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基于銅排的新型短路保護(hù)用大電流傳感器的分析與設(shè)計

2015-01-04 08:00:46莊勁武江壯賢孫逢欣
船電技術(shù) 2015年11期
關(guān)鍵詞:銅排干擾源磁感應(yīng)

施 源,莊勁武,江壯賢,武 瑾,孫逢欣

(海軍工程大學(xué)電氣工程學(xué)院,武漢 430033)

0 引言

船用大電流保護(hù)裝置是艦船電力系統(tǒng)的重要組成部分[1],在保護(hù)裝置進(jìn)行故障電流分?jǐn)噙^程中,傳感器對電流的判斷,檢測起到了非常重要的作用。現(xiàn)有傳感器多數(shù)是在試品銅排上套一整圈磁環(huán)來確保檢測電流的準(zhǔn)確性[3]。然而,當(dāng)電流等級較大時,一整圈鐵芯顯得笨重,繁雜并且占用較大體積,對珍貴的船用空間不利[4]。

由于大電流時銅排周邊能對傳感器形成大干擾的可能性較小,可以考慮用固定在特殊位置上的單一芯片替代一整圈鐵芯的方法設(shè)計出主要用于短路保護(hù)的大電流霍爾傳感器。本文從霍爾傳感器的基本原理出發(fā),用有限元軟件[5-6]分析從實際角度考慮了霍爾芯片的擺放位置,并用試驗驗證了仿真的準(zhǔn)確性。在此基礎(chǔ)上,分析了干擾源對其產(chǎn)生的各種影響。

1 銅排用無鐵芯霍爾傳感器原理

1.1 霍爾芯片工作原理

霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場傳感器?;魻栃?yīng)定義了磁場和感應(yīng)電壓之間的關(guān)系,當(dāng)電流通過一個位于磁場中的導(dǎo)體的時候,磁場會對導(dǎo)體中的電子產(chǎn)生一個垂直于電子運(yùn)動方向上的作用力,從而在垂直于導(dǎo)體與磁感線的兩個方向上產(chǎn)生電勢差。

式(1)中:UH稱為霍爾電壓[7];B為磁感應(yīng)強(qiáng)度;IH為控制電流;RH為霍爾系數(shù);d為半導(dǎo)體厚度;

對于霍爾輸出電壓信號UH的處理,人們設(shè)計了許多種電路,但總體來講可分為兩類,一類為開環(huán)霍爾電流傳感器;另一類為閉環(huán)霍爾電流傳感器。然而,為了保證精度和抗干擾能力,上述兩類傳感器均使用了鐵芯。其弊端是環(huán)繞銅排一周的鐵芯會占用相當(dāng)大的體積。

本文所研究的對象為船用直流 8 kA限流保護(hù)裝置,由于是船用設(shè)備,對裝置體積要求盡可能小。事實上目前所用霍爾傳感器因有鐵芯的緣故所占體積太大太笨重,很有必要對其進(jìn)行小體積化改進(jìn)。

1.2 銅排用無鐵芯霍爾傳感器原理

圖1所示為銅排用無鐵芯霍爾傳感器原理示意圖,芯片在貼近銅排的中部特定位置固定,電流從銅排流過產(chǎn)生磁場,磁場穿過芯片產(chǎn)生霍爾電壓,霍爾電壓根據(jù)一定的比例關(guān)系便可以得到通過銅排的電流。該裝置主要有以下幾個特點:

1)由于被測銅排尺寸固定,霍爾芯片的位置固定,所以通過銅排的電流與磁場的關(guān)系固定,可以得到銅排電流I與芯片處磁感應(yīng)強(qiáng)度B的函數(shù)關(guān)系I=f(B)。

2)無鐵芯的設(shè)計使得測量電流的霍爾傳感器體積大大減小,并且由于霍爾芯片距離銅排位置近,被測電流很大(千安級),芯片被干擾的可能性小。所以測量大電流時可以測得較為準(zhǔn)確。

2 霍爾傳感器的位置設(shè)計

本保護(hù)裝置主體部分為快速分?jǐn)嗟你~橋結(jié)構(gòu),銅橋兩側(cè)由銅排連接,銅排截面尺寸為 250 mm×20 mm,兩排之間間隔為152 mm。

從原則上講,傳感器擺放的位置應(yīng)該放在空間位置的微小差異不至于引起磁力線變化過大的位置,即磁力線分布比較均勻的地方,從這一點上看,傳感器應(yīng)該放在銅排中間處。同時,芯片應(yīng)當(dāng)讓磁力線垂直穿入。

使用Ansoft Maxwell軟件對試品總體結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模,其中銅橋部分未畫出。建立的模型如圖2所示。

圖1 銅排用無鐵芯霍爾傳感器原理示意圖

圖2 Ansoft仿真模型

圖3 無干擾源時磁感應(yīng)強(qiáng)度分布圖

設(shè)定求解范圍后,對電流進(jìn)出的銅排截面加載8 kA電流,方向與實際方向相同。

在沒有外界干擾時,仿真的計算結(jié)果如圖3(電流方向為左側(cè)銅排8 kA垂直紙面向外,右側(cè)銅排8 kA垂直紙面向里)圖所示為芯片所在位置與電流垂直的截面的磁感應(yīng)分布。

以左側(cè)銅排內(nèi)側(cè)表面中心處為基點,由外往內(nèi)取10個點,依次與基準(zhǔn)點相距1~10 mm,磁感應(yīng)強(qiáng)度見下表:

表1 銅排內(nèi)側(cè)測點對應(yīng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化表

同理在左側(cè)銅排外側(cè)表明中心處為基點,由內(nèi)往外取10個點,依次與基準(zhǔn)點相距1-10mm,磁感應(yīng)強(qiáng)度見下表:

表2 銅排外側(cè)測點對應(yīng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化表

由于經(jīng)過2塊銅排的電流方向為一進(jìn)一出,磁感應(yīng)強(qiáng)度分布為銅排內(nèi)側(cè)大于銅排外側(cè),即內(nèi)部的磁感應(yīng)強(qiáng)度場疊加效應(yīng)更為明顯。為了抗干擾能量更強(qiáng),放在銅排內(nèi)側(cè)更好。另外,傳感器應(yīng)盡量遠(yuǎn)離銅橋。

從表中可以看到銅排內(nèi)側(cè)的點比銅排外側(cè)的點磁感應(yīng)強(qiáng)度要大,這也恰好驗證了測點放在銅排內(nèi)側(cè)抗干擾更強(qiáng)的分析。

由于測點距離銅排邊緣表面1~10 mm的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化很小,因此芯片放在距離銅排1~10 mm的位置均可,考慮到實際加工的方便,芯片放置在銅排內(nèi)側(cè)距離銅排5 mm的地方。

3 傳感器樣機(jī)及試驗

為了驗證傳感器檢測電流的效果,進(jìn)行了下列驗證試驗,試驗試品如圖4所示,由2根截面為250 mm×20 mm的銅排用一根導(dǎo)線連接起來,霍爾芯片型號為Honeywell-SS96b。

將其放置在左邊銅排內(nèi)側(cè)中間部分,固定在一個電路板上,電路板兩側(cè)用一定高度的環(huán)氧板固定,確保霍爾芯片離銅排的高度為 5 mm,如圖5所示。試驗電路如圖6所示,放電電容為1mF初始電壓1300 V,回路串聯(lián)的電感L為15 μH。

圖4 試驗試品

圖5 霍爾芯片位置圖

用示波器監(jiān)測主回路的電流,以及傳感器的輸出電壓,并將輸出電壓轉(zhuǎn)化成檢測的電流值,進(jìn)行對比如圖7。

圖6 試驗電路

圖7 霍爾芯片檢測電流與實際電流對比

圖7可以看到,雖然單個霍爾芯片測量結(jié)果波動要大于有鐵芯霍爾電流傳感器,但整體效果還不錯,特別是電流上升的過程中,即在沒有干擾的情況下,是可以用單霍爾芯片這一方案的。

4 干擾源對傳感器的影響

前文已經(jīng)提到,由于被測對象的電流較大,能對試品造成的干擾很有限,同時,霍爾芯片感應(yīng)到的磁感應(yīng)強(qiáng)度B是垂直于芯片截面的,即如果干擾源的電流方向與通過銅排的電流方向不同,即便會對磁場產(chǎn)生干擾,霍爾芯片也無法感應(yīng)到。

實際中,裝置通常安放在柜體里,與其他柜體一起,由主母線排穿接起來,為了防止過大的磁場干擾,在考慮了電氣間隙的情況下,電流一進(jìn)一出的銅排通常會放置在相隔較近的地方。

本傳感器主要用于短路保護(hù),所以它的啟動設(shè)定值通常在額定電流 1.5倍以上,因此干擾源產(chǎn)生磁場小于整定值時不會產(chǎn)生誤動。

根據(jù)裝置的實際尺寸,干擾源最近距離試品銅排約600 mm的距離。干擾源發(fā)生短路時(估算短路電流約50 kA),對磁場的干擾最大。

本文計算了干擾源正常通流,干擾源雙向短路的兩類情形,以及干擾源電流方向的不同帶來的影響。具體如下:

1)如圖8所示,試品右側(cè)有2個不同電流方向的短路電流干擾。從左至右電流分別是8 kA垂直紙面向外,8 kA垂直紙面向里,8 kA垂直紙面向外,8 kA垂直紙面向里;相鄰排的距離分別為152 mm,600 mm,152 mm。

圖8 2個不同電流方向的正常電流干擾(1)

仿真得到芯片所在位置與電流垂直的截面的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布如圖,芯片所在位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度為268.13G。將其與無干擾源時的結(jié)果271.84G對比,改變了1.4%,干擾不會使裝置發(fā)生誤動。

2)如圖9所示,試品右側(cè)有2個不同電流方向的短路電流干擾。從左至右電流分別是8 kA垂直紙面向外,8 kA垂直紙面向里,8kA垂直紙面向里,8 kA垂直紙面向外;空間位置同上。

圖9 2個不同電流方向的正常電流干擾(2)

仿真得到芯片所在位置與電流垂直的截面的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布如圖,芯片所在位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度為275.56G。將其與無干擾源時的結(jié)果271.84G對比,改變了1.4%,干擾不會使裝置發(fā)生誤動。

3)如圖10所示,試品右側(cè)有2個不同電流方向的短路電流干擾。從左至右電流分別是8 kA垂直紙面向外,8 kA垂直紙面向里,50 kA垂直紙面向外,50 kA垂直紙面向里;空間位置同上。仿真得到芯片所在位置與電流垂直的截面的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布如圖,芯片所在位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度為248.59G。將其與無干擾源時的結(jié)果 271.84G對比,改變了8.5%,干擾不會使裝置發(fā)生誤動。

圖10 2個不同電流方向的短路電流干擾(1)

4)如圖11所示,試品右側(cè)有2個不同電流方向的短路電流干擾。從左至右電流分別是8 kA垂直紙面向外,8 kA垂直紙面向里,50 kA垂直紙面向里,50 kA垂直紙面向外;空間位置同上。

圖11 2個不同電流方向的短路電流干擾(2)

仿真得到芯片所在位置與電流垂直的截面的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布如圖,芯片所在位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度為295.10G。將其與無干擾源時的結(jié)果271.84G對比,改變了8.5%,干擾不會使裝置發(fā)生誤動。

5 結(jié)論

由以上研究可得如下結(jié)論:

1)文章針對異向電流的銅排提出了無鐵芯傳感器應(yīng)放置在銅排內(nèi)側(cè)距離內(nèi)側(cè)排面 5 mm位置。

2)仿真計算表明,干擾源通以正常電流;短路電流干擾時,干擾均遠(yuǎn)小于保護(hù)用傳感器設(shè)定值。

3)文中設(shè)計的8 kA新型傳感器進(jìn)行了實際測試,結(jié)果在無干擾的情況下,具有非常好的效果。

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