楊福鈴,楊尚青,周宇辰,劉洹庚,于 淏,田育甲
(中國(guó)礦業(yè)大學(xué)(北京)機(jī)電與信息工程學(xué)院,北京 100083)
干涉式光纖陀螺是一種基于Sagnac 效應(yīng)的傳動(dòng)傳感器,具有體積小、質(zhì)量輕、成本低、精度高、可靠性高等特性[1-5]。近年來(lái),人們對(duì)光纖陀螺的研究日漸深入,已應(yīng)用到航空航天、航海、武器制導(dǎo)、石油煤礦等領(lǐng)域[6-8]。Y 分支光學(xué)調(diào)制器(以下簡(jiǎn)稱Y 波導(dǎo))是光纖陀螺(FOG)中的重要元件之一,其半波電壓的穩(wěn)定性直接影響光纖陀螺標(biāo)度因數(shù)的穩(wěn)定性[9-12]。光波長(zhǎng)和工作溫度是影響Y 波導(dǎo)半波電壓穩(wěn)定性的主要因素,特別在空間環(huán)境中,會(huì)受到輻射與溫度變化的雙重影響,其中輻射會(huì)使光源波長(zhǎng)發(fā)生較大變化,準(zhǔn)確地測(cè)定并確定半波電壓的波長(zhǎng)和溫度相關(guān)性是實(shí)現(xiàn)Y 波導(dǎo)半波電壓精確補(bǔ)償和控制的基礎(chǔ),對(duì)進(jìn)一步提高光纖陀螺標(biāo)度因數(shù)穩(wěn)定性和Y 波導(dǎo)器件的性能具有重要的價(jià)值[13-16]。
針對(duì)以上問(wèn)題,本文在已有的相關(guān)研究基礎(chǔ)上,建立了Y 波導(dǎo)半波電壓隨波長(zhǎng)、溫度的變化規(guī)律模型。分別采用可調(diào)諧激光器和寬譜光作為光源,進(jìn)行了進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)研究,改變工作波長(zhǎng)和環(huán)境溫度,準(zhǔn)確獲得了Y 波導(dǎo)半波電壓與波長(zhǎng)、溫度的變化規(guī)律,驗(yàn)證了理論模型,為Y 波導(dǎo)集成光學(xué)器件的參數(shù)優(yōu)化和實(shí)際應(yīng)用中半波電壓的控制補(bǔ)償提供了參考。
Y 波導(dǎo)半波電壓定義為相位調(diào)制器輸出光相位變化π 時(shí)所需的調(diào)制電壓變化量,可表示為[17-18]
式中:λ為光波長(zhǎng);T為工作溫度;G為電極間距;L為電極長(zhǎng)度;ne和γ33分別為L(zhǎng)iNbO3晶體的非尋常光折射率和電光系數(shù);Γ為電光重疊積分因子。ne、γ33和Γ與工作波長(zhǎng)、溫度相關(guān)。LiNbO3晶體的典型光學(xué)常數(shù)ne和γ33與波長(zhǎng)的關(guān)系可用如下模型描述[19-20]:
式中,波長(zhǎng)λ的單位均為μm。
研究表明,電光重疊積分因子Γ與工作波長(zhǎng)的關(guān)系為[18]
式中波長(zhǎng)λ的單位為nm。
取G=6 μm、L=16 mm[21],將式(2)~(4)代入式(1)并計(jì)算得到Vπ與λ的關(guān)系曲線如圖1 所示,擬合表達(dá)式為
圖1 半波電壓與波長(zhǎng)關(guān)系Fig.1 Relationship between half-wave voltage and wavelength
式(5)表明,Y 波導(dǎo)半波電壓隨波長(zhǎng)的增加而加速增大。Y 波導(dǎo)半波電壓可以表示為
式中的A、B和C為與波長(zhǎng)無(wú)關(guān)的常數(shù)。
為了降低瑞利后向散射、偏振交叉耦合和克爾效應(yīng)等引起的相應(yīng)誤差,在實(shí)際應(yīng)用中都用寬譜光源作為光纖陀螺的光源。當(dāng)入射光為寬譜光時(shí),Y 波導(dǎo)半波電壓是由其所有波長(zhǎng)共同作用決定的,可對(duì)各個(gè)波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的半波電壓進(jìn)行加權(quán)平均[22],即
式中:P(λ)為光功率;Vπ(λ)為半波電壓。
將式(6)帶入式(7),得到
由式(8)可知,在寬譜光作用下,Y 波導(dǎo)的半波電壓受到光譜形狀影響。
由于Y 波導(dǎo)電光系數(shù)γ33、非尋常光折射率ne、調(diào)制電極的長(zhǎng)度L及間距G等與溫度相關(guān),Y 波導(dǎo)半波電壓呈明顯的溫度相關(guān)性,相關(guān)研究表明,在光纖陀螺的典型工作溫度范圍(?40 ℃~+70 ℃)內(nèi),Y 波導(dǎo)半波電壓與溫度成線性關(guān)系[23],但相關(guān)系數(shù)為負(fù),即隨溫度的升高,半波電壓會(huì)降低,可用如下數(shù)學(xué)模型描述:
式中:kT為模型的斜率,即溫度相關(guān)系數(shù);bT為模型直線的截距,即0 ℃時(shí)的半波電壓。前期研究表明半波電壓的溫度相關(guān)性一般優(yōu)于?0.000 7 V/℃[23]。
由以上分析可知,對(duì)于參數(shù)確定的Y 波導(dǎo),其半波電壓主要由寬譜光的光譜形狀和實(shí)際工作溫度決定。Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)與波長(zhǎng)無(wú)關(guān),因此不同寬譜光作用下的同一Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)相等。
在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究時(shí),采用了一種基于4 臺(tái)階波調(diào)制的半波電壓測(cè)試方法[24]。為了研究Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度特性與色散特性,進(jìn)一步提升半波電壓的測(cè)量精度及光纖陀螺的精度,我們?cè)O(shè)計(jì)了一種可以記錄工作溫度和工作波長(zhǎng)的半波電壓測(cè)試系統(tǒng),其原理圖如圖2 所示。光源部分采用的是可調(diào)諧激光器,以方便控制及觀測(cè)輸入Y 波導(dǎo)的波長(zhǎng)值,前置放大器接收探測(cè)器的信號(hào)并將信號(hào)進(jìn)行放大,再通過(guò)16 位A/D 轉(zhuǎn)換器將探測(cè)到的信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)綌?shù)字信號(hào)處理電路中。數(shù)字信號(hào)處理電路的功能包括對(duì)探測(cè)器輸出信號(hào)進(jìn)行采樣、對(duì)探測(cè)器輸出信號(hào)在特定時(shí)間段進(jìn)行解調(diào),獲得半波電壓的誤差信號(hào),判斷調(diào)制信號(hào)階梯高度是否達(dá)到半波電壓、記錄波長(zhǎng)計(jì)測(cè)得的波長(zhǎng)信息、記錄溫度傳感器記錄的溫度信息、為Y 波導(dǎo)提供調(diào)制信號(hào)、將半波電壓,波長(zhǎng)信息,溫度信息整合輸出到計(jì)算機(jī)中。數(shù)字信號(hào)處理電路輸出的數(shù)字調(diào)制信號(hào)經(jīng)過(guò)D/A 數(shù)模轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào),再經(jīng)運(yùn)放調(diào)整到適合Y 波導(dǎo)的電壓值,輸入到Y(jié) 波導(dǎo)中。該半波電壓測(cè)試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了測(cè)量電壓過(guò)程中對(duì)波長(zhǎng)和溫度的測(cè)量,為研究波長(zhǎng)和溫度對(duì)半波電壓影響,及相關(guān)標(biāo)度因數(shù)提供了基礎(chǔ)。
圖2 帶波長(zhǎng)和溫度記錄功能的半波電壓測(cè)試系統(tǒng)Fig.2 Half-wave voltage test system with wavelength and temperature recording
在性能測(cè)試的過(guò)程中,探測(cè)器信號(hào)如圖3、圖4 所示。圖3 中信號(hào)1 為未調(diào)節(jié)階梯波前探測(cè)器所接收到的信號(hào),信號(hào)2 為未調(diào)整前的階梯波,從圖3 中可以看出,探測(cè)器信號(hào)在階梯波復(fù)位前后的輸出電壓不相等,將階梯波復(fù)位前后的探測(cè)器電壓差作為誤差信號(hào)反饋到數(shù)字信號(hào)處理模塊中。通過(guò)數(shù)字信號(hào)處理模塊調(diào)整階梯波的臺(tái)階高度,從而改變探測(cè)器輸出,使階梯波復(fù)位前后的探測(cè)器電壓差減小,最終趨于零,獲得圖4所示的信號(hào)波形,信號(hào)1 為經(jīng)過(guò)反饋環(huán)節(jié),調(diào)整階梯波后探測(cè)器的信號(hào),信號(hào)2 為調(diào)整后的階梯波。此時(shí),階梯波復(fù)位前后的探測(cè)器電壓差近似為零,半波電壓即為圖4 中信號(hào)2 中兩個(gè)臺(tái)階高度所對(duì)應(yīng)的電壓值。上述方法通過(guò)獲取階梯波復(fù)位前后的探測(cè)器電壓差作為反饋信號(hào),可以實(shí)現(xiàn)階梯波臺(tái)階高度的自動(dòng)調(diào)節(jié),并結(jié)合4 臺(tái)階波調(diào)制,實(shí)現(xiàn)半波電壓的高精度自動(dòng)測(cè)試。
圖3 未調(diào)整的階梯波和探測(cè)器圖形Fig.3 Unadjusted step wave and detector waveform
圖4 經(jīng)過(guò)調(diào)整的階梯波和探測(cè)器波形Fig.4 Adjusted step wave and detector waveform
在常溫條件下,分別對(duì)工作波段為1 310 nm、1 550 nm 的Y 波導(dǎo)樣件進(jìn)行了半波電壓測(cè)試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖5、圖6 所示。
圖5 常溫下1 310 nm 工作波長(zhǎng)Y 波導(dǎo)半波電壓Fig.5 Half wave-voltage of Y-Waveguide at 1 310 nm under room temperature
圖6 常溫下1 550 nm 工作波長(zhǎng)Y 波導(dǎo)半波電壓Fig.6 Half wave-voltage of Y-Waveguide at 1 550 nm under room temperature
通過(guò)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差及相對(duì)測(cè)量精度的計(jì)算,可以得出該實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)在常溫下測(cè)得的Y 波導(dǎo)半波電壓標(biāo)準(zhǔn)差均分別為30 μV 和32 μV,相對(duì)測(cè)量精度分別為8.5×10?6和1.13×10?5,測(cè)量精度滿足1 mV 的需求。
為了得到不同溫度下Y 波導(dǎo)半波電壓的波長(zhǎng)特性,我們采用可調(diào)諧激光器(ECL-210)作為光源,ECL-210 在1 310 nm 波段的調(diào)諧范圍為80 nm(1 270~1 350 nm),在1 550 nm 波段的調(diào)諧范圍為100 nm(1 490~1 590 nm),線寬小于0.02 nm,可認(rèn)為是單波長(zhǎng)測(cè)試。實(shí)驗(yàn)時(shí),將Y 波導(dǎo)單獨(dú)放入溫箱中,設(shè)定溫箱的溫度范圍為?40 ℃~+70 ℃,溫度間隔為10 ℃。當(dāng)溫度穩(wěn)定時(shí),改變可調(diào)諧激光器的波長(zhǎng),測(cè)量半波電壓,采樣間隔1 s,測(cè)試時(shí)間為30 min,取平均值作為設(shè)定的溫度和波長(zhǎng)下的半波電壓值。在實(shí)驗(yàn)中,設(shè)置波長(zhǎng)范圍為1 270~1 350 nm 和1 490~1 590 nm,波長(zhǎng)間隔10 nm。
實(shí)驗(yàn)中,采用中電四十四所生產(chǎn)的GC15 YB3516型Y 波導(dǎo)進(jìn)行測(cè)試,Y 波導(dǎo)的工作波長(zhǎng)為1 550±25 nm,標(biāo)稱半波電壓為3.395 V,電極間距約為6 μm、電極長(zhǎng)度約為16 mm。不同溫度下Y波導(dǎo)半波電壓測(cè)試結(jié)果如圖7 所示,半波電壓隨波長(zhǎng)的增加而加速增大。擬合結(jié)果如表1 所示,在固定溫度點(diǎn)下,Y波導(dǎo)半波電壓與波長(zhǎng)呈二次多項(xiàng)式關(guān)系(R2≥0.999 50),二次項(xiàng)系數(shù)均值為1.685 4×10?6V/nm2,標(biāo)準(zhǔn)差為2.354 9×10?10V/nm2;一次項(xiàng)系數(shù)均值為?1.139 0×10?3V/nm,標(biāo)準(zhǔn)差為3.275 3×10?7V/nm。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果中可以看出,實(shí)驗(yàn)得到的擬合系數(shù)與式(5)推導(dǎo)得到的擬合系數(shù)有差距,是因?yàn)橥茖?dǎo)式(5)時(shí),需要用到電光重疊積分因子Γ與工作波長(zhǎng)的關(guān)系(即式(4)),然而式(4)是通過(guò)文獻(xiàn)[18]獲得的經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?,?duì)于不同工藝生產(chǎn)的鈮酸鋰波導(dǎo),會(huì)使式(4)中的系數(shù)發(fā)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致式(5)的系數(shù)發(fā)生變化,文獻(xiàn)[18]中并沒有說(shuō)明所測(cè)鈮酸鋰波導(dǎo)的加工工藝,可能其工藝和光纖陀螺用Y 波導(dǎo)的制作工藝不一樣,從而導(dǎo)致理論和實(shí)驗(yàn)的誤差。但是這種誤差只是會(huì)影響二次多項(xiàng)式的系數(shù)值,并不會(huì)影響Y 波導(dǎo)半波電壓與工作波長(zhǎng)呈二次多項(xiàng)式的形式。具體應(yīng)用時(shí),可以根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果,通過(guò)二次多項(xiàng)式擬合,獲得準(zhǔn)確的系數(shù)。
圖7 不同溫度下Y 波導(dǎo)半波電壓與波長(zhǎng)關(guān)系Fig.7 Relationship between half-wave voltage of Y-Waveguide and wavelength at different temperatures
表1 波長(zhǎng)相關(guān)性擬合結(jié)果Tab.1 Fitting results of wavelength correlation
根據(jù)圖7 中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),可以得到不同波長(zhǎng)下Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度特性,取波長(zhǎng)間隔10 nm 的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,擬合結(jié)果如表2 所示。由表2 可知,當(dāng)波長(zhǎng)固定不變時(shí),Y 波導(dǎo)半波電壓與溫度近似為線性關(guān)系(R2≥0.999 3),半波電壓隨溫度的升高而減小。半波電壓溫度系數(shù)的均值為?0.001 6 V/℃,標(biāo)準(zhǔn)差為1.940 0×10?5V/℃。
表2 溫度相關(guān)性擬合結(jié)果Tab.2 Fitting results of temperature correlation
在寬譜光源作用下,為了驗(yàn)證Y 波導(dǎo)的半波電壓計(jì)算式(9)的正確性,采用了三種不同的寬譜入射光進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。所用寬譜入射光源光譜如圖8 所示,實(shí)驗(yàn)方法同上。所測(cè)得的Y 波導(dǎo)半波電壓如表3 所示。
表3 30 ℃時(shí)半波電壓測(cè)量結(jié)果Tab.3 Measurement results of half-wave voltage at 30 ℃
圖8 寬譜光源光譜Fig.8 Spectrum of wide spectrum light source
從測(cè)試結(jié)果可知,在寬譜光源作用下Y 波導(dǎo)的半波電壓由光譜譜型決定,測(cè)試結(jié)果與式(8)的結(jié)果的相對(duì)誤差小于0.1%,由此驗(yàn)證了式(8)的正確性。
在三種不同寬譜光源作用下Y 波導(dǎo)的溫度相關(guān)性測(cè)試結(jié)果如表4 所示。
表4 寬譜光源作用下的Y 波導(dǎo)半波電壓溫度相關(guān)性實(shí)驗(yàn)結(jié)果Tab.4 Experimental results of temperature dependence of Y-Waveguide’s half wave voltage under wide spectrum light source
從測(cè)試結(jié)果可知,不同寬譜光源作用下的同一Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)近似相等,并且與單波長(zhǎng)作用下Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)近似相等,驗(yàn)證了不同寬譜光作用下的同一Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)相等的規(guī)律。
綜上所述,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論模型相符,進(jìn)一步驗(yàn)證了本文所提出的半波電壓的波長(zhǎng)和溫度相關(guān)性模型的正確性。
本文研究了Y 波導(dǎo)半波電壓與工作波長(zhǎng)和溫度的關(guān)系,其半波電壓隨工作波長(zhǎng)增加而加速增大,隨溫度升高而線性減小。研制了一種基于4 臺(tái)階波調(diào)制的半波電壓測(cè)試系統(tǒng),并加入了波長(zhǎng)和溫度記錄功能,為研究波長(zhǎng)和溫度對(duì)半波電壓影響提供了基礎(chǔ)。利用該系統(tǒng)對(duì)工作波段為1 310 nm、1 550 nm 的Y 波導(dǎo)進(jìn)行了半波電壓測(cè)試,常溫測(cè)試結(jié)果表明在兩個(gè)波段下相對(duì)測(cè)量精度分別為8.5×10?6和1.13×10?5,其測(cè)量精度滿足1 mV 的需求。采用可調(diào)諧激光器作為光源,對(duì)Y 波導(dǎo)半波電壓波長(zhǎng)、溫度相關(guān)性進(jìn)行了測(cè)試和分析,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:所測(cè)試的Y 波導(dǎo)樣品的半波電壓與波長(zhǎng)呈二次多項(xiàng)式關(guān)系,二次項(xiàng)系數(shù)約為1.685 4×10?6V/nm2,一次項(xiàng)系數(shù)約為?1.139 0×10?3V/nm;與溫度呈線性關(guān)系,相關(guān)系數(shù)約為?1.6000×10?3V/℃。在寬譜入射光作用下,對(duì)于參數(shù)確定的Y 波導(dǎo),其半波電壓主要由寬譜光的譜型和實(shí)際工作溫度決定,不同寬譜光作用下的同一Y 波導(dǎo)半波電壓的溫度相關(guān)系數(shù)相等。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論模型,為Y 波導(dǎo)集成光學(xué)器件的參數(shù)優(yōu)化和實(shí)際應(yīng)用中半波電壓的精確建模和控制補(bǔ)償提供了參考。