遷移率
- 烘焙紙中殘留甲苯向食品模擬物中遷移分析
溫度越高，甲苯遷移率越大；遷移率隨遷移時(shí)間的延長(zhǎng)而升高，但超過40 min后，甲苯向Tenax-TA中的遷移率出現(xiàn)明顯下降趨勢(shì)；紙張定量越大，遷移率越低；初始濃度對(duì)遷移率的影響不顯著；微波功率越高，遷移率越大。隨著微波時(shí)間的延長(zhǎng)，遷移率呈先升高后降低的現(xiàn)象。掃描電鏡結(jié)果表明，經(jīng)過高溫烘焙后，紙張纖維孔隙的尺寸及數(shù)量有所增加。烘焙紙中殘留甲苯在一定條件下向食品模擬物中發(fā)生遷移，紙張內(nèi)部纖維結(jié)構(gòu)的變化使甲苯分子更容易穿過孔隙進(jìn)入食品中，加速了遷移的發(fā)生。烘焙紙
包裝工程 2023年19期2023-10-16
- AlN/β-Ga2O3 異質(zhì)結(jié)電子輸運(yùn)機(jī)制*
散射機(jī)制限制的遷移率,評(píng)估了不同散射機(jī)制的相對(duì)重要性.結(jié)果表明,2DEG 面密度隨AlN 厚度的增加而增加,當(dāng)AlN 厚度為6 nm,2DEG 面密度可達(dá)1.0×1013 cm–2,室溫遷移率為368.6 cm2/(V·s).在T 184 K 的溫度區(qū)間,極性光學(xué)聲子散射是限制2DEG 遷移率的主導(dǎo)散射機(jī)制.1 引言早在20 世紀(jì)50 年代,科學(xué)家們已經(jīng)就Ga2O3材料開展相關(guān)研究,在目前已知的Ga2O3五種同素異形體中,單斜晶系的β-Ga2O3是一種超寬
物理學(xué)報(bào) 2023年2期2023-02-18
- AlxGa1-xN 插入層對(duì)雙溝道n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1-xN/GaN HEMT 器件性能的影響*
序散射的減弱使遷移率增大,位錯(cuò)散射增強(qiáng)致遷移率變小,總遷移率主要由合金無(wú)序散射決定.在第二溝道中,當(dāng)AlxGa1—xN 的Al 組分和厚度提升時(shí),二維電子氣密度隨之增大,由于較低的勢(shì)壘高度以及高滲透電子的作用,第二溝道中的合金無(wú)序散射影響更大,合金無(wú)序散射遷移率隨AlxGa1—xN 層的Al 組分和厚度的增加而減少且變化趨勢(shì)逐漸趨于平緩,位錯(cuò)散射作用的減弱導(dǎo)致遷移率的提升.總體上,第一溝道勢(shì)阱中受到的位錯(cuò)散射低于第二溝道勢(shì)阱.隨著背勢(shì)壘厚度的增加,第二溝道
物理學(xué)報(bào) 2022年16期2022-08-28
- 光固化涂料中光引發(fā)劑遷移行為及其細(xì)胞毒性的研究
涂膜中光引發(fā)劑遷移率測(cè)試將固化后的涂膜用粉碎設(shè)備裁剪成一定尺寸，稱量約20 mg 涂膜，精確至0.1 mg，放置于離心管中；按照每0.1 g 涂膜加入10 mL 乙腈在一定溫度條件下進(jìn)行恒溫浸提，提取時(shí)間為12 h；提取完畢后用0.22 μm 的有機(jī)相濾膜過濾提取液，再用乙腈將濾液稀釋10 倍。隨后使用HPLC-DAD 對(duì)浸提液進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)光引發(fā)劑在液相色譜柱中的保留時(shí)間以及二極管陣列檢測(cè)器測(cè)到的紫外-可見吸收光譜對(duì)光引發(fā)劑進(jìn)行定性定量測(cè)試，液相色譜與二
涂料工業(yè) 2022年5期2022-06-16
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質(zhì)結(jié)電子輸運(yùn)性質(zhì)研究
面2DEG溝道遷移率的增加，這是由于減少了電離雜質(zhì)散射并且增強(qiáng)了2DEG溝道對(duì)聲子模式的屏蔽。要想獲得高密度的2DEG，需要對(duì)β-(AlxGa1-x)2O3阻擋層進(jìn)行大量的摻雜以及插入極薄的隔離層，同時(shí)還需要嚴(yán)格控制生長(zhǎng)參數(shù)和突變的異質(zhì)界面以及尖銳的摻雜輪廓[3]。β-Ga2O3晶體結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱中心，但缺乏任何特殊性質(zhì)，如壓電性、鐵電性等[4]；而Ga2O3的亞穩(wěn)相ε-Ga2O3，由于其超寬的帶隙和獨(dú)特的材料特性引起了人們的興趣。早在1952年，Roy等[
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年3期2022-04-14
- 立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)的半導(dǎo)體材料
和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料。硅是目前應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，然而硅作為半導(dǎo)體有兩項(xiàng)不足。第一，硅不太善于傳導(dǎo)熱量，導(dǎo)致芯片溫度總是過熱，散熱問題已經(jīng)成為制約芯片性能的重要因素。第二，硅有較好的電子遷移率，但不具備足夠好的空穴遷移率，后者對(duì)半導(dǎo)體性能也很重要。材料中帶負(fù)電的電子離開后，留下帶正電的空位，被稱作“空穴”。電子遷移率和空穴遷移率統(tǒng)稱為雙極性遷移率?？茖W(xué)家認(rèn)為，立方砷化硼在理論上同時(shí)具有比硅更好的導(dǎo)熱性，以及更高的雙極性
河南科技 2022年15期2022-03-25
- InGaN插入層對(duì)AlGaN/GaN界面電子散射的影響*
雙異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管中極化電荷面密度、二維電子氣(2DEG)濃度的影響, 理論分析了不同In摩爾組分下, InGaN厚度與界面粗糙度散射、隨機(jī)偶極散射和極性光學(xué)聲子散射之間的關(guān)系.計(jì)算結(jié)果表明: 界面粗糙度散射和隨機(jī)偶極散射對(duì)雙異質(zhì)結(jié)AlxGa1–xN/InyGa1–yN/GaN的電子輸運(yùn)性質(zhì)有重要影響, 極性光學(xué)聲子散射對(duì)其影響最弱; 2DEG濃度、界面粗糙度散射、隨機(jī)偶極散射和極性光學(xué)聲子散射的強(qiáng)弱由InGaN勢(shì)壘層厚度和In摩爾組分共同決定.1
物理學(xué)報(bào) 2021年17期2021-09-17
- 大氣離子遷移率對(duì)直流線路合成電場(chǎng)與離子流密度影響的研究
值被定義為離子遷移率，它是描述離子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)特性的重要物理量。同時(shí)，離子遷移率也是計(jì)算高壓直流輸電(HVDC)線路合成電場(chǎng)和離子流密度的重要參量[1-3]。當(dāng)輸電線路表面的電場(chǎng)強(qiáng)度超過電暈放電起始電場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，導(dǎo)線周圍的空氣分子被電離成正負(fù)離子，或稱為空間電荷[4-5]。在輸電線路和地面之間的電場(chǎng)作用下，空間電荷發(fā)生定向運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而產(chǎn)生離子電流。空間電荷的電場(chǎng)與輸電線路和地面間原有的電場(chǎng)相互作用，形成離子流場(chǎng)，或稱為合成電場(chǎng)[6-8]。大氣離子遷移率會(huì)隨環(huán)境
東北電力技術(shù) 2021年7期2021-08-06
- 中國(guó)青年女性的初次遷移：趨勢(shì)與影響因素
死亡率相對(duì)等的遷移率指標(biāo)，以此為基礎(chǔ)分析中國(guó)人口遷移的水平與趨勢(shì)。二、數(shù)據(jù)與方法目前中國(guó)關(guān)于人口遷移流動(dòng)的數(shù)據(jù)主要來自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局的人口普查和原國(guó)家衛(wèi)計(jì)委的流動(dòng)人口監(jiān)測(cè)調(diào)查。人口普查或小普查有按照戶籍地和常住地區(qū)分的人口數(shù)據(jù)，按照外出時(shí)間劃分的流動(dòng)人口數(shù)據(jù)以及與5年前或1年前的常住地相比發(fā)生變化的人口數(shù)據(jù)。人口普查或小普查提供的按照戶籍地和常住地區(qū)分的人口數(shù)據(jù)以及按照外出時(shí)間劃分的流動(dòng)人口數(shù)據(jù)是流動(dòng)人口規(guī)模數(shù)據(jù)，是流動(dòng)人口存量數(shù)據(jù)，而按照5 年前或1 年前的
人口學(xué)刊 2021年3期2021-05-30
- 中國(guó)人口的遷移轉(zhuǎn)變
人口學(xué)意義上的遷移率指標(biāo)的研究。文章利用2010—2015年歷次中國(guó)綜合社會(huì)調(diào)查的合并數(shù)據(jù)，通過人口學(xué)方法和泊松回歸模型，計(jì)算和分析了1950—2015年中國(guó)人口遷移率趨勢(shì)及社會(huì)經(jīng)濟(jì)差異。中國(guó)的遷移轉(zhuǎn)變?cè)诤暧^趨勢(shì)上與中國(guó)的政治經(jīng)濟(jì)變遷高度一致。與死亡和生育轉(zhuǎn)變相比，其波折性更強(qiáng)，說明更易受到經(jīng)濟(jì)社會(huì)政策變化的沖擊。同時(shí)也觀察到逢“0”和逢“5”年份的申報(bào)偏好。另外，遷移的社會(huì)經(jīng)濟(jì)差異明顯。男性遷移率高于女性，但是兩性差異在不斷縮小;鄉(xiāng)城遷移和未婚遷移大幅度
人口與經(jīng)濟(jì) 2021年1期2021-04-09
- 量子點(diǎn)薄膜晶體管的研究
）導(dǎo)致其載流子遷移率較低，同時(shí)量子點(diǎn)表面還有很多陰陽(yáng)離子因?yàn)橹車潴w的位阻未能結(jié)合配體而形成懸空鍵，懸空鍵作為中間帶隙可以捕獲載流子也就阻礙了電荷傳輸，因此，以量子點(diǎn)作為活性層材料的TFT，其載流子遷移率落后于硅基TFT，甚至落后于有機(jī)TFT。如果以合適的材料替換掉量子點(diǎn)表面的長(zhǎng)鏈配體，量子點(diǎn)TFT的遷移率等性能會(huì)有質(zhì)的飛躍。本文介紹了量子點(diǎn)的制備、量子點(diǎn)TFT器件的制備和量子點(diǎn)TFT的研究進(jìn)展。1 量子點(diǎn)的制備量子點(diǎn)的制備通常分為油相法和水相法。水相制備
電子元器件與信息技術(shù) 2021年1期2021-03-12
- 氣相色譜-串聯(lián)質(zhì)譜法考察茶湯中49種農(nóng)藥的遷移規(guī)律
綠茶到茶湯中的遷移率,并得出溶解度會(huì)影響農(nóng)藥遷移率的結(jié)論。文獻(xiàn)[7]研究了花茶中擬除蟲菊酯類農(nóng)藥的遷移情況以及影響遷移情況的因素。由于農(nóng)藥在泡茶過程中的遷移情況主要取決于農(nóng)藥在水中溶解度和農(nóng)藥的正辛醇-水分配系數(shù)(Log Kow)[8],本工作通過研究茶葉中的農(nóng)藥在不同泡茶頻率時(shí)的遷移情況,考察多種農(nóng)藥從茶葉到茶湯的遷移率同各農(nóng)藥的物理性質(zhì)(分配系數(shù)、溶解度)之間的關(guān)系。通過考察茶葉中農(nóng)藥到茶湯的遷移率,可以為制定茶葉中MRL提供參考依據(jù),同時(shí)推薦茶葉種植
理化檢驗(yàn)-化學(xué)分冊(cè) 2020年9期2020-10-22
- 基于相對(duì)遷移率的節(jié)節(jié)麥醇溶蛋白組成分析
-PAGE)中遷移率的不同，進(jìn)一步將醇溶蛋白細(xì)分為α，β，γ和ω醇溶蛋白(遷移率大小為ω節(jié)節(jié)麥(Aegilopstauschii,DD,2n=2x=14)是普通小麥D染色體組的二倍體供體物種[10]，廣泛分布于西起中東各國(guó)，東至中國(guó)的廣闊地域，具有豐富的遺傳多樣性[11]，擁有大量現(xiàn)代普通小麥品種所不具備的有益基因[12-14]。節(jié)節(jié)麥中醇溶蛋白位點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和作用機(jī)制與普通小麥相似[15-16]，Gli-D1和Gli-D2位點(diǎn)具有多個(gè)等位基因的特征，這使得區(qū)
西北農(nóng)業(yè)學(xué)報(bào) 2020年6期2020-08-17
- 一種IMS信號(hào)校正算法
的IMS信號(hào)的遷移率受環(huán)境因素影響比較大，提高IMS信號(hào)遷移率的探測(cè)精度，減少誤判一直是 IMS技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。IMS信號(hào)的遷移率隨周圍環(huán)境因素的變化而變化，遷移管的構(gòu)造、電場(chǎng)強(qiáng)度、溫度、氣壓和濕度等一些因素都會(huì)對(duì)它產(chǎn)生影響。一般采用精確控制或測(cè)量遷移環(huán)境的做法來提高遷移率的探測(cè)精度，但有些是不易控制的，有些精確測(cè)量的成本比較高。利用修正技術(shù)，對(duì) IMS信號(hào)的峰位置進(jìn)行校正，減弱外界因素對(duì) IMS技術(shù)中離子遷移率的影響，一方面保證物質(zhì)的正確識(shí)別，另一方
裝備環(huán)境工程 2020年7期2020-08-07
- 基于蒽衍生高遷移率發(fā)光材料的研究進(jìn)展
Ts)的載流子遷移率從10-5cm2·V-1·s-1提高到10 cm2·V-1·s-1以上, 基于p型材料的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的空穴遷移率高達(dá)40 cm2·V-1·s-1[6～10], 可以滿足電子紙、 有機(jī)傳感及驅(qū)動(dòng)顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用需求. 將光轉(zhuǎn)變?yōu)殡姷挠袡C(jī)光伏器件(OPVs)的初始光電轉(zhuǎn)化效率不到1%, 目前已超過16%(單結(jié)電池最高效率達(dá)16.74%, 疊層電池的最高效率達(dá)17.3%)[11～16]. 在柔性顯示和照明方面具有重要應(yīng)用前景的有機(jī)發(fā)光二極
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(bào) 2020年6期2020-07-05
- 十六烷-水乳液界面電位極大值的理論計(jì)算
過測(cè)量界面的電遷移率[22-26]、測(cè)量界面的電流或者電勢(shì)[9]從而得到其相應(yīng)的Zeta電位值，從得到的Zeta電位值就可以轉(zhuǎn)化為界面的電荷信息. 理論上，Zeta電位值基于估衣-查普曼(Gouy-Chapman)理論的Graham方程表達(dá)如下[3, 27]：(1)界面電荷密度?；颚沂荶eta電位ζ和體系總離子強(qiáng)度濃度I的函數(shù)，e是基元電荷，εr是溶劑的相對(duì)介電常數(shù)，ε0是真空介電常數(shù)，kT是熱力學(xué)能量，z是離子價(jià)態(tài). 根據(jù)Graham方程可知，一般情況下
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年4期2020-05-13
- 繞管式換熱器層間質(zhì)量遷移特性的試驗(yàn)研究
殼側(cè)工質(zhì)的層間遷移率，得到質(zhì)流密度、干度和入口條件對(duì)繞管換熱器殼側(cè)工質(zhì)層間質(zhì)量遷移特性的影響規(guī)律。1 試驗(yàn)系統(tǒng)1.1 試驗(yàn)方法層間遷移率的測(cè)量通過設(shè)置單通道的均布裝置實(shí)現(xiàn)，測(cè)試原理如圖1所示。圖1 層間遷移率測(cè)試原理在繞管換熱器樣件頂部，安裝設(shè)計(jì)成單層通道的均布器裝置，使所有入口的兩相流體噴淋到樣件的單層繞管上。在換熱器內(nèi)部的流動(dòng)過程中，一部分流體受到湍流和氣流沖擊的影響，會(huì)向鄰近層發(fā)生遷移，使其它層繞管外壁也存在液體流動(dòng)。在換熱器底部，通過接液裝置將每一
流體機(jī)械 2020年3期2020-05-06
- 一種補(bǔ)償閾值電壓和遷移率變化的像素電路設(shè)計(jì)
且能補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)管遷移率的變化。仿真結(jié)果表明，驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓變化±0.5 V時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流變化約為9%，驅(qū)動(dòng)管的遷移率變化±30%時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流變化約為6%，因此，本電路達(dá)到了穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)電流的效果。關(guān)鍵詞： 像素電路;多晶硅薄膜晶體管;閾值電壓;遷移率【Abstract】 A voltage-programming pixel circuit suitable for low-temperature polysilicon thin film transistor
智能計(jì)算機(jī)與應(yīng)用 2019年5期2019-12-05
- 硅/鍺基場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道中載流子散射機(jī)制研究進(jìn)展*
層載流子的有效遷移率(effective mobility)[6].即使在短溝道,甚至彈道傳輸器件中,遷移率仍然可以很大程度上影響器件性能[7].應(yīng)變技術(shù)和采用新溝道材料都是提高溝道載流子遷移率的有效手段.應(yīng)變技術(shù)在90 nm以及更先進(jìn)的集成電路技術(shù)中已被廣泛采用[8,9],關(guān)于應(yīng)變對(duì)載流子遷移率影響的深入理解至關(guān)重要.其次,高遷移率新溝道材料器件技術(shù)也逐漸被提上日程,半導(dǎo)體材料Ge因同時(shí)具有較高的電子和空穴遷移率而備受青睞[10,11].目前,國(guó)際上對(duì)G
物理學(xué)報(bào) 2019年16期2019-08-29
- 主、側(cè)鏈修飾對(duì)異靛藍(lán)基共軛聚合物結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響
有效提高載流子遷移率[4-6]，因此D-A共軛聚合物成為當(dāng)今研究最廣泛的有機(jī)半導(dǎo)體材料之一。但是不同的分子結(jié)構(gòu)以及主側(cè)鏈的變化會(huì)導(dǎo)致不同的分子堆積方式，從而導(dǎo)致載流子遷移率產(chǎn)生較大的變化[7-10]。為此，我們需要對(duì)D-A共軛聚合物分子結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能之間的關(guān)系有更深入的認(rèn)識(shí)，才能夠設(shè)計(jì)出具有高遷移率的D-A共軛聚合物。關(guān)于改變D-A共軛聚合物主鏈結(jié)構(gòu)對(duì)其性能影響的研究已經(jīng)有很多了，然而，單方面對(duì)主鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行修飾改性常常不能同時(shí)滿足加工性能和電學(xué)性能的需求，
液晶與顯示 2019年7期2019-08-27
- 硒化鎘納米線在應(yīng)力作用下的第一性原理研究
-4]，載流子遷移率約為800 cm2·V-1·s-1。通過摻雜CdSe可以形成n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體[5]。然而，目前對(duì)CdSe納米線載流子遷移率的研究還很少。為了提高納米線結(jié)構(gòu)的光電性能，可通過施加應(yīng)力調(diào)控其能帶結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)載流子輸運(yùn)性能。2011年，Peng等[6]發(fā)現(xiàn)可以通過施加應(yīng)變力有效地調(diào)節(jié)Si/Ge納米線的能帶結(jié)構(gòu)，Yang等[7]發(fā)現(xiàn)不同尺寸的納米線在受到應(yīng)變作用時(shí)，其帶隙的變化情況是不同的。因此，為了提高CdSe納米線的電學(xué)性能，可以
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年7期2019-08-22
- 喜鵲雌雄個(gè)體血清蛋白比較分析
體共分離出電泳遷移率0.852～0.031的20條譜帶，雌、雄性個(gè)體分離出的譜帶數(shù)分別是18條和17條，其中有15條譜帶為雌雄個(gè)體的共有譜帶。在遷移率0.316、0.063、0.054處的譜帶為雌性個(gè)體特有的譜帶，在遷移率0.406、0.391處的譜帶為雄性個(gè)體特有的譜帶。喜鵲雌雄個(gè)體血清蛋白的譜帶分布和活性強(qiáng)弱存在明顯差異。關(guān)鍵詞：喜鵲（Pica pica）;血清蛋白;聚丙烯酰胺凝膠電泳;遷移率;譜帶中圖分類號(hào)：Q959.7+39? ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)
湖北農(nóng)業(yè)科學(xué) 2019年11期2019-07-22
- 寧夏地區(qū)信用卡債務(wù)風(fēng)險(xiǎn)分析
狀，并通過計(jì)算遷移率獲知壞賬高發(fā)期，對(duì)銀行卡風(fēng)險(xiǎn)管理提出了建議。[關(guān)鍵詞]信用卡;風(fēng)險(xiǎn);遷移率一、引言信用卡除了能為各銀行帶來利息收入、年費(fèi)收入、商戶回傭收入、取現(xiàn)費(fèi)和懲罰性費(fèi)用等顯性收益外，還能為銀行鎖定賬戶和資金、協(xié)同推進(jìn)其他業(yè)務(wù)。近年來，寧夏地區(qū)信用卡數(shù)量和業(yè)務(wù)量保持快速增長(zhǎng)，銀行在從信用卡中獲取利益的同時(shí)，也產(chǎn)生了一些風(fēng)險(xiǎn)。二、寧夏地區(qū)信用卡債務(wù)分析（一）信用卡債務(wù)情況2018年末，寧夏地區(qū)信用卡在用發(fā)卡數(shù)量約360萬(wàn)張，同比增長(zhǎng)36%，授信總額約
商情 2019年26期2019-06-25
- 一維準(zhǔn)周期晶格中玻色子對(duì)的遷移率邊*
中的玻色子對(duì)的遷移率邊.通過微擾方法,解析推導(dǎo)出強(qiáng)相互作用極限下準(zhǔn)周期晶格中玻色子對(duì)遷移率邊的解析表達(dá)式,通過數(shù)值證明在系統(tǒng)參數(shù)b較小時(shí),遷移率邊的解析結(jié)果符合得較好,而當(dāng)b→1時(shí),解析結(jié)果將發(fā)生偏離.1 引言60多年前,安德森在一篇標(biāo)志性的文章中預(yù)測(cè)了無(wú)序系統(tǒng)中的單粒子波函數(shù)具有局域的特性,這一現(xiàn)象被稱為安德森局域化[1],在凝聚態(tài)物理的各個(gè)重要分支被廣泛關(guān)注.安德森模型中最為重要的概念之一是存在擴(kuò)展態(tài)與局域態(tài)的遷移率邊[2-7],即費(fèi)米面從位于擴(kuò)展態(tài)區(qū)
物理學(xué)報(bào) 2019年8期2019-05-29
- AlGaN插入層對(duì)InAlN/AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)散射機(jī)制的影響?
無(wú)序散射是限制遷移率的主要散射機(jī)制,該組分范圍之外,子帶能級(jí)波動(dòng)散射是限制遷移率的主要散射機(jī)制;當(dāng)Al摩爾百分含量超過0.52,三種散射機(jī)制共同限制的遷移率超過無(wú)插入層結(jié)構(gòu)的遷移率,AlGaN層顯示出對(duì)遷移率的提升作用.1 引 言GaN材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn),并能和禁帶寬度更大的氮化物材料結(jié)合形成異質(zhì)結(jié),以高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistors,HEMTs
物理學(xué)報(bào) 2019年1期2019-01-25
- 微專題教學(xué)設(shè)計(jì) 試探性構(gòu)建分析
——以人口數(shù)量的變化為例
然增長(zhǎng)率和人口遷移率之和。1.人口自然增長(zhǎng)率與人口數(shù)量的增長(zhǎng)(1)人口自然增長(zhǎng)率是由出生率和死亡率決定的。(2)人口數(shù)量的增長(zhǎng)與人口基數(shù)大小、人口自然增長(zhǎng)率有關(guān)。①在不同地區(qū)或國(guó)家人口自然增長(zhǎng)率相等的情況下，人口基數(shù)越大，人口增長(zhǎng)的數(shù)量越多。年凈增人口數(shù)(凈增人口數(shù)，即用出生人數(shù)減去死亡人數(shù)所得的結(jié)果，而凈增人口率則是用出生率減去死亡率，也叫做自然增長(zhǎng)率)=人口基數(shù)×自然增長(zhǎng)率=出生人口數(shù)-死亡人口數(shù)。②人口自然增長(zhǎng)率與人口數(shù)量增長(zhǎng)的關(guān)系。人口增長(zhǎng)中的“增
教學(xué)考試(高考地理) 2018年1期2018-07-20
- 重癥監(jiān)護(hù)病房患者呼吸機(jī)相關(guān)性肺炎影響因素及高遷移率族蛋白1表達(dá)對(duì)預(yù)后的影響
的炎性反應(yīng)，高遷移率族蛋白1是一種炎性蛋白，據(jù)研究報(bào)道對(duì)膿毒癥患者具有較強(qiáng)的預(yù)測(cè)價(jià)值，但目前對(duì)使用機(jī)械通氣的ICU患者的報(bào)道較少[1]?，F(xiàn)探討ICU患者呼吸機(jī)相關(guān)性肺炎的危險(xiǎn)因素及高遷移率族蛋白1對(duì)臨床預(yù)后的影響。1 資料與方法1.1一般資料 2016年1月至2017年1月連續(xù)性收集該院收治的機(jī)械通氣ICU患者143例。納入標(biāo)準(zhǔn)：(1)該院ICU患者。(2)使用機(jī)械通氣且持續(xù)時(shí)間大于或等于3 d。(3)知情并同意參與本研究。(4)年齡大于或等于18歲。排除
檢驗(yàn)醫(yī)學(xué)與臨床 2018年10期2018-05-29
- 酞菁銅I睼特性研究
酞菁銅內(nèi)載流子遷移率的大小。本文詳細(xì)介紹了酞菁銅薄膜熱蒸發(fā)工藝，制作了ITO/CuPc/金屬結(jié)構(gòu)，測(cè)試了其電流-電壓特性，并分析了在不同薄膜面積下其導(dǎo)電能力的變化。關(guān)鍵詞：酞菁銅；薄膜；載流子；遷移率；熱蒸發(fā)1 概述酞菁銅是一種常見的化學(xué)染料，其結(jié)構(gòu)與血紅素、葉綠素等生物的基本結(jié)構(gòu)具有相似之處，在顏料、染料和油墨等工業(yè)中占有重要地位。由于酞菁銅分子具有大的共軛體系使其不僅具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、難燃性以及耐光、耐輻射性能，而且還具有導(dǎo)電性、光電導(dǎo)性
科技風(fēng) 2018年9期2018-05-14
- 小尺寸單軸應(yīng)變Si PMOS溝道晶面/晶向選擇實(shí)驗(yàn)新發(fā)現(xiàn)?
發(fā)生變化,空穴遷移率獲得增強(qiáng).單軸應(yīng)變Si應(yīng)用于小尺寸溝道p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)時(shí),器件性能顯著提升,是延續(xù)摩爾定律的重要技術(shù)手段[1?10].小尺寸單軸應(yīng)變Si PMOS溝道反型層遷移率與晶面/晶向密切相關(guān),優(yōu)化設(shè)計(jì)器件時(shí)應(yīng)選擇合理的晶面/晶向[11?14].目前,有關(guān)單軸應(yīng)變PMOS溝道反型層遷移率晶面/晶向排序結(jié)論已有相關(guān)文獻(xiàn)[15]報(bào)道(見圖1).圖1(a)—(c)為弛豫情況下Si PMOS反型層載流子遷移率隨晶面/晶向變化圖,當(dāng)未施加應(yīng)
物理學(xué)報(bào) 2018年6期2018-03-26
- 結(jié)晶性和粒子尺寸對(duì)C60薄膜晶體管遷移率的影響
李 誼 韓 笑 孫志鵬 馬延文（南京郵電大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，南京 210023）0 IntroductionIn recent decades,organic thin film transistors（OTFTs）have received considerable attention owing to their low cost,low temperature process,compatibility with plastic substrat
無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào) 2018年3期2018-03-14
- Se摻雜制備電致發(fā)光器件的研究
下器件載流子的遷移率由2.03×10-7cm2/V·s提高到8.31×10-6cm2/V·s，增大了40倍。在外加電壓3V時(shí)，器件載流子遷移率由2.77×10-5cm2/V·s提高到1.99×10-4cm2/V·s，因此Se的摻雜能夠提高OLED載流子的遷移率。然而在器件亮度方面，在摻雜Se后，發(fā)現(xiàn)在同一電壓下器件的發(fā)光亮度明顯降低，經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)這是因?yàn)镾e的顏色較深導(dǎo)致?lián)诫s層顏色較深，導(dǎo)致發(fā)射層發(fā)射出的光子有部分由摻雜層吸收，因而器件發(fā)射出來的光子減少?！?/div>
電子技術(shù)與軟件工程 2018年20期2018-02-28
- 卷煙主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關(guān)系研究
主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關(guān)系研究周茂忠1,3，張悠金1，姚鶴鳴2，劉百戰(zhàn)2，陸怡峰2，胡建軍4，李永霞5，張琿姿5，董建江6，洪深求6，孫高軍61 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，化學(xué)系，煙草與健康研究中心，合肥市金寨路96號(hào) 230026;2 上海煙草集團(tuán)有限責(zé)任公司，技術(shù)中心，上海市長(zhǎng)陽(yáng)路717號(hào) 200082;3 紅云紅河集團(tuán)昆明卷煙廠，昆明市紅錦路366號(hào) 650202;4 中國(guó)煙草總公司職工進(jìn)修學(xué)院，鄭州市鑫苑路7號(hào) 450008;5中國(guó)煙草學(xué)報(bào) 2017年2期2017-11-16
- AlN間隔層厚度對(duì)AlGaN/GaNHEMT器件電學(xué)特性的仿真研究
/GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）性能。為了提高器件的2DEG密度、遷移率和漏電流，本文采用AlGaN和GaN之間引入一層薄的AlN間隔層的方法。使用Silvaco仿真工具模擬了不同AlN間隔層厚度對(duì)載流子濃度、遷移率和量子阱深度的影響。器件仿真結(jié)果表明：在HEMT器件中插入薄AlN間隔層可以增加載流子濃度和遷移率，并加大了導(dǎo)帶不連續(xù)性。另外，器件的電子遷移率在AlN厚度為0.2nm時(shí)取得最大值，而載流子濃度和漏電流隨AlN層厚度增加而持續(xù)上升。關(guān)鍵詞科技風(fēng) 2017年8期2017-10-21
- 丁香酚在主流煙氣中的遷移率研究
在主流煙氣中的遷移率，指導(dǎo)煙用香精的配制和添加用量。[方法] 通過考察捕集方式、色譜條件對(duì)丁香酚的影響，建立了通過內(nèi)標(biāo)法定量的方法，測(cè)定主流煙氣中丁香酚占煙絲中噴灑的丁香酚的質(zhì)量百分比，從而測(cè)定丁香酚精油在主流煙氣中的遷移率。[結(jié)果]跟空白樣品對(duì)照發(fā)現(xiàn)，丁香酚能通過濾棒隨主流煙氣溢出，其在主流煙氣中的遷移率為8.23%。目標(biāo)物在1～400 μg/mL的范圍內(nèi)呈線性關(guān)系，相關(guān)系數(shù)R2=0.999 8。以卷煙樣品為分析對(duì)象，進(jìn)行精密度試驗(yàn)，計(jì)算6次平行結(jié)果的相安徽農(nóng)業(yè)科學(xué) 2017年12期2017-05-30
- 甾醇在油炸過程中遷移規(guī)律的研究
醇和β-谷甾醇遷移率變化為指標(biāo)，對(duì)甾醇在油脂和食品體系中的熱遷移規(guī)律進(jìn)行研究。研究發(fā)現(xiàn)，煎炸薯?xiàng)l更有利于甾醇的遷移。煎炸薯?xiàng)l時(shí)，油脂基質(zhì)對(duì)豆甾醇和菜油甾醇遷移率影響順序?yàn)椴俗延停静枳延停究ㄗ延停咀貦坝?，油脂基質(zhì)對(duì)β-谷甾醇遷移率影響順序?yàn)椴俗延停疾枳延停伎ㄗ延停甲貦坝?。整體而言，甾醇結(jié)構(gòu)對(duì)甾醇遷移率影響順序?yàn)槎圭薮迹疾擞顽薮迹鸡?谷甾醇；煎炸雞腿肉時(shí)，油脂基質(zhì)對(duì)甾醇遷移率影響順序?yàn)椴俗延停究ㄗ延停咀貦坝停静枳延?，甾醇結(jié)構(gòu)對(duì)甾醇遷移率影響順序均為β-谷農(nóng)產(chǎn)品加工 2017年6期2017-05-09
- 膠質(zhì)瘤相關(guān)性癲癇組織高遷移率族蛋白B1的表達(dá)
關(guān)性癲癇組織高遷移率族蛋白B1的表達(dá)林 嵐 楊 淑 沈云松1蓋雪松2梅 茸 唐 浩(云南省第一人民醫(yī)院神經(jīng)內(nèi)科，云南 昆明 650032)目的 探討膠質(zhì)瘤相關(guān)性癲癇致癇組織中蛋白B1的表達(dá)。方法 選取72例膠質(zhì)瘤相關(guān)性癲癇患者的膠質(zhì)瘤標(biāo)本作膠質(zhì)瘤并癲癇組，同期行手術(shù)治療的70例未伴發(fā)癲癇的膠質(zhì)瘤患者的膠質(zhì)瘤標(biāo)本作膠質(zhì)瘤無(wú)癲癇組，同期70例藥物難治性癲癇患者致癇病灶標(biāo)本作非腫瘤癲癇組，20例接受顱內(nèi)減壓術(shù)治療的患者的腦組織標(biāo)本作對(duì)照組。分析膠質(zhì)瘤并癲癇組患者中國(guó)老年學(xué)雜志 2016年23期2016-12-23
- 食品塑料包裝中抗氧化劑遷移研究*
化劑向食物中的遷移率增加不再明顯。兩種抗氧化劑向不同食物中的遷移率也不一樣，向豬肉中的遷移率最高，米飯次之，向果蔬類食品中的遷移率最小。高密度聚乙烯包裝；抗氧化劑1076；抗氧化劑168；微波條件；遷移食品安全問題是關(guān)系民生的重大問題之一，收到了社會(huì)和消費(fèi)者極大的重視。目前食品包裝主要以塑料包裝為主，而為了提高塑料產(chǎn)品的力學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性及使用壽命等應(yīng)用性能，往往會(huì)在材料基體中添加一些著色劑、增塑劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑、熱穩(wěn)定劑等小分子物質(zhì)。這些小分子添工程塑料應(yīng)用 2016年9期2016-10-18
- 有源層厚度對(duì)氧化銦鎵鋅薄膜晶體管性能的影響
閾值擺幅和飽和遷移率則會(huì)隨有源層厚度的增大而增大。此外，還研究了有源層厚度對(duì)器件偏壓穩(wěn)定性的影響。有源層厚度越大的器件，其閾值電壓漂移也會(huì)越大。這主要與半導(dǎo)體層中所增加的缺陷態(tài)密度有關(guān)。關(guān)鍵詞:氧化銦鎵鋅；薄膜晶體管；有源層厚度；遷移率；氧空位；穩(wěn)定性吳捷（1991－），男，浙江溫州人，研究生，研究方向?yàn)镮GZO-TFT的工藝與制備，E-mail:wujiecn@foxmail.com 。網(wǎng)絡(luò)出版時(shí)間：2016-05-31 11:09:35 網(wǎng)絡(luò)出版地址：電子元件與材料 2016年6期2016-07-23
- 離子遷移率和復(fù)合率取值對(duì)特高壓直流輸電線路離子流場(chǎng)的影響研究
0007)離子遷移率和復(fù)合率取值對(duì)特高壓直流輸電線路離子流場(chǎng)的影響研究鄒妍暉1，岳一石1，呂玉宏2，歐陽(yáng)玲1，曾惠芳1，呂建紅1(1.國(guó)網(wǎng)湖南省電力公司電力科學(xué)研究院，湖南長(zhǎng)沙410007；2.國(guó)網(wǎng)湖南省電力公司，湖南長(zhǎng)沙410007)采用上流有限元法定量分析了離子遷移率和離子復(fù)合率對(duì)±800 kV特高壓直流輸電線路地面合成場(chǎng)強(qiáng)和離子流密度的影響。結(jié)果表明，離子遷移率對(duì)地面合成場(chǎng)強(qiáng)影響不大，而地面離子流密度隨著遷移率的增大呈線性變化；兩者均隨離子復(fù)合率的增湖南電力 2016年4期2016-03-29
- 紙質(zhì)包裝材料中甲醛、乙醛向食品模擬物改性聚苯醚的遷移行為
致相同，均呈現(xiàn)遷移率隨遷移時(shí)間延長(zhǎng)先迅速增大，后又減小達(dá)到一個(gè)常數(shù)；甲醛和乙醛遷移率受溫度的影響不同，達(dá)到平衡后，甲醛在30℃下遷移率最高，乙醛在70℃和50℃下遷移率高；甲醛和乙醛向Tenax中的遷移率差異較大，達(dá)到平衡后，乙醛的遷移率遠(yuǎn)高于甲醛。endprint分析化學(xué) 2015年7期2015-07-30
- 大尺寸金屬氧化物TFT面板設(shè)計(jì)分析
示尺寸與TFT遷移率、金屬方塊電阻、刷新頻率以及器件結(jié)構(gòu)的關(guān)系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板設(shè)計(jì)中，信號(hào)線RC延遲是主要限制因素。TFT遷移率的提高在一定范圍內(nèi)對(duì)大尺寸顯示面板設(shè)計(jì)有利，降低RC延遲是實(shí)現(xiàn)大尺寸、高分辨率、高刷新頻率顯示的關(guān)鍵技術(shù)。開發(fā)銅布線技術(shù)和低寄生電容TFT器件結(jié)構(gòu)是未來大尺寸AMOLED顯示的關(guān)鍵技術(shù)。AMOLED； 大尺寸； 高分辨率； RC延遲1 引 言大尺寸化、超清化以及3D顯示是未來電視發(fā)展的重要方向。4K2K大尺寸電視發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年5期2015-05-05
- 冠心病患者血清高遷移率族蛋白1 與冠狀動(dòng)脈側(cè)支循環(huán)相關(guān)性分析
12200）高遷移率族蛋白1 是反應(yīng)病變的一個(gè)因子，血清高遷移率族蛋白1 濃度的變化反應(yīng)了不同疾病的病變情況。風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎患者血清高遷移率族蛋白1 的表達(dá)變化反應(yīng)了類風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎的發(fā)病情況［1］。高遷移率族蛋白1 和心血管疾病也有明顯的相關(guān)性［2-3］。血清高遷移率族蛋白1 在多種疾病中均有不同程度的表達(dá)。冠狀動(dòng)脈側(cè)支循環(huán)與多種因子有相關(guān)性，研究發(fā)現(xiàn)冠狀動(dòng)脈側(cè)支循環(huán)與血清單核細(xì)胞趨化因子1 有關(guān)［4］，冠狀動(dòng)脈側(cè)支循環(huán)與超敏C 反應(yīng)蛋白有關(guān)［5］，冠狀動(dòng)脈側(cè)支- 接裝紙和成型紙透氣度對(duì)卷煙中元素遷移行為的影響
氣、煙蒂和煙灰遷移率的影響，旨在為低危害卷煙產(chǎn)品的開發(fā)提供參考。1 材料與方法1.1 材料、試劑和儀器5 種不同透氣度（0，100，400，800 和1 200 CU）激光打孔接裝紙，長(zhǎng)度固定為32 mm；5 種不同透氣度（3 300，4 500，6 000，10 000 和15 000 CU）成型紙；某牌號(hào)卷煙（烤煙型）同一批次的煙絲，木漿卷煙紙（定量28 g/m2、透氣度60 CU）；普通醋酸纖維濾棒樣品（濾嘴長(zhǎng)度24 mm、濾棒吸阻4 000 Pa、煙草科技 2015年6期2015-02-08
- Tips－PEN薄膜載流子遷移率的穩(wěn)態(tài)SCLC與阻抗譜法測(cè)量的研究
，導(dǎo)致了載流子遷移率強(qiáng)烈的依賴溫度、電場(chǎng)強(qiáng)度和載流子濃度，這種依賴性主要取決于材料的態(tài)密度分布［3－4］。遷移率是研究材料中荷電載流子輸運(yùn)過程以及器件電學(xué)特性等重要的輸運(yùn)參數(shù)。目前，各種方法已用于測(cè)量有機(jī)材料載流子遷移率，如渡越時(shí)間法［5－6］、暗電流注入法［7－8］、穩(wěn)態(tài)空間電荷限制電流法（SCLC）以及阻抗譜法［9］等。渡越時(shí)間法由于激光穿透到樣品的一定深度，對(duì)于薄的樣品將產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差，因此，樣品厚度必須大于1μm。阻抗譜法可以揭示載流子的動(dòng)態(tài)特液晶與顯示 2014年6期2014-11-09
- Cu-Pt和Pd-Pt二元合金系中fcc相擴(kuò)散遷移率參數(shù)的優(yōu)化與計(jì)算
fcc相的擴(kuò)散遷移率參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化與計(jì)算,同時(shí)有關(guān)Cu-Pt和Pd-Pt基礎(chǔ)二元合金系擴(kuò)散的研究可以為Pt基多元合金系擴(kuò)散的研究提供理論信息.近年來,擴(kuò)散的計(jì)算模擬是相變研究的一個(gè)重要發(fā)展方向.DICTRA (diffusion controlled transformation) 軟件包是其中一個(gè)有效的模擬工具,它在CALPHAD (calculation of phase diagram)框架下進(jìn)行操作,是CALPHAD方法的擴(kuò)展[7-11].在擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)- 基于空間電荷限制對(duì)有機(jī)材料空穴遷移率的測(cè)定
對(duì)有機(jī)材料空穴遷移率的測(cè)定胥開芳，張登高（鹽城生物工程高等職業(yè)技術(shù)學(xué)校，江蘇鹽城 224051）利用空間電荷限制電流的方法測(cè)定有機(jī)材料的空穴遷移率。用SCLC方法測(cè)試得到NPB,m-MTDATA,CBP,Balq四種有機(jī)材料的空穴零場(chǎng)遷移率，擬合繪制出四種材料在不同電場(chǎng)下空穴的場(chǎng)依賴遷移率。測(cè)試不同濃度紅色磷光染料Ir(piq)2(acac)摻雜到這四種母體后空穴遷移率的變化情況，分析發(fā)現(xiàn)，摻雜母體與客體的能級(jí)匹配是研究載流子在摻雜層輸運(yùn)模式的關(guān)鍵，其直接機(jī)電工程技術(shù) 2014年9期2014-02-11
- 美首次研制出穩(wěn)定的單原子層鍺
—單鍺，其電子遷移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶體管。研究發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)《納米》雜志上。在自然界中，鍺很容易形成多層晶體，其中的每個(gè)原子層緊緊依附在一起，這就使單原子層鍺的性能不穩(wěn)定。為了解決這個(gè)問題，戈德伯格團(tuán)隊(duì)首先制造出了多層的鍺晶體，并在每層之間擠入了一些鈣原子，接著用水將鈣溶解，并用氫原子填滿留下的化學(xué)鍵，最后剝下了單層鍺。填充了氫原子的單鍺的化學(xué)穩(wěn)定性比傳統(tǒng)硅要好。而且，單鍺擁有“直接帶隙”，這意味著它很容易吸收或釋放光;而傳統(tǒng)機(jī)床與液壓 2013年8期2013-04-17
- 微波條件下二苯甲酮與1-羥基環(huán)己基苯基甲酮從微波紙向Tenax中的遷移規(guī)律
40W時(shí)的最大遷移率幾乎相同，而HCH在微波440W和600W時(shí)最大遷移率幾乎相同，且微波條件下的最大遷移率小于常用恒溫條件下的最大遷移率。除了功率的作用，溫度和所做功對(duì)BP和HCH的遷移也有影響，且相比常用恒溫加熱的遷移實(shí)驗(yàn)，微波加熱能加快BP和HCH在脂肪類物質(zhì)中遷移行為的發(fā)生，但最大遷移率降低。二苯甲酮；1-羥基環(huán)己基苯基甲酮；微波；微波紙；脂肪類食品模擬物Tenax近年來，食品安全問題接踵而至，人們對(duì)食品安全越來越關(guān)注。特別是最早在紙質(zhì)類食品包裝中食品科學(xué) 2013年3期2013-03-03
- 應(yīng)變Si/(001)Si1－xGex電子遷移率*
－xGex電子遷移率*王曉艷1)2)張鶴鳴1)宋建軍1)馬建立1)王冠宇1)安久華1)1)(西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西安710071) 2)(寶雞文理學(xué)院電子電氣工程系，寶雞721007) (2010年8月3日收到;2010年10月16日收到修改稿)依據(jù)離化雜質(zhì)散射、聲學(xué)聲子散射和谷間散射的散射模型，在考慮電子谷間占有率的基礎(chǔ)上，通過求解玻爾茲曼方程計(jì)算了不同鍺組分下，不同雜質(zhì)濃度時(shí)應(yīng)變Si/(001)Si1－xGex物理學(xué)報(bào) 2011年7期2011-08-15
- 應(yīng)變Si PMOSFET電流特性研究*
變Si中的電子遷移率顯著的高于體Si，并且應(yīng)變Si已經(jīng)被用于制造高性能的應(yīng)變Si NMOSFET器件，同樣的，對(duì)于應(yīng)變Si中有高的空穴遷移率這一點(diǎn)引起了人們制造應(yīng)變Si PMOSFET的興趣。Si在弛豫的SiGe層上生長(zhǎng)產(chǎn)生張應(yīng)變，輕空穴帶上升，重空穴帶降低，從而大大提高了低場(chǎng)遷移率。有資料顯示用MBE可以生長(zhǎng)高質(zhì)量的應(yīng)變Si層，可以制造出高性能的應(yīng)變Si PMOSFET[1]，因此對(duì)其研究是有意義的。近年來對(duì)應(yīng)變Si MOSFET的研究多著重于應(yīng)變材料中電子器件 2010年4期2010-12-21
- 多晶硅薄膜晶體管的有效遷移率模型*
TFT中,溝道遷移率與晶粒間界陷阱態(tài)、表面散射效應(yīng)等因素有關(guān),因此用有效遷移率來表示.現(xiàn)有的P-Si TFT遷移率模型多為經(jīng)驗(yàn)公式[4-5];文獻(xiàn)[6]的有效遷移率模型考慮了溝道內(nèi)晶粒間界的數(shù)目,并將晶粒與晶粒間界分開考慮,但忽略了高柵壓所引起的遷移率退化效應(yīng),只適用于低柵壓的線性區(qū).本研究基于P-Si TFT的物理過程,建立了一個(gè)適應(yīng)于從小晶粒到大晶粒線性區(qū)的多晶硅薄膜晶體管有效遷移率模型.新模型考慮了高柵壓所引起的遷移率退化效應(yīng),更符合P-Si TFT - 卷煙主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關(guān)系研究