郭亞飛,趙佳祎,姚 曦,鄒葉琨,高宇璇,劉秉乾,趙傳文
(南京師范大學(xué) 能源與機(jī)械工程學(xué)院,江蘇 南京 210023)
化石能源的過度消耗向大氣中排放大量CO2,引發(fā)了溫室效應(yīng)和全球變暖等一系列環(huán)境問題。碳捕集、利用與封存(CCUS)是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模CO2減排的重要策略,也是實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要路徑[1]。利用可再生電力將CO2電化學(xué)還原為合成燃料和增值化學(xué)品可實(shí)現(xiàn)人工碳循環(huán)和潔凈電能的高效存儲(chǔ),極具經(jīng)濟(jì)性和環(huán)保意義[2]。
水系電解液中的CO2電化學(xué)還原涉及質(zhì)子耦合電子轉(zhuǎn)移過程,其對(duì)應(yīng)產(chǎn)物復(fù)雜,涵蓋CO、CH4、甲醇、甲酸及C2+產(chǎn)物。其中,CO作為合成氣的重要組成,在F-T合成制備大宗化學(xué)品和碳基合成燃料方面發(fā)揮重要作用[3]。因此,CO2電化學(xué)還原制CO備受關(guān)注,而高活性電催化劑的定向制備是CO2高選擇性還原制CO的關(guān)鍵。銅基催化劑是迄今為止唯一可實(shí)現(xiàn)CO2電化學(xué)還原制取多種產(chǎn)物的催化劑。但銅基催化劑CO2電化學(xué)還原仍面臨系列挑戰(zhàn)。CO2熱力學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,CO2電化學(xué)還原(CO2RR)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)緩慢,需提供較高的過電位活化CO2[4]。熱力學(xué)計(jì)算表明,CO2還原電勢僅比析氫反應(yīng)(HER)高20 mV,HER與CO2RR存在嚴(yán)重的競爭關(guān)系,導(dǎo)致其產(chǎn)物選擇性較低[5]。單晶銅和多晶銅催化劑的CO2還原電勢可達(dá)-1.55~-1.05 V(可逆氫電極RHE),其在0.1 mol/L飽和KHCO3電解液中CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CO的選擇性僅為0.9%~2.0%[6]。銅納米顆粒、納米線及泡沫銅催化劑在-0.6~-1.0 V RHE電勢下CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CO的選擇性較低[7-8]。綜上,銅基催化劑CO2電化學(xué)還原制CO產(chǎn)物的選擇性仍有很大提升空間。
國內(nèi)外學(xué)者圍繞銅基催化劑的定向設(shè)計(jì)及其CO2電化學(xué)還原性能提升開展了系列工作。研究表明,銅基催化劑CO2電化學(xué)還原性能與其原子結(jié)構(gòu)和電子構(gòu)型有關(guān)。IYENGAR等[9]構(gòu)筑了不同粒徑的八面體銅基催化劑,研究發(fā)現(xiàn),角落和邊緣位置的Cu原子直接影響(100)/(111)和(110)/(111)晶面缺陷比例,進(jìn)而影響其CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CH4選擇性。銅基催化劑CO2電化學(xué)還原性能還與催化劑粒徑有關(guān)。研究表明,催化劑粒徑越小,有利于CO生成,而粒徑增加則可促進(jìn)CO2電化學(xué)還原制CH4和C2+產(chǎn)物選擇性[10]。學(xué)者采用模板劑輔助電沉積法[11]、脈沖法[12]、熱退火法[13]、反向膠束封裝法[10]及水熱合成法等方法調(diào)控銅基催化劑的粒徑[14]。盡管反向膠束封裝法可有效控制銅基催化劑粒徑為2~15 nm,但合成工藝復(fù)雜且條件苛刻。相比而言,水熱合成法在調(diào)控催化劑形貌和粒徑方面更便捷高效。HUANG等[14]采用水熱合成法制備了形貌各異的CuO納米催化劑,發(fā)現(xiàn)CuO納米催化劑的形貌、尺寸及電催化活性依賴于水熱合成參數(shù)和原材料配比。其中,納米線狀CuO催化劑的CO2還原活性及穩(wěn)定性較好,其在-1.6 V Ag/AgCl電勢下的電流密度高達(dá)100 mA/cm2,CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CO/H2體積比在1.75∶1.00~2.75∶1.00可調(diào)。納米線CuO催化劑優(yōu)異的CO2電化學(xué)還原活性主要得益于其一維封裝結(jié)構(gòu)可提供大量的邊緣活性位點(diǎn)。
對(duì)于水熱合成法而言,模板劑作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑,可直接影響CuO催化劑成核與生長,進(jìn)而可調(diào)控CuO納米催化劑形貌和粒徑尺寸。因此,模板劑對(duì)CuO催化劑的微觀結(jié)構(gòu)及CO2電化學(xué)還原性能產(chǎn)生一定影響。目前鮮見模板劑對(duì)CuO催化劑CO2電化學(xué)還原性能的影響研究。筆者以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為模板劑,采用水熱合成法制備了CuO催化劑,通過改變PVP添加量調(diào)控催化劑的粒徑,探究模板劑改性對(duì)CuO催化劑CO2電化學(xué)還原“構(gòu)效關(guān)系”的影響機(jī)制。
采用模板劑輔助水熱合成法制備CuO納米催化劑[14]。具體流程為:稱取0.9 g CuCl2·2H2O前驅(qū)體與一定質(zhì)量的PVP模板劑,溶解于100 mL去離子水并在45 ℃恒溫水浴條件下磁力攪拌2 h形成均勻混合溶液。隨后,向混合液中逐滴加入2 mL氨水,超聲處理15 min。隨后,向混合體系中加入1 mol/L NaOH溶液形成淡藍(lán)色沉淀,混合體系室溫靜置老化后抽濾,分離出的固相沉淀經(jīng)60 ℃干燥5 h和400 ℃煅燒2 h制備CuO催化劑。制備過程中,PVP模板劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%~30%,對(duì)應(yīng)CuO催化劑記為CuO-PVP-X,其中X表示模板劑含量。為方便對(duì)比,采用上述水熱合成法制備了未添加PVP模板劑的CuO催化劑空白樣。稱取0.02 g CuO納米催化劑與80 μL去離子水和40 μL Nafion 117溶液混合,所得漿液經(jīng)超聲處理10 min后,均勻涂覆于1 cm×1 cm碳紙,干燥處理后制備CuO電極。
采用Micromeritics ASAP 2460型比表面積與孔隙率分析儀進(jìn)行N2吸附-脫附測試,對(duì)催化劑微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。采用Brunauer-Emmett-Teller (BET)法和Barrett-Joyner-Halenda(BJH)法計(jì)算催化劑的比表面積和孔徑分布。采用Bruker D8 ADVANCE X射線衍射儀(Cu Kα靶,波長0.154 06 nm,采樣步長0.02°)對(duì)催化劑的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。采用蔡司Gemini SEM場發(fā)射掃描電鏡和FEI TECNAI G2 F20高分辨率透射電鏡分析催化劑表面形貌。
采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系電解池和電化學(xué)工作站評(píng)價(jià)CuO催化劑的CO2電化學(xué)還原性能,如圖1所示。
圖1 CO2電化學(xué)還原試驗(yàn)系統(tǒng)Fig.1 Experimental setup of electrochemical CO2 reduction
H型電解池由陰極室和陽極室構(gòu)成,中間以Nafion 117質(zhì)子交換膜分隔。涂覆CuO納米顆粒的碳紙電極作為工作電極,Pt網(wǎng)電極和Ag/AgCl電極分別作為對(duì)電極和參比電極。電解池內(nèi)填充0.1 mol/L KHCO3電解液。以40 mL/min流量向電解池中通入純CO2達(dá)30 min使KHCO3電解液飽和。隨后分別在0~-1.6 V Ag/AgCl電勢下,以50 mV/s掃速完成線性伏安掃描(LSV)和循環(huán)伏安掃描(CV)測試,在頻率0.01~106.00 Hz和振幅5 mV條件下完成電化學(xué)阻抗(EIS)測試。
在0.25~0.35 V Ag/AgCl電勢下,掃速5~50 mV/s完成循環(huán)伏安測試,并計(jì)算雙電層電容Cdl,并依據(jù)Cdl和理想電極電容計(jì)算CuO催化劑的電化學(xué)活性表面積(ECSA)。為評(píng)價(jià)CuO催化劑CO2電化學(xué)還原穩(wěn)定性和產(chǎn)物選擇性,在-1.6 V Ag/AgCl電勢下,持續(xù)電解2 h完成恒電位電解測試。利用氣相色譜(GC)檢測CO2電化學(xué)還原氣相產(chǎn)物,并基于式(1)計(jì)算氣相產(chǎn)物的法拉第效率(FE)表征產(chǎn)物選擇性。采用式(2)將Ag/AgCl標(biāo)準(zhǔn)電勢轉(zhuǎn)換為可逆氫電極電勢RHE:
(1)
式中,j為電流密度,A;N為轉(zhuǎn)移電子數(shù);F為法拉第常數(shù),取96 500 C/mol;Ci為產(chǎn)物i物質(zhì)的量濃度,mol/L;v為氣速,m3/s;P為壓力,Pa;R為理想氣體常數(shù),8.314 J/(mol·K);T為溫度,K。
(2)
不同CuO催化劑的微觀結(jié)構(gòu)特性如圖2所示。由圖2(a)、2(b)可知,所有CuO催化劑的N2吸附-脫附等溫線為IV型,表明樣品為典型介孔材料。等溫線在高壓區(qū)域可見H3型滯回環(huán),表明樣品的孔結(jié)構(gòu)為狹縫孔隙。樣品的孔徑呈雙峰分布特征,大部分孔分布在2~100 nm,表明催化劑內(nèi)含介孔和大孔。由圖2(c)可知,未添加PVP模板劑的CuO催化劑比表面積和孔體積分別為10.75 m2/g和0.04 cm3/g。添加PVP模板劑后,CuO催化劑的比表面積和孔體積明顯提升,其中CuO-PVP-25催化劑的比表面積和孔體積最高可達(dá)23.44 m2/g和0.10 cm3/g??梢娞砑覲VP有利于改善CuO催化劑的微觀結(jié)構(gòu)。
圖2 不同CuO催化劑的微觀結(jié)構(gòu)特性Fig.2 Textural properties of different CuO catalysts
采用XRD對(duì)不同CuO催化劑的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,如圖3所示。不同CuO催化劑的XRD圖譜在2θ=10°~90°可見特征衍射峰,對(duì)應(yīng)于單斜CuO (PDF#05-0661)的不同晶面。在2θ為35.5°和38.8° 位置峰強(qiáng)度較高且峰寬較窄,表明樣品結(jié)晶度較好。進(jìn)一步對(duì)XRD圖譜進(jìn)行半定量分析,計(jì)算催化劑的晶格參數(shù)和晶粒尺寸,具體見表1,可知未添加PVP模板劑的CuO催化劑的結(jié)晶度相對(duì)較低。添加PVP模板劑后,CuO催化劑的結(jié)晶度增加,但PVP含量過高易導(dǎo)致其結(jié)晶度降低。相比于標(biāo)準(zhǔn)CuO(PDF#05-0661)的晶格參數(shù)(a= 0.468 4 nm,b=0.342 5 nm,c=0.512 9 nm),不同PVP含量對(duì)應(yīng)CuO催化劑的晶格參數(shù)稍有增加,表明添加PVP引起了晶格畸變。未添加PVP模板劑的CuO催化劑的平均晶粒尺寸為32.18 nm。隨模板劑含量增加,CuO催化劑的晶粒尺寸先減小后增大。其中,CuO-PVP-25催化劑的平均晶粒尺寸最小為16.67 nm。模板劑添加量對(duì)晶粒尺寸的影響主要與其影響水熱合成過程中CuO晶體成核與生長相關(guān)。
圖3 不同CuO催化劑的晶體結(jié)構(gòu)特征Fig.3 Crystalline structures of the different CuO catalysts
未添加PVP模板劑的CuO催化劑和不同PVP添加量對(duì)應(yīng)CuO催化劑的表面形貌特征如圖4所示??芍刺砑覲VP模板劑的CuO催化劑表面顆粒聚并明顯。水熱合成過程中,由于缺少模板劑的疏水碳鏈,CuO晶粒成核不可控,易生長為大顆粒。煅燒過程中,由于缺少模板劑的支撐作用,中間體分解制CuO易使催化劑晶體燒結(jié)。采用Nano Measurer軟件對(duì)CuO納米顆粒的粒徑進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。隨PVP添加量提高,CuO納米顆粒的平均粒徑先降低后增大。其中,CuO-PVP-25平均粒徑最小為29.53 nm。PVP作為典型的水溶性高聚物,其分子由親水吡咯烷酮基團(tuán)和疏水烷基基團(tuán)構(gòu)成。PVP分子中的疏水碳鏈有利于保證分子間斥力阻礙納米粒子聚并,因而可在水熱合成中影響納米催化劑成核和生長,進(jìn)而調(diào)控催化劑的表面形貌和粒徑[15]。因此,PVP含量差異對(duì)CuO納米顆粒粒徑的影響機(jī)制可歸因于其直接影響水熱合成中CuO成核和生長速率。PVP添加量為15%~25%時(shí),CuO催化劑中活性組分呈球形小顆粒且均勻分布。PVP添加量達(dá)30%時(shí),CuO顆粒開始聚集,呈明顯聚并形貌,其原因可能為模板劑含量過高,液相中的活性膠束數(shù)量過多,其部分通過反相膠束作用固定CuO活性組分,剩余部分游離在液相中,隨后在煅燒過程中固化未完全分解,最終導(dǎo)致CuO活性組分燒結(jié)。
在CO2飽和0.1 mol/L KHCO3溶液中,5~50 mV/s內(nèi)完成雙電層電容測試。不同CuO催化劑的CO2還原活性如圖5所示。由圖5(a)可知,不同PVP含量對(duì)應(yīng)CuO催化劑的Cdl值分別為116.99、132.44、108.60、100.41和106.73 μF/cm2,其電化學(xué)活性表面積(ECSA)分別為2.92、3.31、2.72、2.51和2.67 cm2。由圖5(b)可知,不同PVP含量對(duì)應(yīng)CuO催化劑的起始電位相接近。-0.529 V RHE電勢下,隨PVP添加量提高,CuO催化劑的ECSA歸一化電流密度先升后降。其中,CuO-PVP-25催化劑的電流密度最高可達(dá)-12.0 mA/cm2,表明其CO2還原反應(yīng)(CO2RR)活性相對(duì)較佳。
-0.53 V RHE電勢下,在CO2飽和0.1 mol/L KHCO3電解液中測試不同CuO催化劑CO2電化學(xué)還原性能,如圖6所示。由圖6(a)可知,不同CuO催化劑在6 000 s內(nèi)均保持穩(wěn)定的催化活性。其中,CuO-PVP-25催化劑電流密度相對(duì)較高,可達(dá)-4.6 mA/cm2。由圖6(b)可知,在相同測試條件下,CuO空白樣的CO選擇性為30.2%,其ECSA歸一化CO偏電流密度為-2.8 mA/cm2。相比而言,添加PVP模板劑的CuO催化劑的CO選擇性和CO偏電流密度明顯提高。隨PVP添加量由15%升至30%,CO選擇性和ECSA歸一化CO電流密度均先升高后降低。其中,CuO-PVP-25催化劑CO選擇性(FE(CO))和ECSA歸一化CO電流密度(jECSA(CO))最高,分別達(dá)48.2%和-5.8 mA/cm2,表明其CO2電化學(xué)還原活性和產(chǎn)物選擇性較佳。此外,PVP添加量在15%~30%,產(chǎn)物CO和H2體積比在1.6~2.0可調(diào),其作為合成氣主要成分,可滿足下游F-T合成工藝需求。
圖6 不同CuO催化劑CO2電化學(xué)還原性能Fig.6 Electrochemical CO2 reduction performance of the different CuO catalysts
不同CuO催化劑CO2電化學(xué)還原動(dòng)力學(xué)特性如圖7所示(Z′為阻抗)。由圖7(a)可知,未添加PVP模板劑的CuO催化劑CO2電化學(xué)還原的Tafel斜率為130.5 mV(對(duì)數(shù))。隨PVP添加量提高,CuO催化劑CO2電化學(xué)還原的Tafel斜率先升高后增加。其中,CuO-PVP-25催化劑的Tafel斜率最低為66.1 mV,表明其CO2電化學(xué)還原本征活性和動(dòng)力學(xué)特性較佳。對(duì)于不同CuO催化劑,其CO2電化學(xué)還原Tafel斜率在66.1~130.5 mV,表明初始階段的電子轉(zhuǎn)移對(duì)應(yīng)CO2活化為整個(gè)電化學(xué)還原反應(yīng)的限速步驟。由圖7(b)可知,對(duì)比不同CuO催化劑的EIS圖譜,CuO-PVP-25催化劑電荷傳遞阻抗相對(duì)較低,表明其CO2RR動(dòng)力學(xué)較佳。
圖7 不同CuO催化劑CO2電化學(xué)還原動(dòng)力學(xué)特性Fig.7 Kinetic analysis of the electrochemical CO2 reduction process of the different CuO catalysts
不同PVP添加量對(duì)應(yīng)CuO催化劑CO2電化學(xué)還原性能的差異主要與其顆粒平均尺寸有關(guān)。前人針對(duì)催化劑粒徑效應(yīng)對(duì)其CO2電催化還原活性和產(chǎn)物選擇性開展了詳盡分析。由于表面原子誘導(dǎo)的應(yīng)力效應(yīng),粒徑微小變化即可引起催化劑電子結(jié)構(gòu)的顯著變化[16-18]。催化劑粒徑效應(yīng)易影響其原子配位密度。催化劑粒徑降低有利于提高表面原子和體相原子比例,即表面曲率增加,表面原子平均配位程度降低[16,19]。換而言之,催化劑粒徑變小易誘導(dǎo)不飽和位點(diǎn)的產(chǎn)生,進(jìn)而影響催化劑表面對(duì)關(guān)鍵中間體的結(jié)合能[20]。RESKE等[10]研究發(fā)現(xiàn)Cu納米粒子CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物選擇性依賴于其平均粒徑。隨Cu納米粒子平均粒徑由15 nm降至2 nm,催化劑表面不飽和位點(diǎn)密度提高。催化劑表面的不飽和位點(diǎn)化學(xué)吸附能力強(qiáng),有利于降低*CO中間體在表面的遷移能力,經(jīng)由*CO路徑生成碳?xì)浠衔锏姆磻?yīng)被抑制,CO和H2選擇性相應(yīng)提高[10,21-22]。催化劑平均粒徑超過25 nm時(shí),CO和H2生成則被抑制,而CH4和C2H4等碳?xì)浠衔镞x擇性提高[10]。YIN等[23]制備了Cu3N催化劑,發(fā)現(xiàn)CO2電化學(xué)還原制C2H4產(chǎn)物選擇性隨催化劑粒子尺寸提高而增加。LOIUDICE等[22]發(fā)現(xiàn)Cu納米顆粒的CO2電化學(xué)還原活性和產(chǎn)物選擇性與其平均粒徑相關(guān)。Cu納米顆粒的平均粒徑達(dá)44 nm時(shí),催化劑在-1.1 V RHE電勢下的C2H4選擇性可達(dá)41%。平均粒徑增至63 nm 時(shí),催化劑邊緣位點(diǎn)和平面位點(diǎn)比例降低,C2H4選擇性降至25%。
綜上所述,銅基催化劑的粒徑效應(yīng)易影響其表面不飽和位點(diǎn)密度,進(jìn)而顯著影響其催化活性和產(chǎn)物選擇性。本研究中,PVP添加量為25%,CuO-PVP-25催化劑的平均粒徑最低為29.53 nm,其表面可暴露更多低配位活性位點(diǎn),有利于促進(jìn)CO2RR制CO和H2,因而其CO2電化學(xué)還原活性和CO選擇性相對(duì)較佳。
將本文所制備CuO-PVP-25催化劑的CO2電化學(xué)還原性能與前人文獻(xiàn)的Cu基催化劑進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果見表2。HUANG等[14]采用水熱合成法構(gòu)筑了不同形貌的CuO催化劑,其中,CuO納米線結(jié)構(gòu)的CO2RR活性較佳,主要原因?yàn)橐痪S納米線結(jié)構(gòu)可提供大量的邊緣不飽和活性位點(diǎn),進(jìn)而促進(jìn)CO2電化學(xué)還原反應(yīng)。RACITI等[24]制備了高密度Cu納米線催化劑,其在-0.4 V RHE電勢下CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CO的選擇性可達(dá)60%,高選擇性主要與Cu納米線表面豐富的低配位活性位點(diǎn)有關(guān)。SEN等[25]制備了具有分級(jí)孔隙結(jié)構(gòu)的泡沫Cu催化劑,其在-1.0~-1.7 V Ag/AgCl電勢內(nèi)CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物主要為H2,F(xiàn)E可達(dá)53%~90%,而HCOOH和CO的選擇性相對(duì)較低(FE(HCOOH)=4%~25%,F(xiàn)E(CO)=4%~9%)。DUTTA等[11]采用模板劑輔助電沉積法制備了介孔泡沫Cu催化劑。研究發(fā)現(xiàn),介孔泡沫Cu催化劑的CO2RR性能依賴于催化劑薄膜的厚度。-0.4~-1.0 V RHE電勢下,泡沫Cu催化劑CO2電化學(xué)還原產(chǎn)物CO的選擇性為14%~32%。本文制備的CuO-PVP-25催化劑在-0.529 V RHE電勢下CO2電化學(xué)還原制CO的選擇性可達(dá)48.2%,高于文獻(xiàn)報(bào)道的CuO納米線和泡沫Cu催化劑,且該值與文獻(xiàn)報(bào)道的高密度Cu納米線催化劑接近。因此,本文制備的CuO催化劑在CO2電化學(xué)還原制CO方面極具應(yīng)用前景。
表2 不同Cu基催化劑CO2電化學(xué)還原性能對(duì)比Table 2 Comparison of the electrochemical CO2 reduction performance of the different Cu-based catalysts
1)基于模板劑輔助水熱合成法簡易制備CuO納米催化劑,對(duì)催化劑結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,并利用三電極體系和電化學(xué)工作站考察不同CuO催化劑的CO2電化學(xué)還原性能,探究模板劑含量對(duì)CuO催化劑CO2電化學(xué)還原“構(gòu)效關(guān)系”的影響機(jī)制。添加PVP模板劑直接影響水熱合成過程中CuO晶體成核與生長。PVP分子中的疏水碳鏈有利于使其保持分子斥力,抑制CuO催化劑納米粒子聚并。CuO催化劑的平均粒徑依賴于PVP添加量。PVP添加量為15%~25%時(shí),CuO催化劑中活性組分呈球形小顆粒且均勻分布。PVP添加量達(dá)30%時(shí),液相中的活性膠束數(shù)目過多,其部分通過反相膠束作用固定CuO活性組分,剩余部分游離在液相中,煅燒過程中固化未完全分解,導(dǎo)致CuO活性組分輕度燒結(jié)。
2)CuO催化劑的CO2電化學(xué)還原性能依賴于其粒徑效應(yīng)。隨PVP質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加(15%~30%),CuO催化劑的粒徑先降低后升高,其CO2電化學(xué)還原性能先升高后降低。銅基催化劑的平均粒徑降低易誘導(dǎo)不飽和位點(diǎn)的產(chǎn)生,影響催化劑表面對(duì)關(guān)鍵中間體的結(jié)合能,進(jìn)而顯著影響其催化活性和產(chǎn)物選擇性。
3)PVP質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%時(shí),CuO-PVP-25催化劑的平均粒徑最小為29.53 nm,其在-0.529 V RHE電勢下和CO2飽和的0.1 mol/L KHCO3電解液中電化學(xué)還原CO2性能最佳,其CO選擇性和電流密度分別可達(dá)48.2%和-5.8 mA/cm2。CuO-PVP-25催化劑較佳的CO2電化學(xué)還原性能主要得益于其表面高密度的低配位活性位點(diǎn)。