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原子力顯微鏡-掃描電子顯微鏡共定位表征系統(tǒng)的研發(fā)與應(yīng)用

2024-02-29 04:13呂天明孫智廣
關(guān)鍵詞:溝槽圓形形貌

蔡 蕊,萬(wàn) 鵬,徐 強(qiáng),呂天明,孫智廣

(大連理工大學(xué) 分析測(cè)試中心,遼寧 大連 116024)

原子力顯微鏡(atomic force microscope,AFM)[1]是亞微米、納米級(jí)形貌[2],納米磁學(xué)[3]、電學(xué)[4]、力學(xué)[5]、生物學(xué)[6]研究領(lǐng)域必要的表征手段[7-8].但在微納極窄樣品表征時(shí),AFM 的探針只沿固定方向掃描,無(wú)法調(diào)整所需角度.若樣品放置的方向不正,受針尖性狀、力學(xué)性質(zhì)等影響[9],不但無(wú)法得到高質(zhì)量掃描圖像,而且還為后期譜圖的處理(拉平基線)制造困難.除此以外,在納米力學(xué)摩擦力測(cè)試中,對(duì)于各向異性樣品的摩擦力測(cè)試,需要樣品在特定的方向上進(jìn)行[10].而現(xiàn)有的AFM,尤其是生物型AFM,在對(duì)微納極窄型等需要以一定方向呈現(xiàn)的樣品進(jìn)行掃描時(shí),無(wú)法迅速、可控的變換樣品方向,移動(dòng)遠(yuǎn)距離的掃描位點(diǎn).

在微納加工時(shí),常使用聚焦離子束(focused ion beam,F(xiàn)IB)對(duì)樣品表面原子進(jìn)行剝離,以完成微納米級(jí)表面形貌加工,加工后需要使用AFM 進(jìn)行形貌表征[11],或者轉(zhuǎn)移到其他掃描電子顯微鏡(SEM)觀察,以精準(zhǔn)測(cè)量尺寸等.而這三類(lèi)儀器在測(cè)試過(guò)程中,都需要將樣品固定于樣品臺(tái)上,保證在測(cè)試中不會(huì)移動(dòng)(均為納米級(jí)形貌表征,微小移動(dòng)也會(huì)影響濺射、成像的精準(zhǔn)度)才可進(jìn)行測(cè)試.而樣品一般比較脆弱,從導(dǎo)電膠上取下再向不同儀器的樣品臺(tái)上轉(zhuǎn)移時(shí)十分容易損壞樣品,導(dǎo)致直接碎裂或者鑷子用力夾持導(dǎo)致碎渣崩到樣品表面,影響成像效果,如圖1 所示.

圖1 樣品由于拆卸造成的損壞及對(duì)AFM 形貌表征的影響Fig. 1 Damage of sample caused by disassembly and its effect on AFM morphology characterization

為解決以上現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足之處,本設(shè)計(jì)計(jì)劃提供一種AFM、SEM 和FIB 的樣品共定位系統(tǒng),其可實(shí)現(xiàn)儀器間樣品無(wú)損轉(zhuǎn)移,并通過(guò)參照點(diǎn)的輔助定位找到測(cè)試位點(diǎn),建立起三個(gè)重要表征儀器之間的橋梁,還可實(shí)現(xiàn)AFM 掃描方向可控、迅速調(diào)整位點(diǎn)等功能.

1 試驗(yàn)部分

1.1 儀器與試劑

共定位系統(tǒng)(自主研制);原子力顯微鏡Nanowizard 4XP(美國(guó)Bruker 公司);超高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡7900F(JEOL 日本電子株式會(huì)社);聚焦離子束Helios G4 UX(美國(guó)賽默飛世爾科技有限公司);光刻圖案化后的樣品(自制);FIB 濺射后的溝槽樣品(自制);探針SNL-10(美國(guó)Bruker 公司).

1.2 試驗(yàn)方法

1.2.1 共定位系統(tǒng)的研發(fā)

裝置功能:(1)在AFM 檢測(cè)過(guò)程中,固定、快速移動(dòng)樣品(掃描位點(diǎn)),轉(zhuǎn)換樣品方向.(2)FIB、SEM 和AFM 的樣品共定位系統(tǒng):AFM、FIB、SEM樣品臺(tái)適配模塊,具有輔助定位點(diǎn)(與操作系統(tǒng)XY坐標(biāo)關(guān)聯(lián),實(shí)現(xiàn)定位),樣品固定在該模塊上,將模塊放入固定器的卡槽中,即可用于AFM 掃描.將該模塊從卡槽拆卸下來(lái),即可直接作為SEM 和FIB樣品臺(tái),帶著固定好的樣品進(jìn)行檢測(cè),避免樣品在不同儀器樣品臺(tái)間的拆卸轉(zhuǎn)移過(guò)程中受到破壞.

裝置構(gòu)造及用途:(1)轉(zhuǎn)盤(pán)A,轉(zhuǎn)盤(pán)下方的圓形凸起可嵌入底盤(pán)F 的圓形鏤空,且緊密接觸,有一定阻尼,可轉(zhuǎn)動(dòng),但不易打滑.包括:兩根長(zhǎng)方形夾棍C,每根夾棍靠?jī)筛鶑椈奢SB 固定到轉(zhuǎn)盤(pán)兩側(cè),兩根夾棍C 可依靠彈簧B 的推力夾緊樣品或樣品托盤(pán)D,防止滑動(dòng).把手螺絲E,與底盤(pán)F 保持水平位置,擰松把手螺絲E 可作為轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)盤(pán)A 的把手,擰緊把手螺絲E,螺絲的另一端抵住底盤(pán)F 的邊緣,可固定好轉(zhuǎn)盤(pán).用于調(diào)整樣品的角度.腳柱槽H-3用于放置腳柱H-2.(2)底盤(pán)F,鐵質(zhì)或者鋁制,可吸附在AFM 的載物臺(tái)上(依靠磁力或吸力),底盤(pán)F中心有圓形鏤空,可將轉(zhuǎn)盤(pán)A 嵌入,底盤(pán)F 和轉(zhuǎn)盤(pán)A 的接觸位置有一定阻尼,可轉(zhuǎn)動(dòng),但不易打滑.形狀可根據(jù)實(shí)際調(diào)節(jié),不限制.(3)FIB、SEM 樣品臺(tái)適配模塊H,因考慮到SEM 不可用帶有磁性的樣品臺(tái),因此模塊H 為鋁制.模塊H 包括類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 和腳柱H-2,腳柱H-2 取下時(shí)為防止丟失可置于轉(zhuǎn)盤(pán)A 上的腳柱槽H-3 中,使用時(shí)取出.樣品固定在該模塊的類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 上,將該類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 對(duì)準(zhǔn)位置放入樣品托盤(pán)D 的凹槽D-1中,兩邊由夾棍C 夾住,用于AFM 的掃描,通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)盤(pán)A、沿著夾棍C 方向推拉樣品托盤(pán)D 改變角度和位置.(4)樣品托盤(pán)D,長(zhǎng)方形.帶兩種尺寸的凹槽.凹槽D-1:尺寸與普通市售載玻片尺寸吻合.尺寸微小、比較薄的樣品可以先固定在載玻片上,再將載玻片置于此凹槽內(nèi),載玻片、樣品托盤(pán)D 被夾棍固定住,有阻尼,但可以拖動(dòng),可沿著夾棍C 的方向移動(dòng)樣品,迅速更換掃描位置.凹槽D-2:尺寸與FIB、SEM 樣品臺(tái)適配模塊H 中類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 形狀一致,可放置該類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1,夾棍C夾住后,隨樣品托盤(pán)D 移動(dòng).如圖2 所示.

圖2 共定位系統(tǒng)整體及分解圖Fig. 2 Overall and decomposition diagrams of co-positioning system

類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 取下后可直接作為SEM 樣品臺(tái)使用.底部中央有螺紋孔,腳柱H-2 的螺紋和尺寸與SEM 內(nèi)用于固定樣品臺(tái)的螺紋柱尺寸一致,可通用.將該模塊的類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 從樣品托盤(pán)D 的凹槽D-1 中拆卸下來(lái),即可直接擰在SEM 樣品臺(tái)固定位置,作為SEM 樣品臺(tái)直接用于測(cè)試, 具有輔助定位點(diǎn)(與操作系統(tǒng)XY 坐標(biāo)關(guān)聯(lián),實(shí)現(xiàn)定位).類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 擰上與之匹配的腳柱H-2,即可作為FIB 樣品臺(tái),用于FIB 的濺射等操作.該適配模塊H 的尺寸適用于大部分品牌的FIB 和SEM 儀器,或根據(jù)SEM、FIB 所需具體的尺寸制作.腳柱H-2 尺寸較小,為防止丟失,不使用時(shí)可放置于轉(zhuǎn)盤(pán)A 上的特定腳柱槽H-3 內(nèi)保存.該適配模塊H 無(wú)需將固定好的樣品取下來(lái)轉(zhuǎn)移到另外的樣品臺(tái)上,可避免樣品在不同儀器樣品臺(tái)的拆卸轉(zhuǎn)移過(guò)程中受到破壞,具有保護(hù)測(cè)試樣品、便捷、實(shí)用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).

1.2.2 微納表面形貌表征方法

AFM 形貌表征條件:將微納圖案化樣品或由FIB 濺射的溝槽樣品置于自主研制的共定位系統(tǒng)上,導(dǎo)電膠粘牢,且保證水平.頂置10X 光鏡XY 坐標(biāo)協(xié)助定位.使用Quantitative Imaging(QI)模式,Setpoint 為 0.3 V,Zlength 為 200 nm,Zspeed 為 77μm/s.SEM 形貌表征測(cè)試加速電壓為10 kV.

2 應(yīng)用案例-微納加工材料表征中的應(yīng)用效果

以光刻圖案化后的樣品為案例,對(duì)設(shè)計(jì)的共定位系統(tǒng)進(jìn)行應(yīng)用.極紫外光刻材料的研發(fā)一直是半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的瓶頸之一[12],開(kāi)發(fā)新型極紫外光刻膠材料具有重大的戰(zhàn)略意義.光刻膠膜表面形貌和粗糙度是評(píng)價(jià)光刻膠質(zhì)量的重要指標(biāo)[13-16].圖案化的光刻有機(jī)膜,需要使用AFM 和SEM 表征證實(shí)其在電子束光刻和極紫外光刻測(cè)試中的表現(xiàn).使用本文設(shè)計(jì)的共定位系統(tǒng),可以很好實(shí)現(xiàn)該樣品在SEM、FIB 和AFM 之間的轉(zhuǎn)換和樣品定位,并且在AFM表征中輕松實(shí)現(xiàn)方向調(diào)整和樣品快速移位.

如圖3 所示,光刻圖案化后的樣品(自制)需要先在SEM 或FIB 上進(jìn)行電子束光刻蝕,刻蝕完畢后,在AFM 上進(jìn)行粗糙度測(cè)試以及3D 成像.使用所設(shè)計(jì)的共定位系統(tǒng)中的適配模塊H 作為樣品臺(tái),實(shí)現(xiàn)了樣品在三種儀器間的自由切換,無(wú)需拆卸,避免了樣品損傷,還可以使用共定位功能,鎖定目標(biāo)區(qū)域分別進(jìn)行SEM、AFM 成像,操作便捷,節(jié)省了大量時(shí)間.除此之外,以溝槽樣品(自制)作為樣本,使用AFM 測(cè)試其溝槽的尺寸時(shí),調(diào)整濺射的參數(shù)后,需要先在FIB 上完成濺射,再置于AFM 上成像和測(cè)量.若溝槽放置傾斜,會(huì)使計(jì)算存在偏差或成像出現(xiàn)瑕疵.因此需要將溝槽角度調(diào)整于合適方向.

圖3 圖案化微納有機(jī)膜表面SEM、AFM 表征Fig. 3 Characterization of SEM and AFM on surface of patterned micro-nano organic films

如圖4 所示,使用所設(shè)計(jì)的適配模塊H 固定樣品,先后進(jìn)行了FIB 和AFM 測(cè)試,利用所設(shè)計(jì)的共定位系統(tǒng)使得操作簡(jiǎn)便,并且測(cè)試結(jié)果優(yōu)異.

圖4 固定于FIB、SEM 樣品臺(tái)適配模塊H 的類(lèi)圓形樣品臺(tái)H-1 上的FIB 濺射后的溝槽樣品,需要測(cè)試其溝槽尺寸(a)經(jīng)AFM 表征,發(fā)現(xiàn)溝槽方向傾斜,(b)經(jīng)轉(zhuǎn)盤(pán)調(diào)整角度后,擺正方向Fig. 4 Groove samples after FIB sputtering fixed on disklike sample stage H-1 of FIB and SEM sample tables adaptation module H, tested size of groove(a) groove direction was tilted after AFM characterization,(b) groove positioned in right direction after adjusting angle of turntable

3 結(jié)論

與現(xiàn)有的技術(shù)相比,所設(shè)計(jì)的共定位系統(tǒng)可建立AFM、SEM 和FIB 三大形貌表征儀器之間的橋梁,不但可以保護(hù)珍貴樣品不被損壞,還可大幅提高樣品測(cè)試效率以及效果.另外,其快速移位和變換方向功能可大幅提升方向依賴形貌、磁學(xué)、摩擦力等測(cè)試的成功率和圖像效果,并且提升原有載物臺(tái)的樣品測(cè)試范圍和速度,方便快捷,實(shí)用性強(qiáng).

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