摘要： 通過電磁波在介質(zhì)中的傳播， 以及介質(zhì)與介質(zhì)界面處電場和磁場的切線分量的連續(xù)條件， 分別給出光在介質(zhì)中傳播的傳輸矩陣以及光在介質(zhì)界面處的匹配矩陣， 從而得到組合結(jié)構(gòu)光子晶體總的傳輸矩陣， 并給出其反射率. 在此基礎(chǔ)上， 研究具有反轉(zhuǎn)對稱組合結(jié)構(gòu)為（ABA）N（BAB）M的光子晶體界面態(tài)， 改變介質(zhì)A的折射率系數(shù)na0、 參數(shù)e， 厚度da和周期數(shù)N與介質(zhì)B（葡萄糖溶液）的質(zhì)量濃度、 溫度、 厚度db和周期數(shù)M以及入射角的大小， 給出界面態(tài)的位置和峰值大小隨參數(shù)的變化曲線， 并研究葡萄糖溶液質(zhì)量濃度對組合結(jié)構(gòu)PC1+PC2+PC1和PC1+PC2+PC1+PC2+PC1多個界面態(tài)的影響. 數(shù)值計算結(jié)果表明， 當(dāng)改變葡萄糖質(zhì)量濃度時， 可改變界面態(tài)的位置和峰值大小， 從而實現(xiàn)對界面態(tài)的調(diào)節(jié).

關(guān)鍵詞： 光子帶隙材料; 傳輸矩陣; 匹配矩陣; 界面態(tài)

中圖分類號： O436""文獻(xiàn)標(biāo)志碼： A""文章編號： 1671-5489（2024）06-1455-09

Tunability of Interfacial States of One-Dimensional InvertedSymmetric Combined Photonic Crystal Structures

LIU Xiaojing1， ABUDUSAIMAITI Yimiti1， ZHAO Dongxu1，ZHAO Ruoqin1， LI Hong2， ZHANG Siqi2， MA Ji3

（1. College of Physics， Jilin Normal University， Siping 136000， Jilin Province， China;

2. School of Data Science and Artificial Intelligence， Jilin Engineering Normal University， Changchun 130052， China;

3. College of Science， Liaoning Petrochemical University， Fushun 113001， Liaoning Province， China）

Abstract： Through the propagation of electromagnetic waves in the medium and the continuous conditions of the tangential components of electric a

nd magnetic fields at the interface between the medium and the medium， we gave the transmission matrix of light propagation in the medium and the matching matrix of light at the i

nterface of the medium， respectively， so as to obtain the total transmission matrix of the combined structure photonic crystal and their reflectance. On this bas

is， we studied the inverted symmetric combined structures for （ABA）N（BAB）M photonic crystal interface states. By changing the refractive index coefficient na0， parameter e， thickness da and period number N of the medium A， as well as the mass concentration of medium B （glucose solution）， temperature， the thickness of db and

period number M， and the size of the incident angle， we gave the location of the interface state and the peak size curve along with the change of these pa

rameters， and studied the effects of the mass concentration of glucose solution on multiple interface states of combined structures PC1+PC2+PC1 and PC1+

PC2+PC1+PC2+PC1. The numerical calculation results show that the location of the interface state and peak size can be changed when the mass concentration of glucose

is changed， thereby achieving the adjustment of the interface state.

Keywords： photonic bandgap material; transmission matrix; matching matrix; interface state

光子晶體（PCs）是具有折射率、 在波長量級上周期性變化的人工微結(jié)構(gòu)， 它控制光子的傳播方式與半導(dǎo)體控制電子的運(yùn)動方式類似. 當(dāng)光在光子晶體中傳

播時， 存在允許和禁止的頻率范圍， 其中被禁止的頻率范圍稱為光子晶體帶隙（PBG）^［1-2］， 它阻止特定頻率的光向某些方向傳播， 與半導(dǎo)體中的電子帶隙類似. 在光子晶體中引入點缺陷^［3-4］， 可在缺陷處產(chǎn)生局域態(tài)^［5-6］. 對光子晶體的研究已引起人們廣泛關(guān)注^［7-10］. 由光子晶體帶隙和局域化特性設(shè)計出大量的光學(xué)器件， 如Bragg散射^［11］、 濾波器^［12］、 傳感器^［13］和反射器^［14］， 光子晶體在激光應(yīng)用、 光通信和光電子電路等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛^［15-19］. 在光子晶體能帶圖中， 若兩條能帶相交， 且在相交點處色散關(guān)系為線性關(guān)系時， 則該相交點稱為光子晶體的Dirac點. Dirac點具有拓?fù)鋫鬏敽徒缑鎽B(tài)等性質(zhì)， 將具有對稱結(jié)構(gòu)的兩種光子晶體拼接在一起即可產(chǎn)生界面態(tài)^［20-22］， 該方法稱為Dirac點方法. 界面態(tài)的特點是光場強(qiáng)度沿垂直于光子晶體界面方向呈指數(shù)衰減分布， 一維光子晶體的界面態(tài)在光通信、 低閾值激光器、 高效反射鏡和可調(diào)諧濾波等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛.

本文通過電磁波在介質(zhì)中的傳播， 以及介質(zhì)與介質(zhì)界面處電場和磁場切線分量的連續(xù)條件， 分別給出光在介質(zhì)中傳播的傳輸矩陣， 以及光在介質(zhì)界面處的匹配矩陣，

從而得到組合結(jié)構(gòu)光子晶體總的傳輸矩陣， 并給出其反射率. 在此基礎(chǔ)上， 研究具有反轉(zhuǎn)對稱組合結(jié)構(gòu)為（ABA）N （BAB）M的光子晶體界面態(tài)， 其中介質(zhì)B為葡萄糖溶液， 其折射率是

葡萄糖溶液質(zhì)量濃度的函數(shù)^［23］. 數(shù)值計算結(jié)果表明， 當(dāng)改變葡萄糖溶液質(zhì)量濃度時， 可改變界面態(tài)的位置和峰值大小， 從而實現(xiàn)對界面態(tài)的調(diào)節(jié). 此外， 改變介質(zhì)A的折射率系數(shù)na0、 參數(shù)e、 厚度da和周期數(shù)N與介質(zhì)B的質(zhì)量濃度ρ、 溫度t、 厚度db和周期數(shù)M以及入射角的大小， 給出界面態(tài)的位置和峰值大小隨參數(shù)的變化曲線， 所得結(jié)論可為光學(xué)器件的設(shè)計提供理論依據(jù).

1"一維光子晶體中的傳輸

對于兩種折射率不同的A和B介質(zhì)層， 將其交替排列組成（AB）N型一維光子晶體結(jié)構(gòu)， 當(dāng)一束光通過一維光子晶體結(jié)構(gòu)傳輸時， 將光的傳輸分為在介質(zhì)內(nèi)傳輸和在兩種不同介質(zhì)界面處的傳輸.

對自由電磁場， 其平面波一個解的形式為

E=E0e^{i（k·r-ωt）}，（1）

一維反轉(zhuǎn)對稱光子結(jié)構(gòu)兩種類型及其原胞示意圖如圖1所示. 將（ABA）N型結(jié)構(gòu)光子晶體在xz平面內(nèi)垂直z軸放置， 若光束在光子晶體內(nèi)傳播時與法線夾角為θ， 則有

k·r=kxx+kzz=kxsin θ+kzcos θ.（2）

設(shè)光束在第n層介質(zhì)層中沿z軸正、 負(fù)方向傳輸， 將式（2）代入式（1）中得到電磁波在第n層介質(zhì)中沿z軸正、 負(fù)方向傳播時光波電場分別為

E+n=E+ne^{-i（ωt-knzcos θn+φ）}，（3）

E-n=E-ne^{-i（ωt+knzcos θn+φ）}，（4）

其中ω表示角頻率， kn為第n層內(nèi)光子晶體波矢的大小， 在第n層介質(zhì)中， 電磁波在介質(zhì)層內(nèi)從入射處到出射處傳輸?shù)膫鬏斁仃嚍?/p>

E+n1E-n2

=e^{-ikndncos θn}00e^{ikndncos θn}

E+n2E-n2，（5）

令

P（kn，dn）=e^{-ikndncos θn}00e^{ikndncos θn}，（6）

則

E+n1E-n1=P（kn，dn）E+n2

E-n2，（7）

其中E+n1和E-n1分別表示在第n層光子晶體介質(zhì)內(nèi)入口處的入射電場和反射電場， E+n2和E-n2為第n層介質(zhì)內(nèi)出口處的入射電場和反射電場， dn為第n層介質(zhì)的厚度， 則P（kn，dn）為光波在第n層介質(zhì)的介質(zhì)內(nèi)部傳輸矩陣.

當(dāng)光波在A和B兩種介質(zhì)之間的界面處傳播時， 定義第n層介質(zhì)界面處在分界面Ⅰ左側(cè)的表面總電場和總磁場分別為En和Hn

， 第（n+1）層介質(zhì)界面處在分界面Ⅰ左側(cè)表面總電場和總磁場分別為En+1和Hn+1. 分界面Ⅰ左側(cè)入射和反射的電場和磁場分別為E+

n，H+n，E-n，H-n， 分界面Ⅰ右側(cè)入射和反射的電場和磁場分別為E+n+1，H+n+1，E-n+1，H-n+1. 由Maxw

ell邊界條件知， 在橫電（TE）波中， 介質(zhì)在界面處傳輸時左右表面電磁場切向分量是連續(xù)的， 在分界面Ⅰ處有

En=En+1=E+n+E-n=E+n+1+E-n+1，

Hn=Hn+1=H+ncos θn-H-ncos θn=H+n+1cos θn+1-H-n+1cos θn+1.（8）

將Hi=ε0/μ0Eini代入式（8）可得

E+nnncos θn-E-nnncos θn=E+n+1nn+1cos θn+1-E-n+1nn+1cos θn+1，（9）

由式（8）和式（9）解得

E-n=12E+n+11-nn+1cos θn+1nncos θn

+12E-n+11+nn+1cos θn+1nncos θn，（10）

E+n=12E+n+11+nn+1cos θn+1nncos θ

n+12E-n+11-nn+1cos θn+1nncos θn，（11）

解得

E+n1E-n1=121+nn+1cos θ

n+1nncos θn1-nn+1cos θn+1nncos θn1-n

n+1cos θn+1nncos θn1+nn+1cos θn+1nncos θnE+n+1E-n+1=Mn→n+1E+n+1E-n+1，（12）

則光從第n層介質(zhì)到第（n+1）層介質(zhì)界面處的匹配矩陣為

Mn→n+1=121+nn+1cos θn+1nncos θn1-nn+1cos θn+1nncos θn1-nn+1cos θn+1nncos θ

n1+nn+1cos θn+1nncos θn，（13）

其中nn和nn+1分別表示第n層和第（n+1）層光子晶體介質(zhì)的折射率.

PC1結(jié)構(gòu)（圖1）一維反轉(zhuǎn)對稱原胞的傳輸矩陣為

Taba=Pka，da2·Mab·P（kb，db）·

Mba·Pka，da2，（14）

PC2結(jié)構(gòu)一維反轉(zhuǎn)對稱原胞的傳輸矩陣為

Tbab=Pkb，db2

·Mba·P（ka，da）·Mab·Pkb，db2.（15）

對于分別具有N，M周期的PC1和PC2組合結(jié)構(gòu)PC1+PC2， 其總傳輸矩陣為

H=HPC1+PC2=Mυa·TN

aba·Mab·TMbab·Mbυ.（16）

2"一維光子晶體中的透射率和反射率

若式（16）的總傳輸矩陣為

H=H11H12H21H22，（17）

則光波通過PC1+PC2組合結(jié)構(gòu)光子晶體后， 入射和透射光波的電場滿足

E+0E-0=H11H12H21H22·E+N+1E-N+1.（18）

當(dāng)入射區(qū)域和透射區(qū)域均為空氣時， E-N+1=0， 光通過該組合結(jié)構(gòu)光子晶體的反射系數(shù)r為

r=E-0E+0=H21H11，（19）

進(jìn)一步得到反射率為

R=r2=H21H112.（20）

3"一維組合結(jié)構(gòu)光子晶體界面態(tài)的數(shù)值分析

在圖1的組合結(jié)構(gòu)光子晶體結(jié)構(gòu)中， 介質(zhì)A為色散介質(zhì)， 其折射率na=na01+eλ2， 厚度為d

a， 介質(zhì)B為葡萄糖溶液， 其折射率^［23］nb=1.335 6+（1.533×10^-3）ρ-（9.0×10^-5）ρ2-（1.264 7×10^-4）t-（4.0×10^-8）t2， 其中ρ為葡萄糖溶液

的質(zhì)量濃度， t為溫度. 在數(shù)值計算中， 初始參數(shù)取為： 周期數(shù)N=10， M=10， ρ=30 mg/mL， t=20 ℃， 介質(zhì)厚度da

=220 nm， db=10 nm， 介質(zhì)A折射率系數(shù)na0=1.35， 折射率參數(shù)e=0.005 6， 入射角θ=0， 可得到圖2所示的反射譜.

由圖2可見， 在第2，4，6，8帶隙中出現(xiàn)透射峰， 即界面態(tài)， 在第3，5，7帶隙中未出現(xiàn)界面態(tài). 下面以圖2中第3個界面態(tài)為例， 研究各參數(shù)變化對界面態(tài)的影響.

葡萄糖溶液溫度對界面態(tài)的影響如圖3所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的溫度分別為20，25，30 ℃， 其他參數(shù)均為初始值， 由圖3可見， 溫度對界面態(tài)的位置和峰值大小影響較小.

葡萄糖溶液質(zhì)量濃度對界面的影響如圖4所示， 其中（A）～（F）對應(yīng)的葡萄糖溶液質(zhì)量濃度分別為20，30，40，50，60，70 mg/mL， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖4可見， 隨著葡萄

糖溶液質(zhì)量濃度的增加， 界面態(tài)的位置向右移動即藍(lán)移， 且界面態(tài)的峰值變小. 因此， 通過改變葡萄糖溶液質(zhì)量濃度即可實現(xiàn)對界面態(tài)的調(diào)節(jié).

折射率參數(shù)e對界面的影響如圖5所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的參數(shù)e分別為0.005 6，0.005 3，0.005 0， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖5可見， 隨著e的變小， 界面態(tài)位置向右移動， 峰值基本不變.

因此， 通過改變參數(shù)e可實現(xiàn)界面態(tài)位置的調(diào)整.

介質(zhì)A折射率系數(shù)對界面態(tài)的影響如圖6所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的na0分別為1.35，1.37，1.39， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖6可見， 隨著折射率系數(shù)的變大， 界面態(tài)位置向左移動， 峰值基本不變. 因此， 通過改變介質(zhì)A折射率的系數(shù)變化， 可實現(xiàn)界面態(tài)位置的調(diào)整.

介質(zhì)A厚度對界面態(tài)的影響如圖7所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的da值分別為220，222，224 nm， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖7可見， 隨著da的變大， 界面態(tài)位置向左移動， 峰值基本不變. 因此， 通過改變介質(zhì)A的厚度可實現(xiàn)界面態(tài)位置的調(diào)整.

介質(zhì)B厚度對界面態(tài)的影響如圖8所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的db值分別為10，12，14 nm， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖8可見， 隨著db的變大， 界面態(tài)位置向左移動， 峰值變小. 因此， 通過改變介質(zhì)B的厚度可實現(xiàn)界面態(tài)位置和峰值的調(diào)整.

周期數(shù)M對界面態(tài)的影響如圖9所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的周期數(shù)M分別為10，11，12， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖9可見， 隨著M的變大， 界面態(tài)位置基本不變， 但峰值變小. 因此， 通過改變周期數(shù)M可實現(xiàn)界面態(tài)峰值的調(diào)整.

周期數(shù)N對界面態(tài)的影響如圖10所示， 其中（A）～（C）對應(yīng)的周期數(shù)N分別為10，11，12， 其他參數(shù)均為初始值， 由圖10可見， 隨著N的變大， 界面態(tài)位置不變， 但峰值變小. 因此， 通過改變周期數(shù)N可實現(xiàn)界面態(tài)峰值的調(diào)整.

入射角對界面態(tài)的影響如圖11所示， 其中（A）～（E）對應(yīng)的入射角分別為0°，10°，20°，30°，40°， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖11可見， 隨著入射角的變大， 界面態(tài)向右移動， 峰值變化較小. 因此， 通過改變?nèi)肷浣强蓪崿F(xiàn)界面態(tài)位置的調(diào)整.

葡萄糖溶液質(zhì)量濃度對組合結(jié)構(gòu)為PC1+PC2+PC1多個界面態(tài)的影響如圖12所示， 其中（A）～（D）對應(yīng)的葡萄糖溶液質(zhì)量濃度分別為20，50，70，80 mg/mL. 在PC1光子晶體中介質(zhì)A的厚度da/2=15 nm， 介質(zhì)B的厚度db=20 nm， 在PC2光子晶體中介質(zhì)A的厚度da=30 nm， 介質(zhì)B的厚度db/2=10 nm， 介質(zhì)A折射率系數(shù)na0=1.55， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖12可見， 該結(jié)構(gòu)出現(xiàn)2個界面態(tài)， 隨著葡萄糖溶液質(zhì)量濃度的增加， 界面態(tài)的位置向右移動即藍(lán)移， 且界面態(tài)的峰值變小， 界面態(tài)之間的距離變小. 因此通過改變葡萄糖溶液質(zhì)量濃度即可實現(xiàn)對多個界面態(tài)的調(diào)節(jié).

葡萄糖溶液質(zhì)量濃度對組合結(jié)構(gòu)為PC1+PC2+PC1+PC2+PC1多個界面態(tài)的影響如圖13所示， 其中（A）～（D）對應(yīng)的葡萄糖溶液質(zhì)量濃度分別為20，50，70，80 mg/mL. 在PC1光子晶體中介質(zhì)A的厚度da=15 nm， 介質(zhì)B的厚度db=20 nm， 在PC2光子晶體中介質(zhì)A的厚度da=30 nm， 介質(zhì)B的厚度db=10 nm， 介質(zhì)A折射率系數(shù)na0=1.55， 其他參數(shù)均為初始值. 由圖13可見， 該結(jié)構(gòu)出現(xiàn)4個界面態(tài)， 隨著葡萄糖溶液質(zhì)量濃度的增加， 界面態(tài)的位置向右移動即藍(lán)移， 且界面態(tài)的峰值變小， 界面態(tài)之間的距離變小. 因此， 通過改變葡萄糖溶液質(zhì)量濃度即可實現(xiàn)對多個界面態(tài)的調(diào)節(jié).

綜上， 本文基于傳輸矩陣法計算了一維反轉(zhuǎn)對稱組合結(jié)構(gòu)的反射率， 在此基礎(chǔ)上研究了組合結(jié)構(gòu)（ABA）N（BAB）M的光子晶體界面態(tài)， 并研究了葡萄糖溶液質(zhì)量濃度對組合結(jié)構(gòu)PC1+PC2+PC1和PC1+PC2+PC1+PC2+PC1多個界面態(tài)的影響. 數(shù)值計算結(jié)果表明： 隨著葡萄糖溶液質(zhì)量濃度的增加， 界面態(tài)的位置向右移動即藍(lán)移， 且界面態(tài)的峰值變小， 因此通過改變葡萄糖溶液質(zhì)量濃度即可實現(xiàn)對界面態(tài)的調(diào)節(jié); 隨著介質(zhì)A折射率參數(shù)e的變小， 界面態(tài)位置向右移動， 峰值基本不變; 隨著折射率系數(shù)na0的變大， 界面態(tài)位置向左移動， 但峰值基本不變; 隨著介質(zhì)A和B厚度da和db的變大， 界面態(tài)位置向左移動， 峰值基本不變; 隨著周期數(shù)M和N的變大， 界面態(tài)位置不變， 但峰值變小; 隨著入射角的變大， 界面態(tài)向右移動， 峰值變化較小. 因此， 通過改變以上參數(shù)即可實現(xiàn)界面態(tài)位置和峰值的調(diào)節(jié). 所得結(jié)論可為光學(xué)器件的設(shè)計提供理論依據(jù).

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（責(zé)任編輯： 王"?。?/p>