覃永雄 虞 瀾 傅 佳 李國(guó)芳 王 勇 郭文義 杜小麗 梁 英

（1. 昆明理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 昆明 650093 2. 南方電網(wǎng)科學(xué)研究院特高壓工程技術(shù)(昆明)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室 嵩明 651700 3. 華北電力大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院 保定 071003）

1 引言

與傳統(tǒng)的陶瓷和玻璃絕緣子相比，高溫硫化（High Temperature Vulcanization，HTV）硅橡膠復(fù)合絕緣子具有耐污閃能力強(qiáng)、重量輕以及機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于特高壓輸電線路[1-5]。然而戶外條件下HTV硅橡膠在表面放電、電暈放電以及紫外照射、酸雨、臭氧等因素的影響下普遍存在老化現(xiàn)象[6-13]。太陽(yáng)輻射到達(dá)地球大氣上界，紫外輻射占總輻射量的 8%。其中，長(zhǎng)波紫外（UVA，320～400nm）約占 6%，中波紫外（UVB，290～320nm）約占1.5%，而占0.5%的短波紫外（UVC，100～290nm）幾乎完全被臭氧層吸收而不能到達(dá)地面，故太陽(yáng)光中紫外線主要為長(zhǎng)波紫外[14]。高海拔地區(qū)空氣稀薄，對(duì)紫外輻射的散射和吸收相對(duì)較少，因而紫外輻射強(qiáng)度遠(yuǎn)高于平原地區(qū)。云貴高原地區(qū)（平均海拔約2 000～2 300m）紫外線輻射強(qiáng)度大，年太陽(yáng)輻射總量約為6 000MJ/m2[15,16]，其中紫外線約占 3%。戶外運(yùn)行中尤其是在云貴高海拔地區(qū)運(yùn)行的復(fù)合絕緣子受強(qiáng)紫外照射更容易發(fā)生老化，老化使HTV硅橡膠表面官能團(tuán)發(fā)生變化和破壞，表面出現(xiàn)孔洞、裂紋，導(dǎo)致憎水性降低，耐污閃性能下降，引發(fā)閃絡(luò)事故[17-19]。因此研究長(zhǎng)波紫外照射下HTV硅橡膠微觀物性及憎水性對(duì)其用于特高壓輸電的安全性具有重要意義。

本實(shí)驗(yàn)參照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，自行設(shè)計(jì)和搭建了可調(diào)式紫外老化試驗(yàn)箱，并對(duì)HTV硅橡膠進(jìn)行較系統(tǒng)的紫外照射加速老化實(shí)驗(yàn)，同時(shí)對(duì)新品和照射后試樣進(jìn)行了靜態(tài)接觸角測(cè)試以評(píng)價(jià)其憎水性，進(jìn)行了掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy, SEM）、傅里葉變換紅外光譜（Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR）、X射線光電子能譜（X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS）測(cè)試，研究了長(zhǎng)波紫外照射下HTV硅橡膠的微觀物性、憎水性及變化機(jī)理。

2 實(shí)驗(yàn)

2.1 試樣的制備

試樣采用國(guó)內(nèi)某廠家生產(chǎn)用于制造復(fù)合絕緣子的 HTV 硅橡膠，該橡膠由分子量為 3×105～7×105g/mol的甲基乙烯基硅氧烷為生膠，輔以補(bǔ)強(qiáng)劑（如SiO2）、阻燃劑（如 Al(OH)3、Mg(OH)2）以及其他添加劑，在高溫條件下以過氧化物為交聯(lián)劑交聯(lián)而成。試樣尺寸為40mm×20mm，厚度為2mm。實(shí)驗(yàn)前分別用無水乙醇和去離子水擦洗試樣表面，晾干，置于防塵防潮容器內(nèi)保存?zhèn)溆谩?/p>

2.2 紫外照射加速老化實(shí)驗(yàn)

參照國(guó)際電工委員會(huì)標(biāo)準(zhǔn) IEC—61109—2008的實(shí)驗(yàn)方法及參數(shù)，通過調(diào)制主波峰為365nm的紫外線高壓汞燈發(fā)出的照射光模擬日光中紫外對(duì)HTV硅橡膠的老化作用和戶外條件，自行設(shè)計(jì)和搭建了可調(diào)式紫外老化試驗(yàn)箱，并對(duì)試樣進(jìn)行了較系統(tǒng)紫外照射加速老化實(shí)驗(yàn)。采用濾光片組合調(diào)制照射光，調(diào)制后波長(zhǎng)范圍為320～750nm，其中長(zhǎng)波紫外照射（320～400nm）占總照射量的20%～30%。試樣至燈的距離為 41cm，試樣處功率密度為 50～60mW/cm2，溫度為(33±5)℃，濕度(42±3)%RH，臭氧濃度為5mg/m3，紫外照射時(shí)間為100～550h。

采用北京天脈恒輝光源電器有限公司生產(chǎn)的GY—1000型1kW紫外線高壓汞燈為光源。采用美國(guó)Coherent公司210 POWER METER功率計(jì)測(cè)量試樣處照射功率密度，測(cè)量范圍為 0～10W，誤差為0.01W，功率計(jì)探頭響應(yīng)波長(zhǎng)為300nm～30μm，探頭感應(yīng)面積為 2.54cm2。采用杭州陸恒生物科技有限公司生產(chǎn)的臭氧檢測(cè)試紙測(cè)量試樣處臭氧濃度，試紙測(cè)量范圍為0～40mg/m3，測(cè)量誤差為±1mg/m3。

試驗(yàn)中 550h總照射量可達(dá) 792MJ/m2，相當(dāng)于高海拔地區(qū)戶外 1.5年的紫外照射?？梢姽猓?00～750nm）光子能量小，不足以切斷HTV硅橡膠中化學(xué)鍵，但本實(shí)驗(yàn)中其照射功率密度大，對(duì)試樣老化有一定的促進(jìn)作用，因此不可忽略；而戶外條件下可見光照射功率密度很小，對(duì)試樣老化的作用相對(duì)微弱得多[12,13]（實(shí)驗(yàn)處理為戶外可見光的作用衰減到1/5）。以此推算出，照射 550h實(shí)驗(yàn)，紫外和可見光（占總輻射量的 70%）照射量可達(dá) 693～832MJ/m2，相當(dāng)于高海拔地區(qū)戶外11～14個(gè)月的紫外及可見光部分的輻射量。

考慮到紫外照射產(chǎn)生的臭氧和試驗(yàn)溫度對(duì)試樣老化的影響[18]，燈箱安裝了兩組風(fēng)扇增加試驗(yàn)箱內(nèi)的空氣流動(dòng)，盡可能減少臭氧濃度，降低溫度，以接近戶外條件。

2.3 試樣測(cè)試

采用美國(guó)Kino-Industry公司SL200B型靜態(tài)接觸角測(cè)量?jī)x測(cè)量試樣表面靜態(tài)接觸角，試樣尺寸為40mm×20mm，測(cè)量范圍為 25°～140°，測(cè)量誤差為±1°。采用荷蘭 Philips公司 XL30ESEM-TMP掃描電子顯微鏡觀察試樣表面形貌以及進(jìn)行 EDS（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）能譜分析，試樣尺寸為8mm×8mm，加速電壓為15～25kV，分辨率為3.5nm，放大倍數(shù)為6～120 000倍。采用美國(guó)Thermo- Nicolet公司 AVATAR360傅里葉變換紅外光譜儀在室溫下測(cè)定試樣的紅外光透過率，制樣方法為溴化鉀壓片法，利用干涉調(diào)頻技術(shù)和傅里葉變換方法獲得紅外光譜，分辨率為0.5cm-1，光譜范圍為 4 000～400cm-1，線性度：＜01%T，2cm-1。采用美國(guó)PE-PHI公司PHI5500型X射線光電子能譜儀測(cè)量試樣中元素的不同價(jià)態(tài)結(jié)合能，試樣尺寸為8mm×8mm，結(jié)合能范圍為 0～1 100eV，本底真空優(yōu)于 1.5×10-7Pa，用污染碳 C1s（284.8eV）作結(jié)合能（BE）荷電校正。

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

3.1 表面靜態(tài)接觸角及憎水性

HTV硅橡膠表面憎水性越高，耐污閃性能越強(qiáng)，當(dāng)其憎水性優(yōu)良時(shí)，表面受潮后，吸附的水分以不連續(xù)的小水珠的形式存在從而避免形成連續(xù)水膜，限制了表面泄漏電流。另外，與其他有機(jī)材料相比，硅橡膠還具有獨(dú)特的憎水遷移性[21]。

靜態(tài)接觸角是表征材料憎水性能的一個(gè)重要指標(biāo)，水滴在固體材料表面的靜態(tài)接觸角θ定義見圖1，θ的大小反映了水滴在材料表面的浸潤(rùn)程度，即憎水性；θ越大，憎水性越好[22]。

圖1 表面靜態(tài)接觸角的定義

圖2 長(zhǎng)波紫外照射下試樣表面靜態(tài)接觸角的變化Fig.2 Change of static contact angle on the sample under long-wave ultraviolet radiation

3.2 SEM實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

圖3a、圖3b、圖3c分別為新品、照射250h和400h后試樣表面的掃描電鏡照片。新品表面平整，襯度均勻，無裂痕和孔洞；紫外照射后試樣表面出現(xiàn)了大量孔洞，內(nèi)部顆粒外露，平整度下降；且隨照射時(shí)間的增加，孔洞和顆粒數(shù)增加。

圖3 試樣SEM照片（500倍）Fig.3 SEM images of samples (500 times)

對(duì)照射 250h后試樣表面的基體和孔洞分別進(jìn)行EDS能譜分析，結(jié)果見圖4、圖5。基體中O、Si、Al重量百分比分別為：25.94%、15.37%、7.63%，孔洞處顆粒O、Si、Al重量百分比分別為：30.47%、37.41%、19.70%，顆粒處元素原子比Si/O、Al/O明顯大于基體微區(qū)，由此推斷孔洞處顆粒為 SiO2、Al2O3的混合物，說明HTV硅橡膠內(nèi)部添加劑SiO2、Al2O3顆粒外露。另外，紫外照射可能導(dǎo)致阻燃劑（Al(OH)3）少量分解，使得Al2O3顆粒增加并進(jìn)一步外露[23,24]。

圖4 照射250h后試樣表面基體的能譜分析Fig.4 Energy spectrum analysis of matrix on the sample after radiation for 250h

圖5 照射250h后試樣表面孔洞的能譜分析Fig.5 Energy spectrum analysis of particles on the sample after radiation for 250h

3.3 FTIR實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

HTV硅橡膠表面化學(xué)組成對(duì)憎水性有重要影響，本文采用 FTIR測(cè)量得到吸收峰波數(shù)及對(duì)應(yīng)官能團(tuán)，見圖6和表1[25]。

圖6 試樣的FTIR圖譜Fig.6 The FTIR micrographs of samples

表1 HTV硅橡膠近似吸收峰波數(shù)及對(duì)應(yīng)官能團(tuán)Tab.1 Approximate absorption peak wave numbers and functional groups of HTV silicone rubber

實(shí)驗(yàn)以1 000～1 110cm-1處Si-O-Si吸收峰強(qiáng)度為參考，通過照射前后吸收峰強(qiáng)度 A官能團(tuán)/ASi-O-Si的比值變化分析試樣中各官能團(tuán)變化及相對(duì)含量，由于照射前后 ASi-O-Si無明顯變化，故只分析 A官能團(tuán)即可。

（1）3 200～3 700cm-1附近-OH（Al(OH)3）吸收峰強(qiáng)度隨照射時(shí)間增加而減弱，分析認(rèn)為這是由于紫外照射導(dǎo)致試樣中阻燃劑（Al(OH)3）少量分解，生成Al2O3（與EDS結(jié)果一致）和結(jié)晶水（H2O）；而 1 600～1 640cm-1處新增 O-H（H2O）吸收峰，其強(qiáng)度先增強(qiáng)后減弱，也佐證了阻燃劑（Al(OH)3）分解生成結(jié)晶水（H2O），結(jié)晶水（H2O）在 Al2O3的催化作用下進(jìn)一步與試樣中的游離碳發(fā)生反應(yīng)，生成易揮發(fā)的CO、CO2[26]，導(dǎo)致其相對(duì)含量先增加后減小。

（2）紫外照射后，2 360cm-1處新增 C-OH（-COOH）吸收峰，其強(qiáng)度隨照射增加而顯著增強(qiáng)，說明照射后硅氧主鏈上兩側(cè)對(duì)稱排列的非極性甲基基團(tuán)（CH3）發(fā)生氧化，生成大量親水性基團(tuán)-COOH，該氧化過程分析見圖7a[27,28]，這導(dǎo)致憎水性降低，與表面靜態(tài)接觸角減小的結(jié)果吻合。

（3）1 260cm-1處 Si-CH3吸收峰和 870～700cm-1附近 Si-(CH3)2吸收峰強(qiáng)度隨照射增加而減弱，說明紫外線切斷了硅氧主鏈上側(cè)鏈部分 Si-C鍵，同樣導(dǎo)致憎水性下降，見圖7b、圖7c。

圖7 HTV硅橡膠老化的化學(xué)反應(yīng)式Fig.7 Aging chemical equation of HTV silicone rubber

3.4 XPS實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

采用X射線光電子能譜儀測(cè)量了試樣各元素的結(jié)合能譜圖，其中，O1s、C1s和 Si2p結(jié)合能譜圖見圖8～圖10；元素的不同價(jià)態(tài)結(jié)合能對(duì)應(yīng)特征峰，見表2。

HTV硅橡膠中氧主要以 Si-O化學(xué)鍵的形式存在，圖8a、圖8b、圖8c為新品、照射250h和400h后試樣的 O1s結(jié)合能譜圖。新品譜圖中只出現(xiàn)532.45eV（O-Si-O）結(jié)合能峰，見圖8a；紫外照射后新增534.09eV（-OH，主要存在于COOH中）小峰，見圖8b、圖8c中的曲線2[23,24,28]，其結(jié)合能峰（-OH）的積分面積分別為2.49%和4.23%，見表2，說明-OH相對(duì)含量隨照射時(shí)間延長(zhǎng)而增加，即COOH官能團(tuán)增加。

圖8 試樣O1s 結(jié)合能譜圖Fig.8 The O1s binding energy spectrum of samples

新品中測(cè)得 C-C、C-H化學(xué)鍵的 C1S結(jié)合能為284.81eV，C-O鍵的C1S結(jié)合能為286.29eV，分別見圖9a、圖9b、圖9c中曲線1、曲線2；紫外照射后譜圖中新增 287.60eV（COOR，R主要為 H）小峰[23,24,28]，見圖9b、圖9c曲線3；試樣中C-O、COOR結(jié)合能峰的積分面積分別隨照射延長(zhǎng)而增加，見表2，這是由于紫外照射導(dǎo)致硅氧主鏈兩側(cè)甲基基團(tuán)（CH3）被氧化，C-O、COOH相對(duì)含量增加，這與FTIR分析結(jié)果一致。

圖9 試樣C1s結(jié)合能譜圖Fig.9 The C1s binding energy spectrum of samples

Si-C結(jié)合鍵的Si2p結(jié)合能在99.7～112eV，SiOx（x=3,4）中 Si2p結(jié)合能在 103.9eV附近[29]。新品中只出現(xiàn) 102.39eV（Si-C）強(qiáng)峰，見圖 10a；紫外照射后新增 104.03eV（SiOx（x=3,4））結(jié)合能峰，見圖10b、圖10c中曲線2；新品、照射250h和400h后試樣的Si-C結(jié)合能峰的積分面積分別為100%、91.85%、91.27%，SiOx（x=3,4）結(jié)合能峰的積分面積分別為 0%、8.15%、8.73%，見表 2，說明部分Si-C結(jié)合鍵減弱或斷裂，形成活潑的自由基，自由基中的O和 Si交聯(lián)形成SiOx（x=3,4）[30,31]，見圖7c，且其相對(duì)含量隨照射時(shí)間延長(zhǎng)而增加。

表2 照射前后不同價(jià)態(tài)元素結(jié)合能峰及積分面積Tab.2 Binding energy peaks and integral area of different valence element before and after radiation

圖10 試樣Si2p結(jié)合能譜圖Fig.10 The Si2p binding energy spectrum of samples

綜合XPS結(jié)果可知：長(zhǎng)波紫外照射后HTV硅橡膠-OH（COOH）相對(duì)含量增加；硅氧主鏈兩側(cè)對(duì)稱排列的非極性甲基基團(tuán)（CH3）被氧化，C-O、COOH相對(duì)含量增加；部分Si-C結(jié)合鍵減弱或斷裂，形成活潑的自由基，而自由基中的 O和 Si交聯(lián)形成了SiOx（x=3,4），這與上述FTIR分析結(jié)果吻合。

3.5 老化機(jī)理討論

HTV硅橡膠復(fù)合絕緣子強(qiáng)耐污閃性能取決于表面具有優(yōu)良的憎水性[17,21]。經(jīng)過對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析和研究，長(zhǎng)波紫外照射下試樣表面靜態(tài)接觸角下降，憎水性降低，這是老化的結(jié)果。

HTV硅橡膠表現(xiàn)出優(yōu)良的憎水性主要是由于圍繞硅氧主鏈兩側(cè)對(duì)稱排列的非極性甲基基團(tuán)向表面取向，屏蔽了硅氧鍵的強(qiáng)極性作用，大分子鏈呈現(xiàn)非極性[12]。HTV硅橡膠中的主要化學(xué)鍵：Si-O鍵鍵能為 447kJ/mol，Si-C鍵為 318kJ/mol，C-H鍵為413kJ/mol，少量的C-C鍵、O-H鍵分別為 345kJ/mol和 463kJ/mol[32,33]。照射光中 320～400nm紫外線光子能量為380～299kJ/mol，其主波峰365nm光子能量為328kJ/mol，大于HTV硅橡膠中部分化學(xué)鍵鍵能，如 Si-C、C-C，可破壞這些鍵的結(jié)合。長(zhǎng)波紫外線切斷了硅氧主鏈兩側(cè)對(duì)稱排列的 Si-C鍵；還促使側(cè)鏈的非極性甲基基團(tuán)發(fā)生氧化，導(dǎo)致其對(duì)硅氧鍵強(qiáng)極性的屏蔽作用減弱，大分子鏈極性增強(qiáng)，憎水性降低。另外，試樣中親水性基團(tuán)（-COOH）相對(duì)含量的增加也導(dǎo)致憎水性下降。

部分 Si-C結(jié)合鍵減弱或斷裂，生成新的自由基，并在氧或少量臭氧的作用下進(jìn)一步交聯(lián)及氧化，導(dǎo)致大量孔洞出現(xiàn)，內(nèi)部添加劑 SiO2、Al2O3顆粒外露，同時(shí)紫外照射使阻燃劑（Al(OH)3）少量分解，Al2O3顆粒增加并進(jìn)一步外露，試樣表面平整度下降，這也是憎水性下降的一個(gè)重要原因。

長(zhǎng)波紫外照射下 HTV硅橡膠微觀物性變化與短波紫外照射有明顯差異。文獻(xiàn)[32]對(duì)248nm短脈沖紫外激光照射下HTV硅橡膠微觀物性進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)短波紫外線可切斷試樣中 Si-O、Si-C、C-H、C-C等全部化學(xué)鍵，照射后試樣憎水性無明顯變化。長(zhǎng)波紫外線未能切斷硅氧主鏈，但卻能切斷硅氧主鏈兩側(cè)的Si-C鍵，使大分子鏈的極性增強(qiáng)，憎水性下降，會(huì)導(dǎo)致復(fù)合絕緣子耐污閃性能降低。

4 結(jié)論

對(duì) HTV硅橡膠進(jìn)行長(zhǎng)波紫外照射加速老化實(shí)驗(yàn)，得出如下結(jié)論：

（1）長(zhǎng)波紫外照射后HTV硅橡膠表面靜態(tài)接觸角下降，憎水性降低。

（2）長(zhǎng)波紫外線會(huì)切斷HTV硅橡膠硅氧主鏈兩側(cè)對(duì)稱排列的Si-C鍵，促使側(cè)鏈的非極性甲基基團(tuán)發(fā)生氧化，導(dǎo)致其對(duì)硅氧鍵強(qiáng)極性的屏蔽作用減弱，大分子鏈的極性增強(qiáng)，憎水性降低；同時(shí)親水性官能團(tuán)（-COOH）增加也導(dǎo)致憎水性下降。

（3）長(zhǎng)波紫外照射后部分 Si-C鍵斷裂，生成的新自由基進(jìn)一步交聯(lián)及氧化，導(dǎo)致孔洞及顆粒的出現(xiàn)，顆粒為 SiO2、Al2O3的混合物，表面平整度下降，這也是憎水性降低的一個(gè)重要原因。

本文研究了長(zhǎng)波紫外照射下 HTV硅橡膠微觀物性及憎水性，從機(jī)理上解釋了長(zhǎng)波紫外照射導(dǎo)致憎水性下降的原因，這為 HTV硅橡膠復(fù)合絕緣子的生產(chǎn)工藝改進(jìn)和掛網(wǎng)應(yīng)用提供了重要的借鑒。

[1] 邱志賢. 高壓復(fù)合絕緣子及其應(yīng)用[M]. 北京: 中國(guó)電力出版社, 2005.

[2] 關(guān)志成, 張福增, 王新, 等. 特高壓直流輸電線路外絕緣設(shè)計(jì)和絕緣子選型[J]. 高電壓技術(shù), 2006,32(12): 120-124.Guan Zhicheng, Zhang Fuzeng, Wang Xin, et al.Consideration on external insulation design and insulator selection of UHVDC transmission lines[J].High Voltage Engineering, 2006, 32(12): 120-124.

[3] 吳光亞. 我國(guó)絕緣子的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)考慮的問題[J].電瓷避雷器, 2010(2): 7-11.Wu Guangya. Development of China’s insulator and the issue should be considered[J]. Insulators and Surge Arresters, 2010(2): 7-11.

[4] 崔江流, 宿志一, 易輝. 我國(guó)硅橡膠合成絕緣子的應(yīng)用與展望[J]. 中國(guó)電力, 1999, 32(1): 38-41.Cui Jiangliu, Su Zhiyi, Yi Hui. The application and its prospect of silicon rubber composite insulators in China[J]. China Electric Power, 1999, 32(1): 38-41.

[5] Reynder J P, Jandrell I R. Review of aging and recovery of silicone rubber insulation for outdoor use[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 1999, 6(5): 620-631.

[6] Moreno V M, Gorur R S, Kroese A. Impact of corona on the long term performance of non-ceramic insulators[J]. IEEE Transactions on Dielectric and Electrical Insulators, 2003, 10(1): 80-95.

[7] Phillips A J, Childs D J, Schneider H M. Aging of non-ceramic insulators due to corona from water drops[J]. IEEE Transactions on Power Delivery, 1999,14(3): 1081-1089.

[8] Yukihiro K. Deterioration of silicone rubber for polymer insulators by corona discharge and effect of fillers[C]. Annum Report of Electrical Insulation and Di Electric Phenomena, Atlanta, USA, 1998: 72-79.

[9] Dhananjay B, Rauch J V, Chantal Khan-Malek.Surface modification and aging studies of additioncuring silicone rubbers by oxygen plasma[J]. J.EurPolym, 2008, 44(7): 2130-2139.

[10] 鐘定珠, 何宏明, 張軍. 廣東省 500kV惠汕線復(fù)合絕緣子事故和試驗(yàn)分析[J]. 電瓷避雷器, 2003(2):12-15.Zhong Dingzhu, He Hongming, Zhang Jun. The analysis of accident and testing to 500kV composite insulators in huishan line Guangdong province[J].Insulators and Surge Arresters, 2003(2): 12-15.

[11] 王歆然, 羅廷綱, 夏志偉, 等. 硅橡膠老化性能的研究進(jìn)展[J]. 有機(jī)硅材料, 2011, 25(1): 58-61.Wang Xinran, Luo Tinggang, Xia Zhiwei, et al. The research of silicone rubber aging performance[J].Organic Silicone Materials, 2011, 25(1): 58-61.

[12] 劉云鵬, 王秋莎, 律方成, 等. 紫外照射對(duì)高溫硫化硅橡膠性能影響初探[J]. 高電壓技術(shù), 2010,36(11): 2634-2638.Liu Yunpeng, Wang Qiusha, Lü Fangcheng, et al.Influence of UV radiation on HTV silicon rubber performance[J]. High Voltage Engineering, 2010,36(11): 2634-2638.

[13] 趙翮選, 趙書榮, 王聯(lián)章, 等. 高海拔地區(qū)紫外輻射對(duì)硅橡膠復(fù)合絕緣子老化的影響[J]. 華北電力技術(shù), 2009(3): 10-13.Zhao Hexuan, Zhao Shurong, Wang Lianzhang, et al.Influence of UV-irradiation on degradation of silicone rubber composite insulators in high-altitude regions[J]. North China Electric Power, 2009(3): 10-13.

[14] 吳兌. 太陽(yáng)紫外線照射及其生物效應(yīng)[J]. 氣象,2001, 26(4): 54-57.Wu Dui. Surface sunny ultraviolet radiation and biology effect[J]. Meteorological, 2001, 26(4): 54-57.

[15] 周平, 陳宗瑜. 云南高原紫外輻射強(qiáng)度變化時(shí)空特征分析[J]. 自然資源學(xué)報(bào), 2008, 23(3): 490-491.Zhou Ping, Chen Zongyu. Analysis of the spatiotemporal characteristics of UV-B strength change over the Yunnan plateau[J]. Journal of Natural Resources,2008, 23(3): 490-491.

[16] 鄭小波, 王學(xué)鋒, 羅宇翔, 等. 1961～2005年云貴高原太陽(yáng)輻射變化特征及其影響因子[J]. 氣候與環(huán)境研究, 2011, 16(5): 657-664.Zheng Xiaobo, Wang Xuefeng, Luo Yuxiang, et al.Variation characteristics of global radiation and the associated climatic factors over Yunnan-Guizhou Plateau in the southwestern part of China for 1961～2005[J]. Climatic and Environmental Research, 2011,16(5): 657-664.

[17] Hillborg H, Gedde U W. Hydrophobicity changes in silicone rubbers[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 1999, 6(9): 708-710.

[18] Luiz Meyer, Shesha Jayaram, Edward A, et al.Thermal conductivity of filled silicone rubber and its relationship to erosion resistance in the inclined plane test[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2004, 11(4): 620-630.

[19] 王珣. 紫外照射對(duì)硅橡膠合成絕緣子老化作用的研究[D]. 北京: 清華大學(xué), 2005.

[20] 李敏. 硅橡膠材料臭氧老化的研究[D]. 華北電力大學(xué), 2009.

[21] 魯志偉. 硅橡膠憎水遷移機(jī)理的研究[J]. 中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào), 2001, 21(5): 51-55.Lu Zhiwei. A study on hydrophobic transfer of silicone rubber[J]. Proceedings of CSEE, 2001, 21(5): 51-55.

[22] 徐志鈕, 律方成, 李和明. 基于水平集的接觸角算法及在 RTV憎水性檢測(cè)中的應(yīng)用[J]. 電工技術(shù)學(xué)報(bào), 2010, 25(12): 30-35.Xu Zhiniu, Lü Fangcheng, Li Heming. Dynamic and static contact angle calculation soft ware and its application to silicone rubber hydrophobic detection[J].Transactions of China Electrotechnical Society, 2010,25(12): 30-35.

[23] Hee-Youn Bok, Chang Suhuh. Surface degradation of HTV silicone rubber and EPDM used for outdoor insulators under accelerated ultraviolet weathering condition[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2005, 12(5): 1021-1024.

[24] Seog-Hyeon Kim, Edward A, Cherney, et al,Rutherford. Chemical changes at the surface of RTV silicone rubber coatings on insulators during dry-band arcing[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2004, 1(1)1004: 106-123.

[25] Rajin V, Udayakumar K. Degradation of silicone rubber under AC or DC voltages in radiation environment[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2009, 16(3): 837-838.

[26] 劉乾. 納米材料在RTV涂料中的應(yīng)用[J]. 化工新型材料, 2004, 32(9): 38-39, 46.Liu Qian. Application of nano-meter materials in RTV coating[J]. New Chemical Materials, 2004,32(9): 38-39, 46.

[27] Hillborgl H, Gedde U W. Hydrophobicity changes in silicone rubbers[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 1999, 6(5): 703-717.

[28] Li Guo, Tan Jinzhu, Gong Jianming. Chemical aging of the silicone rubber in a simulated and three accelerated proton exchange membrane fuel cell environments[J]. Journal of Power Sources, 2012:175-183.

[29] Zhu Yong, Masahis Otsubo, Chikahis Honda, et al.Loss and recovery in hydrophobicity of silicone rubber exposed to corona discharge[J]. Polymer Degradation and Stability, 2006: 1448-1454.

[30] Wang Xun, Liang Xidong, Zhou Yuanxiang. Aging effect of UV radiation on SIR insulators hydrophobic property[C]. Annual Report Coference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, Boulder Colorado,2004: 241-243.

[31] Yoshimura N, Kumagai S, Nishimura S. Electrical and environmenttal aging of silicone rubber used in outdoor insulation[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 1999, 6(5): 632-650.

[32] 李華昌, 符斌. 實(shí)用化學(xué)手冊(cè)[M]. 北京: 化學(xué)工業(yè)出版社, 2006.

[33] 化工部合成材料研究院. 合成材料防老化實(shí)用手冊(cè)[M]. 北京: 化學(xué)工業(yè)出版社, 1991.

[34] 傅佳, 覃永雄, 王勇, 等. 248nm激光照射高溫硫化硅橡膠實(shí)驗(yàn)及老化機(jī)理探討[J]. 電網(wǎng)技術(shù), 2012,36(11): 3-7.Fu Jia, Qin Yongxiong, Wang Yong, et al. Investigation of accelerated aging experiment and mechanism by 248nm laser irradiating HTV silicone rubber[J].Power System Technology, 2012, 36(11): 3-7.