陳曉麗， 陳佩麗， 盧 思， 朱艷青， 徐雪青， 蘇秋成

（中國科學(xué)院 廣州能源研究所， 廣東 廣州 510640）

1 引 言

量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）具有與有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）類似的器件結(jié)構(gòu)和可溶液處理加工的特點(diǎn)，其發(fā)光層由半導(dǎo)體量子點(diǎn)（QDs）膠體溶液旋涂制成，因而具有與OLED 同樣的制備過程簡單、成本低、可制成柔性器件等優(yōu)點(diǎn)[1-6]。與OLED 相比，QLED 具有更高的發(fā)光色純度和色彩飽和度，而且具有發(fā)光波長可調(diào)、寬色域、高熒光量子產(chǎn)率（PLQY）等優(yōu)點(diǎn)，在顯示方面更具優(yōu)勢(shì)[7-10]。盡管如此，目前性能優(yōu)異的鎘系或鈣鈦礦量子點(diǎn)材料一般含有有毒元素（鎘或鉛），限制了其在市場(chǎng)上的實(shí)際應(yīng)用。因此，人們開始著手于環(huán)保型量子點(diǎn)材料的研究，包括ZnSe、ZnS 等Ⅱ-Ⅵ族和InP、InAs 等Ⅲ-Ⅴ族材料[11-12]。其中InP 量子點(diǎn)材料不僅具有低毒環(huán)保的特點(diǎn)，而且發(fā)光范圍可以覆蓋整個(gè)可見光區(qū)域，被視為下一代量子點(diǎn)明星材料[13-15]。

在InP 基量子點(diǎn)的合成中，In 和P 容易氧化形 成PO4、In2O3或InPxOy等 氧 缺 陷，嚴(yán) 重 影 響 了InP 基量子點(diǎn)的光學(xué)性能[16-18]。為了改善InP 基量子點(diǎn)的光學(xué)性能，研究人員采用了許多方法，例如殼層包覆、離子摻雜、表面鈍化、離子鈍化等[19-21]。其中，F(xiàn)-離子處理InP 量子點(diǎn)核是實(shí)現(xiàn)表面鈍化和增強(qiáng)PLQY 的一種有效方法。采用氫氟酸（HF）、氟化銨（NH4F）、四氟硼酸鹽（BF4-）、六氟磷酸鹽（PF6-）和十六烷基氟化胺（CH3（CH2）14CH2-NH2·HF）等氟化物作為刻蝕劑去除表面磷空位[22-24]。F-離子既可以填補(bǔ)InP 量子點(diǎn)表面的P 空位，也可以取代量子點(diǎn)表面InPOx氧化層中的氧。因此，氟鈍化使InP 量子點(diǎn)的PLQY 值提高到40%[23]。Mi?i? 等 首 次 用HF 處 理 膠 體InP 量 子 點(diǎn)表面，F(xiàn)-離子可以填補(bǔ)InP 表面的磷空位，并且刻蝕掉P 懸掛鍵和InPOx氧化層，經(jīng)HF 處理的InP量子點(diǎn)帶邊發(fā)射增加了10 倍以上[25]。最近，Kim和Jang 研究小組在ZnSe 殼層生長過程中使用HF刻蝕出InP 核的氧化表面，并設(shè)計(jì)了殼層厚度，減少了能量轉(zhuǎn)移和俄歇復(fù)合，最終得到了均勻的InP 核和高度對(duì)稱的InP/ZnSe 核/殼量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了100%的PLQY[26]。另外，寬帶隙的ZnS 作為殼層在InP 核表面外延生長可以約束激子大部分在核內(nèi)復(fù)合而避免被表面缺陷所捕獲，直接在InP核上實(shí)現(xiàn)了寬禁帶ZnS 外延；但I(xiàn)nP 與ZnS 的晶格常數(shù)相差過大，晶格失配不可避免地產(chǎn)生界面缺陷，這阻礙了無缺陷的完美異質(zhì)外延界面的形成，并限制了外延殼層的厚度。另外，科研人員經(jīng)常使用ZnSe 和GaP 作為InP 與ZnS 之間的過渡層，極大地減小了晶格失配。ZnSe 和GaP 與InP之間的晶格偏差分別為3.3%和6.82%[27-29]。由此可知，使用ZnSe 殼層會(huì)比使用GaP 層引起較大的發(fā)射光譜紅移，因此，本文選用GaP 作為中間殼層。

在本工作中，我們采用HF 原位注入法制備InP/GaP/ZnS 黃光量子點(diǎn)，分析了HF 對(duì)InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)發(fā)光性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)，HF 可以有效控制InP 核表面的氧化，有利于改善量子點(diǎn)的光學(xué)性能。HF 不僅可以有效地刻蝕氧化層，還可以鈍化InP 核表面銦懸空鍵。HF 處理的InP 量子點(diǎn)具有最佳的發(fā)光性能，PLQY 高達(dá)96%。此外，用HF 處理InP/GaP/ZnS 黃光量子點(diǎn)制備的發(fā)光二極管，其發(fā)光的電流效率為6.63 cd/A，最佳外量子效率（EQE）為3.83%。本文用HF 處理InP/GaP/ZnS 黃光量子點(diǎn)及其QLED 器件的制備，可為紅綠藍(lán)三基色I(xiàn)nP 基量子點(diǎn)及其QLED 的制備提供技術(shù)參考。

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 實(shí)驗(yàn)材料

實(shí)驗(yàn)材料：醋酸銦（In（Ac）3，99.99%），三（三甲硅烷基）膦（（TMS）3P，10%（wt）正己烷溶液，98%），醋酸鋅（Zn（Ac）2，99.99%），月桂酸（LA，99%），1-十 八 烯（ODE，90%），1-辛 硫 醇（OT，98%），氯 化 鎵（GaCl3，99.999%），氫 氟 酸（HF，40wt.%），正己烷（C2H6O，AR），無水乙醇（C2H6O，AR），丙酮（CH3COCH3，98%），聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽（PEDOT∶PSS）的水溶液（15 mg/mL），聚乙烯基咔唑（PVK）的氯苯溶液（6 mg/mL），ZnO 納米顆粒的乙醇溶液（30 mg/mL）。

2.2 InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)制備

2.2.1 前驅(qū)體制備

P 前驅(qū)體：在氮?dú)馐痔紫渲?，?.3 mmol 三（三甲硅烷基）膦溶于5 mL 的ODE 中。

Ga 前驅(qū)體：在氮?dú)馐痔紫渲?，?.68 mmol GaCl3溶于8 mL 的ODE 中，在40 ℃的溫度下超聲約30 min。

LA 溶 液：將2.16 mmol 月 桂 酸 加 入8 mL 的ODE 中，并在室溫下超聲處理5 min。

HF 溶液：0.5 mL HF 加入5 mL 丙酮，獲得HF溶液備用。

2.2.2 InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)合成

0.06 mmol（17.52 mg）醋 酸 銦、0.25 mmol（45.87 mg）醋酸鋅、0.54 mmol（108.67 mg）月桂酸、4 mL ODE 加入25 mL 三口燒瓶，在120 ℃保持30 min，期間抽真空通氮?dú)? 次。在溶液中加入0.5 mL P 前驅(qū)體，加熱至250 ℃，加入0.8 mL LA溶 液，5 min 后注入0.2 mL HF 溶液，5 min 后獲得InP-HF 核。加入0.2 mL Ga 前驅(qū)體保持10 min，再將0.3 mmol 的OT 快速注入到溶液中，在250 ℃下保持10 min。最后，將溶液冷卻，結(jié)束反應(yīng)。圖1 所示為其量子點(diǎn)的制備工藝流程圖。由于In 和P 在大約110 ℃的條件下就容易結(jié)合，而Ga 和P的結(jié)合則需要更高的溫度，因此更容易形成InP/GaP/ZnS 量 子 點(diǎn)[30-31]。

圖1 InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)制備工藝Fig.1 Preparation process of InP-HF/GaP/ZnS quantum dots

2.2.3 InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)純化

將獲得的InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)溶解在正己烷中，并通過添加過量的丙酮沉淀，并以8 000 r/min 離心5 min，倒掉上清液，然后將沉淀物重新分散在正己烷內(nèi)。純化過程重復(fù)三次。將純化的InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)溶解在正己烷中進(jìn)行進(jìn)一步表征。

2.3 QLED 器件制備

QLED 器 件 結(jié) 構(gòu) 為：ITO/PEDOT∶PSS/PVK/QDs/ZnO/Ag。其制備方法為：采用去離子水、異丙醇和乙醇依次對(duì)圖案化ITO 玻璃基板進(jìn)行超聲清洗20 min。氮?dú)獯蹈苫缀?，再用UV/Visible/Near infrared-臭氧處理20 min，在上述步驟之后，將PEDOT∶PSS 層以4 000 r/min/40 s 的條件旋涂在ITO 基底上，并在150 ℃溫度下退火30 min，移入手套箱以備下一膜層的制備；隨后，6 mg/mL PVK 的氯苯溶液以3 000 r/min 轉(zhuǎn)速旋涂，持續(xù)45 s，并在120 ℃退火10 min；20 mg/mL 量子點(diǎn)的正己烷溶液以3 000 r/min 轉(zhuǎn)速旋涂，持續(xù)45 s，并在70 ℃下退火10 min；30 mg/mL ZnO 的乙醇溶液以3 000 r/min 轉(zhuǎn)速旋涂，持續(xù)45 s，并在70 ℃下退火10 min；最后，利用熱蒸發(fā)薄膜沉積工藝，在真空度為10-5Pa 真空室中，蒸鍍Ag 電極。發(fā)光區(qū)域?yàn)镮TO 陽極和Ag 陰極的重疊部分，面積為6 mm2。

3 結(jié)果與討論

3.1 量子點(diǎn)的光學(xué)特性

為了探討InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)在合成過程中的光學(xué)性能，在合成過程中對(duì)InP 核、HF 刻蝕后的InP 核（InP-HF）、包覆GaP 的樣品（InP-HF/GaP），以 及 包 覆ZnS 后 的 量 子 點(diǎn)（InP-HF/GaP/ZnS）進(jìn)行了采樣和檢測(cè)。使用Lambda 750 紫外/可見/近紅外分光光度計(jì)對(duì)樣品進(jìn)行了吸收光譜測(cè)試，使用FLS 980 瞬態(tài)穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀分別對(duì)樣品進(jìn)行了發(fā)射光譜、熒光壽命以及絕對(duì)量子產(chǎn)率的測(cè)試。圖2 顯示了未經(jīng)過HF 處理的InP、InP/GaP、InP/GaP/ZnS 量 子 點(diǎn)，以 及 經(jīng) 過HF 處 理 的InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的吸收光譜、發(fā)射光譜和絕對(duì)量子產(chǎn)率的演化過程。從圖2（a）、（b）可以看出，GaP 包覆后InP 的吸收光譜和發(fā)射光譜沒有明顯的變化；ZnS 殼層包覆后，吸收和發(fā)射光譜出現(xiàn)紅移，隨著殼層的包覆，熒光量子產(chǎn)率由21%提高到73%。從圖2（c）、（d）可以看出，隨著HF 的刻蝕和每個(gè)殼層在核上的生長，吸收光譜和發(fā)射光譜都出現(xiàn)不同程度的紅移。由圖2（f）可以明顯看出，經(jīng)過HF 的處理，InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 的PLQY 值遠(yuǎn)大于未經(jīng)過HF 處理的InP、InP/GaP、InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的PLQY 值。表1 顯示了InP、InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的吸收峰、發(fā)射峰和半峰寬參數(shù)。由表1 可以看到，HF 刻蝕后，吸收峰從447 nm 紅移到472 nm，對(duì)應(yīng)的發(fā)射光譜從511 nm 紅移到541 nm，半峰寬從64 nm 增加至80 nm，PLQY 從13%提升到67%。從圖2（d）內(nèi)的插圖可以看出，HF 刻蝕后量子點(diǎn)有明顯的顏色變化和強(qiáng)度增強(qiáng)，說明加入HF 后，隨著反應(yīng)時(shí)間的延長，量子點(diǎn)尺寸繼續(xù)增加，使得吸收光譜和發(fā)射光譜紅移；但是，隨著HF 的加入，使得量子點(diǎn)的生長尺寸變得不均一（如圖3 所示），導(dǎo)致了發(fā)射光譜半峰寬增大。另外，HF 的加入可能刻蝕掉了InP 表層部分氧化物，使得量子產(chǎn)率大幅度提高[25-26,32]。隨著GaP 和ZnS 殼層的生長，表面缺陷獲得了進(jìn)一步鈍化，并且將受激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴限制在核內(nèi)，從而減少了非輻射復(fù)合，量子產(chǎn)率進(jìn)一步提高至96%。同時(shí)，吸收峰和發(fā)射峰出現(xiàn)紅移，并且半峰寬變?yōu)?5 nm 和76 nm，說明相比于HF 刻蝕的InP 核，殼層包覆之后，量子點(diǎn)的尺寸變得更為均一。

表1 InP、InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的吸收峰、發(fā)射峰和半峰寬參數(shù)Tab.1 Absorption， emission and half peak width parameters of InP， InP-HF， InP-HF/GaP and InP-HF/GaP/ZnS quantum dots

圖2 InP、InP/GaP 和InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的吸收光譜（a）、發(fā)射光譜（b）； InP、InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的吸收光譜（c）、發(fā)射光譜（d）（插圖為HF 處理InP 核前后的照片）、熒光壽命（e），以及二者的絕對(duì)量子產(chǎn)率對(duì)比圖（f）Fig.2 Absorption spectra（a） and emission spectra（b） of InP， InP/GaP and InP/GaP/ZnS quantum dots.Absorption spectra（c）， emission spectra（d）（photos of InP nuclei before and after HF treatment）， fluorescence lifetime（e）， and absolute quantum yield comparison（f） of InP， InP-HF， InP-HF/GaP and InP-HF/GaP/ZnS quantum dots

圖3 InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)。 （a）透射電鏡照片（右上角為高分辨透射電鏡照片）；（b）尺寸分布圖Fig.3 TEM photos（high-resolution transmission electron microscopy photos in the upper right corner）（a）， size distribution map（b） of InP-HF/GaP/ZnS quantum dots

為了深入了解量子點(diǎn)的激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)，我們分別測(cè)量了InP 核、InP-HF 核、InP-HF/GaP、InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的瞬態(tài)發(fā)光衰減曲線，如圖2（e）所示。利用如下三指數(shù)公式對(duì)衰減曲線進(jìn)行擬合分析：

其中，τi為第i個(gè)衰減通道的熒光壽命值，Bi為第i個(gè)衰減通道在t=0 時(shí)的強(qiáng)度值。Bi%為每個(gè)衰減通道的占比，其計(jì)算公式為[33]：

擬合結(jié)果如表2 所示。較短壽命的τ1可歸因于表面相關(guān)復(fù)合的缺陷；較長壽命的τ2為內(nèi)部缺陷的輻射復(fù)合，涉及激發(fā)后的電子從量子化的導(dǎo)帶躍遷到內(nèi)部缺陷的過程；最長壽命的τ3可歸屬于從供體到受體的復(fù)合，該復(fù)合是由空位、間隙和反空位等深缺陷態(tài)形成的。對(duì)于InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)，在HF 處理和殼層包覆后，B1、B3的值降低，而B2值和熒光量子產(chǎn)率增加，這表明HF 刻蝕減少了表面氧化缺陷狀態(tài)，如OIn和OP，并且以原子配體形式的F-鈍化了量子點(diǎn)表面的懸掛鍵。B2值（B2=90.76%）增大表明載流子通過導(dǎo)帶到價(jià)帶的輻射復(fù)合增加，表明InP-HF/GaP/ZnS量子點(diǎn)大部分屬于單通道輻射復(fù)合，使熒光量子產(chǎn)率達(dá)到96%。

表2 InP、InP-HF、InP-HF/GaP 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)瞬態(tài)熒光光譜擬合參數(shù)及熒光量子產(chǎn)率Tab.2 Fitting parameters and fluorescence quantum yield of transient fluorescence spectra of InP， InP-HF， InP-HF/GaP and InP-HF/GaP/ZnS quantum dots

3.2 量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)及形貌表征

為了考察量子點(diǎn)的粒徑大小和尺寸分布的均勻性，使用JEM-2100F 高分辨場(chǎng)發(fā)射透射電鏡在200 kV 工作電壓下對(duì)樣品進(jìn)行觀察拍攝。圖3 所示為InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的TEM 照片和尺寸分布圖，其中尺寸分布圖由相應(yīng)TEM 圖中100 顆量子點(diǎn)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果所得。可以看出，量子點(diǎn)的形貌比較規(guī)則，并且接近球形。從圖3（a）右上角的高分辨TEM 可以看出，晶格條紋十分明顯，證明量子點(diǎn)的結(jié)晶性良好。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，量子點(diǎn)的尺寸分布為（3.77±1.27） nm，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差為33%，相對(duì)寬的尺寸分布也解釋了前文InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的熒光光譜為何出現(xiàn)較寬的半峰寬。

為了探究HF 刻蝕前后InP 核的形貌變化，我們通過JEM-ARM200F 球差校正透射電鏡分別對(duì)刻蝕前后的InP 核觀察拍攝，如圖4 所示。通過對(duì)比發(fā)現(xiàn)，圖4（a）中的InP 核的大小相對(duì)均勻，尺寸約為2.21 nm。而HF 刻蝕之后，圖4（b）InP 核整體表現(xiàn)出明顯的顆粒尺寸不均一，這也和圖2（d）中的結(jié)論相一致，即加入HF 之后，InP 核的半峰寬出現(xiàn)了明顯的增大。同時(shí)，HF 刻蝕后，InP 核的平均尺寸變成2.83 nm，使得發(fā)射峰紅移。

圖4 InP（a）、InP-HF（b）、InP-HF/GaP（c）和InP-HF/GaP/ZnS（d）量子點(diǎn)的球差校正透射電鏡照片F(xiàn)ig.4 ACTEM photos of InP（a）， InP-HF（b）， InP-HF/GaP（c） and InP-HF/GaP/ZnS（d） quantum dots

另外，我們還對(duì)包覆GaP 和ZnS 殼層后的InPHF/GaP、InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)進(jìn)行觀察，如圖4（c）、（d）所示。理論上，ZnS 是成功外延的，但是由于ACTEM 照片不能看到清晰的核殼結(jié)構(gòu)，因此為了證明ZnS是否成功外延，我們進(jìn)行了XRD測(cè)試。

通過Smart lab 多功能X 射線衍射儀（XRD）進(jìn)一步對(duì)量子點(diǎn)（InP、InP-HF、InP-HF/GaP/ZnS）進(jìn)行物相和結(jié)構(gòu)分析，如圖5（a）所示。InP 核的XRD 譜衍射峰不明顯，（111）面的半峰寬較寬。在HF 處理后，InP核的閃鋅礦結(jié)構(gòu)的（220）面特征峰開始出現(xiàn)。InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)具有很好的結(jié)晶度，在包覆GaP 和ZnS 殼之后，所有指向閃鋅礦結(jié)構(gòu)的（111）、（220）和（311）面的特征峰都向ZnS峰的衍射角方向移動(dòng)。以上結(jié)果說明ZnS成功外延。

為了進(jìn)一步確認(rèn)HF 處理對(duì)量子點(diǎn)的影響，利用ESCALAB 250Xi光電子能譜儀，采用單色化Al、Kα、X 射線源對(duì)樣品進(jìn)行了測(cè)試。圖5（b）為InP、InP-HF 和InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的XPS 譜。可以看出，HF處理后，InP核在686 eV 的位置出現(xiàn)了F1s的特征峰[23]，說明F-可以作為表面配體吸附在InP核的表面。InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)的XPS 譜說明了Zn2p、O1s、In3d 和S2p 的存在，其特征峰分別在1 023，532，445，162 eV。圖5（c）、（d）為InP 和InPHF 核 的P2p 和In3d 的XPS 譜、圖。從P2p XPS 譜、圖中可以看出，有關(guān)Zn3s的峰位于139～141 eV，因?yàn)樵诹孔狱c(diǎn)合成過程中引入了Zn 前體。對(duì)于InP的P2p XPS 譜，位于132～136 eV 的峰為InPOx[34-35]，在129～132 eV位置不明顯的峰與InP有關(guān)，這表明InP 核大部分已經(jīng)被氧化。在HF 處理后，InP 的P3-在127～130 eV 范圍內(nèi)的特征峰變得明顯，這是因?yàn)檠趸瘜涌梢酝ㄟ^HF 被部分刻蝕[36]。InP 核的In3d 包含位于443～447 eV 和451～455 eV 處的兩個(gè)寬峰，并且可以被擬合成與InPOx和InP相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)分量[37]。在HF 處理后，In3d 譜圖顯示出InP 的兩個(gè)窄峰，分別位于444～447 eV（3d5/2）和452～454 eV（3d3/2）。綜上，HF 處理可以有效刻蝕InP 核表面的氧化物，進(jìn)而提高量子點(diǎn)的光學(xué)性能。

3.3 QLED 器件性能

將合成的InP-HF/GaP/ZnS 量子點(diǎn)應(yīng)用于QLED 器件上，圖6（a）所示為其結(jié)構(gòu)示意圖，依次 為ITO、PEDOT∶PSS、PVK、QDs、ZnO 和Ag 電極。圖6（b）給出各膜層相應(yīng)的能級(jí)分布圖，電子和空穴分別從Ag 和ITO 兩電極注入，并在量子點(diǎn)發(fā)光層中復(fù)合。圖6（c）為電流效率、電壓、亮度（J-V-L）特征曲線，可以看出，其啟亮電壓為3.1 V，最高亮度為30 466 cd/m2。圖6（d）為電流效率、外量子效率和注入電流（CE-J-EQE）關(guān)系曲線，其最高電流效率為6.63 cd/A，最大外量子效率為3.83%。

圖6 QLED 器件的結(jié)構(gòu)示意圖（a），膜層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的能級(jí)排列圖（b），電流效率、電壓、亮度特征曲線（c）和電流效率、外量子效率與注入電流的關(guān)系曲線（d）Fig.6 Structural schematic diagram（a）， energy level arrangement diagram corresponding to the film layer structure（b）， current efficiency， voltage， brightness characteristic curve（c）， and relationship curve between current efficiency， external quantum efficiency， and injection current（d） of QLED device

4 結(jié) 論

本文系統(tǒng)地研究了HF 處理對(duì)InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)發(fā)光性能的影響。采用HF 原位注入法制備InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)，通過UV/Visible/Near infrared、PL、TEM、ACTEM、XRD、XPS 等測(cè)試手段，分析了HF 對(duì)InP 量子點(diǎn)處理的影響。結(jié)果表明，HF刻蝕減少了量子點(diǎn)表面氧化缺陷狀態(tài)，有效控制InP 核表面的氧化，并且以原子配體形式的F-鈍化了量子點(diǎn)表面的懸掛鍵，顯著提升了量子點(diǎn)的光學(xué)性能。HF 處理的InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)具有最佳的發(fā)光性能，PLQY 高達(dá)96%。另外，用HF 處理InP/GaP/ZnS 量子點(diǎn)制備的發(fā)光二極管，其電流效率為6.63 cd/A，最佳外量子效率（EQE）為3.83%。HF 原位注入處理雖然提高了熒光量子產(chǎn)量，但是也帶來了半峰寬增寬的問題，會(huì)直接影響器件的色純度。未來我們將進(jìn)一步優(yōu)化制備工藝，如非原位HF 處理等方法，制備出適于顯示器件應(yīng)用的高量子產(chǎn)率和高色純度的量子點(diǎn)。

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