關(guān)亞男，趙鶴然，馬仲麗

（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110000）

1 引 言

進入21 世紀，隨著人類向太空領(lǐng)域的不斷探索，載人航天、深空探測等重大航天活動的蓬勃開展?fàn)恳詈礁呖萍技夹g(shù)跨越式的進步。我國僅“十三五”期間就計劃在實施的載人航天、控月工程、深空探測、北斗導(dǎo)航、通信遙感等領(lǐng)域內(nèi)研制、發(fā)射數(shù)百顆各類航天器。相比于地面應(yīng)用，空間環(huán)境更加復(fù)雜和惡劣[1-3]。宇航器件具有不可維修性，器件本身的可靠性成為影響航天器使用壽命的關(guān)鍵因素[4-5]。在此背景下，對集成電路的可靠性要求越來越高，為保證集成電路的質(zhì)量可靠性，篩選和一致性質(zhì)量檢驗必不可少，但這些只是檢驗監(jiān)測手段，可靠性設(shè)計和封裝過程控制才是制備高可靠性集成電路的關(guān)鍵[6-8]。在此，以某款典型的集成電路產(chǎn)品為研究對象，針對在封裝過程中出現(xiàn)的問題，找到解決方法，在過程中探索如何對其進行質(zhì)量控制，進而實現(xiàn)產(chǎn)品的高可靠性。

2 半導(dǎo)體集成電路質(zhì)量等級

根據(jù)GJB597B-2012，質(zhì)量保證等級分為S 級、BG 級和B 級。S 級是最高質(zhì)量等級，供宇航用；BG級介于S 級和B 級間；B 級為標(biāo)準(zhǔn)軍用質(zhì)量保證等級。各質(zhì)量等級的篩選要求如表1 所示。

表1 篩選要求

從表中可以看出，電路質(zhì)量等級從B 級提升到更高的質(zhì)量等級需要滿足的篩選要求有：100%的非破壞性鍵合拉力、粒子碰撞噪聲檢測、反偏老煉及X射線照相。直接和封裝相關(guān)的篩選要求有：100%的非破壞性鍵合拉力、內(nèi)部目檢（密封前）、粒子碰撞噪聲檢測、密封（細檢和粗檢）以及X 射線照相。

3 封裝過程質(zhì)量控制

集成電路的封裝過程并不復(fù)雜，生產(chǎn)環(huán)境控制、工藝過程的操作控制和工序質(zhì)量檢驗都是封裝過程中質(zhì)量控制必不可少的環(huán)節(jié)。在保證生產(chǎn)環(huán)境控制要求的基礎(chǔ)上，以下結(jié)合表1 中和封裝相關(guān)的篩選要求，有針對性地逐工序介紹封裝過程中的工藝過程控制和質(zhì)量控制方法。

3.1 封裝工藝的選擇

集成電路封裝流程如下：

劃片→粘片→鍵合→密封

其中，可供選用的粘片工藝包括金硅合金粘片、真空燒結(jié)粘片以及導(dǎo)熱膠粘片等；鍵合工藝包括金絲鍵合、鋁硅絲鍵合、粗鋁絲鍵合等；密封工藝包括低溫?zé)Y(jié)封蓋、平行縫焊封蓋、儲能焊封蓋等。這些封裝工藝都可以很好滿足普通質(zhì)量等級的要求。

封裝過程中涉及的原材料包括管殼（蓋板）、粘片用的粘接材料、鍵合用金屬絲等。在封裝工藝中應(yīng)盡可能選用非禁用限用的材料，以保證產(chǎn)品可靠性。

此處采用某款實際科研中用到的集成電路為例（后文中提到的對電路的要求，均是以該款電路為例）。封裝工藝優(yōu)先選擇金屬焊接材料（鉛銦銀合金焊片）的真空燒結(jié)工藝、鋁硅絲鍵合、低溫?zé)Y(jié)封蓋。

選擇金屬焊接材料是因為該種金屬焊片焊接后無揮發(fā)性殘留物質(zhì)，可以很好地控制封裝腔體內(nèi)的氣氛；選擇真空燒結(jié)工藝，可避免工藝過程中產(chǎn)生可移動的多余粒子，提高粒子碰撞噪聲檢測合格率；選擇鋁硅絲鍵合工藝，可以有效避免金鋁效應(yīng)，提高鍵合的可靠性；鍵合后施加100%非破壞性鍵合拉力，可以有效剔除鍵合質(zhì)量不合格的半成品。

該款集成電路選用的是陶瓷管殼、金屬蓋板（帶焊料環(huán)），更適合用低溫?zé)Y(jié)封蓋以保證集成電路的氣密性封裝，故此選擇低溫?zé)Y(jié)封蓋。在封裝開始前對管殼蓋板進行高溫處理，以保證封裝腔體內(nèi)的氣氛不受到水汽、氫氣等其他氣氛的影響。在封裝過程中逐工序?qū)Ψ庋b腔體內(nèi)的氣氛進行控制，以滿足更高質(zhì)量等級的集成電路對封裝腔體內(nèi)氣氛的要求。

在每道封裝工序后都有嚴格的檢驗要求，檢驗標(biāo)準(zhǔn)按照GJB548 中相關(guān)條款要求執(zhí)行。

3.2 各封裝工序的質(zhì)量控制

3.2.1 劃片

如果封裝的芯粒是以從晶圓中獲得，劃片將是必不可少的封裝工序。目前的劃片方式有多種，新的劃片設(shè)備也層出不窮，但仍以砂輪刀為主要劃片工具。劃片時的刀具旋轉(zhuǎn)速度、運行速度，刀具的冷卻速度、晶圓的清洗速度都將影響劃片的質(zhì)量，最終對芯粒的質(zhì)量產(chǎn)生影響。

3.2.2 粘片

待提高電路質(zhì)量等級的電路對粘片主要有以下幾點要求：一是芯片的粘接強度；二是同批次產(chǎn)品的芯片粘接強度的離散性，即抽樣粘接強度檢測的最大值與最小值之間的倍數(shù)關(guān)系不能超過一定的數(shù)值（例如小于等于3）；三是芯片粘接面積達到一定的比例要求（例如不小于75%），粘接的單個空洞面積不能超過10%。除此之外還要對封裝腔體內(nèi)的氣氛進行控制，因此粘片工藝應(yīng)盡可能選擇溫度較高的金屬粘接材料，并且芯片本身要求背面蒸金，以實現(xiàn)良好的粘接。為了增加有效粘接面積，應(yīng)在工藝過程中選擇重量、尺寸合適的壓塊放在芯片上來增加芯片的重量。在真空的作用下，此舉可以更好地排出芯片與金屬焊片間、金屬焊片與管殼間的氣體，最終達到粘接要求和對氣氛的控制要求。

粘片后的檢驗主要是針對芯片的粘接情況、管殼腔體內(nèi)的多余粒子情況以及芯片在粘接操作過程中的受損情況。芯片質(zhì)量檢查要在高放大倍數(shù)下進行；芯片的粘接情況和管殼內(nèi)的多余粒子情況可以低放大倍數(shù)下進行。

圖1 所示為芯片的粘接情況。其中，有焊料溢出的粘接為理想粘接情況，沒有焊料溢出的粘接為不理想粘接情況。當(dāng)沒有焊料溢出的粘接連續(xù)到一定程度的時候，判定為粘接不合格。在顯微鏡下不易全面觀察到芯片的粘接情況，因此檢驗時需要將管殼傾斜一定的角度檢查芯片邊緣的粘接情況。如果發(fā)現(xiàn)焊料未溢出的點比較多，則可采用X 射線照相的手段檢查整個芯片的粘接情況，以判斷是否需要進行工藝調(diào)整；若封裝腔體內(nèi)有多余粒子，需要用一定氣壓的氣流吹走或用干凈的軟毛刷清理。

圖1 芯片粘接情況

圖2 所示為粘接后發(fā)現(xiàn)了芯片裂紋。圖2(a)為芯片表面的裂紋，此種情況在顯微鏡下觀察很容易發(fā)現(xiàn)；圖2(b)為芯片側(cè)壁上的裂紋，一般的檢驗操作都是垂直方向檢查，因此很難在檢查時發(fā)現(xiàn)此種異常，而是要在檢查芯片粘接情況時發(fā)現(xiàn)，這就需要檢驗操作人員有一定程度的檢驗經(jīng)驗及檢驗操作技巧，利用光的反射發(fā)現(xiàn)異常，從而進行進一步的檢察，以及時準(zhǔn)確地找出問題所在。

圖2 芯片裂紋

3.2.3 鍵合

在相同的鍵合條件下，建議在鍵合前將半成品電路在100~120 ℃下預(yù)烘10~20 分鐘，以此來提高鍵合質(zhì)量，也對控制封裝腔體內(nèi)的氣氛有利。一般情況下還要對完成鍵合的半成品抽樣100%進行非破壞性鍵合試驗，以保證鍵合強度滿足要求。鍵合完成后，要對鍵合整體質(zhì)量進行檢驗，包括鍵、引線等。

3.2.4 密封

電路不僅對氣密性封裝有要求，對密封區(qū)的封接面積也有一定的要求。用X 射線對封接面積進行檢查，可以觀察密封效果是否滿足要求。在密封前，將半成品在真空-高純氮狀態(tài)下循環(huán)5～7 次，同時溫度控制在120±5 ℃，以控制封裝腔體內(nèi)的氣氛。密封時，組裝后的蓋板和管殼用夾具固定，放入高純氮的環(huán)境下加熱。固定夾具要有一定的壓力，并且這個壓力應(yīng)盡量均勻地分布在蓋板上，以達到良好的封接效果。密封完成后，還要再對密封質(zhì)量進行檢查。

4 驗證結(jié)果

分三批次封裝300 只樣品進行統(tǒng)一篩選，每批封裝100 只。在封裝過程中，粘片工序的首件剪切強度均大于200 N；鍵合工序的首件鍵合拉力均大于7.0 g；100%非破壞性鍵合拉力全部合格；封蓋前內(nèi)部目檢全部合格。

封蓋后再進行篩選，篩選統(tǒng)計結(jié)果見表2。從表中統(tǒng)計結(jié)果可以看出：此處采用的控制方法能夠滿足高等級質(zhì)量要求。

表2 篩選統(tǒng)計結(jié)果

5 結(jié)束語

在集成電路的封裝過程中，環(huán)境控制必不可少，對檢驗的要求要更加嚴格，對操作過程的控制更是重中之重。嚴格的生產(chǎn)過程控制，并輔以嚴格的檢驗，在有效的篩選手段的支持下，才可有效提高產(chǎn)品質(zhì)量的一致性，滿足集成電路更高質(zhì)量等級的要求。