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HMX/TiO2復(fù)合顆粒制備及其浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)變

2017-05-07 01:45:04李尚斌
含能材料 2017年12期
關(guān)鍵詞:烷基硅烷甲氧基

肖 春, 祝 青, 謝 虓, 劉 濤, 羅 觀, 李尚斌

(中國(guó)工程物理研究院化工材料研究所, 四川 綿陽(yáng) 621999)

1 引 言

浸潤(rùn)性是固體材料表面的重要特征之一,一般把與水的接觸角大于150°的固體表面稱為超疏水表面,與液體的接觸角小于10°的固體表面稱為超親水表面[1]。近年來(lái),研究人員發(fā)現(xiàn)一些特殊的官能團(tuán)或材料可通過(guò)外界條件刺激改變其浸潤(rùn)特性[2],且可實(shí)現(xiàn)浸潤(rùn)性的可逆轉(zhuǎn)換,形成“智能開(kāi)關(guān)”的效應(yīng)。這種“智能開(kāi)關(guān)”可根據(jù)需求有效調(diào)控固-液間的浸潤(rùn)性,在日常生活[3]、工業(yè)生產(chǎn)[4]、國(guó)防、航空[5]等領(lǐng)域具有重要意義。澆注型聚合物粘結(jié)炸藥(PBX)中炸藥顆粒與液體粘結(jié)劑的浸潤(rùn)性直接影響澆注過(guò)程的流變性能和混合均勻性,進(jìn)而影響PBX的工藝性能、力學(xué)性能等綜合性能[6-8]。將可逆轉(zhuǎn)變浸潤(rùn)性引入主體炸藥中,可使材料具有可控的表面浸潤(rùn)性,通過(guò)外界條件刺激,使材料滿足不同PBX體系所需的浸潤(rùn)性,提高澆注PBX的工藝性能和組分均勻性。

基于此,本研究以環(huán)四亞甲基四硝胺(奧克托今,HMX)為基體,采用靜電沉積法[16]在基體材料表面包覆TiO2納米顆粒,然后通過(guò)表面修飾十六烷基三甲氧基硅烷,得到浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)變的HMX/TiO2復(fù)合材料。根據(jù)TiO2的光敏特性,對(duì)材料進(jìn)行紫外光照射和暗處理,使材料表面浸潤(rùn)性實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)變,以期改善HMX與PBX炸藥中液體組分的相容性,為拓寬其應(yīng)用范圍打下理論基礎(chǔ)。

2 實(shí)驗(yàn)部分

2.1 原料與試劑

奧克托今(HMX),甘肅銀光化學(xué)工業(yè)公司,40~60目;二氧化鈦(TiO2),平均粒徑25 nm,德固賽(中國(guó))有限公司;γ-三氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS),純度97%,十六烷基三甲氧基硅烷,純度≥85%(GC),阿拉丁(上海)有限公司;十二烷基磺酸鈉、正己烷、無(wú)水乙醇,化學(xué)純,成都市科龍化工試劑廠;冰醋酸,分析純,天津市致遠(yuǎn)化學(xué)試劑有限公司。

2.2 樣品制備

(1) HMX表面氨基化處理

配制γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)濃度為50 mmol/L的正己烷溶液50 mL,稱取3.0 g HMX加入γ-APS正己烷溶液中,在65 ℃下浸泡2h,過(guò)濾分離出HMX,80 ℃烘干,得到表面氨基化的HMX[17]。

(2) 靜電沉積法制備HMX/TiO2復(fù)合顆粒

稱取1 g表面氨基化的HMX分散于20 mL水中,逐滴加入冰醋酸,調(diào)節(jié)pH值至3,使HMX顆粒表面帶正電荷;另稱取0.2 g TiO2,超聲分散于20 mL水中,再加入0.04 g十二烷基磺酸鈉,充分?jǐn)嚢枞芙?,使TiO2顆粒表面帶負(fù)電荷;將上述兩種混合液快速混合,靜置5 min,使HMX與TiO2的發(fā)生靜電沉積反應(yīng),離心分離出溶液底部沉淀,經(jīng)洗滌、過(guò)濾、干燥后,得到HMX/TiO2復(fù)合顆粒。

(3) HMX/TiO2復(fù)合顆粒的表面疏水化處理

配制十六烷基三甲氧基硅烷濃度為20 mmol/L的乙醇溶液50 mL,稱取1 g HMX/TiO2復(fù)合顆粒加入其中,室溫下浸泡1.5 h,過(guò)濾分離出復(fù)合顆粒,80 ℃烘干,得到表面疏水化處理的HMX/TiO2復(fù)合顆粒。

2.3 樣品表征

表面形貌表征:場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM),美國(guó)CamScan公司Apollo300型。

XRD表征:X射線衍射儀,美國(guó)Bruker公司D8 advance型,2θ測(cè)量范圍10°~80°,步長(zhǎng)為0.02°。

XPS表征:X射線光電子能譜,Thermo ESCACAB250,測(cè)試條件為: 全譜能100 eV,窄譜能20 eV,掃描5次,停留時(shí)間0.05 s。

TG-DSC表征:差示掃描量熱儀(DSC),NETZSCH STA 449C,測(cè)試在常壓下進(jìn)行,采用氮?dú)鈿夥?,升溫速率?0 ℃·min-1,測(cè)試溫度區(qū)間為室溫~500 ℃。

接觸角測(cè)試:靜態(tài)接觸角儀,DSA30S(KRüSS),將適量樣品置于載玻片上,輕輕壓平,測(cè)試液體為去離子水,液滴體積為3 μL。

3 結(jié)果與討論

3.1 HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒的SEM表征

對(duì)原料HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒進(jìn)行形貌表征,其SEM測(cè)試結(jié)果如圖1所示。由圖1可見(jiàn),原料HMX的表面除有少量凹坑等缺陷外,大部分區(qū)域較為平整,與TiO2納米顆粒發(fā)生靜電自組裝后,表面包覆了一層很薄的TiO2,且形成了一定的粗糙結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)為材料的特殊浸潤(rùn)性打下了基礎(chǔ)。

a. HMX(500×)b. HMX(2000×)

c. HMX/TiO2(500×)d. HMX/TiO2(2000×)

圖1 原料HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒的SEM圖

Fig.1 SEM images of the raw HMX and HMX/TiO2composites

3.2 HMX/TiO2復(fù)合顆粒的XRD表征

圖2為HMX/TiO2復(fù)合顆粒的X射線衍射結(jié)果,由圖2可知,2θ值為14.70°,16.03°,18.30°,20.54°,22.06°,23.04°,26.18°,27.20°,29.66°,31.91°,37.27°,50.78°的特征峰屬于β-HMX(JCPDS 42-1768)的特征峰,2θ值為25.30°,36.94°,37.79°,48.0°,53.88°,55.06°的特征峰屬于銳鈦礦晶型TiO2(JCPDS 99-0008)的特征峰。HMX(*)和TiO2(◆)的特征峰均出現(xiàn)在復(fù)合顆粒中,表明TiO2納米顆粒包覆于HMX表面。

3.3 HMX/TiO2復(fù)合顆粒的XPS表征

對(duì)原料HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒進(jìn)行X射線光電子能譜(XPS)表征,得到兩種顆粒表面的元素含量如表1所示。由表1可見(jiàn),經(jīng)包覆處理后,復(fù)合顆粒表面的N元素含量從39.37%降低至20.09%,同時(shí)新增了Ti和Si兩種元素,這是因?yàn)镠MX顆粒表面被TiO2包裹,導(dǎo)致檢測(cè)到的N元素含量降低,用γ-APS進(jìn)行氨基化處理過(guò)程在HMX表面引入了Si元素,而Ti元素則來(lái)自于包覆在HMX表面的TiO2。

圖2 HMX/TiO2復(fù)合顆粒的XRD圖

Fig.2 XRD patterns of the HMX/TiO2composites

圖3為HMX/TiO2復(fù)合顆粒的XPS譜圖,從圖3a可以看出其表面存在C、O、N、Ti、Si等元素;C1s譜圖(圖3b)顯示了典型的C—Si(282.98 eV)、C—C(284.44 eV)和C—N(285.93 eV)等特征峰;O1s譜圖(圖3c)中的529.38 eV和531.72 eV分別代表Ti—O—Ti和Si—O—Si結(jié)構(gòu);Ti2p譜圖(圖3d)顯示了Ti2p1/2(465.96 eV)和Ti2p3/2兩處特征峰,但Ti2p3/2處的特征峰并不對(duì)稱,可分裂為458.35 eV和456.95 eV兩個(gè)特征峰,其中458.35 eV為Ti4+的特征峰,456.95 eV為Ti3+的特征峰[18]。Ti3+的出現(xiàn)是由于TiO2的價(jià)帶電子容易被激發(fā)到導(dǎo)帶,導(dǎo)帶電子遷移至表面與Ti4+結(jié)合形成Ti3+[19]。Ti2p較強(qiáng)的信號(hào)表明TiO2對(duì)HMX顆粒的包覆取得較好的效果。

表1 HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒表面元素含量

Table 1 Averaged element content of the HMX and HMX/TiO2composites surface %

3.4 HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒的熱分析

原料HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒的DSC曲線和TG曲線如圖4所示。由圖4a可見(jiàn),HMX在187.5 ℃處有一個(gè)吸熱峰,該吸熱峰是HMX在加熱過(guò)程中由β晶型轉(zhuǎn)變?yōu)棣木蜁r(shí)產(chǎn)生,而在HMX/TiO2復(fù)合顆粒的DSC曲線中,這一相轉(zhuǎn)變溫度提高至195.9 ℃,提高了8.4 ℃,表明TiO2包覆使HMX的轉(zhuǎn)晶溫度提高,原因可能是TiO2包覆層抑制了HMX的體積膨脹,從而延緩其轉(zhuǎn)晶過(guò)程。由圖4b可見(jiàn),在溫度升至500℃時(shí),HMX完全分解,HMX/TiO2復(fù)合顆粒剩余質(zhì)量為1.60%,表明TiO2包覆層較薄。

a. survey

b. C1s

c. O1s

d. Ti2p

圖3 HMX/TiO2復(fù)合顆粒的XPS譜圖

Fig.3 XPS spectra of the HMX/TiO2composites

a. DSC

b. TG

圖4 HMX和HMX/TiO2復(fù)合顆粒的TG-DSC曲線

Fig.4 TG-DSC curves of the HMX and HMX/TiO2composites

3.5 HMX/TiO2復(fù)合顆粒的浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)變

圖5示出了HMX/TiO2復(fù)合顆粒的浸潤(rùn)性變化情況,采用十六烷基三甲氧基硅烷對(duì)HMX/TiO2復(fù)合顆粒進(jìn)行表面修飾后,測(cè)試其與水的接觸角為160.4°(圖5a),實(shí)現(xiàn)了超疏水特性,再用功率為500 W的紫外燈對(duì)復(fù)合顆粒進(jìn)行照射后,水接觸角變小,疏水性減弱,紫外光照射45 min時(shí),復(fù)合顆粒與水完全浸潤(rùn),接觸角達(dá)到0°(圖5b)。將達(dá)到超親水的復(fù)合顆粒置于黑暗環(huán)境及80 ℃條件下加熱處理17天后,水接觸角回到147.9°(圖5c),基本回復(fù)到超疏水狀態(tài)。

HMX/TiO2復(fù)合顆粒的浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)變主要與表面包覆的TiO2有關(guān)。在紫外光照射下,一方面TiO2催化表面吸附的十六烷基三甲氧基硅烷分解成H2O和CO2[20];另一方面,TiO2價(jià)帶電子被激發(fā)到導(dǎo)帶,電子和空穴遷移至表面形成電子-空穴對(duì),電子與Ti4+結(jié)合形成Ti3+,空穴則與表面的橋氧離子結(jié)合形成氧空位,空氣中的水分在氧空位上解離吸附,成為化學(xué)吸附水,并可進(jìn)一步吸附水分形成物理吸附水層[18]。上述兩方面因素的共同作用使復(fù)合顆粒變?yōu)槌H水。加熱暗處理后,復(fù)合顆粒表面的H2O揮發(fā)完全,顯露出十六烷基三甲氧基硅烷疏水層,同時(shí)TiO2表面氧空位吸附的水被空氣中的O2取代,使復(fù)合顆?;謴?fù)超疏水特性。

a. before UV irradiationb. UV irradiation for 45 minc. dark storage at 80 ℃ for 17 d

圖5 HMX/TiO2復(fù)合顆粒與水接觸角的可逆轉(zhuǎn)變

Fig.5 Reversible transition of water contact angles to the HMX/TiO2composites

4 結(jié) 論

(1)將表面氨基化處理的HMX與TiO2混合液進(jìn)行靜電沉積反應(yīng)制得HMX/TiO2復(fù)合顆粒,對(duì)其進(jìn)行SEM觀察表明HMX表面包覆了一層很薄的TiO2,XRD測(cè)試表明復(fù)合顆粒中同時(shí)存在β-HMX和銳鈦礦晶型TiO2,XPS的測(cè)試結(jié)果則進(jìn)一步證明了TiO2包覆層的存在。

(2)HMX/TiO2復(fù)合顆粒的相轉(zhuǎn)變溫度比HMX提高了8.4 ℃,表明TiO2包覆層可以提高HMX的轉(zhuǎn)晶溫度。

(3)HMX/TiO2復(fù)合顆粒表面具有粗糙結(jié)構(gòu),經(jīng)疏水物質(zhì)表面修飾后的水接觸角為160.4°,達(dá)到超疏水狀態(tài),紫外光照射后變?yōu)槌H水,再經(jīng)加熱暗處理后接觸角回復(fù)至147.9°,重新達(dá)到超疏水狀態(tài),實(shí)現(xiàn)了表面浸潤(rùn)性的可逆轉(zhuǎn)變。

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