金雯雯

[摘 要]目的 分析經(jīng)陰道分娩會陰側(cè)切產(chǎn)婦應用皮下改良縫合技術(shù)配合外陰半導體激光療法的臨床效果及對瘢痕形成的影響。方法 選取2023年3月-2024年2月在我院經(jīng)陰道分娩會陰側(cè)切的74例產(chǎn)婦為研究對象，采用隨機數(shù)字表法分為對照組和觀察組，各組37例。對照組采用分層間斷縫合技術(shù)，觀察組采用皮下改良縫合技術(shù)+外陰半導體激光療法，比較兩組臨床手術(shù)指標、產(chǎn)婦疼痛評分（VAS）、切口愈合情況、瘢痕評分（PSAS）、切口并發(fā)癥發(fā)生率。結(jié)果 觀察組縫合時間、切口愈合時間、瘢痕寬度、下床活動時間均優(yōu)于對照組（P<0.05）；觀察組產(chǎn)后第1、3、5天VAS評分均低于對照組（P<0.05）；觀察組瘢痕愈合率為94.59%，高于對照組的81.08%（P<0.05）；觀察組瘢痕色素沉著、表面平整度、柔韌度、表面積評分均低于對照組（P<0.05）；觀察組切口并發(fā)癥發(fā)生率低于對照組（P<0.05）。結(jié)論 經(jīng)陰道分娩會陰側(cè)切產(chǎn)婦應用皮下改良縫合技術(shù)配合外陰半導體激光療法可促進切口愈合，改善瘢痕評分，減輕產(chǎn)婦疼痛程度，降低切口并發(fā)癥發(fā)生率，具有良好的應用效果。

[關鍵詞] 陰道分娩；會陰側(cè)切；皮下改良縫合；外陰半導體激光療法

[中圖分類號] R719.9 [文獻標識碼] A [文章編號] 1004-4949（2024）08-0118-04

Effect of Subcutaneous Modified Suture Technique Combined with Vulva Semiconductor Laser Therapy in Vaginal Delivery Parturients with Episiotomy and its Influence on Scar Formation

JIN Wen-wen

（Cervical Disease Clinic， Zhifu District Maternal and Child Health Hospital， Yantai 264001， Shandong， China）

[Abstract]Objective To analyze the clinical effect of subcutaneous modified suture technique combined with vulva semiconductor laser therapy in vaginal delivery parturients with episiotomy and its influence on scar formation. Methods From March 2023 to February 2024， 74 parturients who underwent episiotomy during vaginal delivery in our hospital were selected as the research objects. They were divided into control group and observation group by random number table method， with 37 parturients in each group. The control group was treated with layered interrupted suture， and the observation group was treated with subcutaneous modified suture technique+vulva semiconductor laser therapy. The clinical operation indexes， maternal pain score （VAS）， incision healing， scar score （PSAS） and incidence of incision complications were observed and compared between the two groups. Results The suture time， wound healing time， scar width and ambulation time of the observation group were better than those of the control group （P<0.05）. The VAS score of the observation group on the 1st， 3rd and 5th day after delivery was lower than that of the control group （P<0.05）. The scar healing rate of the observation group was 94.59%， which was higher than 81.08% of the control group （P<0.05）. The scores of scar pigmentation， surface smoothness， flexibility and surface area in the observation group were lower than those in the control group （P<0.05）. The incidence of incision complications in the observation group was lower than that in the control group （P<0.05）. Conclusion Subcutaneous modified suture technique combined with vulva semiconductor laser therapy can promote wound healing， improve scar score，reduce maternal pain and the incidence of incision complications， and has a good application effect.

[Key words] Vaginal delivery； Episiotomy； Subcutaneous modified suture； Vulva semiconductor laser

陰道分娩（vaginal delivery）是胎兒通過陰道分娩出體外的一個過程，是臨床正常分娩方式[1]。但是在分娩過程中，因胎兒過大、會陰過緊、胎兒體位不正等，會對軟產(chǎn)道造成損傷，甚至是撕裂[2]。同時分娩時間過長，會增加新生兒窒息風險[3]?；诖耍R床對于陰道分娩不順利的產(chǎn)婦多采用會陰側(cè)切術(shù)，即于會陰部做斜形切口，以預防產(chǎn)婦發(fā)生撕裂，促進產(chǎn)程順利進展，并且對產(chǎn)婦盆底肌也具有一定的保護作用，利于產(chǎn)后康復[4]。目前臨床縫合技術(shù)較多，例如傳統(tǒng)的分層縫合、間斷縫合、皮內(nèi)縫合等，但多存在愈合不佳、瘢痕形成顯著等問題[5]。隨著現(xiàn)代技術(shù)的不斷發(fā)展，新型皮下改良縫合技術(shù)應運而生，可避免以上縫合方法的缺陷。半導體激光療法通過局部激光照射，可促進組織修復[6]。因此，改良縫合技術(shù)配合外陰半導體激光療法可改善會陰側(cè)切效果，本研究主要觀察改良縫合技術(shù)+外陰半導體激光療法的治療效果，現(xiàn)報道如下。

1 資料與方法

1.1 一般資料 選取2023年3月-2024年2月煙臺市芝罘區(qū)婦幼保健院經(jīng)陰道分娩會陰側(cè)切的74例產(chǎn)婦為研究對象，采用隨機數(shù)字表法分為對照組和觀察組，各組37例。對照組年齡23～35歲，平均年齡（28.19±4.30）歲；孕周38～41周，平均孕周（38.29±0.82）歲。觀察組年齡24～36歲，平均年齡（27.30±3.29）歲；孕周37～42周，平均孕周（39.20±0.91）歲。兩組年齡、孕周比較，差異無統(tǒng)計學意義（P>0.05），具有可比性。

1.2 納入及排除標準 納入標準：①符合陰道分娩指征[7]；②均進行會陰側(cè)切[8]；③無凝血功能障礙、妊娠合并癥與并發(fā)癥[9，10]；④產(chǎn)婦自愿參加本研究，并簽署知情同意書。排除標準：①早產(chǎn)或剖宮產(chǎn)者；②合并瘢痕子宮、下腹部手術(shù)史者；③合并胎膜早破、宮腔感染等。

1.3 方法

1.3.1對照組 采用分層間斷縫合技術(shù)：于會陰切口尖部0.5 cm位置進針，依據(jù)層次順序縫合陰道黏膜、提肛肌、皮下組織、皮膚，黏膜、肌層和皮下組織，應用3號可吸收線間斷縫合，皮膚應用1號線間斷縫合，術(shù)后3～5 d依據(jù)切口愈合情況進行拆線。

1.3.2觀察組 采用皮下改良縫合技術(shù)+外陰半導體激光療法：進針位置與對照組相同，應用可吸收3號線連續(xù)縫合陰道黏膜，在處女膜位置打結(jié)。不間斷縫線，繼續(xù)于處女膜位置內(nèi)側(cè)進針連續(xù)縫合肌層、皮下組織，針距控制在1 cm左右，直至切口尖端不打結(jié)，繼續(xù)穿針于皮膚、皮下脂肪交界部位連續(xù)縫合皮下組織，針距為0.5 cm。最后，穿針至處女膜內(nèi)側(cè)打結(jié)處理，結(jié)束縫合操作，術(shù)后無須拆線。采用半導體激光治療儀（深圳市美益康科技有限公司，型號：JLP-280）治療，產(chǎn)婦取半臥截石位，光斑直徑5 cm，光束與創(chuàng)面垂直位，治療面板距離會陰傷口6 cm，自產(chǎn)后當日開始，30 min/次，1次/d，連續(xù)治療3 d。

1.4 觀察指標

1.4.1比較兩組臨床手術(shù)指標（縫合時間、切口愈合時間、瘢痕寬度、下床活動時間）。

1.4.2評估兩組疼痛程度 采用視覺模擬評分法（VAS）[11]，依據(jù)疼痛程度分為無痛、輕度、中度以及重度，依次記為0、1～3、4～6、7～10分，評分越高表示疼痛度越大。

1.4.3評定兩組瘢痕恢復情況 采用PSAS量表評定[12]，每項分值為1～10分，其中1分代表正常，10分代表最差，評分越低表示瘢痕恢復越好。

1.4.4調(diào)查兩組愈合情況 愈合標準[13]：若切口部皮膚邊緣貼合整齊，無紅腫、硬結(jié)等為愈合良好。

1.4.5記錄兩組切口并發(fā)癥發(fā)生率 記錄患者切口滲液、線結(jié)反應、切口瘢痕增生、切口皮膚紅腫的發(fā)生情況。

2 結(jié)果

2.1 兩組臨床手術(shù)指標比較 觀察組縫合時間、切口愈合時間、瘢痕寬度、下床活動時間均優(yōu)于對照組（P<0.05），見表1。

2.2 兩組VAS評分比較 觀察組產(chǎn)后第1、3、5天VAS評分均低于對照組（P<0.05），見表2。

2.3 兩組瘢痕愈合率比較 觀察組瘢痕愈合率為94.59%（35/37），高于對照組的81.08%（30/37）（χ2=9.193，P=0.000）。

2.4 兩組瘢痕評分比較 觀察組瘢痕色素沉著、表面平整度、柔韌度、表面積評分均低于對照組（P<0.05），見表3。

2.5 兩組切口并發(fā)癥發(fā)生率比較 觀察組發(fā)生切口滲液1例、線結(jié)反應1例，發(fā)生率為5.41%（2/37）；對照組發(fā)生切口滲液2例、線結(jié)反應1例、切口瘢痕增生1例、切口皮膚紅腫2例，發(fā)生率為16.22%（6/37）。觀察組切口并發(fā)癥發(fā)生率低于對照組（χ2=6.541，P=0.012）。