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離子遷移譜-質(zhì)譜技術(shù)及其在納米團(tuán)簇表征中的應(yīng)用

2022-01-25 09:17王衛(wèi)國(guó)倉(cāng)懷文楊俊超阮慧文徐楚婷李海洋
質(zhì)譜學(xué)報(bào) 2022年1期
關(guān)鍵詞:同分異構(gòu)遷移率行波

王衛(wèi)國(guó),李 楊,倉(cāng)懷文,楊俊超,阮慧文,徐楚婷,李海洋

(1.中國(guó)科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,遼寧 大連 116023;2.國(guó)民核生化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 102205;3.大連交通大學(xué),遼寧 大連 116023)

納米團(tuán)簇具有獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)和催化性能,被廣泛用于催化、材料、生物制藥等領(lǐng)域[1-2]。團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)與其物理、化學(xué)性質(zhì)密切相關(guān),基于納米團(tuán)簇合成策略制備特異性功能材料是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)[3-4]。納米團(tuán)簇的表征技術(shù)為納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)研究提供了可靠的支撐。目前常用的表征方法主要包括單晶衍射法[1-2]、質(zhì)譜法[5]、紅外光譜法[6]、核磁共振法[7]等。其中,單晶衍射法可提供原子組成以及結(jié)構(gòu)信息[8],缺點(diǎn)是需要制備幾mg到幾百mg高純度的晶體;核磁共振法可表征納米團(tuán)簇的配體組成及穩(wěn)定性[9],其靈敏度較差,需要mg級(jí)樣品;紅外光譜法主要用于表征納米團(tuán)簇和硫醇基團(tuán)的結(jié)合方式[10-11]。另外,磁性圓二色性、電子順磁共振、擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)、X射線衍射等也被用于納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)表征[12-13]。

質(zhì)譜法可以提供納米團(tuán)簇的分子質(zhì)量和組成信息,是納米團(tuán)簇表征的金標(biāo)準(zhǔn)[14]。常用的質(zhì)譜儀主要包括激光解吸電離質(zhì)譜[15-16]、基質(zhì)輔助激光解吸串聯(lián)飛行時(shí)間質(zhì)譜[17-19]、電噴霧質(zhì)譜(ESI-MS)[14]、串聯(lián)質(zhì)譜(MS/MS)等[20-21]。Balasubramanian等[15]利用激光解吸電離質(zhì)譜研究了硫醇保護(hù)的金納米團(tuán)簇液相體系,測(cè)定了Au75(SC6H13)40離子譜。Tsunoyama等[16]利用激光解吸電離質(zhì)譜為烷基硫醇保護(hù)金納米團(tuán)簇Au38∶SCx和Au55∶SCx的存在提供了直接證據(jù)。Schaaff等[17]利用MALDI-MS研究了谷胱甘肽保護(hù)的金納米團(tuán)簇液相體系,證明了金原子數(shù)在20~40團(tuán)簇的存在。Ji等[18]利用MALDI-TOF實(shí)驗(yàn)測(cè)定了納米團(tuán)簇Ni39(SCH2CH2Ph)24和Ni41(SCH2CH2Ph)25。Dass等[19]通過調(diào)控激光閾值質(zhì)譜技術(shù)測(cè)定了Au25(SCH2CH2Ph)18和Au25(SCH2CH2Ph)(18-x)Lx。Fields-Zinna等[20]利用碰撞誘導(dǎo)解離質(zhì)譜(CID-MS/MS)研究了NaxAu25(SC2H4Ph)18-y(S(C2H4O)5CH3)y混合單層的解離通道,發(fā)現(xiàn)半圓環(huán)Au2L3組成了納米團(tuán)簇的保護(hù)結(jié)構(gòu)。Ghosh等[21]研究了谷胱甘肽保護(hù)的Au18團(tuán)簇的碎片產(chǎn)生機(jī)理。Chen等[22]發(fā)現(xiàn)了金團(tuán)簇的光學(xué)特性與團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的相關(guān)性。

離子遷移譜-質(zhì)譜(IM-MS)是近年來(lái)發(fā)展的一種團(tuán)簇表征新技術(shù),可以提供碰撞截面/結(jié)構(gòu)和質(zhì)荷比的信息,在團(tuán)簇同分異構(gòu)體表征中發(fā)揮了重要作用[23-29]。本文將詳細(xì)介紹離子遷移譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)的基本原理及其在納米團(tuán)簇結(jié)構(gòu)表征和同分異構(gòu)體識(shí)別等方面的應(yīng)用,并對(duì)今后的潛在發(fā)展方向進(jìn)行展望。

1 離子遷移譜表征納米團(tuán)簇的基本原理

離子遷移譜基于團(tuán)簇離子在均勻電場(chǎng)中的飛行時(shí)間差異進(jìn)行分離和檢測(cè)。常用離子遷移率K來(lái)表征離子的遷移能力,與離子遷移時(shí)間td、遷移速度Vd、遷移區(qū)長(zhǎng)度L和電場(chǎng)強(qiáng)度E的關(guān)系如下:

(1)

式中,K與離子的質(zhì)量m、碰撞截面ΩD、氣氛組成(M表示載氣的質(zhì)量數(shù))等密切相關(guān);N、e、z、kB分別表示氣體數(shù)密度、單位電荷電量、電荷數(shù)和玻爾茲曼常數(shù);α為校準(zhǔn)系數(shù)。

為了便于比對(duì),將0 ℃、101 325 Pa下的離子遷移率定義為約化離子遷移率K0。其中,T、P分別表示測(cè)定時(shí)的絕對(duì)溫度和壓力;T0、P0分別表示0 ℃時(shí)的絕對(duì)溫度和標(biāo)準(zhǔn)壓力。

(2)

氣相團(tuán)簇離子碰撞截面ΩD與約化離子遷移率K0之間的關(guān)系為:

(3)

利用遷移時(shí)間和式(3)可以計(jì)算出團(tuán)簇的碰撞截面。離子遷移譜無(wú)法直接提供團(tuán)簇結(jié)構(gòu)信息,但可以得到碰撞截面數(shù)據(jù),將理論模擬的團(tuán)簇截面數(shù)據(jù)與實(shí)驗(yàn)測(cè)定值進(jìn)行比對(duì)后,可以判斷納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)[26]。

1.1 用于納米團(tuán)簇截面的表征技術(shù)

1.1.1基于均勻場(chǎng)的離子遷移譜表征技術(shù)

基于均勻場(chǎng)的離子遷移譜主要包括遷移時(shí)間離子遷移譜(DT-IMS)、電離子遷移率分析儀(DMA)等,其結(jié)構(gòu)原理示于圖1。DT-IMS主要由電離反應(yīng)區(qū)、離子門、遷移區(qū)、屏蔽柵網(wǎng)和法拉第盤等構(gòu)成,通過測(cè)定遷移時(shí)間直接獲得離子遷移率和碰撞截面信息,結(jié)構(gòu)示于圖1a。在均勻的電場(chǎng)作用下,離子經(jīng)過離子門以脈沖方式注入遷移區(qū);由于結(jié)構(gòu)不同的團(tuán)簇離子飛行速度不同,從而到達(dá)法拉第盤的時(shí)刻不同;根據(jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的出峰時(shí)間計(jì)算其約化遷移率,再利用式(3)獲得截面數(shù)據(jù)。DMA原理與DT-IMS基本相同,區(qū)別在于氣流方向和電場(chǎng)方向相互垂直,示于圖1b,不同離子從上側(cè)狹縫進(jìn)入分離區(qū),在橫向氣流和縱向電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng),通過調(diào)節(jié)電場(chǎng)大小可以選擇性地使離子從下側(cè)的狹縫飛出,然后被檢測(cè)器檢測(cè)[24]。根據(jù)公式K=Ud2/LV獲得遷移率。其中,U為氣體流速,L為兩狹縫間的軸向距離,V和d分別為上下極板間的電壓差和間距。

圖1 遷移時(shí)間離子遷移譜(a)和電離子遷移率分析儀(b)的原理示意圖Fig.1 Schematic diagrams of drift tube ion mobility spectrometry (a) and differential mobility analyzer (b)

1.1.2基于非均勻場(chǎng)的離子遷移譜表征技術(shù)

行波場(chǎng)離子遷移譜(travelling-wave ion mobility spectrometry, TW-IMS)是一種非均勻場(chǎng)的遷移率表征技術(shù),其工作原理示于圖2[25]。在TW-IMS中,1個(gè)高電場(chǎng)施加在其遷移管堆棧環(huán)離子導(dǎo)向(SRIG)的第1個(gè)環(huán)間隔上,并且沿著離子運(yùn)動(dòng)的方向在SRIG上1次掃過1個(gè)環(huán)間隔,一系列的對(duì)稱勢(shì)能波連續(xù)傳過SRIG,推動(dòng)離子以1個(gè)與它們遷移率相關(guān)的速度向前移動(dòng),不同的離子會(huì)在不同的時(shí)間通過SRIG。利用TW-IMS可以高選擇性地分離分析不同離子,但是無(wú)法直接獲得未知團(tuán)簇離子的遷移率,需要用DT-IMS進(jìn)行標(biāo)定。

圖2 RF-only堆棧環(huán)離子導(dǎo)向的結(jié)構(gòu)示意圖(a)和離子在行波場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)模擬示意圖(b)[25]Fig.2 Schematic diagrams of an RF-only stacked ring ion guide (a) and ion surfing on the front of the travelling wave (b)[25]

1.2 用于納米團(tuán)簇表征的離子遷移譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)

近年來(lái),離子遷移譜與質(zhì)譜聯(lián)用獲得了飛速發(fā)展[25-29],應(yīng)用較廣泛的有遷移時(shí)間遷移譜-飛行時(shí)間質(zhì)譜儀和行波遷移譜-高分辨飛行時(shí)間質(zhì)譜儀。典型的遷移時(shí)間遷移譜-飛行時(shí)間質(zhì)譜主要由電噴霧電離源、離子遷移預(yù)分析模塊和高分辨四極桿-飛行時(shí)間質(zhì)譜檢測(cè)器構(gòu)成,結(jié)構(gòu)示于圖3[30],其利用電噴霧電離實(shí)現(xiàn)液態(tài)納米團(tuán)簇反應(yīng)溶液的高效軟電離。另外,為提高離子的傳輸效率,在遷移管前后均配備了離子漏斗進(jìn)行離子聚焦。典型的行波遷移譜-高分辨飛行時(shí)間質(zhì)譜的結(jié)構(gòu)示于圖4[31],采用多次反射的環(huán)形離子遷移率(cIM)裝置,通過增加反射次數(shù),離子遷移率分辨率獲得了顯著提升(>800)。

圖3 遷移時(shí)間遷移譜-質(zhì)譜儀的原理示意圖[30]Fig.3 Schematic diagram of drift tube ion mobility mass spectrometry[30]

圖4 行波遷移譜-質(zhì)譜商品化儀器的原理示意圖[31]Fig.4 Schematic diagram of travelling-wave ion mobility mass spectrometry[31]

2 離子遷移譜-質(zhì)譜聯(lián)用技術(shù)在納米團(tuán)簇表征中的應(yīng)用

2.1 在金納米團(tuán)簇同分異構(gòu)體和反應(yīng)過程表征中的應(yīng)用

金納米團(tuán)簇具有獨(dú)特的電化學(xué)、光學(xué)、磁性等性質(zhì)[32-33],在癌癥和催化領(lǐng)域具有重要應(yīng)用[34-36],但對(duì)于存在不同配體的金納米團(tuán)簇結(jié)構(gòu)缺乏理解。隨著離子遷移譜-質(zhì)譜的不斷進(jìn)步,圍繞金納米團(tuán)簇結(jié)構(gòu)開展了許多研究。例如,美國(guó)西北太平洋國(guó)家實(shí)驗(yàn)室[37]利用IMS-MS研究了磷化氫輔助金納米團(tuán)簇合成過程中的結(jié)構(gòu)變化,發(fā)現(xiàn)了配位體誘導(dǎo)的同分異構(gòu)體的變化規(guī)律:當(dāng)二苯基甲基膦和三苯基膦2種配體交換時(shí),金納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)和性能會(huì)發(fā)生改變,這種結(jié)構(gòu)與配位體關(guān)聯(lián)信息對(duì)于團(tuán)簇理論模型的建立及其催化和光學(xué)特性非常關(guān)鍵。法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究院[38]利用IMS-MS裝置研究了谷胱甘肽保護(hù)的金納米團(tuán)簇,首次證實(shí)了Au15(SG)13(SG表示谷胱甘肽)存在多種結(jié)構(gòu)。Hirata等[39]利用行波離子遷移譜-質(zhì)譜研究了配體保護(hù)的金屬團(tuán)簇(Au9(PPh3)8)3+和(PbAu8(PPh3)8)2+的碰撞截面,分別為44.2和42.2 nm2;當(dāng)行波遷移譜中電場(chǎng)能量增加時(shí),會(huì)導(dǎo)致團(tuán)簇的構(gòu)型發(fā)生變化,外層的配體分子由無(wú)序排布變?yōu)榫w中的密集排列結(jié)構(gòu),配體分子在溶液內(nèi)會(huì)保持無(wú)序結(jié)構(gòu),而在氣相碰撞后會(huì)重排成穩(wěn)定的密集排列。Angel等[40]利用行波離子遷移譜-飛行時(shí)間質(zhì)譜研究了Au25(SC2H4Ph)18-團(tuán)簇,典型結(jié)果示于圖5,其中遷移時(shí)間為狹窄、對(duì)稱分布,表明僅存在單一結(jié)構(gòu)的團(tuán)簇,串聯(lián)質(zhì)譜數(shù)據(jù)表明,主要的碎片離子為Au21X14±和Au17X10±。在m/z1 200~2 800質(zhì)量范圍內(nèi),僅測(cè)到Au13為核心的相關(guān)離子;在小于m/z1 200的低質(zhì)量區(qū),產(chǎn)物離子主要為Au(SR)2-、Au2(SR)3-、Au3(SR)4-、Au4(SR)5-。

圖5 金納米Au25(SCH2CH2Ph)18的離子遷移譜-質(zhì)譜二維譜圖[40]Fig.5 IM-MS/MS of Au25(SCH2CH2Ph)18[40]

2.2 在銀納米團(tuán)簇同分異構(gòu)體和反應(yīng)過程表征中的應(yīng)用

銀納米團(tuán)簇具有非常低的催化活性和適當(dāng)?shù)募?xì)胞毒性,常被用于抗細(xì)胞涂層[41-42]。然而,由于缺少表征同分異構(gòu)體的手段,對(duì)其特性和演變過程缺乏認(rèn)識(shí),相關(guān)的理論模型與實(shí)驗(yàn)結(jié)果往往不自洽。Baksi等[43]利用TWIM-TOF MS研究了單層保護(hù)的銀團(tuán)簇Ag44(SR)30(SR分別表示4-氟苯硫酚、p-疏基苯甲酸)和Ag29(BDT)30(BDT為苯二硫醇),發(fā)現(xiàn)Ag44(FTP)304-和Ag44(FTP)303-分別有4個(gè)和2個(gè)同分異構(gòu)體,為理論模型提供了實(shí)驗(yàn)證據(jù)。這些信息對(duì)于深入認(rèn)識(shí)團(tuán)簇異構(gòu)體形成的微觀機(jī)理、不同異構(gòu)體特性等具有重要意義。銀納米團(tuán)簇Ag44(FTP)304-的遷移譜圖示于圖6[43],其4個(gè)同分異構(gòu)體的豐度分別為33%、7%、12%和48%,理論模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合較好。該課題組[44]還利用遷移譜-質(zhì)譜證實(shí)了單層保護(hù)的Ag11(SG)7-(SG為谷胱甘肽硫醇鹽)存在2種同分異構(gòu)體,此外,還發(fā)現(xiàn)堿金屬離子存在時(shí)會(huì)誘導(dǎo)(Ag29(BDT)12)3-團(tuán)簇結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,形成團(tuán)簇二聚體。Chakraborty等[45]利用離子遷移譜-質(zhì)譜研究了(Ag29(BDT)12)3-的質(zhì)子化反應(yīng)過程,發(fā)現(xiàn)強(qiáng)質(zhì)子親和勢(shì)有助于(Ag29(BDT)12H)2-形成;(Ag29(BDT)12Na)24-同分異構(gòu)體分布的實(shí)驗(yàn)和理論模擬結(jié)果一致性很好,示于圖7。遷移譜-質(zhì)譜還被用于研究(TOA)+(Au25(PET)18)-和(PPh4)44+Ag44(FTP)304-混合后納米團(tuán)簇的演變過程[46]。

圖6 不同豐度銀納米團(tuán)簇Ag44(FTP)304-的遷移譜圖(a), 4種不同銀納米團(tuán)簇的遷移譜-質(zhì)譜二維譜圖(b),不同遷移譜峰對(duì)應(yīng)的質(zhì)譜圖(c)[43]Fig.6 Drift time profile of Ag44(FTP)304- (m/z 2 140) with distinct isomeric structures (a), IM-MS/MS of 4 nano-size silver cluster (b), and mass spectra of different drift peaks (c)[43]

圖7 不同銀納米團(tuán)簇的遷移譜圖(A)和質(zhì)譜圖(B)[45]Fig.7 Drift time profile (A) and mass spectra (B) of different nano-size silver cluster[45]

2.3 在金屬氧化物團(tuán)簇、金屬鹽團(tuán)簇、堿金屬鹵化物結(jié)構(gòu)表征中的應(yīng)用

金屬氧化物是一類廣泛應(yīng)用的催化劑和催化劑載體。Misaizu等[47]利用遷移時(shí)間遷移譜-質(zhì)譜研究了氧化鈦團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)特征,測(cè)定了(CoO)2~7+和ConOn-1+(n=5~7)的截面,證實(shí)(CoO)3~5+具有單一環(huán)結(jié)構(gòu),(CoO)6,7具有復(fù)雜的塔式結(jié)構(gòu)[48]。氧化鈷在正離子模式下的主要產(chǎn)物是(CoO)n+和ConOn-1+,負(fù)離子模式下的主要產(chǎn)物是(CoO)On-和ConOn+1-。MgnOn+(n<24)在n為5~13和15時(shí),團(tuán)簇為巖鹽型和六邊管結(jié)構(gòu);n為4,14,16~21和24時(shí),僅存在巖鹽型結(jié)構(gòu)。隨著團(tuán)簇尺寸的增加,逐漸由巖鹽型和六邊管結(jié)構(gòu)的混合體過渡為純巖鹽型結(jié)構(gòu)[49]。n為3~8時(shí),氧化鐵團(tuán)簇(FeO)n+為二維環(huán)狀平面結(jié)構(gòu);n為6~8時(shí),存在三維結(jié)構(gòu)的同分異構(gòu)體[50]?;趯?shí)驗(yàn)測(cè)定和理論計(jì)算,證實(shí)了Pd3Om+(m=1~6)、Pd4Om+(m=2~8)、Pd5Om+(m=3~8)的存在[51]。氧化釩最穩(wěn)定的團(tuán)簇離子是(V2O4)(V2O4)(m-2)/2+和(VO3)(V2O5)(m-1)/2+[52];當(dāng)m在6~12之間且為偶數(shù)時(shí),(V2O5)m/2+離子為多邊形棱柱;當(dāng)m在6~12之間且為奇數(shù)時(shí),(V2O5)m/2+離子為橋梁或金字塔結(jié)構(gòu)[53]。氧化鉻團(tuán)簇(CrO3)m-(m=3~7)在m為3~5時(shí)是單環(huán)結(jié)構(gòu);m為6~7時(shí)是雙環(huán)結(jié)構(gòu);當(dāng)m>5時(shí),(CrO3)m-不穩(wěn)定,容易解離[54]。有科研人員研究了氧化鎳團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)和吸附特性,證實(shí)了不同結(jié)構(gòu)氧化鎳NinOn-2+、NinOn-1+、NinOn+的存在;當(dāng)n逐漸增大到5時(shí),氧化鎳由二維結(jié)構(gòu)變?yōu)槿S結(jié)構(gòu),Ni4O3+和Ni5O4+對(duì)CO的吸附速率常數(shù)比Ni4O4+和Ni5O5+高2個(gè)數(shù)量級(jí)[55]。此外,對(duì)氧化鈰、氧化鈦、氧化銅等團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)特性也有相應(yīng)研究[56-58]。

Surman等[59]利用遷移時(shí)間遷移譜-質(zhì)譜測(cè)定一系列多金屬氧酸鹽團(tuán)簇,并用同族的納米團(tuán)簇Se2W29、Se8W86O299、Se2W116O408、Se12W174O612進(jìn)行驗(yàn)證。Ohshimo等[60]利用遷移時(shí)間遷移譜-質(zhì)譜研究堿金屬鹵化物的穩(wěn)定尺寸和組成,測(cè)到具有不同幻數(shù)的堿金屬鹵化物團(tuán)簇離子Na14F13+、Na14F13+、Na23F22+、Na32F31+、Na38F37+、Na53F52+、Na63F62+。Ahonen利用DMA-MS研究濕度對(duì)金屬鹽團(tuán)簇生長(zhǎng)規(guī)律的影響,考察0.01~0.64濕度范圍內(nèi)鹵化金屬團(tuán)簇(MI)xM+(x=1~13,M=Na,K,Rb,Cs)的演化規(guī)律,示于圖8[61]。當(dāng)x<4時(shí),碘化鈉團(tuán)簇比碘化鉀、碘化銣吸附更多的水,碘化銫吸附水很少;朗格繆爾模型與實(shí)驗(yàn)檢測(cè)結(jié)果相符合[61-62]。

圖8 DMA-MS測(cè)定不同濕度下遷移率的變化規(guī)律[61]Fig.8 Ion mobility spectra at different moister using DMA-MS[61]

3 結(jié)論與展望

納米團(tuán)簇的表征對(duì)于功能型納米團(tuán)簇的構(gòu)筑具有重要的意義。離子遷移譜-質(zhì)譜作為一種新型納米團(tuán)簇表征技術(shù),可以同時(shí)提供納米團(tuán)簇的質(zhì)量數(shù)和結(jié)構(gòu)信息,缺點(diǎn)是遷移譜的離子利用率僅為5%,增加了后端飛行時(shí)間質(zhì)譜的累加時(shí)間,從而影響分析通量?,F(xiàn)有的IM-MS設(shè)備無(wú)法實(shí)現(xiàn)基線分離,其分辨能力有待進(jìn)一步提高。以典型團(tuán)簇PdnOm+為例,Pd4O2+的4種同分異構(gòu)體的截面數(shù)據(jù)分別為60.5、59.6、56.6和58.6 ?2[51],半峰區(qū)分最接近的2種同分異構(gòu)體所需的分辨率R=t/Δt=k/Δk=CCS/ΔCCS=60.5/(60.5-59.6)=67;實(shí)現(xiàn)基線分離所需的分辨率至少要增加2倍左右,即134。未來(lái)的潛在發(fā)展方向有以下幾方面:1) 納米團(tuán)簇碰撞截面的精準(zhǔn)測(cè)量和結(jié)構(gòu)表征需要研發(fā)更高分辨能力的離子遷移預(yù)分離模塊,幸運(yùn)的是,近年來(lái)通過發(fā)展離子空間壓縮、多次反射等離子調(diào)制技術(shù),使離子遷移譜的分辨率可達(dá)到200以上(文獻(xiàn)報(bào)道最大可達(dá)到1 000)[63-64];2) 近幾十年來(lái),通過使用包括膦、硫醇和炔基在內(nèi)的有機(jī)配體,成功制備了大量的包裹型金屬團(tuán)簇。由于這些體系的成分復(fù)雜,深入研究其中的反應(yīng)機(jī)理需要質(zhì)譜具有更高的分辨能力(例如60 000以上的分辨率[31]);3) 基于在線表征、選控的金屬團(tuán)簇軟沉積制備裝置的研制開發(fā):通過對(duì)結(jié)構(gòu)和質(zhì)量的選控,制備出具有獨(dú)特性能的金屬團(tuán)簇,構(gòu)建新型功能材料和器件;4) 金屬團(tuán)簇基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)的建立:金屬團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)特性受制備條件的影響很大,不同團(tuán)隊(duì)、不同工藝參數(shù)下的產(chǎn)物千差萬(wàn)別,需要對(duì)金屬納米團(tuán)簇基礎(chǔ)信息數(shù)據(jù)進(jìn)行收集、整理,供科研人員參考。

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