本征
- (AlxGa1-x)2O3結(jié)構(gòu)、電子和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
性原理計(jì)算研究了本征缺陷對(duì)(AlxGa1-x)2O3電子和光學(xué)性質(zhì)的影響。遺憾的是,該工作并未涉及Al濃度對(duì)結(jié)構(gòu)和性能的影響研究,而Al摻雜濃度對(duì)于探究β-Ga2O3帶隙變化原理至關(guān)重要。最近,Mondal等[15]從理論上確定了Ca摻雜α-Ga2O3的微弱p型電導(dǎo)率,為克服制備p型Ga2O3所面臨的困難提供了新思路。然而,關(guān)于Al濃度與(AlxGa1-x)2O3性質(zhì)之間的關(guān)系,尚缺乏深入研究。2014年,鄭樹文等[16]采用第一性原理方法分析了Al摻雜對(duì)
人工晶體學(xué)報(bào) 2023年9期2023-09-22
- Mn，F(xiàn)e，Co摻雜GaAs電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
研究時(shí)加入雜質(zhì)在本征材料中，摻雜材料相較于本征材料而言，性能將得到一定程度的改善[4,5].就目前而言，未摻雜的GaAs性質(zhì)有著諸多局限性，如對(duì)紅外光的吸收率普遍較低，與熱輻射器不能有效的相適應(yīng)以及實(shí)際轉(zhuǎn)換效率不高等問題[6-8]. 一些科研工作者對(duì)未摻雜和摻雜的GaAs化合物進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)研究. 如Arabi等[9]利用第一性原理計(jì)算了四種結(jié)構(gòu)(zinc-blende，sc16，cinnabar和Cmcm)的GaAs半導(dǎo)體材料的晶格常數(shù)、體積模量等.
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2022年1期2022-12-07
- Generative Adversarial Network Based Heuristics for Sampling-Based Path Planning
布的旋轉(zhuǎn)和SPP本征模表達(dá)式出發(fā)推導(dǎo)出幾何相位.上述波導(dǎo)中的n階SPP場(chǎng)量都具有如下形式：Fig. 4. The detailed structure of GAN model for promising region generation.B. Evaluation MethodsWe evaluate our model from two aspects. As an image generation problem, we evaluate the
- 深入理解VLAN 工作機(jī)制
標(biāo)簽的報(bào)文，打上本征 VLAN ID。對(duì)帶VLAN 標(biāo)簽的報(bào)文，當(dāng)VLAN ID 在接口允許通過的VLAN ID列表里時(shí)，接收該報(bào)文。發(fā)送報(bào)文：當(dāng)VLAN ID 與本征VLAN ID 相同，且是該接口允許通過的VLAN ID 時(shí)，去掉VLAN 標(biāo)簽并發(fā)送該報(bào)文；當(dāng)VLAN ID與本征VLAN ID 不同，且是該接口允許通過的VLAN ID 時(shí)，保持原有VLAN 標(biāo)簽，發(fā)送該報(bào)文。因?yàn)镻C0 和PC2 之間需要通過trunk 鏈路，所以數(shù)據(jù)被打上PC0所接入
網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)與應(yīng)用 2022年9期2022-10-14
- 直鏈和單環(huán)共軛多烯本征行列式遞推公式及本征能級(jí)的推導(dǎo)
鏈共扼多烯和輪烯本征多項(xiàng)式的一般表達(dá)式，找到了分子整體與其片段之間的分子圖形和本征多項(xiàng)式的對(duì)應(yīng)關(guān)系，獲得了求解高階久期行列式方法。由于唐-江方法涉及較多的群論、圖論等數(shù)學(xué)知識(shí)，在本科教學(xué)中通常僅給出本征行列式的遞推公式[4-7]，但教學(xué)過程中發(fā)現(xiàn)學(xué)生對(duì)公式表示難于理解，期望明白公式的來源。本文在早期工作的基礎(chǔ)上[8-11]，用數(shù)學(xué)歸納法系統(tǒng)地對(duì)直鏈和單環(huán)共軛多烯本征多項(xiàng)式的遞推公式及其三角函數(shù)表達(dá)式進(jìn)行了重新推導(dǎo)，校正了一些常見的表達(dá)錯(cuò)誤，推導(dǎo)過程僅需要初
大學(xué)化學(xué) 2022年7期2022-09-03
- 基于AKPCA 算法的井下WLAN 位置指紋定位
算法的關(guān)鍵環(huán)節(jié)是本征維數(shù)的計(jì)算與確定，本征維數(shù)選取的恰當(dāng)與否直接決定了位置指紋定位系統(tǒng)的定位精度。 目前，對(duì)于本征維數(shù)的計(jì)算主要通過最大似然估計(jì)獲得。 這一方式雖然計(jì)算效率高且無需準(zhǔn)備大量經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)，但由于該方法中的本征維數(shù)大小主要依賴于以數(shù)據(jù)中心點(diǎn)為半徑的球形覆蓋范圍內(nèi)近鄰數(shù)據(jù)點(diǎn)固定個(gè)數(shù)L的取值，而L的取值又和井下定位巷道結(jié)構(gòu)有一定的關(guān)系。 聚類劃分后的位置指紋數(shù)據(jù)庫被分為多個(gè)由不同巷道結(jié)構(gòu)的參考點(diǎn)的位置指紋樣本組成的子位置指紋圖，如果此時(shí)設(shè)定相同的L，這
煤炭科學(xué)技術(shù) 2022年3期2022-04-29
- 基于第一性原理計(jì)算的ΙA族元素?fù)诫sp型ZnO光電學(xué)特性研究*
第一性原理研究了本征ZnO和Li-N、Li-2N 共摻ZnO的電子結(jié)構(gòu), 發(fā)現(xiàn)共摻對(duì)載流子濃度提高很大，而對(duì)光學(xué)性質(zhì)影響不大。然而，從理論上對(duì)于ⅠA族元素?fù)诫s形成的p型ZnO光電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行比較的相關(guān)研究并不多。本文利用第一性原理研究了Li、Na、K摻雜ZnO的光電學(xué)性質(zhì)，對(duì)實(shí)現(xiàn)ZnO的p型轉(zhuǎn)化具有一定的意義。1 模型及計(jì)算方法常溫常壓下，理想ZnO晶體結(jié)構(gòu)是空間群為P63mc的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，ZnO原胞模型中包含兩個(gè)Zn原子和兩個(gè)O原子，實(shí)驗(yàn)晶格常數(shù)為a=
功能材料 2022年2期2022-03-14
- Cu-N共摻β-Ga2O3的光電性質(zhì)的第一性原理計(jì)算
所知，目前雖然對(duì)本征β-Ga2O3以及Mn、Ti等原子摻雜后β-Ga2O3體系的電子結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性質(zhì)等物理特性已進(jìn)行了相關(guān)的研究[10-13]，但對(duì)于Cu-N(N3-的離子半徑與O2-相接近，是β-Ga2O3中很有前途的p型摻雜劑)共摻對(duì)β-Ga2O3的光學(xué)性質(zhì)的研究目前還未被報(bào)道[14].因此本文利用第一性原理對(duì)本征β-Ga2O3以及Cu-N共摻后β-Ga2O3的晶格常數(shù)以及光電性質(zhì)進(jìn)行了相應(yīng)的計(jì)算與研究，為后續(xù)的理論研究以及實(shí)驗(yàn)制備提供一定的理論參考.
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2022年2期2022-03-04
- 含缺陷的二維CuI光電性質(zhì)的第一性原理計(jì)算
計(jì)算上還未有人對(duì)本征CuI單層進(jìn)行理論計(jì)算，為進(jìn)一步探究二維CuI的基本物性，因此展開對(duì)二維CuI光電特性的研究顯得尤為重要. 此外，由于γ-CuI在制備的過程中會(huì)不可避免的出現(xiàn)本征缺陷，進(jìn)而影響材料的性能，因此探究本征缺陷對(duì)二維CuI的結(jié)構(gòu)、光電特性的影響極具研究意義. 因此本文利用第一性原理計(jì)算并分析了本征缺陷對(duì)二維CuI的光電特性，為實(shí)驗(yàn)上進(jìn)一步探究2Dγ-CuI提供一定的理論參考.2 計(jì)算模型與方法體相γ-CuI屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)，其晶格常數(shù)為:a=b
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-03-04
- 面向本征圖像分解的高質(zhì)量渲染數(shù)據(jù)集與非局部卷積網(wǎng)絡(luò)
級(jí)視覺問題，稱為本征圖像分解，該問題由Barrow和Tenebaum(1978)首次定義。在理想的漫反射環(huán)境中，一幅輸入圖像的每個(gè)像素可以分解為反照率和亮度的乘積。由于未知量的數(shù)目是已知量的兩倍，從單個(gè)輸入圖像恢復(fù)場(chǎng)景的反照率成分和亮度成分是高度不適定的。但由于其巨大的應(yīng)用潛力，這項(xiàng)任務(wù)一直受到學(xué)者們的廣泛關(guān)注。之前的工作提出了各種基于先驗(yàn)和統(tǒng)計(jì)的模型，包括Retinex模型(Land和McCann，1971)、非局部紋理線索(Zhao等，2012)和全局
中國圖象圖形學(xué)報(bào) 2022年2期2022-02-28
- Be, Si 摻雜調(diào)控GaAs 納米線結(jié)構(gòu)相變及光學(xué)特性*
的生長(zhǎng)方式制備了本征、Si 摻雜和Be 摻雜GaAs 納米線, 對(duì)其結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進(jìn)行分析. Raman 光譜顯示本征GaAs 納米線存在一個(gè)明顯的WZ 結(jié)構(gòu)特有的E2 模式峰, 摻雜GaAs 納米線的E2 模式峰明顯減弱甚至消失. GaAs 納米線的高分辨透射電鏡(highresolution transmission electron microscope,HRTEM)及選區(qū)電子衍射(selected area electron diffraction
物理學(xué)報(bào) 2021年20期2021-12-23
- 扭轉(zhuǎn)變形對(duì)摻金黑磷烯電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響*
響.研究發(fā)現(xiàn),與本征黑磷烯受扭體系相比,摻金黑磷烯體系的電子結(jié)構(gòu)對(duì)扭轉(zhuǎn)變形的敏感度提高.能帶結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn),本征黑磷烯是直接帶隙半導(dǎo)體,金摻雜后,可實(shí)現(xiàn)其從半導(dǎo)體到金屬的轉(zhuǎn)變.摻金黑磷烯體系扭轉(zhuǎn)1°后,帶隙被打開,成為間接帶隙半導(dǎo)體.隨著扭轉(zhuǎn)角的增加,本征黑磷烯體系的帶隙增長(zhǎng)緩慢,而摻金黑磷烯體系的帶隙呈先減小后增加,再減小的趨勢(shì).從態(tài)密度分析發(fā)現(xiàn),扭轉(zhuǎn)角為0°—5°時(shí),本征黑磷烯體系具有很強(qiáng)的sp 軌道雜化,s 軌道和p 軌道對(duì)導(dǎo)帶和價(jià)帶均有貢獻(xiàn),但p 軌
物理學(xué)報(bào) 2021年22期2021-12-09
- 基于APDL 語言的本征應(yīng)變法重構(gòu)激光沖擊強(qiáng)化后的殘余應(yīng)力場(chǎng)
種應(yīng)變被稱之為“本征應(yīng)變”或“固有應(yīng)變”，是固體內(nèi)部所有非彈性不可恢復(fù)應(yīng)變的加和。Korsunsky 等[14]在此基礎(chǔ)上提出本征應(yīng)變的“可轉(zhuǎn)移性”， 指出固體中的本征應(yīng)變分布對(duì)于幾何變化的敏感性要遠(yuǎn)小于對(duì)加工過程中參數(shù)變化的敏感性，即在保持加工參數(shù)不變的情況下，在簡(jiǎn)單幾何體中得到的本征應(yīng)變分布規(guī)律也適用于復(fù)雜幾何體中，并根據(jù)本征應(yīng)變分布重構(gòu)了平板對(duì)接焊后的殘余應(yīng)力場(chǎng)，結(jié)果驗(yàn)證了“可轉(zhuǎn)移性”的猜想。劉川等[15-16]使用本征應(yīng)變法重構(gòu)了攪拌摩擦焊后的鋁合
電加工與模具 2021年5期2021-11-05
- Sc、Ce摻雜CrSi2的電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理
一性原理研究表明本征CrSi2是間接帶隙半導(dǎo)體，能帶計(jì)算結(jié)果為0.38 eV，La摻雜后帶隙變?yōu)?.07 eV，摻雜后CrSi2的靜態(tài)介電常數(shù)虛部介電峰向低能方向偏移且增強(qiáng),光學(xué)吸收邊向低能方向移動(dòng),吸收峰減小。據(jù)以往研究，摻雜Sc元素能有效提高材料的熱電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和電導(dǎo)率[16-18]，Ce元素的引入能調(diào)控材料的磁學(xué)性質(zhì)和導(dǎo)電性質(zhì)[19-21]。本文采用基于密度泛函理論的第一性原理贗勢(shì)平面波方法對(duì)Sc、Ce單摻、共摻CrSi2的幾何結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年8期2021-09-22
- 隨機(jī)勢(shì)場(chǎng)對(duì)氫原子能量本征問題的影響
程得到體系的能量本征值及其對(duì)應(yīng)的本征波函數(shù),進(jìn)而了解該系統(tǒng)中粒子的能量狀態(tài)。但是大部分定態(tài)薛定諤方程無法精確求解,例如考慮外部干擾情形下的氫原子系統(tǒng)中電子的能量本征問題,數(shù)值解法的運(yùn)用就顯得十分重要。近年來,研究人員采用數(shù)值解法已求解了若干種外界影響下氫原子中電子的能級(jí)。其中,具有局部控制能力的B樣條插值方法,通過調(diào)節(jié)其節(jié)點(diǎn)分布不但可以減少B樣條基組數(shù)量,減少計(jì)算量,還可以設(shè)置重節(jié)點(diǎn)解決原子計(jì)算中遇到的奇點(diǎn)問題。作為一種強(qiáng)有力的數(shù)值解法,B樣條插值方法一直
量子電子學(xué)報(bào) 2021年4期2021-08-17
- 基于深度學(xué)習(xí)的圖像本征屬性預(yù)測(cè)方法綜述
于深度學(xué)習(xí)的圖像本征屬性預(yù)測(cè)方法綜述沙 浩1，劉 越1,2(1. 北京理工大學(xué)光電學(xué)院，北京 100081；2. 北京電影學(xué)院未來影像高精尖創(chuàng)新中心，北京 100088)真實(shí)世界的外觀主要取決于場(chǎng)景內(nèi)對(duì)象的幾何形狀、表面材質(zhì)及光照的方向和強(qiáng)度等圖像的本征屬性。通過二維圖像預(yù)測(cè)本征屬性是計(jì)算機(jī)視覺和圖形學(xué)中的經(jīng)典問題，對(duì)于圖像三維重建、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等應(yīng)用具有重要意義。然而二維圖像的本征屬性預(yù)測(cè)是一個(gè)高維的、不適定的逆向問題，通過傳統(tǒng)算法無法得到理想結(jié)果。針對(duì)近年
圖學(xué)學(xué)報(bào) 2021年3期2021-07-12
- 再談“PT 對(duì)稱的非厄米體系的能譜性質(zhì)”
是因?yàn)槎蛎姿惴?span id="syggg00" class="hl">本征值為實(shí)數(shù), 是可觀測(cè)量. 而且量子態(tài)在厄米哈密頓量中隨時(shí)間的演化是幺正變換, 保證幾率守恒律[1], 然而對(duì)于PT對(duì)稱(宇稱-時(shí)間反演對(duì)稱)的非厄米系統(tǒng)也可以具有實(shí)數(shù)本征譜[2]. 文獻(xiàn)[3]基于PT對(duì)稱的一維緊束縛模型討論了體系虛數(shù)勢(shì)能對(duì)其能譜的影響, 但文章只討論了偶數(shù)格點(diǎn)系統(tǒng)能譜變化的特點(diǎn). 本文在文獻(xiàn)[3]的基礎(chǔ)上, 對(duì)PT 對(duì)稱的非厄米體系的能譜性質(zhì)重新進(jìn)行了討論.1 PT對(duì)稱的非厄米模型為了文章的完整性, 我們從文獻(xiàn)[3]建
大學(xué)物理 2021年5期2021-04-27
- 物理氣相沉積銅膜本征應(yīng)力形成機(jī)制及影響因素研究進(jìn)展
中，Cu膜會(huì)形成本征應(yīng)力，導(dǎo)致Cu膜彎曲變形，這不利于后期對(duì)Cu膜的高精度加工和高可靠應(yīng)用，在本征應(yīng)力非常高的情況下，甚至?xí)?dǎo)致Cu膜開裂和脫落[5-8]。用PVD制備Cu膜的本征應(yīng)力類型和高低隨膜厚呈現(xiàn)出一定規(guī)律的變化[9-11]，本征應(yīng)力會(huì)受到鍍膜方法[12]、基底狀態(tài)[13-14]、鍍膜工藝參數(shù)[15-17]等的顯著影響?？蒲腥藛T研究了Cu膜本征應(yīng)力的形成機(jī)制、演變規(guī)律和影響因素，為降低或消除Cu膜本征應(yīng)力提供了理論依據(jù)和技術(shù)途徑。本文根據(jù)近幾年用P
真空與低溫 2021年2期2021-03-29
- 任意形狀熱夾雜位移場(chǎng)的三角形單元離散算法1)
彈性應(yīng)變統(tǒng)稱為“本征應(yīng)變”.如果本征應(yīng)變只存在于基體的某局部區(qū)域,力學(xué)家Eshelby[3]將該區(qū)域命名為“夾雜”.Eshelby 夾雜問題[4]是固體力學(xué)中的一個(gè)經(jīng)典課題,我國力學(xué)工作者在夾雜及其相關(guān)問題上的研究也取得豐碩成果[5-10].夾雜問題在固體力學(xué)及材料科學(xué)領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用.在真實(shí)的工程零部件材料中,夾雜形狀各異,不規(guī)則形狀?yuàn)A雜的解析解通常不易獲得.1961 年Eshelby[3]完成了無限大基體材料中橢球夾雜問題的開創(chuàng)性工作,并提出經(jīng)典的Es
力學(xué)學(xué)報(bào) 2021年1期2021-03-24
- 一種適用于毫米波的InP HBT小信號(hào)模型與參數(shù)提取方法
器件的寄生參數(shù)和本征參數(shù),但小信號(hào)模型適用的頻率范圍為250 MHz～65 GHz。文獻(xiàn)[8]中李歐鵬等采用電磁仿真(EM)方法提取了InP HBT器件寄生參數(shù),適用頻率為0～325 GHz,但該方法實(shí)現(xiàn)復(fù)雜且不能對(duì)本征參數(shù)進(jìn)行提取。文獻(xiàn)[9]中Weimann等簡(jiǎn)化了EM方法并提取了寄生參數(shù),但是同樣缺乏對(duì)本征參數(shù)的提取和分析。綜上所述,目前缺乏一種簡(jiǎn)單、高效且適用于毫米波頻段的InP HBT寄生參數(shù)和本征參數(shù)的提取分析方法。為了解決上述問題,作者通過器件
電子元件與材料 2021年1期2021-02-05
- 基于經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解的粒子圖像測(cè)速流場(chǎng)重構(gòu)研究
琪等基于速度場(chǎng)的本征正交分解后處理技術(shù),通過迭代方法有效地實(shí)現(xiàn)了錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的識(shí)別與修復(fù)[8]。吳龍華等在對(duì)人腦判別PIV錯(cuò)誤數(shù)據(jù)方式進(jìn)行模擬的基礎(chǔ)上,建立了可以進(jìn)行準(zhǔn)確錯(cuò)誤數(shù)據(jù)識(shí)別的多證據(jù)推理Hopfield神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型[9]。王晉軍等引入不可壓縮連續(xù)性方程對(duì)PIV測(cè)得的流場(chǎng)數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理,使得修正后的流場(chǎng)嚴(yán)格滿足差分形式的連續(xù)性方程,實(shí)現(xiàn)了流場(chǎng)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確修正[10]。阮曉東等采用Delaunay網(wǎng)格技術(shù)建立了基于流體連續(xù)性假設(shè)的自動(dòng)檢測(cè)PIV數(shù)據(jù)中錯(cuò)誤數(shù)據(jù)
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年1期2021-02-01
- 本征邊界積分方程法模擬含流體粒子固體的性能
by 等效夾雜和本征應(yīng)變解的各種理論分析[7-8]和數(shù)值計(jì)算[9]的研究. 在各種物理問題中， 本征應(yīng)變解可適用于非協(xié)調(diào)熱應(yīng)變、相變、塑性應(yīng)變以及殘余應(yīng)力的固有應(yīng)變[10]等問題. 通過對(duì)Eshelby等效夾雜物的替換， 本征應(yīng)變還可用來處理固體基體中的異質(zhì)體如夾雜粒子、孔洞[11]等問題. Eshelby 等效夾雜理論在材料科學(xué)、力學(xué)、物理、工程等問題中均有廣泛的應(yīng)用. 近年來， 通過將邊界積分方程與Eshelby 等效夾雜理論相結(jié)合， 已有研究者提出了
- 升降算符在一維諧振子能級(jí)討論中的應(yīng)用
(10)2 能量本征值的推導(dǎo)(11)(12)(13)(14)(15)取本征矢|E′〉，并將其被算式(15)作用易得(16)E′，E′-?ω，E′-2?ω，…(17)對(duì)于基態(tài)的能量，根據(jù)式(10)(18)易得E0=?ω/2(19)根據(jù)式(8)和式(10)可得(20)(21)E′，E′+?ω，E′+2?ω，…(22)另外，由式(6)可以對(duì)式(10)做進(jìn)一步的處理為(23)(24)3 能量本征波函數(shù)的推導(dǎo)設(shè)諧振子基態(tài)波函數(shù)為ψ0(x)，由于(25)根據(jù)式(3)和
商丘師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年12期2020-11-10
- 鐵（211）薄膜的反常霍爾效應(yīng)
三項(xiàng)電導(dǎo)率分別是本征貢獻(xiàn)（σint）、非本征的 skew scattering 貢獻(xiàn)（σsk）和非本征的 side jump 貢獻(xiàn)（σsj）.本征貢獻(xiàn)是KARPLUS 和 LUTTINGER［4］提出的，從理論上完全忽略了雜質(zhì)和聲子等散射的情況，討論了自旋軌道耦合作用對(duì)自旋極化載流子的輸運(yùn)影響.SMIT 認(rèn)為，電子在外電場(chǎng)被加速運(yùn)動(dòng)的過程中，應(yīng)該考慮到雜質(zhì)和缺陷對(duì)反常霍爾效應(yīng)的貢獻(xiàn)［5］.自旋極化的載流子由于自旋軌道耦合作用，受到雜質(zhì)的不對(duì)稱散射，結(jié)果導(dǎo)致
通化師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年8期2020-07-29
- 球坐標(biāo)系下三維諧振子的本征問題研究①
振子哈密頓算符的本征值和本征波函數(shù)，為量子問題的代數(shù)解法提供理論支持。1 球坐標(biāo)系下角動(dòng)量平方算符的本征值和本征波函數(shù)(1)(2)令Y(θ,φ)=Φ(φ)Θ(θ)，則根據(jù)分離變量法，可以得到.(3)(4)(5)(6)所以式(5)得到Φ(φ)=eimφ(7)按照周期函數(shù)的性質(zhì)，Φ(φ)滿足周期性條件Φ(φ+2π)=Φ(φ)，即e2πim=1，所以m=0，±1，±2，…。令式(6)中x=cosθ，則(8)所以式(6)變?yōu)?9)進(jìn)一步變形可以得到勒讓德方程(10
- 含硫氨基酸與本征及缺陷石墨烯表面的相互作用
作用, 目前已有本征石墨烯, 金屬摻雜石墨烯作為氣體傳感器, 有效檢測(cè)含硫的氨基酸[8, 13], 但據(jù)我們所知, 半胱氨酸和蛋氨酸吸附在缺陷石墨烯表面的特性目前尚未被詳細(xì)研究.在這項(xiàng)工作中, 采用密度泛函理論方法探討了本征及缺陷石墨烯對(duì)兩種含硫氨基酸的吸附能力.通過吸附能, 態(tài)密度, 差分電荷密度詳細(xì)地分析了它們之間的吸附機(jī)制.希冀這一結(jié)論能夠?qū)κ﹤鞲衅髟诤虬被岬臋z測(cè)方面提供有價(jià)值的理論參考.2 模擬細(xì)節(jié)2.1 模型的建立半胱氨酸和蛋氨酸的模型:
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2020年3期2020-05-15
- 金屬-DBR-金屬結(jié)構(gòu)中光學(xué)Tamm態(tài)的弱耦合特性研究
的現(xiàn)象， 如出現(xiàn)本征模式分裂， 形成不同本征波長(zhǎng)的OTS， 這為OTS的應(yīng)用提供了新思路， 有著實(shí)際的或潛在的應(yīng)用價(jià)值。2012年， 周海春等研究了對(duì)稱DBR1-M-DBR2結(jié)構(gòu)和非對(duì)稱DBR1-M-DBR2結(jié)構(gòu)中兩個(gè)OTS的耦合作用引起的本征模式分裂和遷移現(xiàn)象[10]； 2013年， 蔣瑤等研究了非對(duì)稱DBR1-M-DBR2結(jié)構(gòu)中兩個(gè)OTS本征模式耦合與本征波長(zhǎng)失諧量的關(guān)系， 以控制兩個(gè)OTS的遷移[11]； 同年， Zhang等構(gòu)造的M1-QW-DBR
光譜學(xué)與光譜分析 2020年2期2020-02-25
- Co-Mo共摻雜Al2O3電子結(jié)構(gòu)及透射率的第一性原理計(jì)算
晶體結(jié)構(gòu)表1是本征及摻雜Al2O3優(yōu)化后的晶格常數(shù)及摻雜結(jié)合能,可以發(fā)現(xiàn)摻雜后晶胞的晶格常數(shù)及體積均在增加. 這是因?yàn)镃o(0.072 nm)和Mo(0.062 nm)的離子半徑大于Al(0.053 nm)離子半徑,形成的Co-O鍵和Mo-O鍵比Al鍵更長(zhǎng),同時(shí),Co和Mo替換Al后,使得離子多余正電荷之間相互排斥力增大,系統(tǒng)能量增高而導(dǎo)致晶胞體積進(jìn)一步增大[17].為了表征離子摻雜難易程度,引入摻雜結(jié)合能的概念,在電子在非自旋極化條件下,摻雜結(jié)合能的表
- 基于本征信息分解的植物葉片分類方法研究
準(zhǔn)確率，所以進(jìn)行本征信息分解十分必要。本文提出一種基于本征信息分解的植物葉片分類方法。將原始圖像分解后，從反射率本征圖像中提取葉片的顏色特征，光照本征圖像中提取紋理特征和邊緣特征，并將3 種特征按照一定的權(quán)重比例融合后用于植物分類。從而解決了不相關(guān)因素的干擾問題，有利于提高植物葉片分類效果，對(duì)維持多元物種，保護(hù)植物提供了一定的技術(shù)支持。1 材料與方法1.1 實(shí)驗(yàn)材料與方法概述本文采用Swedish 葉片數(shù)據(jù)集進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。在該數(shù)據(jù)中隨機(jī)選擇10 種植物葉片（歐
廣東蠶業(yè) 2019年8期2019-12-23
- 氧空位對(duì)ZnO基(110)二維膜材料電子結(jié)構(gòu)的影響研究
用[1-5]. 本征氧化鋅體材料的載流子濃度約為1.7×1017，但是其載流子遷移率較高[3]. 文獻(xiàn)報(bào)道中通過摻雜和結(jié)構(gòu)優(yōu)化來改善其體材料的載流子性質(zhì)，優(yōu)化其光電性能[6-8]. 此外，低維化的氧化鋅也可作為一種功能材料在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)揮作用. 李等人制備了氧化鋅基薄膜并研究了其光電性能. 結(jié)果表明主族元素?fù)诫s氧化鋅薄膜的可見光透過率保持在 80%以上，其電性能也受制備條件影響，比如升高樣品退火溫度，載流子濃度和遷移率均增大，導(dǎo)電性能也增強(qiáng)[8]. 氧化鋅塊
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年6期2019-12-06
- Fe,Co,Ni摻雜石墨烯表面吸附C2H4的第一性原理研究
計(jì)算對(duì)比和分析了本征石墨烯以及Fe、Co、Ni摻雜石墨烯表面吸附C2H4的作用過程，以期望對(duì)C2H4檢測(cè)提供一種新的思路，并且可以為石墨烯材料的表面氣體吸附及相關(guān)氣敏元器件研究提供理論支持.2 計(jì)算方法與結(jié)構(gòu)模型本文所有的計(jì)算都采用基于平面波的密度泛函理論DFT：(Density Functional Theory)的第一性原理下的DMol3軟件包，利用密度泛函理論在廣義梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GG
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年4期2019-09-17
- Bi0與石英光纖本征缺陷作用機(jī)制研究
易產(chǎn)生各種各樣的本征缺陷，它們都有不同的幾何結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。在鉍元素?fù)诫s的過程中，鉍原子很有可能遇到這些本征點(diǎn)缺陷，導(dǎo)致這些本征點(diǎn)缺陷的局部結(jié)構(gòu)發(fā)生很大的變化，進(jìn)而會(huì)嚴(yán)重影響鉍活性中心的電子性質(zhì)和發(fā)光特性，使得研究摻鉍石英光纖發(fā)光特性變得十分困難。通過調(diào)研得知，目前仍缺少關(guān)于Bi0與石英光纖中本征缺陷反應(yīng)機(jī)制的系統(tǒng)理論研究，對(duì)于Bi0與Si—O網(wǎng)絡(luò)的相互作用機(jī)制，其反應(yīng)路徑更加復(fù)雜，存在許多未解決的問題。本文主要采用第一性原理的方法從理論上研究B
- 零級(jí)Hamilton量二重簡(jiǎn)并的量子體系能級(jí)微擾法研究①
學(xué)中，體系的能量本征值能夠精確求解的問題非常有限，除了少數(shù)體系(例如諧振子，氫原子等)外，往往不能嚴(yán)格求解[1]。因此，在處理各種實(shí)際問題時(shí)采用適當(dāng)?shù)慕平夥ǎ缥_論，變分法，自洽場(chǎng)方法，絕熱近似，準(zhǔn)經(jīng)典近似等，其中最廣泛的就是微擾論。設(shè)量子力學(xué)體系的Hamilton算符為H=H0+H′(1)(2a)(2b)(2c)(2d)(2e)等等。設(shè)微擾作用后，能級(jí)和本征態(tài)變成(3a)ψn=ψ(0)+ψ(1)+ψ(2)+…(3b)零級(jí)近似ψ(0)由兩個(gè)簡(jiǎn)并態(tài)ψα
- 時(shí)延自相關(guān)和ITD相結(jié)合的故障診斷方法
理缺乏自適應(yīng)性。本征時(shí)間尺度分解（intrinsic time-scale decomposition，ITD）[4]是一種自適應(yīng)時(shí)頻分析方法。目前，本征時(shí)間尺度分解已經(jīng)在旋轉(zhuǎn)機(jī)械故障診斷中得到廣泛應(yīng)用，如文獻(xiàn)[5]利用B樣條改進(jìn)本征時(shí)間尺度分解，將軸承故障振動(dòng)信號(hào)分解成若干個(gè)固有旋轉(zhuǎn)分量之和，然后利用相關(guān)系數(shù)等選擇表征故障特征的分量重構(gòu)，最后有效地提取了軸承故障特征；文獻(xiàn)[6]利用三次樣條改進(jìn)本征時(shí)間尺度分解，對(duì)滾動(dòng)軸承故障振動(dòng)信號(hào)分解并計(jì)算表征故障特征
機(jī)械設(shè)計(jì)與制造 2018年7期2018-07-19
- 錐形二維光子晶體太陽電池?cái)?shù)值模擬?
構(gòu)參數(shù)變化對(duì)電池本征吸收的影響[22?25].實(shí)際上周期陷光形貌在提升電池總吸收的同時(shí),也會(huì)顯著提升支持層的寄生吸收,由此導(dǎo)致所得的最佳形貌未必能顯著提升本征吸收.此外,對(duì)于周期結(jié)構(gòu)而言,其陷光效果主要取決于衍射角和對(duì)應(yīng)的衍射效率,這二者又主要取決于周期尺寸和高度.在先前的研究中通常將周期尺寸和高度對(duì)電池短路電流密度的影響進(jìn)行分立研究,因此獲得的結(jié)論具有片面性,無法真正洞悉絨面形貌對(duì)電池光學(xué)吸收的影響規(guī)律[26,27].本文基于波動(dòng)光學(xué)理論,采用時(shí)域有限差
物理學(xué)報(bào) 2018年2期2018-03-18
- Numerov算法和轉(zhuǎn)移矩陣法的分析和比較
，打靶法可以搜索本征能量值。要求非零能量本征值。本征值小于零的解是束縛解，這時(shí)它表現(xiàn)的較像兩端被固定的，在振動(dòng)琴弦。波函數(shù)在經(jīng)典力學(xué)允許的范圍內(nèi)是震蕩的，在經(jīng)典力學(xué)禁止的范圍內(nèi)為指數(shù)行為。由于波函數(shù)分為兩個(gè)有不同行為的區(qū)域，直接積分會(huì)是交界區(qū)域不和諧或者數(shù)值不穩(wěn)定。知道波函數(shù)的圖像及其導(dǎo)數(shù)必須連續(xù)，也就是通常所說的平滑的曲線，可以通過從節(jié)分交界處向左積分，再向右積分。因?yàn)橐欢ㄓ幸环N歸一化系數(shù)使兩函數(shù)在交界處的值相等，所以只需要讓其導(dǎo)函數(shù)連續(xù)便可。其中 ψ分
科學(xué)家 2017年22期2018-01-11
- 具有部分本征GaN帽層新型A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析?
071)具有部分本征GaN帽層新型A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管特性分析?郭海君 段寶興?袁嵩 謝慎隆 楊銀堂(西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院,寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安 710071)(2017年4月11日收到;2017年6月5日收到修改稿)為了優(yōu)化傳統(tǒng)A lGaN/GaN高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面電場(chǎng),提高擊穿電壓,本文提出了一種具有部分本征Ga
物理學(xué)報(bào) 2017年16期2017-09-07
- In、Ga摻雜SnO2的第一性原理研究
贗勢(shì)方法，建立了本征SnO2、SnO2∶In、SnO2∶Ga和SnO2∶(In,Ga) 超晶胞模型并進(jìn)行了幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化，對(duì)其能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度、電荷密度及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了模擬計(jì)算. 結(jié)果顯示，與SnO2∶In和SnO2∶Ga相比，SnO2∶(In,Ga)的晶格常數(shù)更接近于本征SnO2，可有效降低SnO2材料摻雜體系的晶格畸變. SnO2中In、Ga的摻入能夠增大材料的帶隙值，且能帶結(jié)構(gòu)向高能方向移動(dòng)，材料呈現(xiàn)典型的p型半導(dǎo)體特性. SnO2∶(In,Ga)中，
- 基于材質(zhì)稀疏的人臉本征分解
于材質(zhì)稀疏的人臉本征分解鄭期尹（四川大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院，成都 610065）本征圖像分解是圖像處理中的一個(gè)經(jīng)典問題，給定一幅圖像，需要分解出對(duì)應(yīng)的材質(zhì)本征圖和光照本征圖。本征分解得到的材質(zhì)圖和光照?qǐng)D可作為高層視覺算法的輸入，如物體識(shí)別。通過引入材質(zhì)稀疏先驗(yàn)，恢復(fù)人臉的材質(zhì)圖與光照?qǐng)D，并利用MATLAB編程給出算法的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。本征分解；材質(zhì)稀疏；人臉0 引言恢復(fù)本征圖像的任務(wù)是將給定的輸入圖像分離成材質(zhì)相關(guān)的被稱為反照率或反射率的性質(zhì)以及諸如陰影、光照、鏡面高光
現(xiàn)代計(jì)算機(jī) 2017年8期2017-04-22
- 基于旋轉(zhuǎn)微橢地球模型的內(nèi)核平動(dòng)振蕩三重譜線理論模擬與實(shí)驗(yàn)探測(cè)
動(dòng)振蕩三重譜線的本征周期，理論上系統(tǒng)研究了地球內(nèi)部介質(zhì)(包括密度、地震波速等)分布異常對(duì)三重譜線本征周期的影響，計(jì)算了不同的內(nèi)外核密度差和地核中的不同的P/S波速對(duì)應(yīng)的內(nèi)核平動(dòng)振蕩理論三重譜線周期；利用全球分布的9個(gè)超導(dǎo)臺(tái)站，迭積每個(gè)臺(tái)站長(zhǎng)達(dá)54個(gè)月的高精度超導(dǎo)重力儀數(shù)據(jù)，在亞潮汐頻段(0.162～0.285 cph)檢測(cè)內(nèi)核平動(dòng)振蕩三重譜線.結(jié)果發(fā)現(xiàn)，三重譜線本征周期對(duì)內(nèi)外核邊界的密度跳躍非常敏感，隨著密度差的增加，以類似于雙曲線的特征減小；無論是采用地
地球物理學(xué)報(bào) 2016年8期2016-09-29
- 基于變點(diǎn)分析思想的高維機(jī)械噪聲數(shù)據(jù)本征維估計(jì)方法
高維機(jī)械噪聲數(shù)據(jù)本征維估計(jì)方法梁勝杰1，張志華2，高紹忠1，胡俊波2，李大偉3（1.91697部隊(duì)，山東 青島 266405；2.海軍工程大學(xué) 科研部，武漢 430033；3.91550部隊(duì)，遼寧 大連116023）利用變點(diǎn)分析思想，針對(duì)高維數(shù)據(jù)協(xié)方差矩陣的特征值曲線特點(diǎn)，提出一種本征維估計(jì)方法：基于均值估計(jì)的特征值變點(diǎn)法，并應(yīng)用于某雙層圓柱殼體的機(jī)械噪聲數(shù)據(jù)處理中。通過與其他現(xiàn)有常用方法的比較分析，驗(yàn)證了基于均值估計(jì)特征值變點(diǎn)法的可行性。結(jié)果顯示：基于均
船舶力學(xué) 2016年11期2016-05-04
- 面向公差技術(shù)的幾何要素自由度表示與操作及其應(yīng)用
描述了幾何要素的本征方向和本征自由度概念、幾何要素自由度的表示方法和約束自由度的計(jì)算規(guī)則。根據(jù)基本幾何元素的幾何特征以及與基準(zhǔn)要素的位置關(guān)系確定了幾何要素的本征方向，根據(jù)幾何量測(cè)量原理，提出了基準(zhǔn)要素約束自由度的計(jì)算方法，建立了基準(zhǔn)體系約束自由度的計(jì)算規(guī)則。根據(jù)公差類型與基準(zhǔn)要素和目標(biāo)要素的關(guān)系，建立了公差設(shè)計(jì)正確性、完整性驗(yàn)證的具體規(guī)則，提出了基于自由度分析的公差標(biāo)注正確性驗(yàn)證方法。自由度；本征自由度；約束能力；公差驗(yàn)證0 引言點(diǎn)、線、面是構(gòu)成零件形體組
中國機(jī)械工程 2015年11期2015-10-29
- 角動(dòng)量算符的本征值
8）角動(dòng)量算符的本征值高峰1，2，許成科1，2，張登玉1，2，游開明1（1.衡陽師范學(xué)院物理與電子工程學(xué)院，湖南衡陽 421002；2.衡陽師范學(xué)院南岳學(xué)院，湖南衡陽 421008）量子物理學(xué)中，角動(dòng)量算符是一個(gè)十分重要的物理量，可以用它的本征值來表征微觀體系的狀態(tài)。本文根據(jù)對(duì)易關(guān)系，利用較為簡(jiǎn)便的方法求出任意角動(dòng)量算符的本征值，并討論了軌道角動(dòng)量算符和自旋角動(dòng)量算符的本征值。角動(dòng)量算符；對(duì)易關(guān)系；本征值0 引言角動(dòng)量是物理體系的一個(gè)重要物理量，它是確定體
衡陽師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2015年6期2015-09-26
- 基于本征音子說話人子空間的說話人自適應(yīng)算法
50000)基于本征音子說話人子空間的說話人自適應(yīng)算法屈 丹*張文林(信息工程大學(xué)信息系統(tǒng)工程學(xué)院 鄭州 450000)本征音子說話人自適應(yīng)算法在自適應(yīng)數(shù)據(jù)量充足時(shí)可以取得很好的自適應(yīng)效果，但在自適應(yīng)數(shù)據(jù)量不足時(shí)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的過擬合現(xiàn)象。為此該文提出一種基于本征音子說話人子空間的說話人自適應(yīng)算法來克服這一問題。首先給出基于隱馬爾可夫模型-高斯混合模型(HMM-GMM)的語音識(shí)別系統(tǒng)中本征音子說話人自適應(yīng)的基本原理。其次通過引入說話人子空間對(duì)不同說話人的本征音
電子與信息學(xué)報(bào) 2015年6期2015-07-12
- 基于改進(jìn)EMD和滑動(dòng)峰態(tài)算法的滾棒軸承聲發(fā)射信號(hào)故障特征提取
式分解，選取特定本征模分量，采用滑動(dòng)峰態(tài)算法提取其中的沖擊分量，即提取滾棒軸承聲發(fā)射信號(hào)的故障特征分量。改進(jìn)的EMD方法剔除了某些虛假本征模分量，更準(zhǔn)確地表征原始信號(hào)。通過仿真信號(hào)驗(yàn)證，成功提取了混合信號(hào)中的沖擊分量，證明了該方法對(duì)沖擊信號(hào)提取的有效性。對(duì)外圈故障的滾棒軸承聲發(fā)射信號(hào)進(jìn)行分析，滾棒軸承的故障特征頻率及其倍頻明顯，對(duì)軸承故障的診斷具有重要的意義并可推廣到航空發(fā)動(dòng)機(jī)主軸軸承的故障診斷?；瑒?dòng)峰態(tài)算法；滾棒軸承；聲發(fā)射；小波包降噪；經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｊ椒纸猓还?/div>
沈陽航空航天大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年2期2015-05-04
- 利用二次型理論精確求解雙模耦合諧振子本征能級(jí)
解雙模耦合諧振子本征能級(jí)林 蓉(菏澤學(xué)院 物理與電子工程系，山東 菏澤，274015)當(dāng)兩粒子在勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，由于兩粒子之間存在相互作用，所以體系的哈密頓量必然會(huì)多出一項(xiàng)相互作用的耦合項(xiàng).由于此耦合項(xiàng)的存在，使得體系本征能級(jí)的求解出現(xiàn)困難.本文主要介紹利用線性代數(shù)中的二次型定理，作一個(gè)線性變換消除其中的耦合項(xiàng)，并且此變換也不會(huì)引起本征能級(jí)的改變，也因此使其變成一個(gè)一般的二維勢(shì)場(chǎng)問題，便可以精確求出其本征能級(jí).二次型；對(duì)角化；變換矩陣；耦合項(xiàng)0 引 言在量子商丘師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2015年6期2015-03-03
- 基于稀疏組LASSO約束的本征音子說話人自適應(yīng)
ession）及本征音(EV, eigenvoice)方法及其相應(yīng)的拓展算法為代表。2004年，Kenny等[6]通過對(duì)SD聲學(xué)模型中各高斯混元均值矢量相對(duì)于 SI聲學(xué)模型的變化量進(jìn)行子空間分析，得到一種新的子空間分析方法。該方法與說話人子空間中的“本征音”類似，因此稱該子空間的基矢量為“本征音子（EP, eigenphone）”，該空間為“音子變化子空間”，但該方法采用“多說話人”聲學(xué)建模技術(shù)，只能得到訓(xùn)練集中說話人相關(guān)的聲學(xué)模型，對(duì)于測(cè)試集中的未知說話通信學(xué)報(bào) 2015年9期2015-01-06
- 語音識(shí)別中基于低秩約束的本征音子說話人自適應(yīng)方法
LLR)[2]及本征音(EigenVoice, EV)[3]說話人自適應(yīng)方法。文獻(xiàn)[1]和文獻(xiàn)[4]提出了一種基于本征音子(EigenPhone, EP)的說話人自適應(yīng)方法。與EV方法不同，該方法認(rèn)為對(duì)于每一個(gè)說話人，其SD模型中不同高斯分量均值的變化(相對(duì)于SI模型)位于一個(gè)子空間中，稱該子空間為“音子變化子空間(phone variation subspace)”，其基矢量稱為“本征音子”，反映了說話人的個(gè)體特征，是說話人相關(guān)的；而不同高斯分量對(duì)應(yīng)的坐電子與信息學(xué)報(bào) 2014年4期2014-11-18
- Max-plus代數(shù)中analogy-transitive矩陣及其本征問題
us代數(shù)上矩陣的本征問題.一般情況下,解決這類本征問題的算法大小為O(n3)[1].繼文獻(xiàn)[1]之后,max-plus代數(shù)上矩陣的本征問題被很多學(xué)者關(guān)注并深入研究.特別地,對(duì)于一些特殊形式的矩陣,計(jì)算本征問題的算法復(fù)雜度較一般情況有所降低[5-14].因此從降低算法復(fù)雜度的角度考慮研究特殊矩陣的本征問題是有重大意義的.P. Butkovicˇ等[5]給出一個(gè)O(n2)的算法計(jì)算雙值矩陣的極大圈平均.M. Gavalec等[6]給出一個(gè)O(n2)的算法計(jì)算M- 基于EMD相關(guān)方法的電動(dòng)機(jī)信號(hào)降噪的研究
號(hào)分解，得到各階本征模函數(shù)（IMF）分量；然后對(duì)高頻的IMF分量用小波相關(guān)濾波降噪方法進(jìn)行處理，保留低頻IMF分量；最后把處理的高頻IMF分量和低頻的IMF進(jìn)行信號(hào)重構(gòu)，得到降噪后的振動(dòng)信號(hào)。這種方法形式簡(jiǎn)單，應(yīng)用靈活方便，有較好的自適應(yīng)能力，能有效地獲得早期的軸承故障信號(hào)的特征值。經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)；相關(guān)濾波；本征模函數(shù)1 引 言由于感應(yīng)電動(dòng)機(jī)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠、成本低等特點(diǎn)，所以在船舶上應(yīng)用的非常廣泛。感應(yīng)電動(dòng)機(jī)如果發(fā)生了故障，就會(huì)導(dǎo)致電力和動(dòng)力系統(tǒng)無法正常工作船舶力學(xué) 2014年5期2014-01-19
- 三氯氫硅本征電阻率（純度）的測(cè)試方法
長(zhǎng)不摻雜外延層（本征外延層）的方法來確定，即測(cè)量三氯氫硅本征生長(zhǎng)后的外延電阻率來衡量其純度。在硅外延的本征生長(zhǎng)過程中，影響三氯氫硅本征電阻率參數(shù)的主要因素為系統(tǒng)內(nèi)的自摻雜。增加硅外延層的厚度可以有效抑制系統(tǒng)自摻雜，但無限制地增加生長(zhǎng)時(shí)間必然導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加。本文對(duì)襯底的選擇、生長(zhǎng)時(shí)間、生長(zhǎng)前生產(chǎn)設(shè)備的狀況等各個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化分析，選定了一個(gè)合理的生長(zhǎng)工藝過程來準(zhǔn)確評(píng)價(jià)三氯氫硅的本征電阻率。2 反應(yīng)原理外延工藝是一種薄層單晶生長(zhǎng)技術(shù)，在一定的條件下，在單晶襯電子與封裝 2012年10期2012-08-15
- 一種基于本征波匹配的EMD邊界處理方法
形匹配預(yù)測(cè)法——本征波匹配預(yù)測(cè)法。但由于當(dāng)時(shí)對(duì)該方法的有效性還有些懷疑，尤其是還不知道如何合理構(gòu)造仿真信號(hào)來驗(yàn)證該方法，因此文獻(xiàn)［10］只是提出了初步算法而沒有進(jìn)行深入的算例驗(yàn)證。本文最終彌補(bǔ)了這一重要不足，使文獻(xiàn)［10］的研究得到較大程度地深化和完善。1 EMD及其邊界處理問題EMD的主要內(nèi)容是通過篩選將信號(hào)分解為有限個(gè)固有模態(tài)函數(shù)（IMF）和趨勢(shì)項(xiàng)之和，其中IMF被認(rèn)為是構(gòu)成非線性非平穩(wěn)信號(hào)的基本信號(hào)，它具有唯一的瞬時(shí)頻率，而趨勢(shì)項(xiàng)反映信號(hào)變化的趨勢(shì)［振動(dòng)與沖擊 2012年1期2012-02-12
- 不變本征算符法在含時(shí)二維雙耦合諧振子系統(tǒng)中的應(yīng)用
用量子力學(xué)的不變本征算符法處理系統(tǒng)的元激發(fā)能量和能級(jí)差.為此，本文利用不變本征算符法推導(dǎo)明顯的系統(tǒng)的簡(jiǎn)正頻率解析解表達(dá)式及嚴(yán)格波函數(shù)，并討論不變本征算符法對(duì)于線性哈密頓量系統(tǒng)的退耦合方面的普遍性和簡(jiǎn)捷性.1 利用不變本征算符法對(duì)含時(shí)二維雙耦合各向異性諧振子系統(tǒng)哈密頓量退耦合考慮一般的情形，令m1(t)≠m2(t)、ω1(t)≠ω2(t)且坐標(biāo)與動(dòng)量耦合強(qiáng)度也均含時(shí)的雙耦合諧振子系統(tǒng)的哈密頓量為:因?yàn)椋踴i，pj］=iˉhδij，［xi，xj］=［pi，pj沈陽化工大學(xué)學(xué)報(bào) 2011年4期2011-01-25
- 矢量波動(dòng)方程的新瀑布型多重網(wǎng)格方法
和技術(shù)中，諧振腔本征值問題是最基本的問題之一．很多微波部件和系統(tǒng)的分析與最優(yōu)化設(shè)計(jì)又往往以該問題的求解為基礎(chǔ)．矢量有限元方法是近10年來在電磁場(chǎng)計(jì)算中應(yīng)用比較廣泛的一種方法．只要選擇了合適的矢量基，所考慮結(jié)構(gòu)的內(nèi)部和外部邊界都能夠從數(shù)學(xué)上自然滿足，就能夠很好地解決偽解問題;又因?yàn)橛邢拊椒ǖ木W(wǎng)格劃分能很好地模擬實(shí)際結(jié)構(gòu)，因此我們選擇了矢量有限元對(duì)諧振腔進(jìn)行離散計(jì)算．多重網(wǎng)格方法，對(duì)于求解由微分方程離散化得到的方程組來說，是目前最快速高效的方法之一，它的求解 - 利用二次型理論精確求解雙模耦合諧振子本征能級(jí)