馬非凡,鄭賢火,廖世才,王龍成
(浙江理工大學(xué)材料與紡織學(xué)院,杭州 310018)
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鉀離子對(duì)GdBO3:Tb3+發(fā)光性能的影響
馬非凡,鄭賢火,廖世才,王龍成
(浙江理工大學(xué)材料與紡織學(xué)院,杭州 310018)
水熱法合成GdBO3:Tb3+熒光粉,制備發(fā)光性能最佳的樣品;在Tb3+最佳濃度時(shí),摻入不同濃度的K+,對(duì)GdBO3:Tb3+熒光粉熒光性能進(jìn)行調(diào)控,研究該熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度、量子效率、物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌。用熒光光譜儀(PL)、X射線衍射儀(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)等手段對(duì)材料性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明:GdBO3:Tb3+熒光粉為六方晶系,摻雜K+可以改善GdBO3:Tb3+表面形貌;Gd3+∶ Tb3+∶ K+等于20∶ 1∶ 5為其最佳摻雜比,此時(shí)可以提高GdBO3:Tb3+熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度78.6%,增大量子效率21.8%。
鉀離子;GdBO3:Tb3+;熒光粉;水熱法;發(fā)光性能
PDP (plasma display panel) 作為一種新穎的氣體放電彩色等離子顯示器,具有視角寬、灰度等級(jí)高、清晰度高、色彩還原性好、壽命長(zhǎng)、對(duì)迅速變化的畫面響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用前景廣闊。目前PDP常用的熒光粉有BaAl12O17:Mn2+熒光粉和ZnSiO4:Mn2+熒光粉,但他們存在耐光灼傷性低、發(fā)光效率低等缺點(diǎn),成為制約PDP液晶顯示應(yīng)用的瓶頸。因此市場(chǎng)迫切需求發(fā)展均勻性更好、粒度更小、熱穩(wěn)定更好、亮度更高的熒光粉。在紫外-真空紫外區(qū),硼酸釔、硼酸釓基質(zhì)熒光粉有良好的透明性;當(dāng)真空紫外光作為激發(fā)光時(shí),摻雜Eu3+、Tb3+離子的稀土硼酸鹽熒光粉具有很高的發(fā)光效率。因此,近年來此類熒光粉成為PDP用熒光粉的研究熱點(diǎn)[1-3]。大量研究結(jié)果表明,稀土熒光粉的熒光性能可以用在其中摻雜非稀土金屬離子來改善。趙曉霞等[4]用固相反應(yīng)法合成(Y, Gd)BO3:Tb3+熒光粉,它是一種均勻性良好、結(jié)晶性良好的綠色熒光粉。Xu等[5]用固相反應(yīng)法合成了Li+摻雜的(Y, Gd)BO3:Tb3+熒光粉,發(fā)現(xiàn)Li+對(duì)熒光粉的量子效率、發(fā)光強(qiáng)度提高作用明顯。張雪等[6]用水熱法合成K+摻雜YBO3:Eu3+熒光粉,較摻雜K+之前的熒光粉量子效率和發(fā)光強(qiáng)度分別提高了28%、35%。國(guó)內(nèi)外稀土熒光粉最常用的兩種合成方法為高溫固相反應(yīng)法(SR)[7-9]和水熱合成法(HR)[10-11]。高溫固相法較為常用,但其反應(yīng)溫度過高,約在1100~1400 °C之間,樣品有燒結(jié)現(xiàn)象,需要研磨,形貌難以控制[12]。較高溫固相法相比,水熱法(HR)具備下列優(yōu)點(diǎn):合成溫度較低(100~250 °C),反應(yīng)條件比較溫和,熒光粉粒度均勻,產(chǎn)生晶體結(jié)晶性能好,無需高溫灼燒處理,雜質(zhì)較少,形貌和晶體尺寸可控。熒光粉主要性能指標(biāo)為晶體的結(jié)晶性能、微觀表面形貌和熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度、量子效率。本文采用水熱法(HR)制備不同Tb3+濃度的GdBO3:Tb3+熒光粉,測(cè)量發(fā)光性能以確定Tb3+最優(yōu)摻雜摩爾濃度;在此基礎(chǔ)上摻雜K+,期望能夠提高GdBO3:Tb3+熒光粉的發(fā)光性能。
1.1 實(shí)驗(yàn)材料
Gd(NO3)3·6H2O(分析純,國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),Tb(NO3)3·6H2O(分析純,南京化學(xué)試劑股份有限公司),H3BO3(分析純,國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)和KNO3(分析純,杭州化學(xué)試劑有限公司)。
1.2 實(shí)驗(yàn)過程
水熱法合成GdBO3:Tb3+熒光粉,根據(jù)發(fā)光性能確定Tb3+最優(yōu)摩爾比,在其基礎(chǔ)上進(jìn)行非稀土金屬離子K+的摻雜,改善GdBO3:Tb3+發(fā)光性能。為了提高實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可對(duì)比性,配制0.1 mol/L的Gd(NO3)3·6H2O、Tb(NO3)3·6H2O、KNO3的水溶液,將配制好的Gd(NO3)3溶液和Tb(NO3)3溶液分別按體積比1∶1、5∶1、10∶1、15∶1、20∶1、25∶1、30∶1、35∶1混合均勻,在混合后的溶液中按一定的化學(xué)計(jì)量比加入H3BO3,使(BO3)3-和總稀土陽離子的摩爾比為1∶1。使用氨水調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH值,使pH值等于9.0,反應(yīng)溶劑為去離子水,反應(yīng)溶液用磁力攪拌器攪拌15 min,使其充分反應(yīng)。將溶液轉(zhuǎn)移到水熱反應(yīng)釜中,用去離子水調(diào)節(jié)填充度為75%,密封,使用上海益豐公司的YFX型馬弗爐,緩慢加熱到200 ℃,保溫12 h,隨爐冷卻。將所得反應(yīng)物進(jìn)行離心、過濾,用上海深信公司DGG型干燥箱80 ℃干燥6 h,得到最終實(shí)驗(yàn)樣品GdBO3:Tb3+熒光粉末,用HORIBA公司Fluoromax-4型熒光光譜儀進(jìn)行發(fā)光強(qiáng)度測(cè)試,確定Tb3+的最佳摻雜濃度。
在Gd3+∶Tb3+最佳摩爾比的混合溶液中加入KNO3的水溶液,使Gd3+∶Tb3+∶K+分別為40∶2∶1、20∶1∶1、20∶1∶2、20∶1∶3、20∶1∶5。然后加入氨水,調(diào)節(jié)pH值為9.0,加入去離子水,用磁力攪拌器攪拌15 min,在有聚四氟乙烯內(nèi)襯的反應(yīng)釜中加入調(diào)節(jié)好的懸濁液,填充度為75%。在200 ℃的馬弗爐中保溫12 h。最后將懸濁液進(jìn)行離心干燥,制備出白色粉末狀熒光粉。
采用ThermoARL公司ARL-XTRA型X射線衍射儀(掃描范圍20~80 °,Cu激發(fā)Kα射線,波長(zhǎng)λ為0.154178 nm)測(cè)試物相結(jié)構(gòu)與結(jié)晶性能。采用HITACHI公司S4800型FE-SEM測(cè)試形貌特征,觀察K+摻雜對(duì)GdBO3:Tb3+熒光粉晶體形貌的影響。使用HORIBA公司Fluoromax-4型PL(激發(fā)波長(zhǎng)λ為376 nm)測(cè)試樣品發(fā)光強(qiáng)度及量子效率。
2.1 XRD分析
GdBO3:Tb3+熒光粉的XRD如圖1所示,可以看出GdBO3:Tb3+熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)不受Gd3+和Tb3+摩爾比例的影響,衍射峰所在的位置相同。所有衍射峰都?xì)w附在GdBO3的六方晶相的特征衍射峰上面(JCPDS NO.13-0483),與標(biāo)準(zhǔn)卡片相吻合,衍射峰尖銳,無多余峰出現(xiàn),表明水熱法制備熒光粉具有良好的結(jié)晶性能,沒有雜質(zhì)生成。當(dāng)Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí),衍射峰半峰寬最窄,峰形最尖銳,Gd3+∶Tb3+為30∶1次之,表明結(jié)晶度的隨著Tb3+摻雜濃度的增加先逐步增大后減小,當(dāng)Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí),結(jié)晶性能最好。
圖1 GdBO3:Tb3+的XRD
在GdBO3∶Tb3+為20∶1時(shí),摻雜K+的GdBO3:Tb3+:K+熒光粉的XRD圖譜如圖2所示,將GdBO3:Tb3+:K+和GdBO3:Tb3+熒光粉的XRD圖譜進(jìn)行比較,沒有多余峰的位置出現(xiàn),兩種熒光粉末的XRD圖譜的衍射峰位置保持不變,推測(cè)為K+摻入濃度不高,因此對(duì)GdBO3:Tb3+熒光粉的結(jié)晶性能影響不大。當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶1時(shí),衍射峰和未摻雜K+時(shí),衍射峰最接近,當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí),XRD衍射峰半峰寬最窄,峰型最尖銳,熒光粉結(jié)晶性能最好。
圖2 GdBO3∶Tb3+∶K+的XRD
說明摻雜助熔劑K+,促進(jìn)GdBO3∶Tb3+晶粒的形核,提高了GdBO3∶Tb3+∶K+熒光粉的結(jié)晶性能。K+離子半徑為0.0133 nm,Gd3+離子半徑為0.0094 nm,在GdBO3∶Tb3+固定晶格中摻雜半徑不同的K+會(huì)引起一定的晶格畸變,促進(jìn)Tb3+躍遷,提高GdBO3:Tb3+:K+發(fā)光性能。
2.2 FE-SEM分析
表面形貌是影響GdBO3:Tb3+熒光粉的發(fā)光性能的重要因素,GdBO3:Tb3+熒光粉FE-SEM如圖3所示,GdBO3:Tb3+熒光粉表面形貌主要為球形顆粒物和短棒狀顆粒物。當(dāng)Gd3+∶Tb3+為1∶1時(shí),為中間鏤空狀的球形顆粒物,球形顆粒物表面覆蓋著密集的細(xì)小薄片顆粒物,當(dāng)Gd3+∶Tb3+為10∶1時(shí),球體顆粒物表面的薄片顆粒物面積增大,當(dāng)Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí),顆粒達(dá)到飽滿,薄片狀顆粒消失,出現(xiàn)短棒狀顆粒物,進(jìn)一步增加Tb3+到Gd3+∶Tb3+為30∶1時(shí),球狀顆粒破裂,出現(xiàn)半球,層片變厚短棒狀顆粒物體積增大。結(jié)合發(fā)光性能可知,飽滿的球狀顆粒物能夠促進(jìn)熒光粉發(fā)光。
圖3 GdBO3∶Tb3+熒光粉的FE-SEM
GdBO3∶Tb3+∶K+熒光粉的FE-SEM如圖4所示,在Gd3+∶Tb3+為20∶1的熒光粉的基礎(chǔ)上添加K+,當(dāng)K+摻雜濃度為Gd3+∶Tb3+∶K+為40∶2∶1時(shí),球形顆粒物變化不明顯。當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶1時(shí),短棒狀顆粒物裂成碎片附著在球形顆粒物上。當(dāng)K+摻雜濃度為Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶2時(shí),球形顆粒物的片層末端變厚,球形顆粒物變得均勻。當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶3時(shí),次級(jí)層片末端變得光滑,層片厚度變寬,間隙增大。當(dāng)K+摻雜濃度為Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí),多個(gè)球形顆粒物纏繞在一起,層片狀顆粒物在三維空間上,不同角度的結(jié)合在一起??芍S著K+的摻雜濃度不斷增加,短棒狀顆粒物先破碎開裂后消失,球狀顆粒物邊緣薄片狀的次級(jí)層片先中間凸起,后整體變寬變厚,后多個(gè)球形顆粒物逐漸纏繞編織在一起。結(jié)合熒光性能可知,球狀形貌相比短棒狀顆粒物有更好的發(fā)光性能,次級(jí)層片間隙越大,越有利于發(fā)光,熒光性能越好。
圖4 GdBO3:Tb3+:K+的FE-SEM
2.3 熒光光譜分析
圖5為摻雜不同摩爾濃度Tb3+的GdBO3:Tb3+熒光粉的熒光發(fā)射光譜圖,GdBO3:Tb3+熒光粉的發(fā)射峰位和Gd3+和Tb3+摩爾比例無關(guān),均位于539.5 nm處,可知為Tb3+的5D4→7F5能級(jí)躍遷。Gd3+和Tb3+摩爾比例對(duì)發(fā)光強(qiáng)度起著決定性作用,不同Tb3+濃度對(duì)GdBO3:Tb3+熒光粉在540 nm處發(fā)光強(qiáng)度的影響如圖6所示,當(dāng)Gd3+∶Tb3+為35∶1時(shí),發(fā)射光譜強(qiáng)度較低,在低濃度Tb3+下,發(fā)光強(qiáng)度隨著Tb3+濃度的增加而增強(qiáng),當(dāng)Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí),發(fā)光強(qiáng)度最強(qiáng),進(jìn)一步增加Tb3+濃度,GdBO3:Tb3+熒光粉出現(xiàn)濃度淬滅[13],發(fā)光強(qiáng)度開始快速下降。當(dāng)Gd3+∶Tb3+為5∶1時(shí),較最高值下降43.9%,當(dāng)Gd3+∶Tb3+為1∶1時(shí),發(fā)光強(qiáng)度最低。
圖5 GdBO3∶Tb3+的熒光光譜
圖6 不同Tb3+濃度對(duì)GdBO3∶Tb3+熒光粉在540 nm處發(fā)光強(qiáng)度的影響
在GdBO3∶Tb3+為20∶1的熒光粉基礎(chǔ)上,摻雜不同摩爾濃度K+離子的GdBO3:Tb3+:K+熒光粉熒光發(fā)射光譜圖如圖7所示,K+摻雜時(shí)發(fā)射峰峰位向右偏移0.5 nm的波長(zhǎng),顯示的仍為Tb3+的特征峰,且在發(fā)射峰的強(qiáng)度上發(fā)生大幅度變化。不同K+濃度對(duì)GdBO3:Tb3+:K+熒光粉在540 nm處發(fā)光強(qiáng)度的影響如圖8所示,當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶2時(shí),發(fā)光強(qiáng)度在540 nm相較于未摻雜時(shí)提高41.0%,繼續(xù)添加K+,發(fā)光強(qiáng)度隨著K+濃度的增加而增加,當(dāng)熒光粉的摩爾比Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí),發(fā)光強(qiáng)度最大,較之前提升78.6%。由上可知,K+的摻雜會(huì)引起GdBO3:Tb3+熒光粉發(fā)射峰位的輕微右移,但對(duì)發(fā)光強(qiáng)度有大幅度的提升,定量分析可知,當(dāng)K+摻雜濃度為Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí)發(fā)光強(qiáng)度較原來提升63.5%。
圖7 GdBO3∶Tb3+∶K+的熒光光譜
圖8 不同K+濃度對(duì)GdBO3∶Tb3+∶K+熒光粉在540 nm處發(fā)光強(qiáng)度的影響
2.4 量子效率分析
熒光粉具有將入射光光子轉(zhuǎn)換到發(fā)射光光子的能力,該能力稱為熒光量子效率,是熒光粉發(fā)光性能的另一個(gè)重要參數(shù),記量子效率為η。
(1)
其中:A、B分別表示空白對(duì)照樣品的銳利散射光譜和發(fā)射光譜的峰面積;C、D分別表示熒光粉樣品的銳利散射光譜和發(fā)射光譜的峰面積。
GdBO3:Tb3+熒光粉的量子效率如圖9所示,當(dāng)激活劑Tb3+濃度的逐步增加時(shí),GdBO3:Tb3+熒光粉的量子效率先增大后減小,與GdBO3:Tb3+熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度呈正相關(guān)。當(dāng)Gd3+∶Tb3+的摩爾比為20∶1時(shí),其量子效率最大。結(jié)合GdBO3:Tb3+熒光粉在Gd3+∶Tb3+的摩爾比為20∶1時(shí)發(fā)光強(qiáng)度最大,得出Gd3+∶Tb3+的最佳摩爾比是20∶1。
圖9 GdBO3:Tb3+熒光粉量子效率
GdBO3:Tb3+:K+熒光粉的量子效率如圖10所示,在K+的摻雜下,GdBO3:Tb3+熒光粉的量子效率得到增強(qiáng),且隨著K+摻雜濃度的增加,GdBO3:Tb3+:K+量子效率不斷增強(qiáng),和GdBO3:Tb3+:K+熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度呈正相關(guān),當(dāng)GdBO3∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí),量子效率最大為42.1%,較未摻雜K+的GdBO3:Tb3+熒光粉的量子效率提升21.8%。結(jié)合發(fā)光強(qiáng)度可知,當(dāng)GdBO3∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí)發(fā)光強(qiáng)度較未摻雜GdBO3:Tb3+熒光粉發(fā)光強(qiáng)度提升63.5%,量子效率提升21.8%。由此可知,Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5是K+最佳摻雜比。
圖10 GdBO3:Tb3+:K+的量子效率
a) 水熱法制備GdBO3:Tb3+熒光粉結(jié)晶性能良好,為六方晶系無雜質(zhì)。
b) K+進(jìn)入GdBO3基質(zhì)晶格時(shí)產(chǎn)生晶格畸變,提高Tb3+的躍遷發(fā)射幾率,GdBO3:Tb3+:K+熒光粉末發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng);K+作為助熔劑,促進(jìn)Tb3+進(jìn)入晶格形成發(fā)光中心,提高GdBO3:Tb3+晶相生成和保持晶格完整性。
c) 當(dāng)Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí)表面形貌為球狀顆粒物和短棒狀顆粒物。K+摻雜后對(duì)其表面形貌有所改善,隨著K+的摻雜短棒狀顆粒物消失,次級(jí)層片由薄片狀增厚,間隙變寬,球形顆粒物和片層逐漸纏繞。
d) 在Gd3+∶Tb3+為20∶1時(shí)摻雜K+,隨著K+的摻雜量增加,GdBO3:Tb3+:K+熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度和量子效率逐步提高,當(dāng)Gd3+∶Tb3+∶K+為20∶1∶5時(shí),發(fā)光強(qiáng)度較摻雜前提高78.6%,量子效率較摻雜前提高21.8%,發(fā)光強(qiáng)度和量子效率均達(dá)到最大值,是K+的最佳摻雜濃度。
[1] 張巍巍,謝平波,張慰平,等.PDP熒光粉GdBO3:Eu格位選擇激發(fā)下的光致發(fā)光及其相變研究[J].無機(jī)材料學(xué)報(bào),2001,16(3):470-474.
[2] LENG Z H, LIU Y L, ZHANG N N, et al. Controlled synthesis and luminescent properties of different morphologies GdBO3:Eu3+phosphors self-assembled of nanoparticles[J]. Colloids and Surfaces A:Physicochemical and Engineering Aspects,2015,472(5):109-116.
[3] LENG Z H, XIONG H L, Li L L, et al. Facile controlled synthesis different morphologies of LuBO3:Ln3+(Ln=Eu, Tb) phosphors and tunable luminescent properties[J]. Journal of Alloys and Compounds,2015,646(15):632-638.
[4] 趙曉霞,王曉君,黃春榮,等.(Y,Gd)BO3:Tb3+的真空紫外及紫外激發(fā)光譜特性[J].發(fā)光學(xué)報(bào),2005,26(4):489-492.
[5] XU H B, ZHUANG W D, WEN X F, et al. Effect of Li+ions doping on structure and luminescence of (Y, Gd)BO3:Tb3+[J]. Journal of Rare Earth,2010,28(5):173-176.
[6] 張雪,鄭賢火,廖世才,等.K+摻雜對(duì)YBO3:Eu3+粉末發(fā)光性能的影響[J].浙江理工大學(xué)學(xué)報(bào),2015,33(4):481-485.
[7] 李云青.稀土離子摻雜CaWO4熒光粉的近紅外量子剪裁研究[D].太原:太原理工大學(xué),2015:13-29.
[8] BOYER D, BERTRAND-CHADYRON G, MAHIOU R, et al. synthesis dependent luminescence efficiency in Eu3+doped poly-crystalline YBO3[J]. Journal of Materials Chemistry,1999,9(1):211-214.
[9] 鄧超,林利添,湯利,等.Al3+摻雜ScVO4:Eu3+,Bi3+熒光粉的制備及發(fā)光性質(zhì)[J].發(fā)光學(xué)報(bào),2015.33(11):1246-1251.
[10] 劉冰潔,顧牡,劉小林,等.Li+,Zn2+共摻雜對(duì)Gd2O3:Eu3+納米粉結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響[J].中國(guó)稀土學(xué)報(bào),2007,25(2):162-166.
[11] 史凌云,廖娜,賈紅,等.電化學(xué)沉積法制備稀土摻雜氧化釔熒光薄膜的發(fā)光性能[J].浙江理工大學(xué)學(xué)報(bào),2011,28(4):563-566.
[12] REN M, LIN J H, DONG Y, et al. Structure and phase transition of GdBO3[J] Chemisty of Materials,1999,11(6):1576-1580.
[13] JONES S L, KUMAR D, SINGH R K, et al. Luminescence of pulsed laser deposited Eu doped yttrium oxide films[J]. Applied Physics Letters,1997,71(3):404-406.
(責(zé)任編輯: 唐志榮)
Effect of K+Doping on Luminescent Property of GdBO3:Tb3+Powder
MAFeifan,ZHENGXianhuo,LIAOShicai,WANGLongcheng
(College of Materials and texties, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China)
GdBO3:Tb3+phosphors were prepared by hydrothermal method. The sample with the optimal luminescence property was obtained. When Tb3+reached the optimal concentration, K+with different concentration was doped to regulate luminescent property of GdBO3:Tb3+phosphors. Besides, emission intensity, quantum efficiency, phase structure and microstructure of the phosphors were studied by photoluminescence (PL), x-ray diffractometer (XRD), and thermal field emission scanning electron microscope (FE-SEM). The results indicate that GdBO3:Tb3+phosphors show hexagonal structure. Surface morphology of GdBO3:Tb3+phosphors could be improved by K+doping. The best doping ratio of Gd3+∶Tb3+∶K+is 20∶1∶5. The luminescent intensity can increase by 78.6%, and the quantum efficiency can increase by 21.8%.
K+; GdBO3:Tb3+; phosphor; hydrothermal method; luminescent property
10.3969/j.issn.1673-3851.2017.07.007
2016-11-22 網(wǎng)絡(luò)出版日期: 2017-03-28
馬非凡(1991-),男,河南輝縣人,碩士研究生,主要從事稀土發(fā)光材料方面的研究。
王龍成,E-mail:wlongcheng@zstu.edu.cn
O611.4
A
1673- 3851 (2017) 04- 0506- 06