蘇義軍，鄭玉嬰

(福州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，福州 350108)

0 前言

TPU是由二異氰酸酯、多元醇及短鏈二元醇組成的一種加熱可塑化、溶劑可溶解的(AB)n型嵌段共聚物[1-2]。TPU具有廣泛的用途，主要用于汽車、建筑、電子、鞋材等方面[3]。近些年來(lái)，人們逐漸將目光投向了TPU封裝材料、儲(chǔ)油袋、涉水類產(chǎn)品、抗靜電薄膜等高附加值領(lǐng)域。由于氧氣以及一些氣體小分子可以從TPU薄膜中滲透過(guò)去，從而影響TPU的阻隔性能。此外，TPU作為傳統(tǒng)高分子絕緣材料，在使用過(guò)程中應(yīng)特別注意，否則TPU容易累積靜電從而導(dǎo)致一些不良的危害[4]。石墨烯是一種呈蜂巢晶格的二維平面納米碳材料，碳原子均以sp2雜化軌道形成[5]，擁有理想的導(dǎo)電性能，優(yōu)異的抗?jié)B透性、光學(xué)磁學(xué)特性，高的拉伸強(qiáng)度和耐疲勞等優(yōu)異的物理性能[6-7]。PPDA具有苯環(huán)和醌型交替的階梯結(jié)構(gòu)[8]728，導(dǎo)電率較低，約為6×10-6S/cm，由于PPDA自身的特點(diǎn)，單獨(dú)添加到聚合物基體中，無(wú)法獲得綜合性能理想的復(fù)合材料，采用石墨烯摻雜PPDA可顯著提高聚合物的導(dǎo)電率[9-10]。

本文通過(guò)Hummers法制備出GO，并在其表面原位聚合對(duì)苯二胺，經(jīng)還原得到RGO-PPDA復(fù)合體，研究了納米復(fù)合體在DMF中的分散性以及TPU復(fù)合薄膜中的分散情況，并在此基礎(chǔ)上研究了不同含量的RGO-PPDA對(duì)TPU薄膜阻隔以及抗靜電性能的影響。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 主要原料

TPU， 88T90，拜耳材料科技公司；

高純鱗片石墨，分析純，純度為99.995 %，上海晶純?cè)噭┯邢薰荆?/p>

對(duì)苯二胺，分析純，阿拉丁試劑有限公司；

過(guò)硫酸銨(APS)、水合肼(80 %)、DMF，分析純，國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

1.2 主要設(shè)備及儀器

低溫恒溫反應(yīng)浴，DZJ5/25，鞏義予華儀器有限公司;

冷凍干燥箱，LGJ-10C，北京四環(huán)儀器有限公司;

干燥機(jī)，DGG-9036A，上海左科儀器設(shè)備有限公司;

涂膜機(jī)，1132N，上海亞培實(shí)業(yè)有限公司;

傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR)，Nicolet 5700，美國(guó)Thermo公司;

X射線衍射儀(XRD)，Ultima III，日本理學(xué)公司;

場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)，Nova Nano SEM 230，美國(guó)FEI公司;

X射線光電子能譜儀(XPS)， Escalab 250，美國(guó)Thermo Scientific公司;

高分辨透射電子顯微鏡(TEM)，JEM-2100，日本電子株式會(huì)社;

冷凍超薄切片機(jī)，Leica EM UC7，德國(guó)萊卡公司;

氧氣透過(guò)率測(cè)試儀， BSG-11，廣州西唐機(jī)電科技有限公司;

數(shù)字高阻計(jì)，PC 68，上海雙旭電子有限公司。

1.3 樣品制備

GO的制備：首先在低溫水浴鍋中將 15 mL濃磷酸注入規(guī)格為250 mL帶磁子的圓底燒瓶中，隨后將135 mL濃硫酸緩緩倒入上述圓底燒瓶中，調(diào)節(jié)水浴溫度為4 ℃，并加入1 g鱗片石墨，磁力攪拌10 min；接著將6 g KMnO4緩慢加入混酸液中(嚴(yán)格控制加料速度，約1 g/h)，接著將體系移到50 ℃油浴鍋中，機(jī)械攪拌10 h，形成糊狀物，冷卻至室溫后稀釋至1 000 mL，滴加30 %的H2O2，至金黃無(wú)氣泡；接著用5 %的HCl抽濾洗滌至中性為止；最后將得到的沉淀物在冷凍干燥機(jī)中干燥得到GO粉末；

GO-PPDA的制備：稱取100 mg GO、1.08 g PDA超聲分散于盛有75 mL、1 mol/L HCl溶液的圓底燒瓶中，隨后將上述裝置放入0 ℃的冰浴中磁性攪拌；稱取1.53 g過(guò)硫酸銨溶解在25 mL、1 mol/L的HCl溶液，放入冰浴中冷卻5 min后倒入分液漏斗中，嚴(yán)格控制滴加速度，約1 滴/s，確保在30～40 min內(nèi)滴完，溶液由黑褐色變?yōu)榱梁稚?，低溫聚合反?yīng)24 h，然后靜置2 h，用去離子水和無(wú)水乙醇洗滌至無(wú)色，凍干后得到GO-PPDA粉末；

RGO-PPDA的制備：將100 mg GO-PPDA溶于100 mL去離子水中，接著用100 W超聲處理60 min后得到均勻分散液，然后加入0.2 mL水合肼，90 ℃下還原3 h，最后用去離子水和無(wú)水乙醇對(duì)形成的黑色糊狀產(chǎn)物洗滌若干次，確保未反應(yīng)完全的水合肼被完全除去，凍干后得到RGO-PPDA粉末；

TPU/GO-PPDA與TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜的制備：取7.5 g充分干燥的TPU顆粒在30 mL的DMF中70 ℃下溶脹20 h，得到黏稠狀的TPU溶液，稱取0.015 g GO-PPDA粉末超聲分散于10 mL DMF，并與溶脹的TPU混合，機(jī)械攪拌6 h，再用超聲處理混合物60 min，確保除去混合物中的氣泡；接著用涂膜機(jī)涂出厚度約為80 μm的薄膜，最后將薄膜置于干燥箱中，65 ℃下干燥24 h，溶劑充分揮發(fā)后得到GO-PPOA含量為0.2 %的TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜；采用上述相同方法依次制備GO-PPDA含量為0.5 %、0.8 %、1.0 % 以及RGO-PPDA含量為0.2 %、0.5 %、0.8 %、1.0 %的TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜；此外為排除無(wú)關(guān)因素對(duì)實(shí)驗(yàn)的干擾，本實(shí)驗(yàn)依據(jù)相同方法制備獲得純TPU薄膜作為對(duì)照試驗(yàn)，確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果能準(zhǔn)確反映RGO-PPDA對(duì)TPU阻隔和導(dǎo)電性能的影響。

1.4 性能測(cè)試與結(jié)構(gòu)表征

FTIR分析：粉末狀固體試樣與溴化鉀按1∶100的質(zhì)量比均勻混合，研碎、干燥、壓片；掃描范圍為4 000～400 cm-1，分辨率為1 cm-1；

XRD分析：陽(yáng)極銅靶Kα射線，工作電壓為40 kV，電流為40 mA，掃描速率為4 ° /min，掃描范圍為5 °～40 °；

SEM分析：取極少量的待測(cè)填料粉末超聲分散在乙醇中，滴在洗凈的硅片上，噴金處理后，采用SEM對(duì)納米填料進(jìn)行觀察并拍照；

TEM測(cè)試：將微量待測(cè)填料粉體超聲分散在無(wú)水乙醇中，然后滴一滴于碳支持膜上，采用TEM觀察填料的形貌；

XPS分析：將完全干燥后的納米粉末制樣，采用XPS對(duì)試樣進(jìn)行分析，Al/Mg 雙陽(yáng)極靶，能量分辨率為0.6 eV，空間分辨率 < 3 μm，元素檢測(cè)限為 0.1 at %;

復(fù)合材料表面形貌分析：采用TEM對(duì)TPU復(fù)合材料薄膜的表面形貌進(jìn)行表征，TPU復(fù)合材料薄膜經(jīng)冷凍超薄切片機(jī)超薄切片后觀察填料的分散狀態(tài)，超薄切片的厚度為50 nm左右；

氧氣透過(guò)率按GB/T 1038—2000測(cè)試，采用壓差法使用氧氣透過(guò)儀對(duì)面積為50 cm2的薄膜圓片試樣進(jìn)行氧氣透過(guò)率測(cè)試，測(cè)試精度為0.001 cm3/m2·d·Pa，真空度<10 Pa，利用半導(dǎo)體雙向高效控溫的方式對(duì)每個(gè)樣品進(jìn)行3次循環(huán)連續(xù)的測(cè)試，最終取3次測(cè)試的平均值作為實(shí)驗(yàn)結(jié)果；

體積電阻率(ρv)測(cè)試：采用數(shù)字高阻計(jì)對(duì)面積為50 cm2的薄膜圓片試樣進(jìn)行ρv測(cè)試，按GB/T 15738—2008標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，每個(gè)樣品測(cè)試3次，最終取3次測(cè)試的平均值作為實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

2 結(jié)果與討論

2.1 FTIR與分散性分析

圖2為GO、GO-PPDA和RGO-PPDA在DMF溶液濃度為1 mg/mL、超聲 1 h 并靜置30 d后的穩(wěn)定性對(duì)比圖，從圖2(a)中觀察到，經(jīng)過(guò)30 d的靜置后，GO沉積在DMF底部，雖然GO表面存在大量的含氧基團(tuán)，親油性得到一定改善，短時(shí)間在DMF中分散良好，但是GO上大量的羥基和羧基等含氧官能團(tuán)之間極易互相纏繞交織在一起，形成氫鍵，導(dǎo)致其在有機(jī)溶劑中無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定均勻分散；從圖2(b)可以看出，改性后GO-PPDA的親油能力得到明顯提高，在DMF中實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)久的均一穩(wěn)定分散[11]；從圖2(c)可以看出，經(jīng)水合肼還原后RGO-PPDA在DMF中的分散性同樣良好。

1—GO 2—GO-PPDA 3-RGO-PPDA圖1 GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的FTIR譜圖Fig.1 FTIR spectra of GO,GO-PPDA and RGO-PPDA

(a)GO (b)GO-PPDA (c)RGO-PPDA圖2 GO、GO-PPDA和RGO-PPDA在DMF中的分散穩(wěn)定性對(duì)比圖 Fig.2 GO, GO-PPDA and RGO-PPDA dispersions in DMF

2.2 XRD分析

1—鱗片石墨 2—GO 3—GO-PPDA 4—RGO-PPDA圖3 鱗片石墨、GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的XRD譜圖Fig.3 XRD patterns of flake graphite, GO, GO-PPDA and RGO-PPDA

圖3為鱗片石墨、GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的XRD譜圖?？梢悦黠@看出一個(gè)高強(qiáng)且尖銳的衍射峰出現(xiàn)在鱗片石墨約2θ=26.49 °的位置，說(shuō)明其具有很強(qiáng)的結(jié)晶能力，最后依據(jù)布拉格方程(2dsinθ=nλ)求出鱗片石墨的層間距為0.335 nm。從圖3可以看出，經(jīng)氧化處理后所得GO衍射峰位置發(fā)生改變，在波長(zhǎng)為26.62 °位置的強(qiáng)衍射峰消失不見(jiàn)，新的衍射峰出現(xiàn)在波長(zhǎng)為2θ=8.49 °的位置，GO的層間距也擴(kuò)大到1.041 nm。這一結(jié)果說(shuō)明鱗片石墨被氧化處理后，破壞了其原有的規(guī)整結(jié)晶結(jié)構(gòu)，此外，氧化處理后，羥基、羰基等基團(tuán)被引入石墨中，擴(kuò)大了其層間距。在GO上原位聚合生長(zhǎng)PPDA后，GO表面原有的衍射峰得到保

留，此外，15 °～30 °出現(xiàn)了PPDA所對(duì)應(yīng)的的寬化衍射吸收峰。通過(guò)水合肼還原后獲得的GO-PPDA復(fù)合體，在原2θ=8.49 °處的特征衍射峰消失，還原程度較徹底，僅剩下PPDA在15 °～30 °的寬峰，這一結(jié)果說(shuō)明通過(guò)水合肼的還原處理，使得大多數(shù)含氧基團(tuán)脫落，層間距縮小，有序程度提高[12]。

2.3 SEM分析

圖4為GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的SEM照片。從圖4(b)中可明顯看出，PPDA較為均勻地分散附著在GO表面，表明對(duì)苯二胺單體在GO表面成功地實(shí)現(xiàn)了原位聚合。GO與PPDA之間存在著強(qiáng)有力的π-π鍵作用，促使PPDA可有效牢固地附著在GO上，而因?yàn)镻PDA具有優(yōu)異的親油性能，其可與DMF溶液形成分子間氫鍵，進(jìn)而大大增加了GO-PPDA復(fù)合體在DMF中的分散穩(wěn)定性，為之后RGO-PPDA在TPU基體中實(shí)現(xiàn)良好的分散奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。從圖4(c)可以看出，對(duì)GO-PPDA復(fù)合體采取的還原處理，將GO還原成RGO，并不影響PPDA在RGO表面的均勻穩(wěn)定分布。

樣品,放大倍率:(a)GO,×10 000 (b)GO-PPDA,×10 000 (c)RGO-PPDA,×10 000圖4 GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的SEM照片F(xiàn)ig.4 SEM of GO, GO-PPDA and RGO-PPDA

2.4 TEM分析

圖5為RGO-PPDA的TEM照片。通過(guò)TEM照片，有力佐證了對(duì)GO-PPDA復(fù)合體采取的還原處理，將GO還原成RGO，并不影響PPDA在RGO表面的均勻穩(wěn)定分布。PPDA牢牢附著在RGO上有效地改善了所得納米復(fù)合體的親油性，促使其能夠在DMF溶液中實(shí)現(xiàn)均勻穩(wěn)定分散。成功合成了在DMF中高分散性的RGO-PPDA納米粉末，為制備具有優(yōu)異阻隔性、導(dǎo)電性的TPU復(fù)合薄膜提供了可能。

2.5 XPS分析

圖5 RGO-PPDA的TEM照片F(xiàn)ig.5 TEM of RGO-PPDA

(a)GO (b)GO-PPDA (c)RGO-PPDA圖6 GO、GO-PPDA和RGO-PPDA的XPS譜圖Fig.6 XPS of GO, GO-PPDA and RGO-PPDA

RGO-PPDA含量/%:(a) 0.8 (b)1圖7 TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜表面的TEM照片 Fig.7 TEM surface images of TPU/RGO-PPDA composite films

2.6 復(fù)合薄膜的表面形貌分析

圖7(a)為添加0.8 % RGO-PPDA的TPU復(fù)合薄膜經(jīng)超薄切片表面的TEM照片，可以看出，RGO-PPDA復(fù)合體均勻的分散在TPU基體中，相容性很好，沒(méi)有出現(xiàn)兩相分離和團(tuán)聚的情況。這是因?yàn)镽GO表面附著的PPDA的胺基與TPU的酰胺鍵之間存在氫鍵使二者緊密結(jié)合在一起，所以RGO-PPDA復(fù)合體在TPU基體中能實(shí)現(xiàn)均一穩(wěn)定地分散，顯著改善了無(wú)機(jī)填料與聚合物基體間的相容性，石墨烯片層與片層邊緣的相互搭接以及片層邊緣由于聚苯胺的相互吸引促進(jìn)搭接效率，搭接成聚苯胺石墨烯納米材料的三維立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，這為提高復(fù)合材料的綜合性能提供了保障。當(dāng)RGO-PPDA含量為1 %時(shí)，如圖7(b)所示，大部分RGO-PPDA均勻分散在TPU基體中，少量RGO-PPDA團(tuán)聚部分與TPU基體中有明顯的相界面，RGO-PPDA在TPU中開(kāi)始出現(xiàn)團(tuán)聚，與TPU出現(xiàn)了相分離。由于1 % RGO-PPDA 在DMF溶液中已經(jīng)過(guò)飽和，開(kāi)始出現(xiàn)了微量的沉淀，最終影響到了在TPU復(fù)合薄膜中的分散性和相容性，所以RGO-PPDA在TPU復(fù)合薄膜中的添加量超過(guò)0.8 %時(shí)，勢(shì)必會(huì)對(duì)TPU薄膜性能造成不利影響。

2.7 復(fù)合薄膜的阻隔性能分析

圖8為不同添加量下所得TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜和TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜的氧氣透過(guò)率曲線。由圖8可得，當(dāng)RGO-PPDA含量為0.8 %時(shí)，對(duì)應(yīng)復(fù)合薄膜的氧氣透過(guò)率分別達(dá)到最低值113.492 cm3/(m2·d·Pa)，相比純TPU薄膜的462.238 cm3/(m2·d·Pa)下降了73.28 %，阻隔性能均得到顯著改善。同時(shí)，從圖8也可發(fā)現(xiàn)，在質(zhì)量分?jǐn)?shù)相同時(shí)，TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜比TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜的氧氣透過(guò)率更低，阻隔性能更為優(yōu)異，RGO中碳碳雙鍵得到恢復(fù)，結(jié)構(gòu)更加完整，進(jìn)而表現(xiàn)出更優(yōu)異的阻隔性。

TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜阻隔性能的明顯提升，歸因于RGO具有特殊的片層結(jié)構(gòu)和優(yōu)良的不滲透性等特點(diǎn)，所以能夠提高TPU膜材的阻隔性能；經(jīng)原位聚合生長(zhǎng)的PPDA牢牢附著在RGO表面，制備獲得的RGO-PPDA復(fù)合體能夠在有機(jī)溶劑DMF中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定均一的分散，這對(duì)RGO-PPDA在TPU基體中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的分散提供了保障；RGO表面附著的PPDA的胺基與TPU的酰胺鍵之間存在氫鍵使二者緊密結(jié)合在一起，GO-PPDA復(fù)合體在TPU基體中實(shí)現(xiàn)了均一穩(wěn)定的分散，降低了氣體在聚合物中的滲透能力[14]。但在RGO-PPDA的含量高于0.8 %時(shí)，此時(shí)RGO-PPDA過(guò)于飽和，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)將會(huì)開(kāi)始有微量的RGO-PPDA團(tuán)聚，如果繼續(xù)增大TPU基體中RGO-PPDA的含量，則會(huì)使TPU基體中的RGO-PPDA發(fā)生部分團(tuán)聚，使最終得到的TPU薄膜的阻隔性能降低[15]。

1—TPU/GO-PPDA 2—TPU/RGO-PPDA圖8 添加量對(duì)TPU/GO-PPDA(TPU/RGO-PPDA)復(fù)合薄膜氧氣透過(guò)率的影響Fig.8 Oxygen transmission rate of the TPU composite films with different content of GO-PPDA or RGO-PPDA

2.8 復(fù)合薄膜的導(dǎo)電性能分析

圖9為室溫下不同含量下所得TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜和TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜的ρv變化曲線。由圖9可知，隨著RGO-PPDA含量的增加，復(fù)合薄膜的ρv明顯降低，當(dāng)其含量達(dá)到0.8 %時(shí)，復(fù)合薄膜的lg(ρv)為4.8，與純TPU薄膜(12.6)相比下降明顯，減小了8個(gè)數(shù)量級(jí)，若往聚合物薄膜中繼續(xù)添加RGO-PPDA，發(fā)現(xiàn)復(fù)合薄膜的ρv變化幅度不大，據(jù)此可推測(cè)其導(dǎo)電逾滲值處于0.5 %～0.8 %的范圍，此時(shí)在復(fù)合體系中已基本形成了連續(xù)的導(dǎo)電通路或網(wǎng)絡(luò)[16]，所得復(fù)合薄膜呈現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性能，比單獨(dú)添加0.8 % GO的復(fù)合薄膜其ρv下降了4個(gè)數(shù)量級(jí)，且在含量相同時(shí)，TPU/RGO-PPDA薄膜比TPU/GO-PPDA薄膜的ρv約降低了1個(gè)數(shù)量級(jí)。

依據(jù)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)原理，導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)形成的基礎(chǔ)是導(dǎo)電微粒通過(guò)直接接觸或微粒之間距離極小，可是由于GO的分散性很差，在DMF中易團(tuán)聚，具有平滑的表面，其利用率不高，所以低質(zhì)量分?jǐn)?shù)的GO無(wú)法在TPU基體中有效搭接成橋，導(dǎo)致復(fù)合薄膜的ρv變化不大。當(dāng)復(fù)合薄膜中RGO-PPDA的含量小于導(dǎo)電渝滲值時(shí)，此時(shí)由于TPU基體中的RGO-PPDA含量較少，分子間隙大，因此在基體中呈現(xiàn)稀疏分布。此外，由于RGO-PPDA含量較少，致使RGO-PPDA片層間無(wú)法構(gòu)建完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，在基體中也不能形成完整的導(dǎo)電通道，故復(fù)合薄膜的ρv沒(méi)有明顯的變化；進(jìn)一步增加RGO-PPDA的含量至與導(dǎo)電渝滲值相同，在TPU里RGO-PPDA之間的間隔變小，RGO片層邊緣直接搭接，更好地形成了RGO-PPDA網(wǎng)絡(luò)，完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)通道已構(gòu)建完成，致使復(fù)合薄膜的ρv呈直線下降的趨勢(shì)；若此時(shí)繼續(xù)增加RGO-PPDA的含量，完整的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)通道已經(jīng)構(gòu)建完成，因此復(fù)合薄膜的ρv值不會(huì)出現(xiàn)明顯的變化。此外PPDA具有苯環(huán)和醌型交替的階梯結(jié)構(gòu)，其自身可呈現(xiàn)出一定的導(dǎo)電性，當(dāng)與RGO摻雜時(shí)，二者間可產(chǎn)生協(xié)同作用，進(jìn)而可顯著改善所得復(fù)合薄膜的導(dǎo)電性能。經(jīng)還原所得RGO-PPDA，其sp3雜化被還原為sp2雜化，碳碳雙鍵得到恢復(fù)，使得TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜比TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜呈現(xiàn)出了更為優(yōu)異的抗靜電性能。

1—GO-PPDA 2—RGO-PPDA圖9 添加量對(duì)TPU/GO-PPDA(TPU/RGO-PPDA)復(fù)合薄膜ρv的影響Fig.9 ρv of the TPU composite films with different content of GO-PPDA or RGO-PPDA

3 結(jié)論

(1) GO在DMF中的分散性不佳，通過(guò)在GO上原位聚合生長(zhǎng)PPDA，顯著改善了其親油性，實(shí)現(xiàn)了在DMF中的均勻分散，經(jīng)水合肼還原后所得RGO-PPDA也呈現(xiàn)出優(yōu)良的分散效果，進(jìn)而為所得復(fù)合薄膜優(yōu)異的綜合性能提供了可能與依據(jù)；

(2)當(dāng)RGO-PPDA的含量為0.8 %時(shí)，所得復(fù)合薄膜的氧氣透過(guò)率達(dá)到最低值113.492 cm3/(m2·d·Pa)，相比純TPU薄膜降低了73.28 %，阻隔性能均得到明顯改善；

(3)隨著RGO-PPDA含量的增加，所得復(fù)合薄膜的ρv出現(xiàn)明顯的下降，當(dāng)基體中RGO-PPDA的含量達(dá)到0.8 %時(shí)，此時(shí)復(fù)合薄膜的lgρv值與純TPU薄膜相比下降明顯，減小至4.8，降低了8個(gè)數(shù)量級(jí)；

(4)在相同含量的情況下，還原后所得TPU/RGO-PPDA復(fù)合薄膜，比TPU/GO-PPDA復(fù)合薄膜具有更優(yōu)異的阻隔和抗靜電性能。