趙 晶,周文輝,胡石林
中國(guó)原子能科學(xué)研究院 特種材料工程部,北京 102413
碳化硼(B4C)作為中子吸收材料,與其他材料相比,其中子俘獲能譜寬,有容納因輻照產(chǎn)生的氦氣的能力,且不形成強(qiáng)的二次輻射,放射性廢物處理容易[1],在核工業(yè)中應(yīng)用廣泛??熘凶釉鲋扯丫筒捎酶哓S度碳化硼燒結(jié)芯塊作為控制棒材料[2]。
目前碳化硼的制備工藝主要包括碳熱還原法[3-6]、自蔓延鎂熱還原法[7-8]、直接合成法[9-11]、有機(jī)溶膠-凝膠法[12-14]和化學(xué)氣相沉積法[15-17]等。工業(yè)生產(chǎn)中主要采用碳熱還原法,但所制得的碳化硼粉末粒度較大(20~40 μm),通常還要經(jīng)過(guò)球磨或其他粉碎方式來(lái)制備燒結(jié)所需要的碳化硼粉末,制備過(guò)程較復(fù)雜且產(chǎn)物純度不高。有機(jī)溶膠-凝膠法是目前低溫合成超細(xì)碳化硼的研究重點(diǎn),其實(shí)質(zhì)是將硼原子引入到有機(jī)碳源結(jié)構(gòu)中,形成B—O—C鍵以達(dá)到原料的分子級(jí)混合,從而降低反應(yīng)溫度,制備超細(xì)粉體。但因硼酸較難與有機(jī)物形成凝膠,故該方法的產(chǎn)量較低[14,18],目前仍處于實(shí)驗(yàn)室研究階段。而硼酸三甲酯其本身就含有B—O—C鍵,無(wú)需凝膠形成過(guò)程,不存在產(chǎn)量較低問(wèn)題且可大大縮短操作流程,但目前尚未見(jiàn)相關(guān)研究。故本工作擬直接采用硼酸三甲酯作為熱解原料,研究制備均勻尺寸碳化硼的優(yōu)化條件。
硼酸三甲酯(純度≥99.5%),Aladdin#T104044產(chǎn)品;去離子水,自制;乙醇,分析純,北京化工廠。
1 600 ℃高溫管式爐,北京費(fèi)恩森電爐有限公司;D8 ADVANCE型X射線衍射儀(XRD),德國(guó)Bruker公司;S4800冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM),日本HITACHI公司;LA-950型激光粒度儀,日本HORIBA公司。
以硼酸三甲酯作為熱解原料,直接熱解反應(yīng)裝置示于圖1。如圖1所示,高溫管式爐先以一定的加熱速率升溫,關(guān)閉針閥Q3、Q4并持續(xù)通入高純氬氣Ar1、Ar2以吹掃剛玉管內(nèi)空氣。當(dāng)管式爐升到指定溫度后,關(guān)閉Q2、Q5,打開(kāi)Q3、Q4,將硼酸三甲酯注入三孔瓶中,經(jīng)Ar1反復(fù)吹掃后關(guān)閉Q3、Q4,打開(kāi)Q2、Q5。在水浴鍋加熱作用下硼酸三甲酯汽化,以Ar1為載氣將氣相硼酸三甲酯帶入高溫管式爐中熱解,熱解得到的中間粉體隨載氣吹入收集瓶。為使中間粉體順利吹出,而不是沉積在進(jìn)口低溫區(qū),在剛玉管法蘭處通入Ar2進(jìn)行吹掃;最后將收集瓶中的中間粉體混合、壓實(shí)放于高純帶蓋石墨坩堝內(nèi),置于剛玉管中在一定溫度下反應(yīng)制得最終的碳化硼產(chǎn)物,實(shí)驗(yàn)流程示于圖2。
所得產(chǎn)物采用XRD對(duì)其相組成及相對(duì)含量進(jìn)行分析;噴金后采用SEM對(duì)其形貌進(jìn)行觀察和對(duì)比分析;利用激光粒度儀對(duì)最終產(chǎn)物的粒徑及粒徑分布進(jìn)行測(cè)試。
實(shí)驗(yàn)中采用一定的氬氣流速(Ar1流速500 mL/min、Ar2流速5 mL/min),水浴鍋溫度控制在70 ℃,硼酸三甲酯原料初始體積40 mL,在一定溫度(1 000、1 200、1 400、1 600 ℃)下反應(yīng)3 h。對(duì)收集瓶?jī)?nèi)的中間粉體進(jìn)行XRD分析,分析結(jié)果示于圖3。圖3中呈現(xiàn)有饅頭狀的寬峰,主要原因是產(chǎn)物多為無(wú)定形態(tài),結(jié)晶度不高,而無(wú)定形態(tài)產(chǎn)物的反應(yīng)活性也一般大于結(jié)晶形態(tài)產(chǎn)物的反應(yīng)活性;1 000 ℃時(shí)在28.0°處有與硼酸標(biāo)準(zhǔn)卡PDF#73-2158位置一致的強(qiáng)衍射峰;1 200、1 400、1 600 ℃下衍射峰形基本一致,強(qiáng)衍射峰出現(xiàn)在15.0°、28.0°、26.3°,其中26.3°的衍射峰與碳標(biāo)準(zhǔn)卡PDF#41-1487最強(qiáng)峰出現(xiàn)位置一致,判斷中間粉體主要是硼酸和碳。圖4是1 200 ℃中間粉體與純硼酸的傅里葉變換紅外光譜對(duì)比圖,從圖4可進(jìn)一步確定中間粉體含有硼酸,但未見(jiàn)有碳化硼生成。
Q1—Q5:針閥圖1 硼酸三甲酯直接熱解反應(yīng)裝置示意圖Fig.1 Schematic diagram of trimethyl borate pyrolysis reaction device
圖2 有機(jī)溶膠-凝膠技術(shù)(a)與硼酸三甲酯直接熱解(b)實(shí)驗(yàn)流程對(duì)比圖Fig.2 Comparison of organic sol-gel technology(a) and trimethyl borate pyrolysis(b) experiment
反應(yīng)溫度:1——1 600 ℃,2——1 400 ℃,3——1 200 ℃,4——1 000 ℃●——C, ——H3BO3圖3 硼酸三甲酯反應(yīng)3 h所得中間粉體的XRD圖Fig.3 XRD of products collected by trimethyl borate reaction for 3 h
以1 200 ℃下收集的中間粉體作為第二步碳熱還原反應(yīng)的原料,圖5顯示了在不同反應(yīng)溫度(1 300、1 400、1 500、1 600 ℃)下反應(yīng)4 h所得產(chǎn)物的XRD圖。從圖5可知:1 300 ℃所得產(chǎn)物在26.3°處有一個(gè)很強(qiáng)的碳衍射峰,但未見(jiàn)有碳化硼衍射峰出現(xiàn);當(dāng)溫度上升到1 400 ℃所得產(chǎn)物與碳化硼標(biāo)準(zhǔn)卡PDF#35-0798衍射峰位置相吻合,說(shuō)明有碳化硼生成,但產(chǎn)物中仍含有一定的碳;1 500 ℃所得產(chǎn)物的碳化硼衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng),峰形窄化,峰變得更加尖銳,說(shuō)明隨著溫度的增加,產(chǎn)物的結(jié)晶度提高,晶型發(fā)育得更加完整,但仍然出現(xiàn)了碳的衍射峰;溫度繼續(xù)升高到1 600 ℃時(shí),XRD圖譜中未見(jiàn)有碳雜質(zhì)峰出現(xiàn),產(chǎn)物是碳化硼。據(jù)此推斷低溫下反應(yīng)速率較慢,且過(guò)程中伴隨有硼酸的揮發(fā)、分解損失導(dǎo)致有碳剩余未反應(yīng)完全;而在較高反應(yīng)溫度下,反應(yīng)速率加快,雖過(guò)程中也存在硼酸的損失但足以使碳快速反應(yīng)并全部生成碳化硼。
1——1 200 ℃熱解中間粉體,2——純硼酸圖4 1 200 ℃熱解所得中間粉體和純硼酸的傅里葉紅外光譜對(duì)比圖Fig.4 Infrared spectrum of products collected and pure boric acid at 1 200 ℃
升/降溫速率為5 ℃/min,原料未經(jīng)壓片處理▲——B4C,●——C1——1 300 ℃,2——1 400 ℃,3——1 500 ℃,4——1 600 ℃圖5 相同原料不同溫度反應(yīng)4 h所得產(chǎn)物的XRD圖Fig.5 XRD of products obtained by reaction with the same raw materials at different temperatures for 4 h
不同反應(yīng)溫度(1 400、1 500、1 600 ℃)下反應(yīng)4 h后得到產(chǎn)物的SEM圖示于圖6。從圖6(a)可看出1 400 ℃所得產(chǎn)物是微米級(jí)碳化硼塊,對(duì)比(a)、(d)兩張不同放大倍率下的掃描圖可看出,塊狀產(chǎn)物內(nèi)部多為片狀結(jié)構(gòu);隨著溫度的升高,相比圖6(a),相同放大倍率下圖6(b)中產(chǎn)物粒徑變小,產(chǎn)物不僅有微米級(jí)的片狀碳化硼,還有微米和亞微米尺寸的多面體粒子(如圖6(e));溫度進(jìn)一步升高到1 600 ℃,圖6(c)相比圖6(b),長(zhǎng)條形片狀產(chǎn)物減少,產(chǎn)物形態(tài)更均勻,圖6(f)相比圖6(e)多面體產(chǎn)物的總粒徑更小。
通過(guò)圖6(d)、圖6(e)顯示的多面體粒子推斷反應(yīng)初期形成了少量碳化硼核,即成核過(guò)程。隨后的反應(yīng)更多的是在已成核上的繼續(xù)疊加,即硼、碳原子連接到現(xiàn)有的碳化硼核的有利位點(diǎn)繼續(xù)生長(zhǎng),如1 400 ℃僅反應(yīng)30 min時(shí)的長(zhǎng)條狀產(chǎn)物(圖7)。進(jìn)一步分析在不同力學(xué)控制下的生長(zhǎng)速率必然會(huì)對(duì)產(chǎn)物的形貌、尺寸、結(jié)構(gòu)和組成產(chǎn)生影響:當(dāng)在較低溫度下,碳化硼的生長(zhǎng)速率足夠慢,體系接受反應(yīng)動(dòng)力學(xué)控制,立方對(duì)稱(chēng)性被打破,發(fā)生各向異性生長(zhǎng),從而生成了特異性結(jié)構(gòu);但當(dāng)反應(yīng)溫度升高,反應(yīng)速率足夠快時(shí)晶體生長(zhǎng)會(huì)受反應(yīng)熱力學(xué)控制,只能形成立方對(duì)稱(chēng)性的晶體[19]。由圖6(c)推斷1 600 ℃時(shí)反應(yīng)初期成核過(guò)程劇烈,產(chǎn)物多是直接成核,與圖6(b)的條狀、線狀、球狀產(chǎn)物相比,圖6(c)的產(chǎn)物形態(tài)更均勻,但由于反應(yīng)溫度較高,生成的產(chǎn)物會(huì)有一定的團(tuán)聚。
中間粉體呈粉末狀,主要是硼酸和碳的混合物,稱(chēng)取一定量的混合物,將其研磨成細(xì)粉,并利用FW-4A粉末壓片機(jī)分別在6、12 MPa下將其壓制成直徑13 mm、高2 mm的圓片,再在一定溫度(1 400、1 500、1 600 ℃)下反應(yīng)。圖8顯示了不同壓片壓力下得到產(chǎn)物的XRD圖譜。從圖8可以看出:1 400 ℃下未經(jīng)壓制處理的產(chǎn)物中只含有一定的碳,而相同實(shí)驗(yàn)條件下經(jīng)過(guò)壓制(6、12 MPa)處理的產(chǎn)物中則含有未反應(yīng)的氧化硼;同時(shí)1 500 ℃下未經(jīng)壓制處理的產(chǎn)物中含有一定的碳,而相同實(shí)驗(yàn)條件下經(jīng)過(guò)壓制(6 MPa)處理的產(chǎn)物中則未見(jiàn)有碳的衍射峰,以上說(shuō)明在這個(gè)溫度區(qū)間內(nèi)壓片可以有效地減少硼源損失。但隨著溫度的升高,1 500 ℃未經(jīng)壓制處理的產(chǎn)物中碳的衍射峰很小,而1 600 ℃時(shí)未經(jīng)壓制處理的產(chǎn)物中則未發(fā)現(xiàn)碳的衍射峰,這進(jìn)一步說(shuō)明低溫反應(yīng)時(shí)壓片的作用明顯,而高溫下反應(yīng)速率要快于硼源的損失速率故壓片作用減弱。
反應(yīng)溫度,℃:(a,d)——1 400,(b,e)——1 500,(c,f)——1 600(d)、(e)、(f)分別是(a)、(b)、(c)中方框部位的放大圖圖6 不同反應(yīng)溫度下反應(yīng)4 h所得產(chǎn)物在不同放大倍率下的SEM圖Fig.6 SEM images of products obtained at different reaction temperatures for 4 h at different magnifications
升/降溫速率為5 ℃/min,原料未經(jīng)壓片處理圖7 1 400 ℃反應(yīng)30 min所得產(chǎn)物的SEM圖Fig.7 SEM image of products obtained by reaction at 1 400 ℃ for 30 min
▲——B4C,●——C, ——B2O31——1 400 ℃,壓片壓力0 MPa;2——1 400 ℃,壓片壓力6 MPa;3——1 400 ℃,壓片壓力12 MPa;4——1 500 ℃,壓片壓力0 MPa;5——1 500 ℃,壓片壓力6 MPa;6——1 600 ℃,壓片壓力0 MPa圖8 不同溫度、不同壓片壓力下產(chǎn)物的XRD圖Fig.8 XRD of products at different temperatures and different tableting pressures
圖9(a)、(b)是1 400 ℃下未經(jīng)壓制處理和經(jīng)6 MPa壓制處理所得產(chǎn)物的SEM圖,在相同放大倍率下,明顯壓制處理后所得產(chǎn)物的粒徑更小。圖9(c)、(d)是1 500 ℃不同壓制作用下的SEM圖,對(duì)比兩圖可以看出,壓制導(dǎo)致了產(chǎn)物中更多多面體的出現(xiàn)。相比之下圖9(e)、(f)是1 600 ℃所得產(chǎn)物的SEM圖,顯示在高溫條件下壓制導(dǎo)致的團(tuán)聚現(xiàn)象明顯減弱。分析推斷壓片對(duì)產(chǎn)物純度和形態(tài)的影響根源在于硼源:當(dāng)溫度逐漸高于氧化硼的熔點(diǎn)(450 ℃)時(shí),碳顆粒是分散在液態(tài)氧化硼中。在低溫時(shí)(1 400 ℃),反應(yīng)速率較慢,未經(jīng)壓制則硼源損失大,碳在未發(fā)生反應(yīng)時(shí)得到濃縮,異相成核導(dǎo)致產(chǎn)物尺寸較大;隨著溫度的增加(1 500 ℃),反應(yīng)速率加快,但并不足以形成大量晶核,壓片減少了硼源損失,故在液態(tài)氧化硼的作用下原料更易在已有晶核上生長(zhǎng),形成不規(guī)則的多面體;溫度繼續(xù)升高(1 600 ℃),反應(yīng)速率進(jìn)一步加快,能同時(shí)形成大量晶核,導(dǎo)致更多的氧化硼能迅速參與反應(yīng),且壓片壓縮反應(yīng)原料,產(chǎn)生的氣體產(chǎn)物阻礙團(tuán)聚的作用更大,故產(chǎn)物在沒(méi)有氧化硼的促進(jìn)作用下再加之反應(yīng)氣體產(chǎn)物的進(jìn)一步阻礙,團(tuán)聚現(xiàn)象減弱。
1 400 ℃下,壓片壓力6 MPa,反應(yīng)時(shí)間分別為4、6、8 h所得產(chǎn)物的XRD圖示于圖10。圖10顯示:反應(yīng)時(shí)間為4 h時(shí),產(chǎn)物中仍含有未反應(yīng)的氧化硼和碳,當(dāng)反應(yīng)時(shí)間增加到6 h時(shí)反應(yīng)完全,產(chǎn)物中未檢測(cè)到未反應(yīng)的氧化硼和碳。反應(yīng)時(shí)間分別為4、6 h時(shí)產(chǎn)物的SEM示于圖11。由圖11可知:反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng),產(chǎn)物顆粒堆積生長(zhǎng)導(dǎo)致整體尺寸越大,反應(yīng)6 h比4 h所得產(chǎn)物的粒徑更粗。
升/降溫速率對(duì)形成均一細(xì)小的產(chǎn)物有很大的影響,通過(guò)提高升溫速率,使得成核速率加快,更多的晶核在成核階段迅速產(chǎn)生,且在迅速降溫過(guò)程中,團(tuán)聚現(xiàn)象減弱,更易得到小尺寸產(chǎn)物。因管式爐升溫速率的限制,最高升溫速率只能達(dá)到20 ℃/min,故設(shè)計(jì)了如圖12的小型反應(yīng)裝置,因剛玉管管徑越大耐急冷、急熱能力就越差,溫度變化快就容易斷裂,所以將圖1中的60 mm外徑的剛玉管更換為如圖12的8 mm外徑的剛玉管,內(nèi)配一根內(nèi)徑1 mm的剛玉導(dǎo)管,以便通惰性氣體,并以三通接頭作為進(jìn)氣和出氣的主要連接部件,以卡套和密封圈保證裝置的密封性。實(shí)驗(yàn)中將中間粉體放入剛玉管底部,當(dāng)管式爐升溫到1 600 ℃時(shí),將剛玉管迅速插入,反應(yīng)完畢后再緩慢取出,用無(wú)水乙醇清洗剛玉管內(nèi)部,將反應(yīng)產(chǎn)物洗出,并放于干燥箱中干燥得到最終產(chǎn)物,這樣反應(yīng)過(guò)程中的升/降溫速率能達(dá)到約400 ℃/min。
(a)——1 400 ℃,壓片壓力0 MPa;(b)——1 400 ℃,壓片壓力6 MPa;(c)——1 500 ℃,壓片壓力6 MPa;(d)——1 500 ℃,壓片壓力12 MPa;(e)——1 600 ℃,壓片壓力0 MPa;(f)——1 600 ℃,壓片壓力6 MPa圖9 不同溫度、不同壓片壓力下產(chǎn)物的SEM圖Fig.9 SEM of products at different temperatures and different tableting pressures
▲——B4C, ——B2O3,●——C壓片壓力6 MPa,升/降溫速率為5 ℃/min反應(yīng)時(shí)間:1——4 h,2——6 h,3——8 h圖10 1 400 ℃不同反應(yīng)時(shí)間下所得產(chǎn)物的XRD圖Fig.10 XRD of products obtained at different reaction times at 1 400 ℃
圖13是不同升/降溫速率下產(chǎn)物的SEM圖。從圖13可以看出,圖13(a)、(b)產(chǎn)品粒徑變化不大,而當(dāng)升溫速率達(dá)到400 ℃/min時(shí),產(chǎn)品粒徑明顯降低且呈現(xiàn)較均勻的塊狀。分析原因主要是由于高溫下快速、均勻成核,氧化硼大量轉(zhuǎn)化為碳化硼產(chǎn)物,液固反應(yīng)迅速生成氣固產(chǎn)物,沒(méi)有了液態(tài)環(huán)境且產(chǎn)生的氣體能起到隔離產(chǎn)品粒子的作用,再加上降溫速率快,產(chǎn)物團(tuán)聚受阻,易于生成均勻尺寸的碳化硼產(chǎn)物。但由于反應(yīng)時(shí)間還是較長(zhǎng),所以顆粒是亞微米而不是納米尺寸。據(jù)此推斷要獲得均勻的納米顆粒,同時(shí)保持完全反應(yīng),需要采用更高的反應(yīng)溫度和更短的反應(yīng)時(shí)間。Gao等[20]采用硼酸與無(wú)機(jī)碳為原料機(jī)械混合后在1 850 ℃反應(yīng)2~3 s,成功合成了均勻粒徑(350 nm)的碳化硼產(chǎn)物,但該過(guò)程存在硼過(guò)量(過(guò)量80%)及產(chǎn)物中含有一定游離碳雜質(zhì)的問(wèn)題。
圖14的XRD圖顯示產(chǎn)物組成是碳化硼。圖15是產(chǎn)物的激光粒徑分析結(jié)果。從圖15可以看出,產(chǎn)物粒徑分布較集中,其中1 μm以下的粒子約占總分析粒子數(shù)的78%。
重點(diǎn)研究了以硼酸三甲酯作為熱解原料制備碳化硼的多種實(shí)驗(yàn)條件。其中反應(yīng)溫度和總反應(yīng)時(shí)間對(duì)產(chǎn)物形態(tài)(包括均勻性)的形成具有主導(dǎo)作用:反應(yīng)溫度越高,反應(yīng)速率越快且過(guò)程以成核速率為主,易于形成均勻尺寸的碳化硼顆粒;相同反應(yīng)溫度下,反應(yīng)時(shí)間越長(zhǎng)則越易導(dǎo)致產(chǎn)物顆粒的團(tuán)聚。壓片作用有助于減少過(guò)程中硼源的損失,對(duì)產(chǎn)物形態(tài)有一定的影響。在1 600 ℃,400 ℃/min快速升/降溫速率下得到了均勻尺寸的碳化硼產(chǎn)物,其中產(chǎn)物尺寸在1 μm以下的粒子比例將近78%。
圖12 小型快速升/降溫反應(yīng)裝置Fig.12 Rapid rising and cooling temperature reaction device
升/降溫速率,℃/min:(a)——5,(b)——20,(c、d)——400圖13 1 600 ℃不同升/降溫速率下產(chǎn)物的SEM圖Fig.13 SEM image of products at different rising and cooling temperature rates at 1 600 ℃
升/降溫速率為400 ℃/min圖14 1 600 ℃下制得產(chǎn)物的XRD圖Fig.14 XRD of products obtained at 1 600 ℃
升/降溫速率為400 ℃/min圖15 1 600 ℃下制得產(chǎn)物的激光粒徑分析Fig.15 Laser particle size analysis of products obtained at 1 600 ℃