林續(xù)
產(chǎn)業(yè)政策利好資本市場加持,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在二級市場穩(wěn)中求進(jìn),自2020年年初至今,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指數(shù)已由3770.2點大漲至5699.54點,漲幅高達(dá)51.17%。新潔能作為這一賽道中的細(xì)分領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè),公司MOSFET、IGBT等產(chǎn)品體系豐富,未來國產(chǎn)替代空間廣闊。公司于2020年9月28日正式登陸上交所掛牌與投資者見面,借助資本市場的力量,乘著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的東風(fēng),新潔能將迎來利潤的持續(xù)釋放期。
目前A股已經(jīng)集齊了從芯片設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備、材料等領(lǐng)域的半導(dǎo)體上市公司,作為未來十年確定性最強(qiáng)的投資機(jī)遇,巨大的進(jìn)口替代市場、國家的信息安全成為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要邏輯。此外,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場景氣度較高,據(jù)WIND數(shù)據(jù)顯示,截至9月25日A股收盤,申萬二級半導(dǎo)體指數(shù)近20日主力凈流入額高達(dá)75.93億元,位居申萬二級行業(yè)第二。
新潔能是一家在江蘇無錫成長起來的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計領(lǐng)軍企業(yè),公司專業(yè)從事MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售,且MOSFET、IGBT等產(chǎn)品逐步實現(xiàn)進(jìn)口替代。公司發(fā)行價格為19.91元/股,市盈率為22.99倍,同行業(yè)可比上市公司中,揚(yáng)杰科技目前動態(tài)市盈率為72.3倍,韋爾股份為117倍,富滿電子則高達(dá)160倍,可以看到,新潔能目前估值相較于可比公司遠(yuǎn)遠(yuǎn)處于低點,上市后有望迎來價值回歸。
值得關(guān)注的是,公司在上市前即獲得達(dá)晨創(chuàng)投、上海貝嶺、金浦新投、祥禾涌安、武岳峰等明星投資機(jī)構(gòu)加碼布局。據(jù)公司股權(quán)結(jié)構(gòu)資料顯示,公司第二位至第七位股東分別為達(dá)晨創(chuàng)投、上海貝嶺、國聯(lián)創(chuàng)投、金浦新投、金投控股、君熠投資。其中,上海貝嶺于2015年11月成為公司股東,達(dá)晨創(chuàng)投、金浦新投也均于2017年上半年成為公司股東,目前上述股東仍在公司股東名列,側(cè)面反映了明星機(jī)構(gòu)對公司內(nèi)在價值的認(rèn)可,這也留給二級市場一定的想象空間。
公司具備獨(dú)立的MOSFET和IGBT芯片設(shè)計能力和自主的工藝技術(shù)平臺,是國內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù),并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)之一。同時,為持續(xù)鞏固并提升公司在市場中的技術(shù)競爭優(yōu)勢,近幾年公司持續(xù)加大研發(fā)投入,數(shù)據(jù)顯示,2017年—2019年,公司研發(fā)費(fèi)用分別為2162.27萬元、3283.88萬元、3449.53萬元,年均復(fù)合增長率為26.31%。
經(jīng)過多年的經(jīng)驗積累,目前公司已形成了11項核心技術(shù)且均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。與此同時,公司亦率先在國內(nèi)研發(fā)基于12英寸晶圓片工藝平臺的MOSFET產(chǎn)品,且部分產(chǎn)品已經(jīng)處于小批量風(fēng)險試產(chǎn)環(huán)節(jié)。此外,公司提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域,開展對SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索及產(chǎn)業(yè)化。
目前公司主要產(chǎn)品包括MOSFET及IGBT,兩者已成為最主流的功率器件之一。與此同時,伴隨下游需求增長的供不應(yīng)求,目前功率器件應(yīng)用范圍已經(jīng)逐步拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領(lǐng)域,可以說未來凡是用到電的地方,就會用到功率器件。據(jù)Gartner統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,汽車行業(yè)越來越成為下游主要需求方,而功率半導(dǎo)體尤其是MOSFET及IGBT,是汽車電子的核心,根據(jù)Strategy Analytics的分析,在傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)車上,功率半導(dǎo)體價值為71美元,而在純電動車上,功率半導(dǎo)體價值為387美元。此外,5G通訊建設(shè)和設(shè)備升級、智能家居逐步普及、制造業(yè)升級及工業(yè)自動化也將促進(jìn)大量功率半導(dǎo)體需求的釋放。由此可見,受益于下游行業(yè)蓬勃發(fā)展帶來的旺盛需求,公司MOSFET與IGBT模塊有望成為未來增長最強(qiáng)勁的產(chǎn)品。
公司擬將此次募集資金全部用于超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化、半導(dǎo)體功率器件封裝測試生產(chǎn)線建設(shè)、碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、研發(fā)中心建設(shè)及補(bǔ)充流動資金。
上述項目落地投產(chǎn)后,公司將實現(xiàn)對封裝環(huán)節(jié)質(zhì)量的自主把控,確保產(chǎn)品的可靠性和一致性,同時實現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級,從而打破國際半導(dǎo)體企業(yè)在高端應(yīng)用領(lǐng)域的壟斷地位,打造中國制造高端品牌。未來公司將借助資本市場力量,持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈,掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件,力爭發(fā)展成為國際一流的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。