張曉泳,劉邵生,鮑寅祥,李小斌,周科朝
(1.中南大學(xué) 冶金與環(huán)境學(xué)院,長沙 410083;2.中南大學(xué) 粉末冶金國家重點實驗室,長沙 410083;3.世泰科化工貿(mào)易(上海)有限公司,上海 200030)
當(dāng)液相體系中存在一定過飽和度時,會發(fā)生形核析出-長大的現(xiàn)象。在析出過程中,溶質(zhì)通過能量起伏和結(jié)構(gòu)起伏聚集在一起,構(gòu)成短程有序的基元團(即晶胚);一部分晶胚繼續(xù)長大、直至超過臨界形核尺寸后,析出固相顆粒,液相濃度隨之下降,并逐漸由不穩(wěn)定的過飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定的平衡濃度狀態(tài),形核驅(qū)動力為過飽和度[1]。液相體系內(nèi)發(fā)生的析出-長大過程是材料科學(xué)中的基本現(xiàn)象之一,化學(xué)共沉淀[2]、溶膠-凝膠[3]、熔鹽合成[4]等諸多涉及液相的材料合成與制備方法與該現(xiàn)象密切相關(guān),并且會對合成產(chǎn)物的數(shù)量、結(jié)晶尺寸與形貌等產(chǎn)生重要作用,因此,關(guān)于此方面的研究在材料學(xué)領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。
目前,針對液相體系析出-長大的實驗研究主要采用激光共聚焦顯微觀察[5]、相襯-微分干涉顯微觀察[6]、邁克爾遜干涉[7]、雙脈沖[8]等直接觀察的方式,通過對形成核心進行計時計數(shù),獲得形核孕育期、形核數(shù)量等結(jié)果。然而,由于形核析出發(fā)生的尺度范圍極小(納觀到微觀尺度)、時間極短(數(shù)十微秒)[9],因此,采用實驗觀察的研究手段,在精確獲得實驗結(jié)果(諸如液相濃度變化、形核率、臨界形核尺寸等)、實時探測動態(tài)行為等方面存在較大局限性,尤其在研究不透明溶液或者高溫液相時,上述問題尤顯突出。
隨著計算材料學(xué)和計算機技術(shù)的迅速發(fā)展,采用計算模擬的方式研究液相析出-長大行為日益受到關(guān)注。這類研究手段主要通過構(gòu)建對象模型、制定驅(qū)動規(guī)則、存儲并分析模擬數(shù)據(jù)等一系列環(huán)節(jié),實現(xiàn)析出-長大微觀過程的模擬,進而預(yù)測相關(guān)規(guī)律及動力學(xué)行為。目前,用于模擬液相析出-長大行為的方法主要有分子動力學(xué)[10]、相場[11]和蒙特卡羅等,其中蒙特卡羅方法(Monte Carlo method,MC)的模擬程序設(shè)計相對簡單,模擬速度相對較快,并且可以利用計算機圖形學(xué)對析出-長大微觀過程進行圖形化表征,體現(xiàn)出較好優(yōu)勢。如TIKARE等[12-13]利用MC方法并借助于Potts模型,對液相內(nèi)溶質(zhì)聚集、析出、Ostwald熟化長大的微觀過程進行了模擬,所得顆粒溶解尺寸與其飽和濃度之間能夠較好地符合Gibbs-Thomson關(guān)系,并認(rèn)為該方法模擬得到的顆粒熟化長大過程受擴散機制控制。并通過改進模擬規(guī)則,使顆粒熟化長大指數(shù)更接近于擴散機制控制下的理論長大指數(shù)1/3,且其數(shù)值不隨溫度、液相含量等模擬條件變化而出現(xiàn)較大波動。LIU[14]、LEE等[15]和LUQUE等[16]則將MC方法從模擬液相析出-長大過程衍生至模擬液相燒結(jié)過程。楊衛(wèi)兵等[17]和朱閣等[18]還將MC方法用于模擬低飽和度溶液內(nèi)單晶表面的溶質(zhì)析出行為,通過控制溶液濃度、單晶表面狀態(tài)等因素,模擬得到了基于單核/多核生長模式的二維成核生長動力學(xué)過程。
然而,在上述文獻報道中,并沒有考慮在過飽和液相內(nèi)形核析出時存在臨界形核尺寸、以及析出后會引起液相濃度下降、進而影響臨界形核半徑等因素,因此,其模擬結(jié)果并不能真實準(zhǔn)確地反映實際析出-長大行為。為此,本文作者采用MC方法,首先針對過飽和液相體系內(nèi)的析出-長大過程,制定合理的MC模擬規(guī)則;然后引入臨界形核尺寸,用于分析隨模擬時間延長得到的模擬數(shù)據(jù),對晶胚、晶核、析出顆粒等微觀連續(xù)區(qū)域進行區(qū)分,并考慮液相濃度變化對臨界形核尺寸方面的影響因素;最終獲得析出-長大過程中液相濃度、過飽和度、形核率、析出顆粒數(shù)量及其尺寸等模擬結(jié)果隨模擬時間延長而呈現(xiàn)出的規(guī)律,并對其進行相關(guān)驗證。
為了模擬過飽和液相內(nèi)的析出-長大行為,基于二維矩陣建立一個離散型的模擬對象:首先定義m×m的二維矩陣L,并預(yù)設(shè)液相初始濃度值c0;然后在矩陣L中隨機選取c0×m2個互不相鄰的格點,將整數(shù)序列[1,c0×m2]中的每一個整數(shù)值依次賦予這些格點,用于標(biāo)示溶質(zhì),將數(shù)值-1賦予剩余的矩陣格點,用于標(biāo)示液相區(qū)域;最后經(jīng)圖形化處理后得到如圖1所示的初始模擬對象。
在模擬過程中,受模擬規(guī)則驅(qū)動,矩陣內(nèi)的單個溶質(zhì)格點會發(fā)生團聚、繼而形成晶胚/臨界晶核/析出顆粒等連續(xù)區(qū)域(由多個狀態(tài)值相同且位置相鄰的溶質(zhì)格點組成),或者晶胚/臨界晶核/析出顆粒重溶形成溶質(zhì)。整個模擬體系界面能E的計算如下[12]:
式中:m為矩陣L的邊長;i和j代表相鄰的兩個矩陣格點,Jij為i和j之間的單位界面能,其定義如下[13]:i和j為狀態(tài)值不同的相鄰固相格點時,Jij等于單位固-固界面能Jgb;i和j為相鄰的固相-液相格點時,Jij等于單位固-液界面能為Jsl;i和j為狀態(tài)值相同的相鄰格點時,Jij等于0,即不存在界面能。
在本研究中,針對的模擬過程如下:含一定溶質(zhì)濃度的液相迅速降至某一溫度后,達到過飽和狀態(tài),繼而發(fā)生溶質(zhì)析出-長大,其中包含溶質(zhì)擴散、溶質(zhì)聚集(形成晶胚/晶核/析出顆粒等連續(xù)區(qū)域)、以及晶胚/晶核/析出顆粒溶解(形成溶質(zhì))等微觀過程。為了模擬這幾類微觀過程,在矩陣L中隨機選取一對相鄰的固相格點A/液相格點B,并根據(jù)格點狀態(tài)不同,嘗試變化A和B的格點狀態(tài):首先改變固相格點A的狀態(tài)值,然后交換相鄰固相格點A與液相格點B之間的狀態(tài)值。相關(guān)模擬規(guī)則描述如下。
1) 若固相格點A/液相格點B周圍均為液相格點(即A為溶質(zhì)格點),則嘗試直接交換兩者狀態(tài)值,用于模擬溶質(zhì)在液相中擴散的微觀行為(見圖2(a))。
2) 若固相格點A周圍均為液相格點(即A為溶質(zhì)格點),而液相格點B周圍存在其他固相格點,則從這些固相格點中隨機選取某一固相格點A′,先嘗試將A′的狀態(tài)值賦予A,然后交換A與液相格點B之間的狀態(tài)值,用于模擬溶質(zhì)在液相中聚集、形成晶胚/晶核/析出顆粒等連續(xù)區(qū)域的微觀行為(見圖2(b))。
3) 若固相格點A周圍存在狀態(tài)值與A相同的其它固相格點(即A屬于某一晶胚/晶核/析出顆粒等連續(xù)區(qū)域),則嘗試將某一新固相狀態(tài)值賦予A,其中該新狀態(tài)值與液相格點B周圍所有的固相格點狀態(tài)值均不同,用于模擬晶胚/晶核/析出顆粒等連續(xù)區(qū)域溶解形成溶質(zhì)格點的微觀行為(見圖2(c))。
圖1 基于二維矩陣建立的初始模擬對象Fig.1 Initial simulation object based on two-dimensional matrix to simulate precipitation-growth process in supersaturated solution:(a) Matrix by value assignment; (b) Graphical result
圖2 過飽和溶液內(nèi)幾類微觀過程的模擬實現(xiàn)示意圖Fig.2 Sketch to realize simulation of several micro-processes in supersaturated solution: (a), (a′) Solute diffusion; (b), (b′) Solute precipitation; (c), (c′) Embryos/particle dissolution
為了判斷上述變化格點狀態(tài)值的嘗試過程是否被接受,需要根據(jù)式(1)計算由此引起的模擬體系界面能變化ΔE=E2-E1,E1和E2分別為嘗試前后的體系界面能,并計算對應(yīng)的Boltzmann概率P:
式中:k為Boltzmann常數(shù),T為模擬溫度。若ΔE≤0,則接受嘗試過程,并相應(yīng)變化/交換格點狀態(tài)值。若ΔE>0,則在(0, 1)產(chǎn)生一個隨機數(shù)W:當(dāng)P≥W時,同樣接受變化/交換格點狀態(tài)值的嘗試,否則矩陣格點仍保持原有狀態(tài)值。對模擬矩陣L中的所有格點遍歷處理一次,即為一個模擬時間步tMCS,所得數(shù)據(jù)用于后續(xù)分析處理。
在目前關(guān)于MC模擬液相析出-長大過程或者液相燒結(jié)過程的文獻報道中,均只將單個溶質(zhì)格點視為溶質(zhì),而將由多個狀態(tài)值相同且相鄰的溶質(zhì)格點組成的連續(xù)區(qū)域都視為析出顆粒(見圖2)[12-16]。然而對于實際過飽和液相體系,形核過程存在臨界形核半徑r*,具有臨界形核半徑r*的晶胚被稱為臨界晶核:只有當(dāng)溶質(zhì)聚集在一起的尺寸大于r*,才會進一步析出形成固相顆粒??梢?,由多個狀態(tài)值相同且位置相鄰的溶質(zhì)格點組成的連續(xù)區(qū)域有可能仍為晶胚,而并非析出顆粒。臨界形核半徑r*與過飽和濃度c之間存在如下關(guān)系:
式中:γ為固相與液相之間的比界面自由能,?s為單個原子體積(?s取值為1,即代表單個溶質(zhì)格點),ce為液相平衡濃度。在MC模擬過程中,為了引入臨界形核半徑,并用于區(qū)分模擬矩陣內(nèi)的晶胚區(qū)域和析出顆粒區(qū)域,在本研究中,首先設(shè)定用于分析第1模擬時間步內(nèi)所得模擬數(shù)據(jù)的液相濃度c1,以及此時臨界球形晶核包含的溶質(zhì)格點數(shù)量n1個,臨界形核半徑r1*=(n1/π)1/2。將r1*、γ、c1、?s和kT等參數(shù)代入式(3),計算得到平衡濃度ce。在處理第1模擬時間步內(nèi)得到的模擬數(shù)據(jù)時,利用n1對由多個狀態(tài)值相同且位置相鄰的溶質(zhì)格點組成的連續(xù)區(qū)域進行識別:由小于n1個溶質(zhì)格點組成的連續(xù)區(qū)域為溶質(zhì)/晶胚,把所有溶質(zhì)/晶胚區(qū)域包含的矩陣格點總數(shù)除以液相格點總數(shù),即為完成第1模擬時間步、在第2模擬時間步達到的液相濃度c2;由大于n1個溶質(zhì)格點組成的連續(xù)區(qū)域為析出顆粒,統(tǒng)計其數(shù)量即為形核數(shù)量,并可求得此時的析出顆粒平均尺寸。在處理第2模擬時間步內(nèi)所得模擬結(jié)果時,首先利用前面獲得的c2和ce,并根據(jù)式(3),求得r2*以及此時臨界球形晶核包含的溶質(zhì)格點數(shù)量n2=πr2*2;然后同樣利用n2對矩陣內(nèi)的溶質(zhì)/晶胚區(qū)域和析出顆粒區(qū)域進行識別,獲得形核數(shù)量、析出顆粒平均尺寸、第3模擬時間步內(nèi)達到的液相濃度c3等數(shù)據(jù)。后續(xù)模擬時間步內(nèi)所得模擬數(shù)據(jù)的處理均按上述前后模擬時間步之間的遞推關(guān)系進行(流程見圖3),進而獲得液相濃度、形核數(shù)量/析出顆粒數(shù)量、形核率、平均顆粒尺寸等隨模擬時間延長呈現(xiàn)出的變化規(guī)律。模擬過程中采用如下參數(shù):矩陣L的邊長m=200,初始液相濃度c1=17.5%,臨界球形晶核包含的溶質(zhì)格點數(shù)n1=4,單位晶界能Jgb=2.5,單位固-液界面能Jsl=1.0,?s=1,kT=1.3~1.8。
圖3 模擬結(jié)果處理及提取流程圖Fig.3 Flow chart of treatment and extraction of simulation results
圖4給出了Jgb=2.5/Jsl=1.0、采用不同kT值得到的模擬結(jié)果,其中黑色區(qū)域代表液相分布狀態(tài),白色區(qū)域則被視為溶質(zhì)/晶胚或者析出顆粒。
由圖4可以發(fā)現(xiàn),在kT數(shù)值相對較高(kT=1.8)的模擬條件下,隨著模擬時間延長,模擬區(qū)域內(nèi)沒有發(fā)生明顯的溶質(zhì)格點聚集并形成白色等軸狀連續(xù)區(qū)域(見圖4(a))。隨著模擬溫度的降低(kT<1.8),溶質(zhì)格點聚集形成白色連續(xù)區(qū)域的現(xiàn)象逐漸明顯:在模擬時間相同的條件下,模擬溫度越低,白色連續(xù)區(qū)域形成數(shù)量越多、面積越小;在kT相同的條件下,模擬時間越長,白色連續(xù)區(qū)域形成數(shù)量越少、面積越大,即發(fā)生Ostwald熟化長大現(xiàn)象(見圖4(b)~(d))。
圖4 采用不同kT值得到的析出-長大過程圖形模擬結(jié)果Fig.4 Graphic simulation results of precipitation-growth process by using several kT values, kT: (a), (a1), (a2) 1.8; (b), (b1), (b2)1.4; (c), (c1), (c2) 1.2; (d), (d1), (d2) 1.0
對于未達到飽和濃度的實際液相體系,其濃度會隨溫度降低而減小,并逐漸經(jīng)歷“欠飽和-飽和-過飽和”等狀態(tài)。液相只有達到過飽和狀態(tài)才會發(fā)生形核析出,其驅(qū)動力為過飽和度[1]。當(dāng)降溫至液相仍未達到過飽和狀態(tài)時,不會發(fā)生形核析出的現(xiàn)象,在模擬結(jié)果中表現(xiàn)為:采用相對較高的kT值不會在模擬區(qū)域內(nèi)形成溶質(zhì)格點聚集而成的連續(xù)區(qū)域(見圖4(a))。溫度進一步降低、直至使液相進入過飽和狀態(tài)時,形成的過飽和度作為形核驅(qū)動力,驅(qū)使形核析出發(fā)生,其中溫度下降越多,則過飽和度及形核驅(qū)動力越大,也越容易發(fā)生形核析出。這在模擬結(jié)果中表現(xiàn)為:降低模擬溫度引起白色連續(xù)區(qū)域形成數(shù)量增多(見圖4(b)~(d))。進一步延長模擬時間后,液相內(nèi)主要發(fā)生析出顆粒的Ostwald熟化長大:小顆粒優(yōu)先溶解,形成的溶質(zhì)在大顆粒表面析出,促使大顆粒進一步長大,析出顆粒數(shù)量減少,體系固-液界面能降低。在模擬結(jié)果中出現(xiàn)相似的現(xiàn)象:模擬時間越長,連續(xù)區(qū)域形成數(shù)量越少、尺寸越大。另外,圖5所示為NiO+Fe2O3先在1 200℃的KCl熔鹽內(nèi)反應(yīng)4 h、然后急劇降至不同溫度并保溫4 h后所得NiFe2O4產(chǎn)物顆粒的顯微形貌,其中反應(yīng)物NiO與Fe2O3的摩爾比為1:1、反應(yīng)物與KCl的質(zhì)量比為1:1,并且為了抑制KCl的高溫?fù)]發(fā),采用了雙層坩堝:將混合好的NiO+Fe2O3+KCl顆粒放在內(nèi)層小坩堝中,內(nèi)層小坩堝和外層大坩堝之間填放一些KCl顆粒,并且在兩個坩堝上均蓋有Al2O3陶瓷片。由圖5可以發(fā)現(xiàn),溫度下降越少,則KCl熔鹽過飽和度越大、形核率越高,由此引起 NiFe2O4產(chǎn)物顆粒尺寸減小、數(shù)量增多??梢?,圖形模擬結(jié)果中的析出-長大現(xiàn)象與實際液相體系在降溫延時過程中的表現(xiàn)較為一致。
圖5 NiO+Fe2O3先在1 200℃的KCl熔鹽內(nèi)反應(yīng)4 h、然后急劇降溫至850℃和1 100℃并保溫4 h后所得NiFe2O4產(chǎn)物顆粒的顯微形貌Fig.5 Morphologies of NiFe2O4 particles obtained by reaction of NiO and Fe2O3 in KCl flux at 1 200℃ for 4 h,followed by rapidly decreasing to 850℃ (a) and 1 100℃ (b)and holding for 4 h
圖6給出了Jgb=2.5/Jsl=1.0、采用不同kT值得到的液相濃度—模擬時間曲線。由圖6可以發(fā)現(xiàn),無論采用何種kT值,液相濃度均隨模擬時間延長呈現(xiàn)出急劇下降、緩慢下降、最后趨于穩(wěn)定并達到平衡的變化趨勢;模擬溫度越低,則對應(yīng)的平衡濃度越低,且達到平衡濃度所需的模擬時間越長。另外,表1所列為將n1和kT代入式(3)計算所得、以及利用模擬數(shù)據(jù)繪制液相濃度—模擬時間曲線所得不同模擬溫度條件下的平衡濃度數(shù)值,可以發(fā)現(xiàn)兩者數(shù)值較為吻合。
圖6 采用不同kT值得到的液相濃度—模擬時間曲線Fig.6 Curves of liquid concentration versus simulation time by using several kT values
表1 通過計算和模擬得到的液相平衡濃度ce數(shù)值對比Table1 Equilibrium liquid concentration values obtained from calculation and simulation
在模擬初始階段,模擬矩陣中存在大量被液相格點包圍的溶質(zhì)格點。受MC模擬規(guī)則驅(qū)動,這些溶質(zhì)格點很容易聚集在一起,達到降低體系能量的模擬目的,并在模擬矩陣中迅速形成晶胚、晶核、乃至析出顆粒等連續(xù)區(qū)域。大于臨界形核尺寸的連續(xù)區(qū)域均被視為析出顆粒,被排除到液相濃度統(tǒng)計之外,被視為溶質(zhì)的格點數(shù)量迅速減少,液相濃度大幅降低。模擬時間進一步延長后,由于許多溶質(zhì)格點已聚集在一起形成連續(xù)區(qū)域,剩余溶質(zhì)與連續(xù)區(qū)域之間的距離增加,需要經(jīng)歷多個模擬步(即與相鄰液相格點多次交換)后,才能與某些連續(xù)區(qū)域毗鄰、繼而完成析出模擬,即交換擴散距離的增加減緩了溶質(zhì)析出速率和液相濃度降低速率。與此同時,對于模擬前期形成、被識別為析出顆粒的連續(xù)區(qū)域,通過嘗試交換其所屬固相格點與相鄰液相格點之間的狀態(tài)后,有可能形成新的溶質(zhì),這也部分抵消了由溶質(zhì)析出引起的濃度降低幅度。上述兩種因素均導(dǎo)致液相濃度隨模擬時間進一步延長而緩慢下降。當(dāng)連續(xù)區(qū)域通過溶解模擬形成溶質(zhì)、以及溶質(zhì)通過析出模擬發(fā)生聚集析出這兩類微觀模擬行為達到動態(tài)平衡時,液相濃度趨于穩(wěn)定。另外,在嘗試從連續(xù)區(qū)域剝離出固相格點、進而形成溶質(zhì)的模擬過程中,會形成新的固-液界面,即此過程引發(fā)的ΔE>0。而當(dāng)整個模擬過程中采用的kT值降低時,由式(2)可知,ΔE>0對應(yīng)的Boltzmann交換概率相應(yīng)減小,即從連續(xù)區(qū)域剝離出固相格點并形成溶質(zhì)的難度增加,液相濃度減小(見圖6)。在本研究中,獲得的液相濃度降低模擬現(xiàn)象與實際析出過程較為一致。
為了進一步驗證模擬結(jié)果與實際過飽和液相析出過程之間的一致性,圖7(a)中給出了在不同kT值條件下得到的液相過飽和率c/ce—模擬時間曲線,并利用文獻[19]報道的SrMoO4過飽和溶液析出實驗結(jié)果(見圖7(b))進行對比。由圖7(a)可以發(fā)現(xiàn),液相的過飽和度在模擬初期急劇下降,隨模擬時間進一步延長而緩慢下降并直至趨近于1,液相濃度趨近于平衡濃度ce;隨著kT值的增加,液相過飽和度達到平衡狀態(tài)所需的模擬時間縮短。圖7(b)中所示的SrMoO4過飽和溶液析出過程實驗結(jié)果也表現(xiàn)出與上述模擬結(jié)果一致的規(guī)律:在形核初期,溶液過飽和濃度相對較高,即形核驅(qū)動力較大,臨界形核半徑較小,溶質(zhì)更容易聚集并析出,引起溶液過飽和度均急劇下降;而溶液過飽和度降低使得形核驅(qū)動力相應(yīng)減小,臨界形核半徑增大,即溶質(zhì)自身在溶液中聚集析出的難度增加,而逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)閿U散并析出至顆粒表面,導(dǎo)致溶液過飽和度均下降緩慢,直至趨于穩(wěn)定。
圖7 采用不同kT值得到的液相過飽和率—模擬時間曲線及其與SrMoO4溶液析出過程實驗結(jié)果的對比[19]Fig.7 Curves of supersaturation ratio versus simulation time at different kT values in this study (a), and experimental results for precipitation of SrMoO4 solution (b)[19]
圖8給出了Jgb=2.5/Jsl=1.0、采用不同kT值得到的平均析出顆粒半徑—模擬時間曲線。由圖8可以發(fā)現(xiàn),在采用相同的模擬溫度時,析出顆粒平均半徑Raverage隨模擬時間tMCS延長呈拋物線形式Raverage=AtMCSm(m為長大指數(shù))增長;當(dāng)升高模擬溫度時,析出顆粒的長大趨勢增強。平均析出顆粒半徑是通過統(tǒng)計模擬矩陣內(nèi)的析出顆粒總數(shù)以及每個析出顆粒尺寸后、經(jīng)平均計算得到的,而模擬形核率和溶質(zhì)格點交換擴散-析出速率則分別決定了析出顆粒數(shù)量和長大尺寸。如前所述,在模擬初始階段,模擬矩陣中的溶質(zhì)格點受MC模擬規(guī)則驅(qū)動而易于發(fā)生聚集,并迅速形成晶胚、晶核、乃至析出顆粒等連續(xù)區(qū)域,以降低體系固-液界面能。當(dāng)采用相對較大的kT數(shù)值時,由式(2)可以發(fā)現(xiàn),用于判定固相格點能否從其所屬連續(xù)區(qū)域表面剝離、繼而形成溶質(zhì)格點的Boltzmann交換概率相應(yīng)增加,即更容易發(fā)生連續(xù)區(qū)域被液相溶解形成溶質(zhì)的模擬事件,進而也更難使連續(xù)區(qū)域面積超過模擬設(shè)定的臨界形核尺寸而被視為析出顆粒。另外,由式(3)可知,隨后過飽和濃度的逐漸降低又會導(dǎo)致臨界形核尺寸逐漸增加,這又進一步增大了連續(xù)區(qū)域受溶質(zhì)格點析出后達到臨界晶核尺寸、直至被視為析出顆粒的難度。上述兩方面原因均導(dǎo)致形核率隨模擬溫度的升高而降低,統(tǒng)計得到的析出顆??倲?shù)減少。隨著模擬時間的進一步延長,同樣受基于Boltzmann概率判定的模擬規(guī)則驅(qū)動,采用較大的kT數(shù)值會促使溶質(zhì)格點在液相區(qū)域內(nèi)發(fā)生交換擴散、直至析出到已穩(wěn)定存在于模擬矩陣內(nèi)、且因其面積大于臨界形核尺寸而被視為析出顆粒的連續(xù)區(qū)域表面,以實現(xiàn)固-液界面能盡快降低,進而引起更快的析出顆粒長大速率。由此可見,由模擬溫度升高引起的形核率降低、以及溶質(zhì)交換擴散-析出速率r增加,均導(dǎo)致平均析出顆粒半徑呈現(xiàn)出更快的增長趨勢。當(dāng)連續(xù)區(qū)域溶解形成溶質(zhì)、以及溶質(zhì)析出逐漸達到模擬動態(tài)平衡時,平均析出顆粒半徑的增長趨勢逐漸減弱,直至趨于穩(wěn)定。這與圖5中顯示的液相降溫越低、則析出產(chǎn)物數(shù)量越多且尺寸越小的實際規(guī)律相吻合。
圖8 采用不同kT值得到的平均析出顆粒半徑—模擬時間曲線Fig.8 Curves of average precipitated particle radius versus simulation time at different kT values
對上述采用不同kT值獲得的平均析出顆粒半徑—模擬時間曲線進行非線性擬合,可以得到析出顆粒長大指數(shù)m分別為0.320(kT=1.0)、0.328(kT=1.2)和0.332(kT=1.4)。TIKARE等[13]指出,通過此類MC模擬方式得到的析出顆粒Ostwald熟化長大受擴散過程控制,其理論顆粒長大指數(shù)為1/3;且通過合理改進模擬規(guī)則,使模擬所得顆粒長大指數(shù)不隨溫度、液相含量等模擬條件變化而發(fā)生較大波動,其中不同模擬條件下得到的顆粒長大指數(shù)數(shù)值分布在0.30~0.31之間。而在本研究中模擬得到的顆粒長大指數(shù)更接近于理論顆粒長大指數(shù)1/3,且采用不同kT得到的指數(shù)數(shù)值較為一致。
1) 當(dāng)采用較高的模擬溫度時,較難發(fā)生明顯的溶質(zhì)格點聚集和顆粒析出。模擬溫度進一步降低后,溶質(zhì)格點聚集析出現(xiàn)象逐漸明顯:溫度越低,則溶質(zhì)格點聚集析出的數(shù)量越多、面積越?。荒M時間越長,則析出數(shù)量越少、面積越大,即發(fā)生了Ostwald熟化長大。析出-長大圖形模擬結(jié)果與對NiFe2O4-KCl熔鹽體系降溫延時得到的實驗現(xiàn)象相符。
2) 模擬所得液相濃度、過飽和度均隨模擬時間延長呈現(xiàn)出急劇下降、緩慢下降、最后趨于穩(wěn)定并達到平衡的變化趨勢,且模擬溫度越低,平衡濃度數(shù)值越低,達到平衡濃度所需的模擬時間越長。通過對比SrMoO4過飽和溶液的析出實驗結(jié)果,表明模擬結(jié)果與實驗結(jié)果較為一致。
3) 在平均析出顆粒半徑—模擬時間曲線中,采用相同模擬溫度時,析出顆粒的平均半徑隨模擬時間延長呈拋物線增加,升高模擬溫度則會加速析出顆粒的長大趨勢,各種模擬溫度下得到的顆粒長大指數(shù)在0.320~0.332之間,且不隨模擬溫度變化發(fā)生較大波動,與受擴散過程控制下的顆粒Ostwald熟化長大機制吻合。
[1]姚連增.晶體生長基礎(chǔ)[M].合肥:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)出版社,1995: 266-267.YAO Lian-zeng.Foundation of crytal growth[M].Hefei:University of Science and Technology of China Press, 1995:266-267.
[2]薛 平, 田慶華, 郭學(xué)益.化學(xué)共沉淀-熱分解法制備Sm2Fe17合金前驅(qū)體[J].中國有色金屬學(xué)報, 2008, 18(1):341-347.XUE Ping, TIAN Qing-hua, GUO Xue-yi.Preparation of Sm2Fe17alloy precursor by chemical coprecipitationdecomposition method[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2008, 18(1): 341-347.
[3]瞿曉岳, 朱宏偉, 謝 輝, 陳振興.溶膠-凝膠法制備 SiO2包覆型水性鋁粉[J].中國有色金屬學(xué)報, 2010, 20(6): 1241-1246.QU Xiao-yue ZHU Hong-wei, XIE Hui, CHEN Zhen-xing.Waterborne aluminum powders coated with SiO2by sol-gel method[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2010,20(6): 1241-1246.
[4]ZHAO Shi-xi, LI Qiang, WANG Lin, ZHANG Yi-ling.Molten salt synthesis of lead lanthanum zirconate titanate stannate powders and ceramics[J].Materials Letters, 2006, 60: 425-430.
[5]WANTHA L, FLOOD A E.Crystal growth rates and secondary nucleation threshold forγ-DL-methionine in aqueous solution[J].Journal of Crystal Growth, 2011, 318(1): 117-121.
[6]YU X L, SUN Y, HOU W B, ZHANG S J, CHENG Z X.Interface kinetics and crystal growth mechanism of a new organometallic coordination compound: Triallylthiourea mercury bromide[J].Journal of Crystal Growth, 1997, 182: 428-433.
[7]盧貴武, 李春喜, 王子鎬, 夏海瑞, 孫大亮, 于錫玲, 關(guān)繼騰.KDP晶體臺階生長動力學(xué)的激光干涉實驗研究[J].化學(xué)物理學(xué)報, 2003, 16(4): 289-292.LU Gui-wu, LI Chun-xi, WANG Zi-hao, XIA Hai-rui, SUN Da-liang, YU Xi-ling, GUAN Ji-teng.A study on the step growth kinetics of KDP crystal by Michelson laser interferometer experiment[J].Chinese Journal of Chemical Physics, 2003, 16(4): 289-292.
[8]TSEKOVA D, DIMITROVA S, NANEV C N.Heterogeneous nucleation (and adhesion) of lysozyme crystals[J].Journal of Crystal Growth, 1999, 196(2/4): 226-233.
[9]ISHIGURO R, CAUPIN F, BALIBAR S.Homogeneous nucleation of crystals by acoustic waves[J].Europhysics Letters,2006, 75(1): 91-97.
[10]OHTAKI H.Molecular dynamic approaches and supporting solution X-ray diffraction measurements[J].Pure and Applied Chemistry, 1993, 65(2): 203-211.
[11]GRáNáSY L, PUSZTAI T, SAYLOR D, WARREN J A.Phase field theory of heterogeneous crystal nucleation[J].Physical Review Letters, 2006, 98(3): 035703-1-4.
[12]TIKARE V, CAWLEY J D.Application of the Potts model to simulation of Ostwald ripening[J].Journal of the American Ceramic Society, 1998, 81(3): 485-491.
[13]TIKARE V, CAWLEY J D.Numerical simulation of grain growth in liquid phase sintered materials—I.Model[J].Acta Materialia, 1998, 46(4): 1333-1342.
[14]LIU Po-liang.The relation between the distribution of dihedral angles and the wetting angle during liquid phase sintering[J].Computational Materials Science, 2006, 36: 468-473.
[15]LEE S B, RICKMAN J M, ROLLETT A D.Three-dimensional simulation of isotropic coarsening in liquid phase sintering (I): A model[J].Acta Materialia, 2007, 55: 615-626.
[16]LUQUE A, ALDAZABAL J, MARTINEZ-ESNAOLA J M,MARTIN-MEIZOSO A, SEVILLANO J G, FARR R S.Geometrical Monte Carlo model of liquid-phase sintering[J].Mathematics and Computers in Simulation, 2010, 80:1469-1486.
[17]楊衛(wèi)兵, 孫立功, 盧貴武.溶液中晶體生長動力學(xué)的MC計算機模擬研究[J].原子與分子物理學(xué)報, 2003, 20(3): 429-433.YANG Wei-bing, SUN Li-gong, LU Gui-wu.Computer simulation of crystal growth kinetics from solution[J].Chinese Journal of Atomic and Molecular Physics, 2003, 20(3): 429-433.
[18]朱 閣, 盧貴武, 李英峰, 藍建慧, 張 軍, 鄭慶彬, 黃喬松,孫 洵, 夏海瑞.晶體生長機制和生長動力學(xué)的蒙特卡羅模擬研究[J].人工晶體學(xué)報, 2006, 35(1): 24-31.ZHU Ge, LU Gui-wu, LI Ying-feng, LAN Jian-hui, ZHANG Jun,ZHENG Qing-bin, HUANG Qiao-song, SUN Xun, XIA Hai-rui.Monte Carlo simulation study on crystal growth mechanism and kinetics[J].Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 24-31.
[19]CAMEIRA A, DAVID R, ESPITALIER F, GRUY F.Effect of precipitation conditions on the morphology of strontium molybdate agglomerates[J].Journal of Crystal Growth, 2008,310: 4152-4162.