刻蝕設備市場空間巨大。據(jù)Factor Equilibrium數(shù)據(jù)，2016年全球刻蝕設備市場為78億美元；2017年～2025年市場銷售額復合增長率為6.8%。受益建廠潮，國內產線建設拉動20億美元刻蝕設備需求。國產刻蝕設備占有率不到20%，國產化率極低。制程不斷推進及設計結構日益復雜是推動刻蝕設備市場的核心邏輯。新的制造工藝，如多重圖形、基于金屬硬掩模的雙大馬士革工藝、淺溝道刻蝕、高深寬比和高選擇比刻蝕等技術不斷對刻蝕設備提出挑戰(zhàn)。結構上，動態(tài)隨機存取存儲器和Logic/Foundry小型化、3D NAND堆疊層數(shù)不斷增多、鰭式場效應晶體管成為主流等結構創(chuàng)新，使得刻蝕難度和刻蝕步驟不斷增加，拉動刻蝕設備需求和發(fā)展。

干法刻蝕是市場主流，硅刻蝕難度最大，反應離子刻蝕是目前業(yè)界重點發(fā)展方向，原子層刻蝕是未來之星。硅刻蝕作為晶體管層刻蝕，刻蝕選擇比達到150：1，14納米下深寬比達到約30：1，難度最大。

海外公司稱霸市場，“內部研發(fā)+外延并購”打造具有技術優(yōu)勢的平臺型企業(yè)，解決方案逐步升級。泛林和應用材料在全球刻蝕領域市場份額位列第一名和第三名。國內刻蝕公司服務優(yōu)勢明顯，技術緊跟步伐，有望實現(xiàn)彎道超車。國內公司具有地理優(yōu)勢，服務響應快速。北方華創(chuàng)主攻硅刻蝕和金屬刻蝕，14納米制程已進入驗證階段；8英寸高密度等離子硅刻蝕機已進入中芯國際產線；深硅刻蝕機成功挺進東南亞市場。中微半導體深耕介質刻蝕設備，7納米制程已實現(xiàn)量產，并成功進入臺積電產線；5納米制程正在研發(fā)；電容型介質刻蝕設備已進入全球前三；硅通孔刻蝕設備方面，8英寸和12英寸設備國內市占率超過50%。

（國泰君安）