趙天宇,楊 程,宋洪松
(北京航空材料研究院 鋼與稀貴金屬研究所,北京100095)
石墨烯自2004年被發(fā)現(xiàn)以來[1],作為一種改變世界的新型炭材料,立刻引起了科研工作者的廣泛關(guān)注。石墨烯在理想狀態(tài)下具有單層平面結(jié)構(gòu),而在實(shí)際情況下卻是以兩層或多層狀態(tài)存在,其結(jié)構(gòu)具有重要的研究意義。石墨烯具有奇特的單分子層結(jié)構(gòu)及sp2雜化的富電子表面,這使得它擁有很多新奇優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),其理論比表面積高達(dá)2630m2·g-1[2],具有超高的彈性模量(≈1100GPa)和斷裂強(qiáng)度(125GPa)[3],以及優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性(≈5000W·m-1·K-1)[4]和載流子傳導(dǎo)率(200000cm2·V-1·s-1)[5]。因此,石墨烯在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器、納米復(fù)合材料、微納米器件、電池及超級(jí)電容器等能源材料領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景[6-9]。Oostinga等[10]在雙層石墨烯器件上通過外加電場(chǎng)調(diào)節(jié)其能隙,從而控制石墨烯器件的開關(guān)及電流強(qiáng)度。Zhu等[11]證明了石墨烯對(duì)多種幾萘酚胺類物質(zhì)都具有電催化活性,可應(yīng)用于生物傳感器。石墨烯填充聚合物制備的納米復(fù)合材料在彈性模量、拉伸強(qiáng)度、電導(dǎo)率和熱穩(wěn)定性等方面都會(huì)表現(xiàn)出顯著的增強(qiáng)效果[12,13]。Wang等[14]以溶劑熱法還原的氧化石墨烯膜為電極,構(gòu)筑了染料敏化太陽能電池。Stoller等[15]以化學(xué)改性的石墨烯作為電極修飾材料構(gòu)筑了超級(jí)電容器。
目前,國(guó)內(nèi)外關(guān)于石墨烯制備方法的研究有很多種,如微機(jī)械剝離法[16]、超聲剝離法[17]、溶劑熱法[18]、SiC表面石墨化法[19]、化學(xué)剝離法[20]、熱解膨脹剝離法[21]、化學(xué)氣相沉積法[22]、碳納米管軸向切割法[23]等。2004年,Novoselov等[1]用膠帶從高定向熱解石墨上剝下了單層石墨烯片,引起了人們對(duì)石墨烯的研究熱潮。但該法產(chǎn)量和效率過低,效果不甚理想,因而如何獲得高品質(zhì)并可以大量生產(chǎn)石墨烯成為人們的關(guān)注熱點(diǎn)。Hummers等[24]提出了新的合成方法,以硝酸鈉、濃硫酸、高錳酸鉀和雙氧水作為插層氧化劑去除氧化石墨,該方法不僅縮短了制備時(shí)間、提高了氧化程度,而且很安全。Cheng研究組[18]用超聲法獲得了可控層數(shù)的石墨烯。Wang等[20]也利用溶劑熱法還原氧化石墨烯,并發(fā)現(xiàn)該方法制備的石墨烯薄膜電阻比傳統(tǒng)方法制備的小。19世紀(jì)90年代中期,Acheson[25]就發(fā)現(xiàn),SiC加熱到1000℃以上時(shí)Si原子被蒸發(fā)出來,發(fā)生石墨化反應(yīng)。Srivastava等[22]發(fā)現(xiàn),以Ni包裹的Si作襯底,采用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)出花瓣?duì)钍?,厚度?0nm左右。Cano-Marquez等[23]通過插入鋰和氨,然后進(jìn)行熱處理,剪切開多壁碳管形成石墨烯帶。相比而言,Hummers制備技術(shù)由于其工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,成本低,產(chǎn)率較高而在石墨烯制備領(lǐng)域備受青睞。
本文作者所在課題組前期研究[26-29]證實(shí),石墨烯的性狀決定了其應(yīng)用價(jià)值。石墨烯的性狀除了受其制備方法的控制外,其原料(天然石墨)的形貌、品質(zhì)也是非常關(guān)鍵的影響因素。因此,探索原料性狀對(duì)石墨烯性能的影響至關(guān)重要。本工作選用不同尺寸的天然石墨,采用改進(jìn)的Hummers法制備了氧化石墨及石墨烯,就原料尺寸對(duì)石墨烯性能的影響進(jìn)行了研究。
分別以不同尺寸的天然鱗片石墨(30,200,400,900,1600目,青島天盛有限公司,純度均為99.9%)為原料,在冰水浴和磁力攪拌下向干燥的單口燒瓶中加入天然石墨、濃硫酸、NaNO3和高錳酸鉀,控制反應(yīng)溫度在10~15℃范圍內(nèi),攪拌2h,然后升溫至35℃,繼續(xù)攪拌30min,之后在攪拌下加入去離子水,控制反應(yīng)溫度在100℃以內(nèi),繼續(xù)反應(yīng)2h,最后用去離子水將反應(yīng)液稀釋后加入5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)的雙氧水,趁熱過濾,用5%的稀鹽酸和去離子水反復(fù)洗滌至中性,在80℃真空烘箱中烘干,得到氧化石墨(Graphite Oxide,GO)。將GO配置成1mg/mL的水溶液,磁力攪拌溶解后,超聲細(xì)胞粉碎處理1h,超聲水浴處理1h,低速離心20min,去上層清液,超聲水浴處理10min,倒入三口燒瓶中,加入過量水合肼,在95℃下反應(yīng)18h,反應(yīng)結(jié)束后冷卻到室溫,用大量去離子水洗滌,在70℃真空干燥箱中干燥得到石墨烯(Graphene,GR)。
采用DMLM型金相顯微鏡觀察天然石墨(Natural Graphite,GR)的顯微結(jié)構(gòu)。GO及GR的性能由X射線衍射分析儀(Rigaku D/max-RBwith,CuKα,radiation),顯微共焦拉曼光譜儀(RM2000型,激光器波長(zhǎng)514.5nm,氬離子),傅里葉紅外光譜儀(TENSOR27)表征。
5種不同尺寸的天然石墨的顯微照片如圖1所示??梢钥闯鎏烊皇牧街饾u減小。圖1(a)所示粒徑大于400μm,且多層堆疊;圖1(b)所示粒徑約為60~80μm,且呈現(xiàn)片狀不規(guī)則形貌;圖1(c)所示粒徑約為40~60μm,顯示為粒狀顯微結(jié)構(gòu);圖1(d)所示粒徑小于50μm,粒徑分布較寬;圖1(e)所示粒徑基本小于20μm,且有團(tuán)聚現(xiàn)象。
2.2.1 XRD分析
圖2為氧化石墨的X射線衍射譜。可以看出石墨的尺寸由大變小,對(duì)應(yīng)的氧化石墨的層間距衍射峰(001)分別位于11.6,11.6,10.8,10.7°及10.6°,依據(jù)布拉格方程2dsinθ=nλ(d為層間距,θ為衍射角,n取1,λ為Cu靶產(chǎn)生的X射線波長(zhǎng)0.154nm),30,200,400,600目及900目的天然石墨制得氧化石墨的層間距(001)分別為0.762,0.762,0.818,0.831,0.833nm??梢?,氧化石墨的層間距衍射峰(001)隨著天然石墨尺寸的減小而依次左移,即氧化石墨的層間距依次增大,說明天然石墨粒徑越小,氧化劑越容易浸入層間,更多的官能團(tuán)將接枝在石墨上,氧化程度越大,使得層間距增大。特別是天然石墨尺寸由200目變?yōu)?00目,對(duì)應(yīng)氧化石墨的層間距變化最為明顯。
2.2.2 Raman光譜
圖1 不同尺寸天然石墨的顯微照片(a)30目;(b)200目;(c)400目;(d)900目;(e)1600目Fig.1 Optical micrographs of different size natural graphite(a)30mesh;(b)200mesh;(c)400mesh;(d)900mesh;(e)1600mesh
圖2 氧化石墨的X射線衍射譜Fig.2 XRD patterns of graphite oxide
拉曼光譜由于對(duì)樣品具有無損傷性而被廣泛用于獲得碳基材料的結(jié)構(gòu)信息,碳基材料拉曼的主要特征是G峰和D峰以及它們的倍峰[30]。一階的G峰和D峰分別出現(xiàn)在1580cm-1和1350cm-1處,都是由于sp2碳原子的振動(dòng),其中G峰是由于碳環(huán)或者鏈上的sp2碳原子之間鍵的拉伸,其峰形窄,強(qiáng)度高,表明碳原子具有六方密排結(jié)構(gòu);D峰是由于芳香環(huán)上的“呼吸模式”,并且需要有缺陷來激活,它的出現(xiàn)意味著氧化過程破壞了石墨的整體π電子共軛有序結(jié)構(gòu),引入了雜質(zhì)基團(tuán)和缺陷,該峰強(qiáng)度較弱,表明石墨中存在邊緣、其他缺陷和不規(guī)則碳(如sp3鍵)等。ID/IG值用來衡量物質(zhì)不規(guī)則度和sp2雜化區(qū)域的平均尺寸,ID/IG值與樣品中石墨微晶尺寸的大小成反比,是判斷物質(zhì)有序性的重要指標(biāo)。D峰的倍峰,即2D峰,出現(xiàn)在約2700cm-1處,2D峰在石墨中出現(xiàn)主要隨其層數(shù)的增加,其電子能帶發(fā)生變化;而2D峰在石墨烯中出現(xiàn)歸因于具有相反動(dòng)量的兩個(gè)聲子產(chǎn)生的雙共振躍遷,該峰的移動(dòng)和形狀與石墨烯的層數(shù)有關(guān),并且不像D峰只在有缺陷存在的情況下出現(xiàn),2D峰在沒有缺陷存在的情況下也會(huì)出現(xiàn)。
圖3為氧化石墨的拉曼光譜。由圖3(a)可見,氧化石墨的D峰和G峰分別位于1350,1592cm-1附近,隨著氧化石墨粒徑減小,ID/IG值分別為0.9376,0.9444,0.9269,0.8824,0.8167,ID/IG值與氧化石墨尺寸的關(guān)系如圖3(b)所示。可以看出氧化石墨的尺寸越小,其ID/IG值越小,說明sp2雜化區(qū)域的平均尺寸越大。2D峰和D+G峰分別出現(xiàn)在2700cm-1和2936cm-1處,其中2D峰微弱且寬化,可以認(rèn)為得到的氧化石墨層數(shù)較少,層間耦合作用不明顯,同時(shí)也說明了氧化石墨的無序性,D+G峰的出現(xiàn)也表明有缺陷存在。
2.2.3 FTIR分析
圖4為氧化石墨的FTIR譜圖??梢钥闯?,2920,2850cm-1位置附近的吸收峰分別對(duì)應(yīng)亞甲基—CH2的反對(duì)稱和對(duì)稱伸縮振動(dòng)。在中頻區(qū)1728cm-1位置附近出現(xiàn)吸收峰,歸屬為氧化石墨邊緣?mèng)人?、羰基的C=O伸縮振動(dòng),1618cm-1歸屬為烯烴C=C伸縮振動(dòng),1415cm-1歸屬為羥基—OH面內(nèi)變形振動(dòng),1255cm-1位置附近歸屬為氧化石墨表面的C—O—C骨架振動(dòng),1054cm-1是由醇的C—O伸縮振動(dòng)產(chǎn)生的,640cm-1歸屬為環(huán)酮面內(nèi)彎曲振動(dòng),這些含氧基團(tuán)的存在說明石墨已經(jīng)被氧化了[31]。
圖3 氧化石墨的拉曼光譜圖(a)不同尺寸氧化石墨的拉曼曲線;(b)ID/IG與氧化石墨尺寸的關(guān)系Fig.3 Raman spectra of graphite oxide(a)Raman spectra of different size graphite oxide;(b)relationship between ID/IGand size of graphite oxide
圖4 氧化石墨的FTIR譜圖Fig.4 FTIR spectra of graphite oxide
2.3.1 XRD分析
氧化石墨經(jīng)水合肼還原后成為石墨烯,其XRD譜如圖5所示,10~12°之間氧化石墨的(001)層間距衍射峰在此完全不見了,說明還原較充分,結(jié)晶結(jié)構(gòu)有所恢復(fù),而在22.6~26.4°之間是弱而緩的衍射峰,說明氧化石墨上的官能基團(tuán)基本被還原掉,但是晶格結(jié)構(gòu)有一定程度的破壞,且由原來較大的體形變成了剝離的較薄的片層,同時(shí)也說明經(jīng)過水合肼還原的氧化石墨仍有部分含氧官能團(tuán)殘存于碳層中,從而使得該石墨烯的層厚稍大于0.34nm。比較5個(gè)試樣可見,600目天然石墨制得的氧化石墨在21.1°和26.4°依然有2個(gè)較尖銳的峰,特別是2θ=26.4°是天然石墨(002)層間距的典型特征峰,說明氧化石墨剝離不充分,經(jīng)還原后重新回到天然石墨的結(jié)晶態(tài)。結(jié)合600目天然石墨制得的氧化石墨的紅外光譜圖(圖4),600目曲線較其他曲線平緩,說明極性基團(tuán)弱,分析認(rèn)為600目天然石墨本身結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定且具有惰性,不易被氧化而形成較強(qiáng)化學(xué)鍵,氧化劑插層進(jìn)入層間只是一種物理吸附,表現(xiàn)為600目氧化石墨的(001)層間距為0.831nm(圖2),是天然石墨層間距0.34nm 的兩倍多,而圖3(a)中依然顯示有缺陷存在。
2.3.2 Raman光譜
圖5 石墨烯的X射線衍射譜Fig.5 XRD patterns of graphene
圖6為石墨烯的拉曼光譜圖。由圖6(a)可見,不同尺寸石墨烯的D峰和G峰都分別位于1347cm-1和1584cm-1處,由30~900目天然石墨制得的石墨烯的ID/IG比值分別為0.9550,0.9867,0.9383,1.0081及0.9392,ID/IG值與石墨烯尺寸的關(guān)系如圖6(b)所示,可見,400目石墨烯的ID/IG最小,說明雜化程度最小,同時(shí)也說明被還原得最充分。
與同尺寸的氧化石墨相比,不論是何種尺寸,石墨烯的ID/IG比值明顯增加,如圖6(b)所示,說明sp2雜化區(qū)域的平均尺寸減小,還原使得sp2雜化的碳原子總數(shù)增加,但是新生成的石墨化區(qū)域被一些缺陷分割成尺寸更小的區(qū)域,即石墨微晶平均尺寸有所減小,但石墨微晶數(shù)量增多,特別是600目石墨烯的ID/IG值大于1,微晶數(shù)量增多得更為明顯[32]。
與圖3氧化石墨相比,石墨烯的D峰和G峰及2D峰都紅移了,認(rèn)為是氧化石墨經(jīng)還原后,缺陷減少,結(jié)構(gòu)規(guī)整性有所恢復(fù)造成的,而2D峰的藍(lán)移則認(rèn)為是氧化石墨被剝離為層數(shù)較少石墨烯后聲子振動(dòng)發(fā)生了變化而形成的。
圖6 石墨烯的拉曼光譜圖(a)不同尺寸石墨烯的Raman光譜;(b)ID/IG與石墨烯尺寸的關(guān)系Fig.6 Raman spectra of graphene(a)Raman spectra of different size graphene;(b)relationship between ID/IGand size of graphene
2.3.3 FTIR分析
氧化石墨經(jīng)水合阱還原后得到石墨烯,如圖7所示,在2920,2850cm-1位置附近的亞甲基對(duì)稱和反對(duì)稱伸縮振動(dòng)有所減弱,但是還沒有完全消失,1628cm-1歸屬為烯烴C=C伸縮振動(dòng)。相比氧化石墨(圖4),各曲線極性基團(tuán)特征峰明顯減弱或消失,1406cm-1附近的羥基—OH面內(nèi)變形振動(dòng)明顯減弱,1728cm-1位置附近羧酸、羰基的C=O振動(dòng)消失了,640cm-1附近的環(huán)酮面內(nèi)彎曲振動(dòng)完全消失,說明這些含氧基團(tuán)被還原去除掉了。此外,在1257cm-1附近石墨表面的C—O—C骨架振動(dòng)峰基本消失,表明這些含氧基團(tuán)被還原后不存在了,在1034cm-1位置附近醇的C—OH振動(dòng)引起的吸收峰在還原過程中一直存在,這可能是由于納米粒子在堿性條件下表面吸附羥基所致。新增的807cm-1特征峰歸屬為N—H變形振動(dòng)[33],認(rèn)為是還原劑水合肼的N—H變形振動(dòng)峰,說明水合肼在后處理過程中未完全去除。
圖7 石墨烯的FTIR譜圖Fig.7 FTIR spectra of graphene
2.3.4 400目天然石墨及其制備的氧化石墨與石墨烯的性能對(duì)比分析
對(duì)400目天然石墨,氧化石墨及石墨烯的XRD,Raman及FTIR分別作對(duì)比分析。
對(duì)400目NR,GO和GR分別進(jìn)行粉末X射線衍射分析,其分析結(jié)果如圖8所示。NR在2θ=26.4°處具有一條較高強(qiáng)度的衍射峰,說明天然石墨的存在以及利用布拉格公式算得在(002)處的晶面層間距約為0.34nm。GO是經(jīng)強(qiáng)氧化劑氧化和超聲剝離后獲得的氧化石墨,其(001)層間距的衍射峰為10.9°,衍射峰強(qiáng)度降低。這是由于加入強(qiáng)氧化劑后,氧與碳原子的多種鍵合作用,使得石墨片層與層之間以及層邊緣等位置引入了C=O,C—OH,—COOH等官能團(tuán)和其他缺陷,最終使得層與層之間的距離增大。此外,由NR到GO,26.4°處石墨晶面峰強(qiáng)度減弱,說明了石墨結(jié)晶程度變差,且由原來的較大的多層體狀變成了剝離的較薄的少片層。由GR的XRD圖可以看出(002)層間距的衍射峰左移至23°左右,且變低變寬,幾乎為一直線,這說明經(jīng)過水合肼還原的氧化石墨仍有部分含氧官能團(tuán)殘存于碳層中,從而使得該石墨烯的層厚稍大于0.34nm,同時(shí),也表明體狀石墨變成了層數(shù)較少的石墨烯。
圖8 400目NR,GO及GR的X射線衍射譜Fig.8 XRD patterns of NR,GO and GR of 400mesh
圖9是NR,GO和GR的Raman光譜圖,1580cm-1是天然石墨的拉曼特征峰,經(jīng)強(qiáng)氧化劑氧化及超聲處理后,劈裂為2個(gè)峰,從GO曲線可以看到,分別是D峰(1354cm-1)和G峰(1592cm-1),GO的ID/IG=0.9269,且在2700~3250cm-1之間出現(xiàn)了2D和D+G的寬峰,表明由于強(qiáng)氧化劑的加入使得原本規(guī)則排列的石墨片層間引入了大量的含氧官能團(tuán)和懸掛鍵,導(dǎo)致大量缺陷的產(chǎn)生以及sp2碳雜化向sp3碳雜化的轉(zhuǎn)變,破壞了石墨的結(jié)晶性能。GR曲線反映出還原后的石墨烯的拉曼光譜圖,其中D峰出現(xiàn)在1347cm-1,G峰位于1584cm-1處,其峰位與氧化石墨烯相比有所左移,強(qiáng)度變?nèi)跚覍捇?D峰也完全消失,GR的ID/IG=0.9383,相比 GO 的ID/IG值增大,說明sp2雜化區(qū)域的平均尺寸減小,還原使得sp2雜化的碳原子總數(shù)增加。氧化石墨的G峰(1592cm-1)較天然石墨的G峰(1580cm-1)藍(lán)移,這是由于孤立的雙能帶共振頻率高于天然石墨的G峰,認(rèn)為氧化石墨中存在的相互分離的C=C區(qū)域會(huì)在高頻處產(chǎn)生振動(dòng),在將氧化石墨還原成石墨烯之后,G峰又紅移回到原來的位置附近[34]。
圖9 400目NR,GO及GR的Raman光譜Fig.9 Raman spectra of NR,GO and GR of 400mesh
圖10為400目NR,GO及GR的FTIR譜圖。石墨晶體在1635cm-1處有1個(gè)sp2結(jié)構(gòu)的C=C伸縮振動(dòng)峰,這也是石墨的特征峰。從NR和GO曲線比較可以看出,GO曲線存在一系列的紅外吸收峰,表明NR經(jīng)氧化后,極性基團(tuán)顯著增多。比較GO與GR可見,GO曲線中1728cm-1附近的C=O伸縮振動(dòng),1415cm-1附近的羥基—OH面內(nèi)變形振動(dòng),1255cm-1附近的C—O—C骨架振動(dòng),在GR中都沒有出現(xiàn),說明這些含氧基團(tuán)經(jīng)水合肼還原后都不存在了。GR和NR的曲線中,在3100~3700cm-1范圍內(nèi)出現(xiàn)一個(gè)較寬、較強(qiáng)的吸收峰,認(rèn)為是殘存水分子的—OH的伸縮振動(dòng)峰。另外,在GR和NR曲線中,1635cm-1處的sp2的C=C伸縮振動(dòng)峰都存在,說明GO經(jīng)還原劑還原后得到了結(jié)晶結(jié)構(gòu)較為完整的石墨烯,使得C=C伸縮振動(dòng)特征峰在GR中得以體現(xiàn)。在1043cm-1位置附近醇的C—OH振動(dòng)引起的吸收峰在GR和GO中都存在,這可能是由于納米粒子在堿性條件下表面吸附羥基所致。另外,在GR和GO中,1564cm-1附近都有特征峰,歸屬為N=O伸縮振動(dòng)峰[34],認(rèn)為是未洗滌掉的殘留氧化劑硝酸中硝基的N=O伸縮振動(dòng)特征峰,GR中802cm-1歸屬為還原劑水合肼的N—H變形振動(dòng)峰。
圖10 400目NR,GO及GR的FTIR譜圖Fig.10 FTIR spectra of NR,GO and GR of 400mesh
(1)改進(jìn)的Hummers法是制備氧化石墨和石墨烯的有效方法,其工藝易控、成本低、產(chǎn)率高且產(chǎn)物品質(zhì)好。
(2)氧化石墨和石墨烯的性能與天然石墨的尺寸有關(guān),天然石墨尺寸越小,氧化劑越容易浸入層間,氧化石墨的層間距越大。
(3)氧化石墨的D峰和G峰的強(qiáng)度比ID/IG與天然石墨尺寸成正比關(guān)系;與同尺寸的氧化石墨相比,石墨烯的ID/IG值比氧化石墨的大,說明石墨烯中sp2雜化碳層平面的平均尺寸小于氧化石墨的平均尺寸,還原使得sp2雜化的碳原子總數(shù)增加。
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