袁萌，趙英杰，吳雨辰，江雷

（1.中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所,中國科學(xué)院仿生材料與界面科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100190；2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049；3.鄭州大學(xué)化學(xué)學(xué)院,鄭州 450001）

光電探測(cè)器是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件，高性能的光電探測(cè)器是現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的核心.目前，在圖像傳感、光通信、環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)/生物檢測(cè)等領(lǐng)域［1～7］，光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換應(yīng)用備受學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注.光電探測(cè)器領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)朝著高性能、高集成、小型化和多功能化的方向發(fā)展，以同時(shí)實(shí)現(xiàn)光強(qiáng)度、偏振、光譜和入射角度的探測(cè).目前，光電探測(cè)器主要使用的是無機(jī)半導(dǎo)體材料（如硅和Ⅲ～Ⅴ族半導(dǎo)體），器件的結(jié)構(gòu)一般是光二極管型.雖然此類光電探測(cè)器的制造工藝和技術(shù)已經(jīng)成熟，但其制造工藝復(fù)雜、加工成本昂貴、驅(qū)動(dòng)電壓高，限制了其應(yīng)用的廣泛性、兼容性和通用性.在過去的幾年里，液相加工材料（包括有機(jī)材料、金屬鹵化物鈣鈦礦和量子點(diǎn)等［8～16］）由于其易于加工、可調(diào)整的光電特性、易于集成、與柔性襯底兼容良好等特性，在光電探測(cè)器制備領(lǐng)域顯示出了極好的應(yīng)用前景.雖然基于鈣鈦礦材料的光電器件領(lǐng)域主要由光伏和發(fā)光二極管主導(dǎo)，但鈣鈦礦特有的半導(dǎo)體特性使它們成為光信號(hào)檢測(cè)領(lǐng)域的熱門材料.研究表明，鈣鈦礦具有高載流子遷移率、有效的光吸收能力和液相加工性，是高性能光電探測(cè)器的首選材料［17～19］.各種基于光電性能優(yōu)異的鈣鈦礦材料的光電探測(cè)器件引起了研究人員的廣泛關(guān)注.目前，鈣鈦礦在響應(yīng)度、探測(cè)率、噪聲、線性動(dòng)態(tài)范圍和響應(yīng)速度等方面均表現(xiàn)出了優(yōu)異特性.

本文全面概述了鈣鈦礦光電探測(cè)器的最新進(jìn)展，首先關(guān)注了鈣鈦礦材料及其陣列化方法；接著論述了光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)和性能指標(biāo)；然后歸納總結(jié)了基于鈣鈦礦的高性能、多功能光電探測(cè)器的應(yīng)用和研究進(jìn)展；最后簡(jiǎn)要展望了目前鈣鈦礦光電探測(cè)器應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)，并提出了一些未來的研究方向.

1 鈣鈦礦材料及其陣列化集成方法

1.1 鈣鈦礦材料

由于鹵化物鈣鈦礦具有顯著的結(jié)構(gòu)和成分可調(diào)性，因此是一種理想的光電材料.鈣鈦礦的出現(xiàn)使光伏技術(shù)向前邁出了相當(dāng)大的一步，并為光電探測(cè)開辟了新的道路.鈣鈦礦一般具有ABX3型結(jié)構(gòu)，其中A和B為陽離子，X為陰離子.B和X形成了金屬鹵化物鈣鈦礦的八面體結(jié)構(gòu)，可以表示為［BX6］4-.根據(jù)其八面體的連接方式，鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)可以劃分為三維（3D）、二維（2D）、一維（1D）以及零維（0D）結(jié)構(gòu)［20～24］，如圖1所示.

Fig.1 Crystal structure diagram of 0D perovskite,1D perovskite,2D perovskite,and 3D perovskite at molecular levels[24]Copyright 2019,Elsevier.

3D鈣鈦礦網(wǎng)絡(luò)是由連接角共享的八面體［BX6］4-來構(gòu)建的.通過選擇不同的A位陽離子、B位陽離子以及X位陰離子，可以調(diào)整3D鈣鈦礦的組成［25，26］.同時(shí)，也可以控制3D鈣鈦礦的晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，從而形成低維納米結(jié)構(gòu)，如量子點(diǎn)（QDs）、納米線和納米片等結(jié)構(gòu)［27～38］.通過降低八面體［BX6］4-的連接性，會(huì)產(chǎn)生低維鈣鈦礦.2D鈣鈦礦是由較大的有機(jī)陽離子層插入3D鈣鈦礦的八面體［BX6］4-網(wǎng)絡(luò)中形成［39～41］，一般可以表示為（A′）m（A）n－1BnX3n+1，其中A′為較大的有機(jī)陽離子，n為表示鈣鈦礦層厚度的整數(shù).在1D鈣鈦礦中，高度扭曲的共面八面體［BX6］4-被A位陽離子包圍，進(jìn)一步降低了八面體網(wǎng)絡(luò)的連接性.當(dāng)孤立的金屬鹵化物八面體［BX6］4-被A位的有機(jī)或無機(jī)陽離子包圍時(shí)，產(chǎn)生0D鈣鈦礦.由于強(qiáng)量子限域效應(yīng)和大的斯托克斯位移，0D鈣鈦礦具有很高的熒光量子產(chǎn)率（PLQY）［42，43］.

1.2 陣列化集成方法

為了實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦光電探測(cè)器的集成化、小型化和多功能化發(fā)展，一系列的陣列化集成方法得到了快速發(fā)展.現(xiàn)有的陣列化集成方法包括納米壓?。∟anoimprinting）［44］、軟微影（Soft lithography）［45］、噴墨打?。↖nkjet printing）［46，47］和蘸筆印刷（Dip-pen nanolithography）［48］等［圖2（A）～（J）］，已經(jīng)被用于大面積微納結(jié)構(gòu)陣列的制備［49，50］.納米壓印是利用帶圖案的模具將鈣鈦礦溶液壓到基底上，通過冷卻或紫外固化的方法固定圖案，最后將凸起結(jié)構(gòu)之間的材料刻蝕掉形成分立微納圖案的方法；軟微影則使用軟性高分子材料制備模具并涂布鈣鈦礦溶液，將模具上凸出部分印在基底上的技術(shù)；噴墨打印是指通過噴嘴將鈣鈦礦溶液分割成液滴并沉積在基底上，隨著溶劑的揮發(fā)形成微納圖案的加工方法；蘸筆印刷是指通過原子力顯微鏡（AFM）針尖將鈣鈦礦溶液從針尖向基底轉(zhuǎn)移的陣列化集成方法.納米壓印技術(shù)和軟微影技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是可以實(shí)現(xiàn)大面積加工且加工效率較高，缺點(diǎn)是模板制備效率較低，制備的微納結(jié)構(gòu)均勻性差，晶體均為多晶和無定形狀態(tài).噴墨打印技術(shù)和蘸筆印刷技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是加工精度和分辨率較高，結(jié)構(gòu)邊緣規(guī)整，缺點(diǎn)是加工效率較低，所制備的晶體結(jié)構(gòu)取向性較差.現(xiàn)有的陣列化集成方法的優(yōu)點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)宏觀液體的限域或分割，可以制備尺寸、位置可控的微納結(jié)構(gòu)陣列；缺點(diǎn)是受“咖啡環(huán)效應(yīng)”制約，液體中質(zhì)量傳輸無序，導(dǎo)致制備的微納結(jié)構(gòu)陣列邊緣缺陷多，形成多晶的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而犧牲光電子器件的性能.

Fig.2 Integration method of perovskite array（A）Preparation schematic of the CsPbBr3 microwire arrays with the assist of antisolvent；（B）scanning electron microscopy（SEM）image and（C）high-resolution transmission electron microscopy（HRTEM）image of CsPbBr3 microwire showing the［010］zone axis［44］；（D）schematic illustration of the fabrication procedures for CsPbBr3 QDs devices by inkjet printing；（E）photography of CsPbBr3 QDs based X-ray detector arrays on a 4 in.wafer；（F）height profile of the printed CsPbBr3 QDs film；（G）high-resolution TEM image and selected-area electron diffraction（SAED）pattern of CsPbBr3 QDs［46］；（H）schematic illustration of the solutionbased growth method of patterned MAPbI3－xClx film on a surface-functionalized polyethylene terephthalate（PET）substrate；（I）SEM image of patterned MAPbI3－xClx film and magnified SEM images showing the compact surface；（J）photography of largescale MAPbI3－xClx film array on PET substrate［49］；（K）schematic illustration of the 2D-perovskite nanowire arrays fabrication process by capillary-bridge method；（L）SEM image of 2D perovskite nanowire arrays；（M）grazing incidence wide-angle X-ray scattering（GIWAXS）pattern of 2D perovskite nanowires［53］.（A）—（C）Copyright 2019，John Wiley and Sons；（D）—（G）Copyright 2019，John Wiley and Sons；（H）—（J）Copyright 2019，John Wiley and Sons；（K）—（M）Copyright 2020，John Wiley and Sons.

近年來，浸潤(rùn)性調(diào)控在界面科學(xué)領(lǐng)域得到了不斷發(fā)展，浸潤(rùn)性規(guī)律被廣泛用于液體在固體表面的動(dòng)力學(xué)行為的控制和微納結(jié)構(gòu)陣列組裝的指導(dǎo)［51，52］.基于浸潤(rùn)性規(guī)律與毛細(xì)液橋協(xié)同調(diào)控液體輸運(yùn)的能力，我們課題組［53］開發(fā)了一種利用不對(duì)稱浸潤(rùn)界面調(diào)控流體輸運(yùn)的陣列化集成方法，構(gòu)筑“微柱-溶液-基底”的“三明治”結(jié)構(gòu)組裝系統(tǒng)，微柱頂端誘導(dǎo)液體形成毛細(xì)液橋，實(shí)現(xiàn)流體的定向輸運(yùn)，液橋蒸發(fā)后，可以制備尺寸、位置可控且大面積長(zhǎng)程取向的微納結(jié)構(gòu)陣列［圖2（K）～（M）］.具體操作為：（1）制備具有周期性微結(jié)構(gòu)的微柱模板；（2）通過對(duì)微柱模板的表面化學(xué)修飾及表面微結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)不對(duì)稱浸潤(rùn)微柱模板的制備；（3）控制液橋的形貌和錨定位點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)液體的定向輸運(yùn)；（4）控制鈣鈦礦材料結(jié)構(gòu)單位的成核位點(diǎn)和生長(zhǎng)方向，高的局部濃度引發(fā)了鈣鈦礦優(yōu)先在固體-液體-空氣三相接觸線（TCL）成核；（5）實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)單元長(zhǎng)程有序、微納形貌可控、尺寸三維可調(diào)的鈣鈦礦微納結(jié)構(gòu)陣列的構(gòu)筑.在不對(duì)稱浸潤(rùn)界面調(diào)控流體輸運(yùn)法制備鈣鈦礦陣列的過程中，液橋限域誘導(dǎo)晶體可控生長(zhǎng)，流程簡(jiǎn)單，無需高溫加熱過程，加工精度高.

1.3 總結(jié)

電子技術(shù)的發(fā)展越來越依賴于低成本、可液相加工的半導(dǎo)體材料.結(jié)合有機(jī)半導(dǎo)體可液相加工和無機(jī)半導(dǎo)體高載流子遷移率的優(yōu)勢(shì)，鈣鈦礦材料有望在未來的光檢測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域取得長(zhǎng)足發(fā)展.長(zhǎng)程有序取向和高結(jié)晶質(zhì)量的光電材料陣列是集成光電探測(cè)器性能優(yōu)異的決定因素，開發(fā)具有更高普適性的陣列化集成方法是實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)器應(yīng)用的關(guān)鍵核心技術(shù).

2 一維陣列光電探測(cè)器

2.1 基本器件類型和關(guān)鍵性能參數(shù)

本節(jié)總結(jié)和討論了鈣鈦礦光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)和性能指標(biāo).高效的光電探測(cè)器要求器件具有高響應(yīng)度、高探測(cè)率、高開關(guān)比和快速響應(yīng)速度.

Fig.3 Architectures schematic of perovskite-based photodetectors

2.1.1 光電探測(cè)器的基本器件類型根據(jù)器件結(jié)構(gòu)與工作機(jī)制的不同，基于鈣鈦礦的光電探測(cè)器主要分為光電二極管、光電導(dǎo)器件和光電晶體管3類器件，如圖3所示.其中，光電二極管和光電導(dǎo)器件是兩端器件，光電晶體管是具有源極、漏極和柵極的三端器件.光電二極管采用了一種類似于光伏器件的垂直結(jié)構(gòu)，原理是光生伏特效應(yīng)，即光活性層中的光電子和空穴被分離并向相反的電極傳輸［17］.光導(dǎo)型器件中，光活性層作為電極間的通道，使得光子-電子轉(zhuǎn)換過程的傳感機(jī)制相對(duì)簡(jiǎn)單，原理是光電導(dǎo)效應(yīng)，即偏置電壓下，通道中的光生載流子由電極進(jìn)行分離和收集［54］.為了降低噪聲電流，光電晶體管在器件結(jié)構(gòu)上增加了柵電極和介電層.通過改變柵極電壓的大小，光電晶體管可以對(duì)半導(dǎo)體溝道進(jìn)行光電調(diào)制，進(jìn)而促進(jìn)或者阻礙其電荷傳輸，且能提供光電增益，可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)和放大光電信號(hào)［55，56］.不同的器件結(jié)構(gòu)導(dǎo)致光電探測(cè)器光電性能方面的顯著差異.根據(jù)光活性層和電極的空間布局，垂直器件的電極間距較小，載流子傳輸距離較短，具有時(shí)間響應(yīng)快、驅(qū)動(dòng)電壓低的特點(diǎn)；相比之下，橫向器件由于電極間距大，器件表現(xiàn)出響應(yīng)速度慢和驅(qū)動(dòng)電壓高的特點(diǎn)，犧牲了響應(yīng)速度來保持高的光電流，導(dǎo)致其探測(cè)率較低和線性動(dòng)態(tài)范圍較窄［57］.

2.1.2 光電探測(cè)器的性能參數(shù)光電探測(cè)器的性能通常是根據(jù)效率、噪聲和速度相關(guān)的幾個(gè)不同指標(biāo)來衡量.目前，用于表征光電探測(cè)器的關(guān)鍵性能參數(shù)可以總結(jié)如下：

開關(guān)比（Ilight/Idark）表示在一定光波長(zhǎng)、光照強(qiáng)度和偏置電壓下產(chǎn)生的光電流（Ilight）和暗電流（Idark）之比.為了增大開關(guān)比，應(yīng)當(dāng)增大光電流值和減小暗電流值.在考慮器件的開關(guān)比時(shí)，必須考慮入射波長(zhǎng)、功率和偏置電壓的影響.

響應(yīng)度是一個(gè)基本的量化光響應(yīng)強(qiáng)度的指標(biāo)，它將產(chǎn)生的光電流（或光電壓）和給定的入射光功率聯(lián)系起來.響應(yīng)度（R，A/W）是光電流與入射光強(qiáng)度的比值，表明器件對(duì)光信號(hào)的響應(yīng)效率：

式中：Iph（A）為光電流；Plight（W）為入射光強(qiáng)度.很明顯，垂直器件中的R值是恒定的，而且?guī)缀跖c器件的大小和尺寸無關(guān).然而對(duì)于具有水平電極排列的橫向器件，僅通過減小電極間距就可以在很大程度上提高R值［54，58～62］.因此在比較橫向器件結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器性能時(shí)，必須考慮到器件的尺寸影響.

R與評(píng)價(jià)光子到電子/空穴轉(zhuǎn)換速率的外量子效率（EQE）成正比，R也可以表示為

式中：λ（nm）是入射光波長(zhǎng)；q是電子電荷的絕對(duì)值；h（6.626×10-34J·s）是普朗克常數(shù)；c（3.0×108m/s）是光速.

比探測(cè)率［D*，cm·Hz1/2·W-1（Jones）］描述了器件所能探測(cè)到的最弱光，是由光電探測(cè)器的響應(yīng)度和噪聲決定的：

式中：A（cm2）為光電探測(cè)器的有效面積；B（Hz）為帶寬；inoise（A）為噪聲電流.

定義產(chǎn)生信噪比（SNR）為1的信號(hào)光功率為噪聲等效功率（NEP，W·Hz-1/2），表示光電探測(cè)器能從噪聲中分辨出的最小入射光功率.更小的NEP表明器件可以探測(cè)更弱的光信號(hào)：

線性動(dòng)態(tài)范圍（LDR，dB）描述了器件的入射光響應(yīng)范圍，在該范圍內(nèi)光電探測(cè)器的電流響應(yīng)與光強(qiáng)度呈線性關(guān)系，通常表示為

式中：Pmax和Pmin（W）分別代表線性范圍內(nèi)的最高和最低入射光功率.同時(shí)探測(cè)強(qiáng)光和弱光需要器件具有較寬的LDR.

響應(yīng)速度可以劃分為對(duì)光信號(hào)響應(yīng)的上升時(shí)間和下降時(shí)間：上升時(shí)間（tr）定義為光電流由最大光電流的10%增加至90%的時(shí)間；下降時(shí)間（td）定義為光電流由最大光電流的90%降至10%的時(shí)間.響應(yīng)速度與電荷的傳輸和收集密切相關(guān)，這意味著小的電極間距（載流子傳輸路徑短）有利于快速響應(yīng)，同時(shí)應(yīng)確保足夠的光吸收和較小的漏電流.

2.2 高性能光電探測(cè)器

2.2.1 三維鈣鈦礦光電探測(cè)器三維鈣鈦礦由于其獨(dú)特的晶體結(jié)構(gòu)及溶液可加工性，在光電探測(cè)器中得到了廣泛應(yīng)用，基于三維鈣鈦礦的光電探測(cè)器表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能.然而，三維鈣鈦礦穩(wěn)定性較差，在高溫、高濕、強(qiáng)光及富氧情況下，會(huì)經(jīng)歷熱分解、水輔助分解、光照輔助氧化及相轉(zhuǎn)變等多種降解途徑，結(jié)構(gòu)易受到破壞.同時(shí)，在室溫下，全無機(jī)銫鉛碘鈣鈦礦（CsPbI3）和有機(jī)-無機(jī)雜化甲脒基鉛碘鈣鈦礦（FAPbI3）的光活性的亞穩(wěn)態(tài)立方相會(huì)自發(fā)轉(zhuǎn)變?yōu)榉枪饣钚缘牧较?，這嚴(yán)重阻礙了三維鈣鈦礦走向?qū)嶋H應(yīng)用.為了克服這個(gè)問題，本課題組［63，64］開發(fā)了穩(wěn)定三維鈣鈦礦材料的方法，針對(duì)不同的三維鈣鈦礦材料使用合適的穩(wěn)定劑，基于此制備的光電探測(cè)器表現(xiàn)出較高的性能與良好的穩(wěn)定性.

全無機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦具有更高的熱穩(wěn)定性，其電子遷移率高達(dá)2300 cm2·V·s-1，空穴遷移率超過320 cm2·V·s-1，更具潛在的商業(yè)價(jià)值.目前，全無機(jī)鈣鈦礦的光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）已經(jīng)超過20%，發(fā)展?jié)摿薮?在全無機(jī)鈣鈦礦中，α-CsPbI3鈣鈦礦具有窄的禁帶寬度（1.73 eV），其帶邊吸收可達(dá)700 nm附近，且具有極高的載流子遷移率和極長(zhǎng)的載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度，是一種理想的光電材料［65～67］.通常，CsPbI3具有窄帶隙立方相（α-CsPbI3）和寬帶隙正交相（δ-CsPbI3）兩種晶型.α-CsPbI3在室溫下不能穩(wěn)定存在，只有在溫度高于320℃時(shí)，α-CsPbI3才可以穩(wěn)定存在.當(dāng)溫度降低時(shí)，鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，繼續(xù)降低溫度至室溫，熱力學(xué)更穩(wěn)定的δ-CsPbI3出現(xiàn).δ-CsPbI3帶隙寬度為2.82 eV，帶隙較寬，光吸收利用率低.2019年，Chen等［63］報(bào)道了高性能且長(zhǎng)期穩(wěn)定的全無機(jī)鈣鈦礦α-CsPbI3一維納米線陣列光電探測(cè)器.為了解決CsPbI3相變問題，他們使用不對(duì)稱浸潤(rùn)性的周期條帶結(jié)構(gòu)模板，誘導(dǎo)CsPbI3鈣鈦礦前驅(qū)體溶液揮發(fā)結(jié)晶，定向成核生長(zhǎng)，制備排列整齊的CsPbI3一維納米線陣列.通過將聚乙烯吡咯烷酮（PVP）引入鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中穩(wěn)定CsPbI3納米線陣列，PVP作為相穩(wěn)定劑有效穩(wěn)定了α-CsPbI3.基于此陣列制備的光電探測(cè)器具有良好的光電性能和較高的穩(wěn)定性，其對(duì)630 nm光的最高響應(yīng)度為1294 A/W，最高探測(cè)率為2.6×1014Jones，上升時(shí)間為0.85 ms，下降時(shí)間為0.78 ms［圖4（A）和（B）］.

與無機(jī)鈣鈦礦相比，有機(jī)-無機(jī)雜化鹵化物鈣鈦礦具有更高的光吸收系數(shù)，小的激子結(jié)合能和優(yōu)異的載流子傳輸性能，被廣泛應(yīng)用到場(chǎng)效應(yīng)晶體管、發(fā)光二極管、太陽能電池和光電探測(cè)器等領(lǐng)域.其中，使用最廣泛的有機(jī)-無機(jī)雜化材料為α-FAPbI3.α-FAPbI3的光學(xué)帶隙寬度更小，僅為1.48 eV，帶邊吸收可以達(dá)到840 nm，可以更好地利用可見光及近紅外區(qū)域的光波，以此提升光電子器件的性能.通常，F(xiàn)APbI3具有窄帶隙立方相（α-FAPbI3）和寬帶隙（δ-FAPbI3）兩種晶型.窄帶隙α-FAPbI3在室溫下不能穩(wěn)定存在.溫度高于160℃時(shí)，α-FAPbI3可以穩(wěn)定存在，溫度降低時(shí)鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，繼續(xù)降低溫度至室溫，熱力學(xué)更穩(wěn)定的δ-FAPbI3出現(xiàn).δ-FAPbI3的帶隙寬度較寬，光吸收利用率低［68～70］.為了解決FAPbI3相變問題，穩(wěn)定窄帶隙α-FAPbI3相，2020年，Chen等［64］報(bào)道了高性能且長(zhǎng)期穩(wěn)定的有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦α-FAPbI3一維納米線陣列光電探測(cè)器.研究人員利用毛細(xì)液橋技術(shù)控制晶體組裝，使用苯乙胺陽離子（PEA+）對(duì)晶體表面鈍化，制備了α-FAPbI3鈣鈦礦一維納米線陣列.α-FAPbI3一維陣列排列長(zhǎng)程有序、結(jié)晶質(zhì)量高、晶粒尺寸大，缺陷密度低且能在室溫下穩(wěn)定存在［圖4（C）］.基于此一維陣列構(gòu)筑的高性能光電探測(cè)器，最高響應(yīng)度為5282 A/W，最高探測(cè)率為（1.45±0.23）×1014Jones，3 dB帶寬為15 kHz，上升時(shí)間與下降時(shí)間分別為29.3與31.1 μs.

此外，對(duì)于可溶液加工的有機(jī)-無機(jī)雜化金屬鹵化物鈣鈦礦來說，基于高質(zhì)量單晶圖案化陣列的能帶工程的實(shí)現(xiàn)，對(duì)于其在光電探測(cè)領(lǐng)域的集成器件應(yīng)用有著重要的作用［27，71］.另一種普遍使用的有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料為甲胺鉛鹵鈣鈦礦MAPbX3，其中X可以為氯、溴、碘3種元素，由于其容忍因子很大，晶格的可調(diào)空間很大，同時(shí)由于其具有可溶液加工的特性，可以使用液相法來控制其鹵素原子化學(xué)計(jì)量比以實(shí)現(xiàn)帶隙的連續(xù)可調(diào).此外，它們還兼具高效的光吸收能力、超長(zhǎng)的載流子擴(kuò)散距離以及極低的缺陷態(tài)密度，基于這類材料的能帶工程近年來成為了相關(guān)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一.2018年，Gao等［72］報(bào)道了使用毛細(xì)液橋誘導(dǎo)MAPbX3退浸潤(rùn)組裝，并通過調(diào)節(jié)鹵元素（氯、溴、碘）比例，制備一系列帶隙調(diào)諧范圍為1.7～3.1 eV的MAPbX3一維微納結(jié)構(gòu)陣列.基于此單晶陣列的MAPbBr3光電探測(cè)器響應(yīng)度超過103A/W［圖4（D）～（F）］.2017年，Deng等［73］報(bào)道了利用反溶劑蒸氣輔助誘導(dǎo)溶液退浸潤(rùn)制備大面積、高質(zhì)量的MAPb（I1－xBrx）3（x=0，0.1，0.2，0.3，0.4）一維單晶納米線陣列［圖4（G）］，基于此陣列構(gòu)筑的器件具有超高的響應(yīng)度（12500 A/W）和較寬的線性動(dòng)態(tài)范圍（150 dB）［圖4（H）］.2016年，Deng等［74］報(bào)道了利用刮刀涂布法一步制備超穩(wěn)定排列的MAPbI3鈣鈦礦單晶陣列［圖4（I）］，基于此陣列制備的光電探測(cè)器具有13.5 A/W的可見光下響應(yīng)度，可探測(cè)的最小光強(qiáng)為1 μW/cm2，空氣中放置超過50 d的穩(wěn)定性，并且器件具有較寬的線性動(dòng)態(tài)范圍［圖4（J）］.

Fig.4 High-performance photodetectors（A）Typical logarithmic I-V curves of α-CsPbI3 nanowire arrays under the dark current and different irradiances，inset is the schematic illustration of device；（B）photocurrent and photoresponsivity vs.different irradiances at a fixed wavelength［66］；（C）photographs of the FAPbI3 nanowire arrays with different PEA+contents（2%，10%，18%，molar fraction）［70］；（D）schematic illustration of a photodetector；（E）illumination power dependent photocurrents and responsivities of 1D single-crystal MAPbBr3 arrays；（F）Fluorescence micrographs of 1D MAPbBr3－xClx and MAPbI3－yBry（x，y=0，1，1.5，2，3）single-crystal arrays［72］；（G）schematic of the MAPbI3 nanowire array photodetector；（H）irradiance-dependent photocurrent at a bias voltage of 5 V［73］；（I）device structure of the aligned MAPbI3 microwire array-based photodetector；（J）photocurrent vs.light intensity of the device under 550 nm light illumination［74］；（K）scheme of carrier dynamics in the photodetector of single-crystalline（101）-oriented 2D perovskite；（L）frequency-dependent noise current at a voltage bias of 5 V；（M）statistics of detectivities of n=2—5 nanowires under modulation frequencies of 10 and 30 Hz［87］；（N）schematic illustration of design and fabrication of single-crystalline nanowire photodetectors with pure（101）orientation and sulfur-sulfur（S-S）interaction；（O）frequency-modulated photocurrents of n=3 perovskite nanowire arrays under 530 nm LED light irradiation；（P）irradiation-dependent responsivity of n=1—3 layered-perovskite single-crystalline nanowire arrays［88］.（A，B）Copyright 2019，John Wiley and Sons；（C）Copyright 2020，John Wiley and Sons；（D—F）Copyright 2018，John Wiley and Sons；（G，H）Copyright 2017，American Chemical Society；（I，J）Copyright 2016，John Wiley and Sons；（K—M）Copyright 2018，Springer Nature；（N—P）Copyright 2022，American Chemical Society.

2.2.2 二維鈣鈦礦光電探測(cè)器二維鈣鈦礦是由較大的有機(jī)陽離子插入三維鈣鈦礦的八面體框架中而形成的層狀結(jié)構(gòu)，可以看作是將立方三維鈣鈦礦沿（100）晶面切割而成的、具有可調(diào)諧阱寬的自組裝量子阱結(jié)構(gòu)［75］.層間有機(jī)陽離子將奇特的手性特性［76，77］、載流子離域［78］和三重態(tài)能量轉(zhuǎn)移［79］引入了二維鈣鈦礦中.此外，還通過晶格對(duì)稱性的打破將鐵電性質(zhì)［80］、體光伏效應(yīng)［81］、二次非線性光學(xué)性質(zhì)［82］和Rashba-Dresselhaus自旋軌道耦合特性［83］引入了二維鈣鈦礦體系中.二維鈣鈦礦材料具有缺陷容忍度高以及暗電流低的特點(diǎn)，同時(shí)多個(gè)八面體層通過范德華力結(jié)合在一起，平面內(nèi)強(qiáng)的共價(jià)鍵和弱的范德華相互作用使二維鈣鈦礦表現(xiàn)良好的層內(nèi)電荷傳輸能力.與三維鈣鈦礦相比，層狀材料具有限域的光載流子、高速率的激子復(fù)合和增強(qiáng)的環(huán)境穩(wěn)定性，這為實(shí)現(xiàn)高效和穩(wěn)定的光電探測(cè)器帶來了重要機(jī)遇.如，將手性胺分子作為層間有機(jī)陽離子引入二維鈣鈦礦中，賦予了二維鈣鈦礦固有的手性，使鈣鈦礦圓偏振光探測(cè)成為了可能.

高性能層狀鈣鈦礦光學(xué)器件需要嚴(yán)格控制結(jié)晶程度和晶體取向［84～86］.在光電探測(cè)領(lǐng)域具有單一取向的單晶納米線集成了超低暗電流和相當(dāng)大的光電流，可實(shí)現(xiàn)高探測(cè)率［87］.層狀鈣鈦礦為了提高其光電子性能，需要增加鈣鈦礦的層數(shù)（n），以減輕層間陽離子和鈣鈦礦界面處的載流子散射和捕獲.本課題組［53，87，88］基于層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)性強(qiáng)的特點(diǎn)，通過改變層間陽離子的種類，實(shí)現(xiàn)了不同層狀鈣鈦礦一維陣列的組裝，并將其用于光電探測(cè)器的制備.2018年，F(xiàn)eng等［87］通過控制溶液結(jié)晶過程制備了取向單一的（BA）2（MA）n－1PbnI3n+1鈣鈦礦單晶納米線陣列.納米線中無機(jī)鈣鈦礦層和層間有機(jī)長(zhǎng)鏈胺交替組裝為量子阱結(jié)構(gòu)，引入大量的載流子傳輸勢(shì)壘和較低的噪聲電流［圖4（K）］.在黑暗狀態(tài)下，二維鈣鈦礦納米線晶體內(nèi)部存在大量的有機(jī)胺勢(shì)壘層，導(dǎo)致載流子被束縛在鈣鈦礦勢(shì)阱中，從而產(chǎn)生較小的暗電流.在光照情況下由于納米線表面的邊緣態(tài)效應(yīng)能有效裂分來自納米線體相的激子，因此能夠產(chǎn)生且輸運(yùn)自由載流子，導(dǎo)致晶體邊緣形成較大的光電流.基于此陣列制備的超靈敏光電探測(cè)器既能抑制暗電流，同時(shí)又能提升光電流，n=4層納米線的低頻噪聲電流為2×10-13A·Hz-1/2［圖4（L）］，其最高響應(yīng)度超過2×104A/W，比探測(cè)率為7×1015Jones［圖4（M）］，優(yōu)于當(dāng)時(shí)報(bào)道的鈣鈦礦光電探測(cè)器，性能高出傳統(tǒng)的硅光電二極管2～3個(gè)數(shù)量級(jí).為了進(jìn)一步探究液橋中2D鈣鈦礦的結(jié)晶成核生長(zhǎng)機(jī)理，實(shí)現(xiàn)層狀鈣鈦礦結(jié)晶學(xué)取向的調(diào)控，2020年，Zhao等［53］利用溶劑工程和毛細(xì)液橋協(xié)同作用制備了長(zhǎng)程有序的（ThMA）2（MA）n－1PbnI3n+1鈣鈦礦單晶納米線陣列（ThMA為2-噻吩乙胺），實(shí)現(xiàn)了超靈敏光電探測(cè)器的制備，響應(yīng)度達(dá)到（1.10±0.18）×104A/W，探測(cè)率為（9.16±0.85）×1015Jones.同時(shí)，證明了鈣鈦礦首先在液氣界面處成核，沿著液橋退浸潤(rùn)方向生長(zhǎng)的過程.2022年，Yuan等［88］研究了層狀鈣鈦礦（MTEA）2（MA）n－1PbnI3n+1單晶納米線陣列的光響應(yīng)性能［MTEA為烷基銨2-（甲基硫）乙胺］.得益于MTEA陽離子間的硫-硫相互作用增強(qiáng)鈣鈦礦晶體結(jié)晶性，通過誘導(dǎo)鈣鈦礦在毛細(xì)液橋中的成核和生長(zhǎng)制備了晶界少、缺陷密度低、晶體取向一致的單晶納米線陣列.基于這些高質(zhì)量納米線，實(shí)現(xiàn)了超高靈敏度光電探測(cè)器的制備［圖4（N）］，平均響應(yīng)度為7.3×103A/W，平均探測(cè)率為3.9×1015Jones，響應(yīng)速度快，上升時(shí)間和衰減時(shí)間少于50 μs，且在多個(gè)周期內(nèi)開關(guān)保持穩(wěn)定的光電流水平［圖4（O）和（P）］.

單晶鹵化物鈣鈦礦具有優(yōu)異的物理性能，在集成光電領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力，但其不穩(wěn)定性和毒性限制了其應(yīng)用前景.無鉛鈣鈦礦的開發(fā)成為高性能光電探測(cè)器的迫切需求.2020年，Pi等［89］開發(fā)了高穩(wěn)定性的Cs2AgBiBr6無鉛鹵化物雙金屬鈣鈦礦納米線陣列，基于此制備的光電探測(cè)器具有較高的性能，響應(yīng)度為1625 A/W，開關(guān)比為104，響應(yīng)速度快，上升時(shí)間和衰減時(shí)間分別為0.04和0.28 ms.

3 多功能光電探測(cè)器

本節(jié)總結(jié)和討論了多功能鈣鈦礦光電探測(cè)器的研究現(xiàn)狀.目前，小型化、高性能光電探測(cè)器的發(fā)展對(duì)新型活性材料的需求不斷增加，金屬鹵化物鈣鈦礦因其易于合成、優(yōu)異的光學(xué)和光電性能以及相應(yīng)光電探測(cè)器的破紀(jì)錄效率而成為研究熱點(diǎn).基于高質(zhì)量的一維陣列，除了能夠?qū)崿F(xiàn)高靈敏的光電探測(cè)器，還能夠引入新的器件功能，以此制備高性能、多功能的光電探測(cè)器.圓偏振光和線偏振光在光學(xué)信息處理、磁記錄和量子計(jì)算等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，對(duì)偏振光的高效探測(cè)具有重要的應(yīng)用價(jià)值.傳統(tǒng)的偏振光探測(cè)技術(shù)通常依賴于傳統(tǒng)非手性光電探測(cè)材料與線偏振片、四分之一玻片等光學(xué)元件組成的系統(tǒng).這種探測(cè)系統(tǒng)存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大和成本高昂等缺點(diǎn).如何利用本征半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)對(duì)偏振光的直接探測(cè)，依然存在較大的挑戰(zhàn).

3.1 線偏振光探測(cè)器

基于具有各向異性光吸收特性的光電材料而制備的偏振光電探測(cè)器，具有器件尺寸小、設(shè)備成本低且可實(shí)現(xiàn)光偏振的空間分辨探測(cè)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛使用.具有本征光偏振探測(cè)能力的材料通?？煞譃閮深悾海?）具有較低晶格對(duì)稱性的各向異性光吸收材料（如二硫化錸、黑鱗等）；（2）軸向和徑向尺寸存在較大差異的半導(dǎo)體納米線，其軸向與徑向的介電環(huán)境不同從而導(dǎo)致其光吸收系數(shù)有所差異［90～92］.

Fig.5 Multifunctional photodetectors（A）Schematic illustration of polarization-sensitive photodetection on 1D CsPbBr3 perovskite arrays；（B）polarization dependence of photocurrent［93］；（C）angle-dependent photocurrents of the（R-α-PEA）2PbI4 perovskite nanowire device at different polarization angles under a fixed 505 nm LED illumination with a power of 119.5 mW/cm2；（D）schematic illustration of multifunctional photodetectors，integrating linearly polarized and circularly polarized light detection and achieving a high-efficiency Stokes-parameter photodetector；（E）wavelength-dependent responsivities of chiral-perovskite nanowire devices under different CPL illuminations with the power of 1.47×10-4 mW/cm2 at 10 Hz；（F）images results of the five-pointed star for the（R-α-PEA）2PbI4 perovskite nanowire device under RCP illumination［94］；（G）crystal structures of（R-and S-C5H14N）PbI3［95］；（H）schematic structures of chiral double perovskite crystals；（I）statistics of detectivities and responsivities of（R/S/rac-β-MPA）4AgBiI8 microwire devices under unpolarized-520 nm illumination with the power of 2.3×10-3 mW/cm2［100］；（J）Poincare?-sphere representation for the polarization states of light with various Stokes parameters；（K）experimental measurement and theoretical derivation value under differently polarized lights［94］.（A，B）Copyright 2017，John Wiley and Sons；（C—F，J，K）Copyright 2021，American Chemical Society；（G）Copyright 2022，Elsevier；（H，I）Copyright 2021，John Wiley and Sons.

2017年，F(xiàn)eng等［93］通過一種簡(jiǎn)單高效的液相加工方法，制備了具有嚴(yán)格排列、精確位置、均一尺寸和高結(jié)晶性的CsPbBr3鈣鈦礦納米線一維陣列［圖5（A）］.測(cè)試吸收光譜發(fā)現(xiàn)該鈣鈦礦納米線一維陣列的吸收強(qiáng)度隨光偏振方向變化：當(dāng)入射光的偏振方向和鈣鈦礦納米線陣列的生長(zhǎng)方向平行時(shí)，光吸收值最高；當(dāng)入射光的偏振方向和鈣鈦礦納米線陣列生長(zhǎng)方向垂直時(shí)，光吸收值最低.最高吸收值與最低吸收值之比為2.8∶1，證明鈣鈦礦納米線陣列的光吸收具有各向異性.基于高長(zhǎng)徑比的一維鈣鈦礦陣列的光電探測(cè)器具有偏振依賴性：當(dāng)入射光平行于一維陣列軸向時(shí)，器件產(chǎn)生最大的光電流，而在偏振角旋轉(zhuǎn)90°后器件的光電流達(dá)到最小值［圖5（B）］.偏振各向異性比是量化偏振大小的參數(shù)，定義為光電流最大值與最小值之比.CsPbBr3光電探測(cè)器產(chǎn)生的偏振各向異性比約為2.6.

2021年，Zhao等［94］構(gòu)筑了光電導(dǎo)型線偏振光電探測(cè)器.首先，研究者將左手（S-α-PEA）、右手（R-α-PEA）和外消旋苯乙胺（rac-α-PEA）有機(jī)陽離子引入鈣鈦礦合成體系，合成得到手性鈣鈦礦粉末.接著，通過不對(duì)稱浸潤(rùn)性硅柱模板誘導(dǎo)手性鈣鈦礦前驅(qū)體溶液退浸潤(rùn)與結(jié)晶過程，制備得到排列嚴(yán)格、尺寸均勻、長(zhǎng)程有序的一維手性鈣鈦礦納米陣列.基于此陣列構(gòu)筑的光電探測(cè)器具有較低的暗電流與極高的光電流，器件LDR是122 dB.器件的高性能源于一維陣列納米線高的結(jié)晶質(zhì)量與低的缺陷密度，響應(yīng)度高達(dá)47.1 A/W，探測(cè)率高達(dá)1.24×1013Jones.納米線陣列具有大的長(zhǎng)徑比，導(dǎo)致介電環(huán)境不同，可以實(shí)現(xiàn)各向異性光吸收，具有較好的線偏振光探測(cè)性能，即隨線偏振光旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生不同強(qiáng)度光電流［圖5（C）］.器件的偏振各向異性比約為1.6.

3.2 圓偏振光探測(cè)器

將手性胺有機(jī)陽離子引入鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中，使鈣鈦礦具有本征手性，基于手性鈣鈦礦的圓偏光探測(cè)的實(shí)現(xiàn)成為了可能.Zhao等［94］研究了苯乙胺手性鈣鈦礦納米線光電探測(cè)器［圖5（D）］，其不同手性鈣鈦礦器件對(duì)不同圓偏振光（CPL）［左手圓偏振（LCP）、右手圓偏振（RCP）和非偏振光］的探測(cè)性能差異明顯，表明其良好的CPL探測(cè)選擇性.同時(shí)引入響應(yīng)度各向異性系數(shù)gres，［gres=2（RL－RR）/（RL+RR），其中，RL與RR分別代表器件在LCP和RCP照射下的響應(yīng)度數(shù)值］量化CPL探測(cè)能力.在505 nm CPL照射下，（R-α-PEA）2PbI4的最大gres值為0.12［圖5（E）］.進(jìn)一步，利用五角星空心圖案，證明光電探測(cè)器的高保真成像特性［圖5（F）］.零維鈣鈦礦由于其獨(dú)特的光電性質(zhì)以及比三維鈣鈦礦更高的穩(wěn)定性，近年來在圓偏光探測(cè)方面也得到了研究.2022年，Zhao等［95］構(gòu)筑了（R-/S-/rac-C5H14N）PbI3零維鈣鈦礦納米線陣列光電探測(cè)器［圖5（G）］，其在405 nm光照射下響應(yīng)度超過26 mA/W，探測(cè)率超過2.2×1011Jones，最大gres為0.23，具有良好的CPL探測(cè)選擇性.此外，微米線陣列表現(xiàn)出了顯著的環(huán)境穩(wěn)定性，室溫條件下30 d內(nèi)與120℃加熱30 min前后，其X射線衍射譜（XRD）和特征I-V曲線均無明顯變化.然而，基于零維鈣鈦礦光電探測(cè)器的響應(yīng)度低于其它鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，相對(duì)較低的響應(yīng)度可能是由于其較大的激子結(jié)合能導(dǎo)致載流子遷移率較低.

迄今為止報(bào)道的大多數(shù)手性鈣鈦礦含有高濃度的有毒金屬鉛且穩(wěn)定性差，這嚴(yán)重阻礙了其商業(yè)應(yīng)用［76，96～99］.無鉛鹵化物雙鈣鈦礦具有無毒和穩(wěn)定性高的優(yōu)勢(shì)，是一種環(huán)保且應(yīng)用前景良好的光電材料.2021年，Zhao等［100］通過毛細(xì)液橋組裝的方法制備了CPL探測(cè)性能良好的（R-/S-/rac-β-MPA）4AgBiI8無鉛手性二維雙鈣鈦礦納米線陣列光電探測(cè)器，其在405 nm光照射下響應(yīng)度超過52 mA/W，探測(cè)率超過3.9×1011Jones，最大gres值為0.19［圖5（H）和（I）］.

3.3 斯托克斯光電探測(cè)器

斯托克斯探測(cè)器具有分辨偏振光的能力，在各種光學(xué)和光電子器件中都有重要的應(yīng)用［101～105］.然而，目前大多數(shù)斯托克斯探測(cè)器都需要復(fù)雜而笨重的光學(xué)元件或與超表面集成的光學(xué)系統(tǒng)，這可能會(huì)增加成本并造成能量損失.為了解決這一問題，研究人員研究了手性二維鈣鈦礦的各向異性，并研制了基于純手性二維鈣鈦礦單晶的斯托克斯光電探測(cè)器.由于手性鈣鈦礦納米線陣列對(duì)線偏振光和圓偏振光均有響應(yīng)，可以關(guān)聯(lián)光電流和不同偏振狀態(tài)，證明斯托克斯光電探測(cè)器的實(shí)現(xiàn).

2021年，Zhao等［94］利用（S-α-PEA，R-α-PEA，rac-α-PEA）2PbI4手性鈣鈦礦線偏振光和圓偏振光的各向異性吸收系數(shù)，計(jì)算出用斯托克斯參數(shù)表示的歸一化吸收系數(shù).納米線的介電場(chǎng)各向異性特性誘發(fā)了其對(duì)偏振分量S1與S2的光電響應(yīng).其次，研究者將半波片與四分之一波片相結(jié)合以產(chǎn)生一系列偏振光，波片的角度在龐加萊球體轉(zhuǎn)換為θ和φ，同時(shí)關(guān)聯(lián)實(shí)驗(yàn)得到的光電流與計(jì)算得到的吸收系數(shù).對(duì)于偏振光（S1，S2），研究者選取了4個(gè)分別對(duì)應(yīng)（1，0），（1/2，3/2），（3/2，1/2）和（0，1）的典型偏振光，測(cè)試得到的光電流與計(jì)算得到的吸收吻合，證明在手性鈣鈦礦納米線中斯托克斯光電探測(cè)器的實(shí)現(xiàn)［圖5（J）和（K）］.基于手性鈣鈦礦本身的圓偏振光吸收及其晶體結(jié)構(gòu)的各向異性，2021年，Ma等［106］制備了基于手性二維鈣鈦礦（R-MBA，S-MBA）2PbI4單晶的斯托克斯探測(cè)器.這些研究為構(gòu)造簡(jiǎn)單、成本低廉的無濾波片斯托克斯探測(cè)器提供了基礎(chǔ).本文總結(jié)了近年來鈣鈦礦光電探測(cè)器的相關(guān)研究進(jìn)展（表1）.

Table 1 Optoelectronic performances of 1D nanowire perovskites-based photodetectors

4 總結(jié)與展望

近年來，隨著材料科學(xué)和光電子技術(shù)的發(fā)展，基于液相加工半導(dǎo)體材料的光探測(cè)技術(shù)取得了巨大進(jìn)步，在信息技術(shù)和光學(xué)成像等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值.鈣鈦礦材料由于其優(yōu)異的光電子性能，成為一種廣泛應(yīng)用于制備光探測(cè)器件的新型半導(dǎo)體材料.

小型化、集成化和多功能化是未來光電子器件發(fā)展的主要方向.目前，由于鈣鈦礦陣列化集成方法仍有諸多不足，限制了其在光電探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用.首先，對(duì)鈣鈦礦陣列化集成方法的機(jī)理研究并不充足，應(yīng)引入原位非侵入性表征來監(jiān)測(cè)鈣鈦礦成核和生長(zhǎng)階段.此外，長(zhǎng)、寬、高3個(gè)維度均低至約100 nm的長(zhǎng)程有序高結(jié)晶度納米結(jié)構(gòu)的組裝仍存在挑戰(zhàn)，亟須開發(fā)新的陣列化集成方法，以實(shí)現(xiàn)超小型光電子器件的應(yīng)用.同時(shí)，將多種材料組裝到同一基底的集成器件的研究仍有待深入探索.現(xiàn)有的鈣鈦礦陣列化集成方法僅限于對(duì)單一鈣鈦礦的加工制備，制約了異質(zhì)結(jié)構(gòu)、鈣鈦礦與其它材料復(fù)合的多材料體系的陣列化組裝和其在集成器件中的應(yīng)用.

總之，隨著實(shí)驗(yàn)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展及研究人員的不斷深入研究，高分辨率和多組分的陣列化集成技術(shù)將會(huì)繼續(xù)發(fā)展，小型化、集成化和多功能化的鈣鈦礦光電探測(cè)器領(lǐng)域?qū)⒌玫竭M(jìn)一步推進(jìn)，最終促進(jìn)鈣鈦礦材料在光電子器件等更多領(lǐng)域的應(yīng)用研究.