó)家及地區(qū)最廣泛的、終端種類最豐富的一種4G標(biāo)準(zhǔn)。2013年12月4日,工信部正式向中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)電信、中國(guó)聯(lián)通發(fā)放了TD-LTE牌照,標(biāo)志著中國(guó)正式進(jìn)入了4G時(shí)代。

1 TD-LTE技術(shù)特征

TD-LTE是TDD版本的LTE技術(shù)。基于TDD的雙工技術(shù)、基于OFDM的多址接入技術(shù)、基于MIMO/SA的多天線技術(shù)是TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)[2]。

1.1 基于TDD的雙工技術(shù)

第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的頻段是在2GHz范圍,但分配給公共陸地移動(dòng)通信系統(tǒng)使用的頻譜為155 MHz,僅為整個(gè)2GHz頻段的7%。TDD模式能利用非對(duì)稱頻段,具有更高的頻譜利用率。提供同樣速率的業(yè)務(wù)時(shí)TDD模式占用的帶寬較FDD模式少。

1.2 基于OFDM的多址接入技術(shù)

基于OFDM的多址接入技術(shù)有兩個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),一是OFDM技術(shù)和MIMO技術(shù)如何結(jié)合,使移動(dòng)通信系統(tǒng)性能進(jìn)一步提升,二是PFDM技術(shù)在蜂窩移動(dòng)通信組網(wǎng)的條件下,如何克服同頻組網(wǎng)帶來(lái)的問(wèn)題。

1.3 基于MIMO/SA的多天線技術(shù)

MIMO技術(shù)優(yōu)勢(shì)就在于它將信道視為若干并行的子信道,在不需要額外帶寬的情況下實(shí)現(xiàn)近距離的頻譜資源重復(fù)利用,理論上可以極大的擴(kuò)展頻帶利用率,提高無(wú)線傳輸速率,同時(shí)還增強(qiáng)了通信系統(tǒng)的抗干擾、抗衰落性能,可以同時(shí)獲得編碼增益和分集增益。

2 電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)

根據(jù)GB 8702—1988《電磁輻射防護(hù)規(guī)定》中相關(guān)規(guī)定:在30~3 000 MHz頻率范圍內(nèi),對(duì)公眾的電磁輻射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)為電磁輻射源在接受點(diǎn)產(chǎn)生的功率密度小于 0.4 W/m2(40μW/cm2)[3]。公眾總受照射劑量包括各種電磁輻射對(duì)其影響的總和,既包括擬建設(shè)施可能或已經(jīng)造成的影響,也包括已有背景電磁輻射的影響??偟氖苷丈鋭┝肯拗稻鶓?yīng)不超過(guò)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)HJ/T 10.3—1996《輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則-電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)方法和標(biāo)準(zhǔn)》,對(duì)單個(gè)項(xiàng)目的影響必須限制在GB 8702—1988限值的若干分之一[4]。單個(gè)基站環(huán)境管理目標(biāo)值選取GB 8702—1988《電磁輻射防護(hù)規(guī)定》中相應(yīng)頻段功率密度限值的 1/5,即 0.08 W/m2(8μW/cm2)。

3 TD-LTE基站電磁輻射影響理論計(jì)算

3.1 計(jì)算模式

一般情況下,電磁輻射場(chǎng)根據(jù)感應(yīng)場(chǎng)和輻射場(chǎng)的不同而區(qū)分為遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)(感應(yīng)場(chǎng))和近區(qū)場(chǎng)(輻射場(chǎng))[5]。射頻電磁場(chǎng)近場(chǎng)的分布十分復(fù)雜,一般以實(shí)際測(cè)量為準(zhǔn)。而評(píng)價(jià)關(guān)注的環(huán)境保護(hù)目標(biāo)大多在基站天線的3.5 m以外,屬于遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),其遠(yuǎn)場(chǎng)軸向功率密度(Pd)采用由 HJ/T 10.2—1996《輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則—電磁輻射監(jiān)測(cè)儀器和方法》規(guī)定的公式計(jì)算[6]:

式中:P—天線輻射功率,W;

G—天線增益,倍數(shù);

r—測(cè)量位置與天線距離,m。

3.2 計(jì)算參數(shù)

本次選取位于銅仁市碧江區(qū)的10個(gè)已運(yùn)行的TD-LTE基站進(jìn)行電磁輻射影響理論計(jì)算。該10個(gè)基站的計(jì)算參數(shù)見表1。

表1 銅仁市碧江區(qū)10個(gè)已運(yùn)行的TD-LTE基站電磁輻射影響理論計(jì)算參數(shù)

3.3 預(yù)測(cè)結(jié)論

本次選取的位于銅仁市碧江區(qū)的10個(gè)已運(yùn)行TD-LTE基站電磁輻射影響理論計(jì)算結(jié)果見表2。

4 TD-LTE基站電磁輻射實(shí)際監(jiān)測(cè)結(jié)果

本次選取的位于銅仁市碧江區(qū)的10個(gè)TDLTE基站在正常運(yùn)行情況下,監(jiān)測(cè)結(jié)果見表3。

5 結(jié)論

根據(jù)對(duì)銅仁市碧江區(qū)的10個(gè)TD-LTE基站電磁輻射的理論計(jì)算和實(shí)測(cè)結(jié)果,基站天線軸向功率密度值是隨著距離天線距離的增加而快速衰減。根據(jù)理論計(jì)算結(jié)果,基站在天線軸向16 m以外區(qū)域的功率密度可以滿足0.08 W/m2(8μ W/cm2)環(huán)境管理目標(biāo)值。根據(jù)實(shí)測(cè)結(jié)果,基站在正常運(yùn)行狀態(tài)下,天線主射方向?qū)崪y(cè)結(jié)果均未超過(guò)0.08 W/m2,說(shuō)明基站的實(shí)際電磁輻射影響小于理論計(jì)算結(jié)果,這是由于在實(shí)際監(jiān)測(cè)中,由于監(jiān)測(cè)布點(diǎn)受環(huán)境空間條件的限制,很少能達(dá)到天線的最大輻射方向設(shè)施監(jiān)測(cè),所以實(shí)際監(jiān)測(cè)結(jié)果比理論計(jì)算預(yù)測(cè)值小得多。

表2 銅仁市碧江區(qū)10個(gè)已運(yùn)行的TD-LTE基站電磁輻射影響理論計(jì)算結(jié)果單位:距離m 功率密度μW/cm2

表3 銅仁市碧江區(qū)10個(gè)TD-LTE基站正常運(yùn)行時(shí)電磁輻射影響實(shí)測(cè)結(jié)果

續(xù)表3

續(xù)表3

[1]曹達(dá)仲,侯春萍,由磊,等.移動(dòng)通信原理、系統(tǒng)及技術(shù)[M].北京:清華大學(xué)出版社,2011.

[2]TD-LTE的三大技術(shù)特點(diǎn)[J].西安郵電學(xué)院學(xué)報(bào),2010,5:144.

[3]國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局.電磁輻射防護(hù)規(guī)定(GB8702-88)[S].1988.

[4]國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局.輻射環(huán)境保護(hù)管理導(dǎo)則 電磁輻射環(huán)境影響評(píng)價(jià)方法與標(biāo)準(zhǔn)(HJ/T10.3-1996)[S].1996.

[5]周建明,高攸綱,徐小超,等.通信電磁輻射及其防護(hù)[M].北京:人民郵電出版社,2010.

[6]國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局.電磁輻射監(jiān)測(cè)儀器和方法(HJ/T-10.2 -1996)[S].1996.

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