周千荷 呂堯

摘? ?要：20世紀(jì)40年代至50年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于初級階段，深受美國半導(dǎo)體管制的影響。為了擺脫對美國的依賴，解決卡脖子問題，日本政府下決心大力發(fā)展本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并在政策措施、組織模式、體制機制等方面提出了一系列措施。通過實施各項舉措，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到長足發(fā)展，一舉超越美國，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)先者，極大地促進了日本經(jīng)濟發(fā)展。文章對日本推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展舉措進行了總結(jié)分析，并為我國促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展、關(guān)鍵技術(shù)突破，提供了參考和借鑒。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體;政策措施;組織模式;體制機制

中圖分類號： TP309? ? ? ? ? 文獻標(biāo)識碼：A

Abstract： In the 1940s and 1950s， Japan's semiconductor industry was still in its infancy and was deeply influenced by American semiconductor regulation. In order to get rid of the dependence on the United States and solve the neck sticking problem， the Japanese government is determined to vigorously develop its semiconductor industry， and puts forward a series of measures in policy measures， organizational models， institutional mechanisms， etc. Through the implementation of various measures， Japan's semiconductor industry has made great progress， surpassing the United States， becoming a global leader in the semiconductor industry， and greatly promoting the economic development of Japan. This paper summarizes and analyzes the measures taken by Japan to promote the development of semiconductor industry， and provides references for China to promote the development of semiconductor industry and breakthrough in key technologies.

Key words： semiconductor; policy measures; organizational model; institutional mechanism

1 引言

在20世紀(jì)40年代至50年代，晶體管和集成電路（IC）先后在美國誕生，相關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)極大地推動了美國電子工業(yè)發(fā)展以及經(jīng)濟增長。同期，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則十分薄弱，相關(guān)產(chǎn)品過分依賴從美國進口，缺少自主研發(fā)的技術(shù)及產(chǎn)品，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于嚴(yán)重受制于人的境地。日本對美國管控半導(dǎo)體產(chǎn)品出口阻礙其他國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的舉措感到不滿，為了擺脫對美國的依賴，走出受制于人的困境，日本政府下定決心，在吸收西方先進技術(shù)的基礎(chǔ)上進行自主創(chuàng)新與研發(fā)，大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，日本在政策措施、組織模式、體制機制等方面實施了一系列舉措，一舉使得日本成為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先者，實現(xiàn)了對美國的超越，成為全球最大的半導(dǎo)體供應(yīng)者，極大地促進了日本經(jīng)濟的發(fā)展。

2 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展成效

1970-1985年，日本電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值增長5倍，內(nèi)需增長3倍，出口增長了11倍之多。在DRAM市場中，日本企業(yè)從20世紀(jì)70年代后半期開始快速成長，憑借兼具高質(zhì)量和成本優(yōu)勢的產(chǎn)品迅速滲透美國乃至全球市場。從64KB時代到1MB時代，全球最大供應(yīng)商一直被日本企業(yè)占據(jù)。1985年的半導(dǎo)體銷售量排行榜（包括動態(tài)隨機存儲器在內(nèi)）中，日本企業(yè)首次位居第一。1986年，日本企業(yè)在世界市場所占的份額接近80%。在巔峰時期的1988年和1989年，日本在動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、雙極電路、通用邏輯電路、存儲元件等技術(shù)上都開始領(lǐng)先于美國，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始占據(jù)全球半壁江山，令歐美望塵莫及。在排名前十位的公司中，日本占有6家，NEC、東芝和日立囊括前三。1989年日本芯片全球市占率高達51%，遠高于美國的36%，同期歐洲占11%，韓國僅占1%。

3 日本關(guān)于促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施

3.1制定專門法律法規(guī)支持對先進技術(shù)的消化吸收

從20世紀(jì)50年代起，為全面扭轉(zhuǎn)日本在半導(dǎo)體技術(shù)方面依附于歐美的弱勢地位，日本政府相繼出臺了相關(guān)政策，以鼓勵企業(yè)提高自身研發(fā)能力，促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。日本政府于1957年制定了《電子工業(yè)振興臨時措施法》，于1971年制定了《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》，于1978年制定了《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》。三部法規(guī)均規(guī)定，必須特別強化對日本尚未掌握或遠落后于國外的半導(dǎo)體相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)的試驗研究及試生產(chǎn)（例如大規(guī)模集成電路、創(chuàng)新芯片等），并推進相關(guān)課題的開展。通產(chǎn)省需要先依據(jù)技術(shù)的難度、先進性、重要性以及成熟度將需要推進的課題分為“促進研究開發(fā)”“促進批量生產(chǎn)”“促進品質(zhì)提高”三類，并需分別列出試驗的課題、擴大生產(chǎn)的目標(biāo)、品質(zhì)提高的要求，同時定出時間表、所需的設(shè)備及資金。在此基礎(chǔ)上，由通產(chǎn)省指導(dǎo)有關(guān)企業(yè)以合作方式共同完成。該規(guī)定有效地促進了日本企業(yè)對國外半導(dǎo)體領(lǐng)域先進技術(shù)的學(xué)習(xí)、吸收與轉(zhuǎn)化，推動了本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，也為后續(xù)推動超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動計劃奠定了基礎(chǔ)。

3.2 實施市場換技術(shù)政策為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好條件

在20世紀(jì)50年代至70年代，日本政府通過實施市場換技術(shù)政策，為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造了空間。通產(chǎn)省規(guī)定，外國企業(yè)若想進入日本市場，需要把原始技術(shù)以許可證、專有技術(shù)形式等方式賣給日本企業(yè)，外國企業(yè)不能對轉(zhuǎn)讓對象有歧視行為。即若一家外國企業(yè)打算在日本轉(zhuǎn)讓技術(shù)，那么這種技術(shù)就必須允許向所有的日本企業(yè)轉(zhuǎn)讓。在這一規(guī)定下，獲得技術(shù)轉(zhuǎn)讓的日本企業(yè)可通過再轉(zhuǎn)讓協(xié)議，將先進技術(shù)傳播給其他的日本企業(yè)，以推動先進的半導(dǎo)體產(chǎn)品和生產(chǎn)技術(shù)在日本的半導(dǎo)體行業(yè)中迅速傳播。除了技術(shù)轉(zhuǎn)讓外，日本政府還對想進入日本市場的外國企業(yè)，設(shè)立了諸如合資辦廠、公開專利的準(zhǔn)入要求。例如，在20世紀(jì)60年代，日本政府對想進入本國市場的美國半導(dǎo)體企業(yè)德州儀器，設(shè)定了以合資形式進入、3年內(nèi)限制生產(chǎn)以及公開芯片專利這三項限制條件。通過對外國企業(yè)限制準(zhǔn)入要求，日本政府使外國企業(yè)不能借助技術(shù)優(yōu)勢長期占據(jù)日本市場，從而推動日本企業(yè)在受保護的國內(nèi)市場中逐步提高生產(chǎn)能力。

3.3 實施重大攻關(guān)專項實現(xiàn)半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)的突破

20世紀(jì)50年代至80年代，為掌握半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵核心技術(shù)，日本通產(chǎn)省組織大企業(yè)聯(lián)合進行半導(dǎo)體開發(fā)計劃。

3.3.1 超高性能電子計算機開發(fā)計劃

1964年，美國IBM公司宣布使用了集成電路的第三代計算機360系統(tǒng)問世。為了保護和培育本國使用大規(guī)模集成電路的計算機產(chǎn)業(yè)，1966年，日本通產(chǎn)省啟動了“超高性能電子計算機的開發(fā)”大型項目研究，為參與該項目的企業(yè)提供總額高達100億日元的補助金，旨在開發(fā)出可同美國IBM公司360系統(tǒng)競爭的高性能第三代計算機。在通產(chǎn)省所屬工業(yè)技術(shù)院電子技術(shù)綜合研究所以及民間企業(yè)、高等院校的共同努力下，1972年預(yù)期目標(biāo)得以實現(xiàn)。20世紀(jì)70年代，隨著IBM又開發(fā)出了使用大規(guī)模集成電路（LSI）的370系列計算機，日本通產(chǎn)省又相繼啟動了數(shù)個與使用大規(guī)模集成電路的計算機相關(guān)的大型開發(fā)計劃，如，1972年，通產(chǎn)省又創(chuàng)設(shè)了“電子計算機新機種開發(fā)促進費補助金制度”，在1972-1976年，提供570億日元的補助金用于資助富士通和日立、日本電氣（NEC）和東芝、三菱電機和沖電氣三大企業(yè)聯(lián)盟，分別從事IBM370系列對抗機型的開發(fā)。以上舉措不僅使得日本使用大規(guī)模集成電路的計算機市場規(guī)模大幅增長，也帶動了相關(guān)企業(yè)集成電路技術(shù)的進步，如東芝的IC自動設(shè)計系統(tǒng)、NEC的硅片工藝自動化技術(shù)能力、日立的裝配工藝自動化技術(shù)能力均得到了顯著的提升。

3.3.2 超大規(guī)模集成電路計劃

1976年，日本通產(chǎn)省以富士通、日立、三菱、NEC、東芝5家最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)為中心，聯(lián)合官辦的日本工業(yè)技術(shù)研究院、電子綜合研究所和計算機綜合研究所，成立“超大規(guī)模集成電路技術(shù)研究協(xié)會”，設(shè)立共同研究所，開展“超大規(guī)模集成電路”（VLSI）計劃。整個計劃耗資7370億日元，政府出資41.6%，產(chǎn)業(yè)界出資58.4%，由政府以無息貸款給廠商，直到技術(shù)被商業(yè)化為止。由該計劃所產(chǎn)生的知識產(chǎn)權(quán)雖歸于政府，但可由所有參與的廠商所共享。VLSI計劃進行研發(fā)所采用的方式：利用大部分預(yù)算購買美國制造的設(shè)備，以逆向工程方式將設(shè)備拆解并研究該設(shè)備如何運作，以協(xié)助具備能力的本國企業(yè)投入該產(chǎn)業(yè)。VLSI計劃所買進的制程設(shè)備都是當(dāng)時最先進的，即使是雛形機（Prototype），也全力以赴將其改善成為先進制程設(shè)備。在1976-1979年，VLSI研究協(xié)會共申請專利1210項，涉及精細加工工藝技術(shù)、半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)、原材料、器件、ASIC和MPU多基礎(chǔ)技術(shù)。VLSI計劃使日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了跳躍式進步，并在1985年首次超過美國，成為世界頭號半導(dǎo)體出口國，如表1所示。

3.4 制定專項財稅政策引導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

日本還通過資金支持、提供低息貸款及稅收優(yōu)惠等財政政策，給半導(dǎo)體企業(yè)有力的支持，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到了積極作用。

在資金支持方面，日本政府給予了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大力支持。《電子工業(yè)振興臨時措施法》《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》和《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》均規(guī)定，為支持鼓勵以半導(dǎo)體為代表的電子工業(yè)相關(guān)企業(yè)，學(xué)習(xí)西方先進技術(shù)并開展自主研發(fā)，政府需確保企業(yè)資金的供給，同時對于缺口資金，需進行斡旋。在直接資金支持上，日本政府主要向有關(guān)研究開發(fā)項目提供補助金。據(jù)統(tǒng)計，1966-1983年，日本政府對企業(yè)、政府研究機構(gòu)在集成電路、計算機、軟件等的開發(fā)方面投入了6.63億美元的補助金。其中，在1971-1980年實施的總額達700億日元的國家級“超大型集成電路硬件用軟件項目”中，政府出資高達300億日元。此外，在融資方面，日本政府出臺相關(guān)政策，利用國家開發(fā)銀行為有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，提供低息、長期優(yōu)惠貸款。

在貸款及稅收優(yōu)惠方面，日本政府通過對半導(dǎo)體企業(yè)提供低息貸款的方式鼓勵其進行技術(shù)研發(fā)。在美國市場貸款利率為4%～5%的時期，日本發(fā)展銀行（JDB）為半導(dǎo)體企業(yè)提供接近于零的低利率貸款，以支持半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展。此外，為鼓勵半導(dǎo)體企業(yè)合并以做大做強，日本政府制定《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》，對于合并企業(yè)的清算利潤，予以減輕或減免法人稅;對于出資所得的分紅，在征收法人稅時不列入征稅對象;同時免收有關(guān)購買土地等的手續(xù)費。此外，日本政府還采取了加快折舊等方式支持半導(dǎo)體企業(yè)進行設(shè)備投資。

4 日本促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的組織模式

4.1通過“研究組合”模式進行核心技術(shù)攻關(guān)

通過“研究組合”模式進行核心技術(shù)攻關(guān)，是“產(chǎn)官學(xué)”合作一體化的重要表現(xiàn)形式。“研究組合”模式是由日本政府牽頭，將多個具有競爭關(guān)系的民間企業(yè)和國立科研院所結(jié)合在一起組建“研究組合”（又稱“技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”），并開展半導(dǎo)體發(fā)展計劃，共同進行關(guān)鍵共性技術(shù)的研發(fā)。一個典型的例子就是日本“超大規(guī)模集成電路”（VLSI）計劃。

VLSI計劃的組織模式具有三個特點。

一是政府牽頭成立，政企聯(lián)合攻關(guān)，技術(shù)成果共享。VLSI計劃由日本通產(chǎn)省組織，富士通、日立、三菱、日本電氣（NEC）和東芝5家半導(dǎo)體制造企業(yè)與日本工業(yè)技術(shù)研究院等官辦研究機構(gòu)聯(lián)合組成研究組合，成立共同研究所。研究組合的最高領(lǐng)導(dǎo)決策機構(gòu)是理事會，由5家半導(dǎo)體制造企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)及通產(chǎn)省的官員構(gòu)成。VLSI計劃的成果所有權(quán)歸政府，但參加實施規(guī)劃的各個企業(yè)可以共享這些技術(shù)成果。

二是由業(yè)內(nèi)專家總領(lǐng)技術(shù)研究，企業(yè)合作進行應(yīng)用研究。共同研究所所長來自通產(chǎn)省電子技術(shù)綜合研究所，由著名的半導(dǎo)體專家垂井康夫擔(dān)任，負責(zé)研究的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)責(zé)任。VLSI計劃中的基礎(chǔ)研究由共同研究所承擔(dān)，而在基礎(chǔ)研究之上進行的應(yīng)用研究，分別由富士通-日立–三菱系統(tǒng)的計算機組合研究所（CDL）和日電-東芝系統(tǒng)的日電東芝情報系統(tǒng)（NTIS）承擔(dān)。

三是通過外包合作，帶動相關(guān)企業(yè)共同發(fā)展。共同研究所還與民間研發(fā)機構(gòu)合作，將不擅長的部分以“委托-代理”的模式外包，如具有光學(xué)設(shè)備加工技術(shù)優(yōu)勢的理光和佳能、具有平版印刷技術(shù)優(yōu)勢大日本印刷公司和凸版印刷公司等企業(yè)，均以“委托-代理”的模式參與了VLSI計劃。

日本通過推進“研究組合”合作模式，集中三方優(yōu)勢進行項目攻關(guān)，有效地促進了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展。以VLSI計劃為例，VLSI計劃對日本RAM在世界市場取得強勁的領(lǐng)先地位做出了巨大的貢獻，其研究成果16K RAM（隨機存取存儲器）在1978-1981年間占到世界份額的40%。另一項研究成果—日本的第一代超大規(guī)模集成電路的64K RAM，在1982年底已經(jīng)占到國際市場的66%。

VLSI開發(fā)協(xié)會組織架構(gòu)如圖1所示。

4.2 以大企業(yè)為主導(dǎo)的技術(shù)創(chuàng)新模式

在20世紀(jì)80年代，日本的國內(nèi)市場競爭十分激烈，尤其在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，必須通過不斷地推出新技術(shù)、新產(chǎn)品才能在競爭中得以生存和立足。由于大部分高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)（如半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)）隸屬于大型企業(yè)，且大型企業(yè)對于創(chuàng)新、研發(fā)的積極性高、R&D投入比重大、投入資金額增長快，因此大企業(yè)在新技術(shù)新產(chǎn)品的研發(fā)優(yōu)勢明顯高于中小企業(yè)。除此之外，日本政府通過稅收、信貸、加速折舊等方面的優(yōu)惠（例如《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》中規(guī)定對大型企業(yè)予以減輕或減免法人稅），來鼓勵大企業(yè)在競爭中持續(xù)創(chuàng)新，使得日本逐漸形成了以大企業(yè)為主導(dǎo)的技術(shù)創(chuàng)新模式。

以日立公司為例，作為一家大型企業(yè)，擁有自己的中央研究所、基礎(chǔ)研究開發(fā)總部、知識產(chǎn)權(quán)總部、設(shè)計總部等共向研發(fā)成果的部門，并擁有近萬人從事技術(shù)研發(fā)工作。為了提高R&D效率，通常發(fā)揮團隊的智慧，引入競爭機制，以“團隊方式”開展半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)攻關(guān)，并與富士通、東芝、夏普等大型企業(yè)參與了光半導(dǎo)體研發(fā)、VLSI器件研發(fā)等項目。大企業(yè)為主導(dǎo)的日本半導(dǎo)體主要研發(fā)計劃如表2所示。

5 日本促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的體制機制

5.1 推行“產(chǎn)官學(xué)”協(xié)同創(chuàng)新機制

1971年，日本科學(xué)技術(shù)會議明確指出應(yīng)加強各部門間的聯(lián)系，推行“產(chǎn)官學(xué)”協(xié)同創(chuàng)新機制。在該機制下，日本政府主要起橋梁與紐帶的協(xié)調(diào)作用。例如，為了推動“產(chǎn)”“學(xué)”“官”三者間的聯(lián)系，日本政府組建了一批專門的職能機構(gòu)，包括新技術(shù)事業(yè)團、筑波研究聯(lián)合體，日本學(xué)術(shù)振興會、神奈川科學(xué)技術(shù)園、國際超導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究中心等，這些職能機構(gòu)以推動技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用一體化、促進創(chuàng)新技術(shù)的普及為主要任務(wù)，并將半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)作為發(fā)展的重要領(lǐng)域。VLSI計劃就是“產(chǎn)官學(xué)”協(xié)同創(chuàng)新機制在半導(dǎo)體研究創(chuàng)新領(lǐng)域的典型應(yīng)用。

“產(chǎn)官學(xué)”協(xié)同創(chuàng)新機制下的課題研發(fā)有委托研究和共同研究兩種合作模式。委托研究是指文部科學(xué)省20世紀(jì)70年代提出的合作研發(fā)制度。具體是由高校的科研人員按照企業(yè)或政府的委托要求，開展相關(guān)創(chuàng)新研發(fā)工作，研究課題、經(jīng)費均由委托人承擔(dān)，而科研成果所有權(quán)則歸屬于委托單位。委托單位每年向高校支付各種經(jīng)費，一般情況下，經(jīng)費的70%資助給R&D支配，剩余的30%則作為管理經(jīng)費。共同研究是指文部科學(xué)省于20世紀(jì)80年代創(chuàng)立的一種企業(yè)和高校合作研發(fā)課題的制度。具體是由企業(yè)向高校撥付R&D資助經(jīng)費以及提供科研設(shè)備，扶持高校與企業(yè)的科研人員依據(jù)企業(yè)的需求開展共同的課題攻關(guān)，研究創(chuàng)新成果由企業(yè)與高校雙方共享。

“產(chǎn)官學(xué)”協(xié)同創(chuàng)新機制有效整合利用了高校及科研機構(gòu)的智慧資源，并降低了企業(yè)的研發(fā)風(fēng)險、減少了相關(guān)研發(fā)成本費用，促進了半導(dǎo)體技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化，對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐步壯大、技術(shù)能力達到世界領(lǐng)先水平方面發(fā)揮了突出作用。

5.2 建立完善外資市場準(zhǔn)入機制

日本政府通過建立完善外資市場準(zhǔn)入機制，限制國外企業(yè)及產(chǎn)品向國內(nèi)市場的滲透，為日本半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的市場環(huán)境。1950年，日本頒布《外國投資法》，要求日本境內(nèi)所有外來直接投資的申請必須經(jīng)過日本政府的審核。借此，通產(chǎn)省拒絕了以美國為代表的外國半導(dǎo)體企業(yè)在日本建立全資子公司、建立美方可以獲得多數(shù)股權(quán)的合資企業(yè)，以及購買日本半導(dǎo)體企業(yè)的股權(quán)的所有申請，有效地限制了外國企業(yè)占領(lǐng)日本市場。日本政府還通過高關(guān)稅、限制性配額、排他性定制程序、“購買日貨”等措施，限制外國半導(dǎo)體商品向本國市場滲透。例如，日本政府規(guī)定，只有得到通產(chǎn)省的批準(zhǔn)后，日本公司才可以從外國公司購買先進的集成電路產(chǎn)品。1974年之前，若沒有特別許可，日本不允許進口含有200個以上電路元件的集成電路。此外，對于外國企業(yè)在日本提出的芯片專利申請，日本政府也不予批準(zhǔn)，從而使日本企業(yè)可以在國內(nèi)從事芯片的生產(chǎn)時，無需太多地顧忌專利侵權(quán)問題。

6 結(jié)束語

半導(dǎo)體廣泛運用于現(xiàn)在社會各個領(lǐng)域，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是國家基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，是國家命脈產(chǎn)業(yè)，發(fā)展壯大我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已到了刻不容緩的地步。本文重點分析了日本從20世紀(jì)50年代到80年代，政策措施、組織模式、體制機制等各方面的舉措和實際案例，以期對我國推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展、關(guān)鍵核心技術(shù)突破，提供參考和借鑒。

基金項目：

國家自然科學(xué)基金（項目編號：71941021）。

參考文獻

[1] 王超，李倩.韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的案例分析及經(jīng)驗借鑒[J].網(wǎng)絡(luò)空間安全，2020，11（04）：108-113.

[2] 王超.美國20世紀(jì)90年代半導(dǎo)體芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)復(fù)興的經(jīng)驗分析[J].網(wǎng)絡(luò)空間安全，2020，11（03）：100-105.

[3] 趙鑫.美國、日本發(fā)展政府投資基金支持科技創(chuàng)新的經(jīng)驗及啟示[J].經(jīng)濟研究導(dǎo)刊，2020（07）：165-166.

[4] 馮昭奎.日本芯片業(yè)發(fā)展之路帶來的啟示[N].環(huán)球時報， 2019-07-03（014）.

[5] 孟拓.后發(fā)追趕式國家和地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式的特點及路徑選擇[J].電子世界，2015（17）：61-63.

作者簡介：

周千荷（1995-），女，漢族，山東濟南人，澳大利亞新南威爾士大學(xué)，碩士，賽迪智庫網(wǎng)絡(luò)安全研究所，助理研究員;主要研究方向和關(guān)注領(lǐng)域：數(shù)據(jù)安全、網(wǎng)絡(luò)安全政策。

呂堯（1984-），男，漢族，陜西寶雞人，西安電子科技大學(xué)，碩士，賽迪智庫網(wǎng)絡(luò)安全研究所，助理研究員;主要研究方向和關(guān)注領(lǐng)域：信息安全、網(wǎng)絡(luò)安全、電子認證領(lǐng)、密碼。