楊聯(lián)弟,蘇艷麗
(山西運城學(xué)院物理與電子工程系,山西運城 044000)
基于雙光子光折變效應(yīng)的中心對稱亮空間孤子的自偏轉(zhuǎn)
楊聯(lián)弟,蘇艷麗
(山西運城學(xué)院物理與電子工程系,山西運城 044000)
基于外加電場的雙光子中心對稱光折變介質(zhì),數(shù)值研究了中心對稱亮孤子的自偏轉(zhuǎn)特性。結(jié)果表明:具有雙光子效應(yīng)的中心對稱光折變介質(zhì)中,亮孤子在擴散效應(yīng)的作用下呈現(xiàn)出與光軸方向反向的自偏轉(zhuǎn)特性;孤子中心偏轉(zhuǎn)距離與外加電場和入射光強等參量相關(guān)。隨著外加電場的增加,孤子的自偏轉(zhuǎn)距離逐漸加大。亮孤子自偏轉(zhuǎn)距離隨著入射光強的增加表現(xiàn)出先增加后減小的非線性變化規(guī)律,在孤子半峰全寬最窄處,孤子的自偏轉(zhuǎn)距離存在一最大值。
非線性光學(xué);雙光子光折變效應(yīng);自偏轉(zhuǎn)
在光折變介質(zhì)中,空間光孤子的形成源于光折變非線性效應(yīng)與光束的衍射效應(yīng)相平衡。光折變非線性效應(yīng)即光致折射率變化主要有兩種機制:一是非中心對稱光折變晶體,折射率的非線性變化起因于線性電光效應(yīng)。在此類光折變晶體中,根據(jù)不同的物理機制將孤子分為屏蔽孤子[1-2]、光伏孤子[3-4]和屏蔽光伏孤子[5-6]。二是中心對稱光折變晶體,折射率的非線性變化是由二次電光效應(yīng)支配的。與非中心對稱光折變晶體相比,中心對稱光折變晶體中的孤子一般需要外加電場,可稱之為屏蔽孤子[7-8]。最近,展凱云等人基于Castro-Camus的雙光子光折變模型[9],理論預(yù)言了中心對稱光折變晶體中雙光子亮、暗空間孤子[10]和雙光子Manakov孤子[11]的存在。本文在忽略損耗的情況下,數(shù)值求解演化方程,研究了雙光子亮空間孤子在中心對稱光折變晶體中的自偏轉(zhuǎn)特性,分析了外加電場和入射光強對自偏轉(zhuǎn)的影響。
一束只在x方向發(fā)生衍射的入射光I2,沿z方向在具有雙光子效應(yīng)的中心對稱光折變材料中傳播,材料上施加有沿x方向的外加電場。另有一束強度均勻的啟動光I1照射晶體側(cè)面,把入射光場I2表示為慢變振幅形式,即E=A(x,z)exp(ikz)。其中k=k0ne=(2π/λ0)ne,ne為材料未受擾動時的折射率,λ0為自由空間中的波長。在上述條件下光波滿足如下的演化方程:
式中折射率的變化量Δn滿足[7,8]:
其中,geff為有效二次電光系數(shù),ε0和εr分別為真空和相對介電常數(shù),Esc為介質(zhì)中的空間電荷場,它可從描述介質(zhì)的光折變速率方程、電流方程及Poisson方程導(dǎo)出[10]
其中,I2d=β2/s2為所謂的暗輻射強度,I2∞代表遠(yuǎn)離光束橫斷面中心處的光強,E0為x→±∞處的空間電荷場。把(3)式和(2)式代入方程(1),并采用無量綱變量S=x/x0,及A=(2η0I2d/ne)1/2U,其中,x0為一任意空間寬度,可得光波演化方程
文獻(xiàn)[10]給出了滿足方程(5)的亮空間孤子解
其中,r=I2(0)/I2d,I2(0)為光束的中心光強,y(s)是歸一化的實函數(shù)(0≥y(s)≥1)。
取晶體(KTN)參數(shù)[10]:T=295K,ne=2.29,geff=0.136m4C-2,εr=10 000,E0=2×105V/m,λ0=0.633μm,x0=30μm,由以上參數(shù)可計算出β=52,δ1=0.44,δ2=9.3×10-4。另取σ=104,r=5,數(shù)值求解方程(6)得到亮空間孤子的強度包絡(luò),將其作為入射光波,數(shù)值求解演化方程(4)得到相應(yīng)的自偏轉(zhuǎn)特性(圖1)。
圖1 亮空間孤子的自偏轉(zhuǎn)當(dāng)β=52,δ1=0.44,r=5
下面從方程(4)出發(fā)分析外加電場和入射光強對孤子自偏轉(zhuǎn)的影響。分別取外加電場E0=2×105V/m(β=52),E0=2.5×105V/m(β=81),E0=3×105V/m(β=117)。數(shù)值求解演化方程(4)可以得到亮孤子中心自偏轉(zhuǎn)距離隨著傳播距離的變化關(guān)系(圖2)。從圖2可以看出:隨著外加電場的增加,孤子中心的自偏轉(zhuǎn)距離逐漸加大。然后當(dāng)外加電場取E0=2.5×105V/m時,取不同的入射光強得到圖3。發(fā)現(xiàn)隨著入射光強的增加,自偏轉(zhuǎn)距離首先逐漸增加,并在r=1附近取得偏轉(zhuǎn)的最大值,然后隨著入射光強的加大,自偏轉(zhuǎn)距離又逐漸減小。究其原因,我們認(rèn)為主要是孤子的半峰全寬與入射光強呈現(xiàn)非線性關(guān)系,并在r=1附件取得最小值(圖4),即在孤子最窄處其自偏轉(zhuǎn)距離最大。
圖2 當(dāng)入射光強r=5,亮孤子中心自偏轉(zhuǎn)距離與外加電場的關(guān)系
圖3 當(dāng)外加電場亮孤子中心自偏轉(zhuǎn)距離與入射光強的關(guān)系
圖4 當(dāng)外加電場β=81,亮孤子半峰全寬隨入射光強的變化曲線
數(shù)值研究了具有雙光子效應(yīng)的中心對稱光折變晶體中亮空間孤子的自偏轉(zhuǎn)特性。結(jié)果表明,考慮擴散效應(yīng)時,亮空間孤子在晶體中會發(fā)生自偏轉(zhuǎn)現(xiàn)象,其自偏轉(zhuǎn)距離與外加電場和入射光強有關(guān)。隨著外加電場的增加,孤子的自偏轉(zhuǎn)距離逐漸加大;隨著入射光強的增加,孤子的自偏轉(zhuǎn)距離呈現(xiàn)出先增加后減小的非線性關(guān)系。
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〔編輯 李?!?/p>
The Self-deflection of Centrosymmetric Bright Spatial Solitons based on the Two-photon Photorefractive Effect
YANG Lian-di,SU Yan-li
(Department of Physics and Electronics Engineering,Yuncheng University,Yuncheng Shanxi,044000)
The self-deflection characteristics of bright spatial solitons in biased two-photon centrosymmetric photorefractive crystals are studied numerically.The results show that the bright solitons possesses a self-deflection process in the direction opposite to the crystal's axis during propagation in two-photon centrosymmetric photorefractive crystals.The self-deflection distance of the bright solitons is relation to the external electric field and the input light intensity.The absolute value of the self-deflection increases as the external electric field increases.The relation of the self-deflection distance of bright solitons and the input light intensity is nonlinear.The absolute value of the self-deflection increases first,reaches its maximum value at aminimum value of the FWHM,then decreases as light intensity rises.
nonlinear optics;two-photon photorefractive effect;self-deflection
O437
A
1674-0874(2011)03-0027-03
2011-04-02
楊聯(lián)弟(1964-),女,山西運城人,實驗師,研究方向:物理實驗及光學(xué)。