寄生電容
- 基于氮化鎵的高頻LLC變換器研究
2.1 高頻寄生電容的產(chǎn)生及影響在高頻工作條件時(shí)，感性元件往往不是完全理想的元件。電感模型包括電感、寄生電阻和寄生電容，如圖6a所示；變壓器模型包括勵(lì)磁電感、原副邊漏感、高頻等效寄生電阻、一次側(cè)寄生電容、二次側(cè)寄生電容、一次二次側(cè)寄生共模耦合電容，如圖6b所示。和電感模型相比，變壓器中的寄生電容會(huì)對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生嚴(yán)重影響。圖6 高頻電感及變壓器模型圖Fig.6 Model diagram of high frequency inductor and transf
電氣傳動(dòng) 2023年2期2023-03-02
- 大氣壓環(huán)境下的鏡像電荷檢測(cè)器仿真研究*
高、ICD的寄生電容更小，在保證無損特性的同時(shí)，達(dá)到了提高檢測(cè)器靈敏度與信噪比的目的。1 理論與方法1.1 理論基礎(chǔ)根據(jù)Shockley-Roma定理[1,2]，假定空間中共存在M個(gè)電極、N個(gè)帶電粒子，其中,第i個(gè)粒子的帶電量為qi,位置為si,速度為vi，那么此時(shí)第m個(gè)電極上的感應(yīng)電流Im的大小為(1)式中Em(si)為位于位置si處的帶電粒子與第m個(gè)電極幾何耦合時(shí)的加權(quán)場(chǎng)，將第m個(gè)電極的電壓設(shè)為1 V,其他所有電極的電壓設(shè)為0 V，通過拉普拉斯方程可以
傳感器與微系統(tǒng) 2022年11期2022-11-11
- 基于機(jī)器學(xué)習(xí)的快速時(shí)序校準(zhǔn)方法*
分析計(jì)算中，寄生電容、電阻直接影響門單元延時(shí)、線延時(shí)和翻轉(zhuǎn)時(shí)間。P&R工具和signoff工具的寄生參數(shù)相關(guān)性是影響這2種工具時(shí)序差異的主要因素之一。在P&R工具中可以設(shè)置提取縮放因子，對(duì)寄生電容、寄生電阻進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)原理為式中：——提取縮放因子；本文根據(jù)寄生參數(shù)校準(zhǔn)原理，結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)方法，提出一種高效的時(shí)序校準(zhǔn)方法，時(shí)序校準(zhǔn)流程如圖1所示。圖1 基于機(jī)器學(xué)習(xí)的快速時(shí)序校準(zhǔn)流程圖初始布線完成后，設(shè)計(jì)中存在具體的布線信息，同時(shí)還有很多時(shí)序違例未修復(fù)，需要大
自動(dòng)化與信息工程 2022年4期2022-09-07
- 超薄FPC版圖設(shè)計(jì)方法研究
C會(huì)出現(xiàn)較大寄生電容，產(chǎn)生的結(jié)果是直接導(dǎo)致信號(hào)質(zhì)量變差，甚至無法正確傳輸信號(hào)。信號(hào)邊沿速率被嚴(yán)重削弱，導(dǎo)致時(shí)序等信號(hào)完整性問題，而以往傳統(tǒng)的FPC由于層間距較大（大約2mil），這個(gè)問題不會(huì)很嚴(yán)重。此外，目前FPC的版圖設(shè)計(jì)方法中，大量的實(shí)測(cè)與仿真都已經(jīng)證明無參考面單層超薄FPC或常規(guī)網(wǎng)格銅參考面超薄FPC都存在EMC性能較差，抗干擾能力差。綜上，目前超薄FPC版圖設(shè)計(jì)中的存在以下2個(gè)問題：（1）實(shí)銅參考面超薄FPC走線會(huì)產(chǎn)生較大的寄生電容，影響走線信號(hào)質(zhì)
現(xiàn)代信息科技 2022年11期2022-08-26
- 保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性的影響
硅;保護(hù)環(huán);寄生電容;傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)靜電釋放（electro-staticdischarge，ESD）是集成電路（IC）的主要可靠性問題之一[1]，因此IC片上需放置靜電防護(hù)器件，其端口的常規(guī)靜電防護(hù)網(wǎng)絡(luò)如圖1所示。靜電防護(hù)器件的設(shè)計(jì)首先應(yīng)滿足ESD窗口要求，此外，ESD防護(hù)器件的寄生電容（CESD）應(yīng)盡可能小，避免器件寄生電容過大影響被保護(hù)電路的工作速度[2]。特別地，傳送高頻信號(hào)的IC端口對(duì)ESD器件電容更加敏感[3]。常規(guī)靜電防護(hù)器件有二極管、三
電子產(chǎn)品世界 2022年6期2022-06-27
- 一種單級(jí)低開關(guān)應(yīng)力無電解電容LED電源
漏感和開關(guān)管寄生電容之間發(fā)生諧振、出現(xiàn)電壓尖峰，從而降低開關(guān)管開關(guān)應(yīng)力。利用反向的漏感電流對(duì)開關(guān)管寄生電容進(jìn)行反向充電，使其端電壓下降為零，當(dāng)開關(guān)管被觸發(fā)時(shí)實(shí)現(xiàn)零電壓開通。在對(duì)寄生電容反向充電的同時(shí)，反饋漏感能量、提高電源效率。文章詳細(xì)分析了該變換器的工作模態(tài)，給出參數(shù)設(shè)計(jì)方法，最終搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)對(duì)所提方案的可行性進(jìn)行驗(yàn)證。1 電源工作原理1.1 主電路拓?fù)鋯渭?jí)低開關(guān)應(yīng)力無電解電容LED電源主電路如圖1所示。電源主要包括整流電路、單級(jí)部分、輔助回路。整流電路
電氣傳動(dòng) 2022年9期2022-05-05
- LLC諧振變換器的變壓器繞組優(yōu)化設(shè)計(jì)
對(duì)平面變壓器寄生電容較為敏感的問題，采用磁集成技術(shù)對(duì)變壓器的二次繞組進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，使得變壓器寄生電容和繞組渦流損耗的綜合效果最優(yōu)。該文對(duì)平面變壓器層間寄生電容的影響因素進(jìn)行了具體分析，在極坐標(biāo)系下建立變壓器寄生電容的數(shù)學(xué)模型，并歸納出各影響因素在不同電流情況下的作用效果。該文提出了兩種繞組形狀的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，從減小繞組正對(duì)面積的角度改善變壓器的寄生電容。利用有限元仿真軟件Maxwell，搭建變壓器的3D仿真模型，根據(jù)仿真結(jié)果對(duì)比了采用不同優(yōu)化方案時(shí)寄生電容
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年5期2022-03-11
- 三相交錯(cuò)LLC諧振變換器空載問題的研究
，將其統(tǒng)稱為寄生電容，其表達(dá)公式為：圖2 FHA下的電路等效模型在整流網(wǎng)絡(luò)中器件都為純阻性，因此電壓與電流不存在相位差，則整流網(wǎng)絡(luò)輸出端的電流（IO）與輸入側(cè)電流的有效值（Ir）之間的關(guān)系為：中心抽頭式變壓器原邊副邊匝數(shù)比為n:1:1，將輸出側(cè)阻抗換算到原邊，對(duì)輸出側(cè)阻抗進(jìn)行歸一化處理，得：得輕載工況下傳遞函數(shù)：則輕載工況下增益為：由圖3可見，隨著負(fù)載工況的減輕，寄生電容的影響會(huì)變得愈來愈明顯，在諧振網(wǎng)絡(luò)中會(huì)多出一個(gè)高頻率的諧振點(diǎn)，而考慮到寄生電容因素影響
電子測(cè)試 2022年2期2022-02-24
- 推挽型隔離DC-DC變換器軟開關(guān)條件分析
換器開關(guān)管的寄生電容進(jìn)行諧振，滿足開關(guān)管的軟開關(guān)條件。首先分析變換器的增益特性和工作模態(tài)；其次基于變換器的等效電路模型，詳細(xì)分析推挽型隔離DC-DC變換器的軟開關(guān)瞬態(tài)過程，推導(dǎo)出變換器全部開關(guān)管軟開關(guān)條件的參量表達(dá)式；最后通過仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了軟開關(guān)條件的正確性。DC-DC變換器 軟開關(guān) 推挽型 隔離0 引言由于具有較高的安全性、較好的保護(hù)性和較小的體積，隔離型DC-DC變換器在電動(dòng)汽車、新能源發(fā)電等方面得到廣泛應(yīng)用[1-4]，且智能電網(wǎng)和能源互聯(lián)網(wǎng)中電
電工技術(shù)學(xué)報(bào) 2021年23期2021-12-22
- 過孔殘根對(duì)信號(hào)完整性的影響
ub）產(chǎn)生的寄生電容不僅會(huì)影響阻抗的大小與時(shí)延，反射也會(huì)干擾信號(hào)的傳輸導(dǎo)致?lián)p耗的增加，為得到更好的信號(hào)傳輸質(zhì)量，一個(gè)常用的方法就是對(duì)帶狀線（Strip line）的信號(hào)傳輸孔進(jìn)行背鉆，將殘根進(jìn)行鉆除或減少，從而減少寄生電容和電感對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?。本文主要就是從背鉆對(duì)內(nèi)層帶狀線過孔或不背鉆與不同殘根值時(shí)對(duì)信號(hào)傳輸時(shí)阻抗以及插損兩個(gè)方面的影響進(jìn)行研究。1 試驗(yàn)板試驗(yàn)采用12層電性測(cè)試板設(shè)計(jì)損耗及阻抗模塊，選用低介質(zhì)損耗等級(jí)材料Synamic6GX，設(shè)計(jì)2層背鉆
印制電路信息 2021年10期2021-12-08
- 考慮寄生電容的長(zhǎng)距離強(qiáng)電電流環(huán)通訊電路的研究
電源線間會(huì)有寄生電容產(chǎn)生，當(dāng)連接線較短時(shí)，寄生電容較小，電容充放電對(duì)通訊線電平的影響較小，當(dāng)連接逐漸加長(zhǎng)后，寄生電容也隨之增大，電容充放電對(duì)通信線電平的影響也將加大，當(dāng)連接線加到一定長(zhǎng)度后，寄生電容充放電引起的電平波動(dòng)會(huì)干擾通訊線上有效電平的傳遞，從而導(dǎo)致通訊失敗。所以傳統(tǒng)電流環(huán)通訊的有效通訊距離往往都比較短，一般只有30～50 m，這也電流環(huán)通訊電路很少在需要長(zhǎng)距離通訊的產(chǎn)品上使用的主要原因。為了實(shí)現(xiàn)100 m的有效通訊距離，本文在傳統(tǒng)電流環(huán)電路的基礎(chǔ)上
日用電器 2021年9期2021-10-18
- LLC諧振變換型高壓脈沖電源技術(shù)研究*
邊也各自存在寄生電容,因?yàn)楦边吘€圈匝數(shù)多、層數(shù)多,因此變壓器副邊的寄生電容對(duì)電路的影響因素更不可忽略,有必要深入分析寄生電容對(duì)變壓器增益的影響。圖1中,C1、C2分別為分壓電容,兩者的容量基本相等;S1、S2為采用IGBT的諧振開關(guān),T為高升壓比的高頻變壓器;Cr、Lr分別為附加的諧振電容和諧振電感;Cq1、Cq2分別是IGBT功率開關(guān)S1、S2的寄生電容;Lm是勵(lì)磁電感,Cp、Cs分別是高頻變壓器一次、二次側(cè)的等效寄生電容。2 寄生參數(shù)對(duì)開關(guān)管ZVS的影
河南工學(xué)院學(xué)報(bào) 2021年4期2021-09-27
- 某模/數(shù)轉(zhuǎn)換器低溫下輸出異常失效分析
形成一較大的寄生電容，降低最高位D觸發(fā)器的復(fù)位速度。如果最高位D觸發(fā)器本身由于MOS管工藝偏差的原因，導(dǎo)致復(fù)位速度低于次高位[1]。同時(shí)低溫環(huán)境下，溫度越低，用于復(fù)位的PMOS管閾值電壓越低，充電速度急劇下降，導(dǎo)致D觸發(fā)器復(fù)位速度進(jìn)一步降低。這幾個(gè)方面影響的疊加，就會(huì)使對(duì)應(yīng)的I107異或門出現(xiàn)較高的誤脈沖，導(dǎo)致最高位電平觸發(fā)器出現(xiàn)誤動(dòng)作，鎖存錯(cuò)誤結(jié)果。由于轉(zhuǎn)換結(jié)束后比較器正處于復(fù)位狀態(tài)，所以最高位會(huì)根據(jù)比較器的復(fù)位速度隨機(jī)鎖存數(shù)字“0”。其他的D觸發(fā)器由于
環(huán)境技術(shù) 2021年2期2021-07-03
- 分布電容對(duì)高壓電流互感器影響的仿真分析
1.3 結(jié)合寄生電容參數(shù)的電路仿真在電流互感器原理圖的基礎(chǔ)上，搭建無電屏蔽，考慮對(duì)地電容的電流互感器仿真電路。設(shè)置AC電流源幅值為500 A，頻率為50 Hz，Rz1=100 Ω，通過Rz1將一次側(cè)的電壓抬升至有效值約35 kV[10]。此外，考慮4個(gè)繞組自身的電阻、繞組間的互感、繞組間的電容以及各繞組的對(duì)地電容。計(jì)算步長(zhǎng)取1e-7s，即一個(gè)周期2×105個(gè)計(jì)算點(diǎn)，計(jì)算10個(gè)周期。2 計(jì)算結(jié)果與討論2.1 寄生電容提取通過電磁場(chǎng)模型的求解，計(jì)算結(jié)果如表1所
通信電源技術(shù) 2021年5期2021-07-02
- 非隔離型并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)中漏電流的分析與保護(hù)
由光伏電源、寄生電容、T型三電平三相并網(wǎng)逆變器模塊、LC濾波器、Y電容和電網(wǎng)等部分組成。圖1 非隔離型并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的漏電流路徑Fig.1 Leakage current path of non-isolated grid-connected PV power generation system圖1 中，Lcom為共模電感；L為濾波電感；C為濾波電容；Cac、Cdc分別為逆變器交流側(cè)并網(wǎng)線纜和光伏陣列直流側(cè)線纜對(duì)地的寄生電容，這2個(gè)值的大小均取決于線纜的
太陽能 2021年5期2021-06-03
- 非隔離型光伏并網(wǎng)逆變器漏電流分析
大地之間產(chǎn)生寄生電容與非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)形成回路，從而形成共模電流，共模電流又稱為漏電流，漏電流的產(chǎn)生不僅導(dǎo)致并網(wǎng)電流產(chǎn)生畸變，更主要的是對(duì)相關(guān)工作人員產(chǎn)生觸電危險(xiǎn)和對(duì)設(shè)備高可靠性工作產(chǎn)生安全隱患。目前揚(yáng)中市居民用戶安裝的并網(wǎng)逆變器功率普遍小于10 kVA,根據(jù)NB32004-2013 標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)逆變器額定功率小于或者等于30 kVA，漏電流大于300 mA時(shí)，整個(gè)逆變器并網(wǎng)系統(tǒng)必須在0.3 s 內(nèi)將設(shè)備斷切，因此對(duì)漏電流的抑制成為非隔離型光伏并網(wǎng)系統(tǒng)廣泛
電力安全技術(shù) 2021年3期2021-05-27
- 寄生電容自適應(yīng)抑制的飛法級(jí)電容傳感器讀出電路
護(hù)器件帶來的寄生電容通常達(dá)到皮法(10-12F)量級(jí)。在此情況下,大寄生電容上產(chǎn)生的寄生電荷可以輕易干擾甚至吞沒傳感器電容上的信號(hào)電荷,從而嚴(yán)重限制了電容傳感器讀出電路的信號(hào)處理范圍和精度[1-6]。傳統(tǒng)的電容傳感器讀出電路通常采用周期調(diào)制方式[7]或雙斜坡變換方式[8-9]。前者將傳感器的電容變化量轉(zhuǎn)換為方波信號(hào)周期的變化量,再用時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)得到數(shù)字輸出;后者通過積分實(shí)現(xiàn)電容-電壓(C-V)轉(zhuǎn)換,再通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)得到數(shù)字輸出。這兩種
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年5期2021-05-11
- 反激式開關(guān)電源的電磁干擾建模及抑制方法分析
影響源主要為寄生電容所生成的共模及差模電流，這些都是通過開關(guān)電源高變化率的電位差所產(chǎn)生的[5]，圖1示意了寄生電容耦合路徑及形式，電流經(jīng)整流橋、變壓器初級(jí)、變壓器次級(jí)與輸出電纜間的寄生電容進(jìn)行流動(dòng)，進(jìn)行騷擾電壓測(cè)試的過程中，這些騷擾電流流過LISN導(dǎo)電回路中的測(cè)量電阻，從而在騷擾電壓測(cè)試結(jié)果中體現(xiàn)出來。其中最主要的騷擾電流是通過變壓器的初、次級(jí)間的內(nèi)部寄生電容所產(chǎn)生的，在圖中顯示為Cw1、Cw2、Cw3、Cw4、Cw5、Cw6。這主要是由于變壓器內(nèi)大面積銅
家電科技 2021年2期2021-04-21
- 一種適用于全橋LLC 變換器的共模噪聲抑制方法
變換器對(duì)地的寄生電容產(chǎn)生較大的位移電流，即共模噪聲電流。 在隔離變換器中，共模噪聲主要通過開關(guān)管漏極對(duì)散熱器的寄生電容以及變壓器原副邊繞組間的寄生電容進(jìn)行傳播。全橋LLC 變換器原副邊共4 個(gè)具有高dv/dt 的電壓跳變節(jié)點(diǎn)， 包括原邊橋臂中點(diǎn)電壓VA和VB、同步整流管漏極電壓VSR1和VSR2。 CpA、CpB分別是橋臂中點(diǎn)A、B 到散熱器的寄生電容，Cps是變壓器原邊到副邊的寄生電容，Cs1、Cs2分別是SR1、SR2到散熱器到寄生電容，Cs是副邊地到
電源學(xué)報(bào) 2021年2期2021-04-13
- 無線供電用植入式集成線圈建模
算介質(zhì)環(huán)境的寄生電容影響，但是當(dāng)介質(zhì)環(huán)境復(fù)雜時(shí)就不再適用。在此基礎(chǔ)上，本文采用多層介質(zhì)疊加與擬合的方式，對(duì)植入體內(nèi)的集成線圈在生物兼容材料和人體組織包裹下的寄生電容進(jìn)行準(zhǔn)確建模和仿真驗(yàn)證。1 植入式硅基集成線圈模型圖1 硅基集成線圈的示意圖及集總參數(shù)模型植入式硅基集成線圈的模型示意圖如圖1(a)所示，集總參數(shù)模型如圖1(b)所示。線圈總阻抗Z和Q值的表達(dá)式如下：(1)Q=lm(Z)/Re(Z)(2)式中，LS為電感值，RS為串聯(lián)寄生電阻，CP為并聯(lián)寄生電容
- 基于線性提升和高速低噪聲比較器技術(shù)的10 bit 160 MSPS SAR ADC設(shè)計(jì)
浮空技術(shù)用于寄生電容電荷補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)采樣開關(guān)高線性度。使串聯(lián)的兩個(gè)寄生電容的容值變化方向相反，從而實(shí)現(xiàn)了容值的相互補(bǔ)償，使輸入管的寄生電容容值不隨輸入信號(hào)幅度變化，相較傳統(tǒng)技術(shù)，采樣開關(guān)的線性度得到進(jìn)一步提高。另一方面，提出了一種高速低噪聲動(dòng)態(tài)比較器技術(shù)，減小了MOS管的導(dǎo)通電阻，增加了比較器速度，通過襯底自舉技術(shù)，使比較器輸入管的閾值電壓明顯降低，跨導(dǎo)增加，從而降低了比較器的等效輸入噪聲，解決了動(dòng)態(tài)比較器速度和噪聲之間必須進(jìn)行折中的技術(shù)難點(diǎn)。為了驗(yàn)證上述技
電子產(chǎn)品世界 2021年12期2021-01-15
- 紅外探測(cè)器IWR讀出模式在搜索系統(tǒng)中殘影現(xiàn)象分析
圖7所示,設(shè)寄生電容的大小為Cjs,均分電荷結(jié)束后,保持電容的電壓值為Vr-Vn,其中Vr是復(fù)位電壓,Vn第n幀要讀出的信號(hào)電壓。積分電容復(fù)位結(jié)束后,積分電容電壓值復(fù)位到Vr。由于積分電容和保持電容間有Vn的壓差,為保持平衡,寄生電容的電壓值將達(dá)到Vn。開始積分第(n+1)幀信號(hào)時(shí),由于是抽電荷方式,所以積分電容的電壓值會(huì)減小,為保持平衡,電荷會(huì)從寄生電容轉(zhuǎn)移到積分電容,直到寄生電容的電壓值正好為0 V。圖7 第(n+1)幀開始積分的初態(tài)圖8 第(n+1)
激光與紅外 2020年11期2020-12-04
- 基于GaN器件的雙向CLLC諧振變換器分析與設(shè)計(jì)
S2和S3的寄生電容充電，對(duì)S1和S4的寄生電容放電，變壓器二次側(cè)電壓逐漸下降，當(dāng)其變?yōu)樨?fù)時(shí)，開關(guān)S6和S7反向?qū)?，Cr2開始放電。在模態(tài)4，當(dāng)寄生電容完成充放電時(shí)，開關(guān)S1和S4的寄生電容電壓降為零，此時(shí)開關(guān)S1和S4的正向壓降為零，為開關(guān)管的ZVS做好了準(zhǔn)備；同時(shí)，開關(guān)S2和S3上的電流降為零，反向流過開關(guān)S1和S4的電流逐漸減小。以上為前半個(gè)周期，以下分析后半個(gè)周期。在模態(tài)5，開關(guān)S1和S4正向?qū)?，Lr上的諧振電流按正弦規(guī)律反向增大，Lm上的電流
- 功率MOSFET管結(jié)電容測(cè)試條件研究
OSFET的寄生電容是決定動(dòng)態(tài)參數(shù)的根本原因，能否準(zhǔn)確測(cè)得各級(jí)間電容值對(duì)生產(chǎn)應(yīng)用有至關(guān)重要的意義。通過對(duì)四種不同結(jié)構(gòu)的MOSFET進(jìn)行電容測(cè)試，發(fā)現(xiàn)電容與測(cè)試頻率、電壓的變化趨勢(shì)，制定合理的電容測(cè)試的方法。關(guān)鍵字：結(jié)電容、反向傳輸電容、特征頻率、負(fù)電容效應(yīng)引言所有功率半導(dǎo)體的核心基于PN結(jié)設(shè)計(jì)制造的，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，在結(jié)合面處的兩側(cè)形成空間電荷區(qū)，也稱為耗盡層，當(dāng)PN結(jié)兩端的電壓變化的時(shí)候，PN結(jié)的空間電荷區(qū)的電荷也發(fā)生改變。在MOSFET器件實(shí)
中國電氣工程學(xué)報(bào) 2020年15期2020-11-16
- 基于GIS管道寄生電容的TV串聯(lián)諧振升壓方法研究與應(yīng)用
再加上它存在寄生電容，利用傳統(tǒng)方法檢定需要的無功容量很大。因此，本文提出利用GIS管道寄生電容與可調(diào)電抗器串聯(lián)諧振升壓方法，并利用此方法對(duì)220 kV谷滿變電站GIS套管中電磁式TV誤差試驗(yàn)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。為了解決現(xiàn)場(chǎng)單相寄生電容量小的問題，本文把GIS管道中A、B、C三相母線并聯(lián)方式增大電容量，這樣不僅充分利用了現(xiàn)場(chǎng)資源，而且減少了可調(diào)電抗器的數(shù)量。1 單元式GIS中TV的現(xiàn)場(chǎng)檢定單元式GIS套管是把電源引入到變電站，再把TA和TV與其它一次設(shè)備連接起來的
云南電力技術(shù) 2020年5期2020-11-09
- EMI濾波器的寄生效應(yīng)分析
消除共模電感寄生電容的辦法。關(guān)鍵詞：EMI濾波器;寄生效應(yīng);共模電感;寄生電容0? ? 引言對(duì)于電氣設(shè)備而言，電磁環(huán)境污染已經(jīng)成為了很重要的問題，任何電氣電子設(shè)備對(duì)周圍的環(huán)境而言都是潛在的噪聲源，高幅度的擾動(dòng)會(huì)導(dǎo)致位于共同環(huán)境的電氣電子設(shè)備功能失效，只有電氣電子設(shè)備在同一環(huán)境與其他設(shè)備可以相互容忍，此時(shí)才可認(rèn)為做到了電磁兼容。為了實(shí)現(xiàn)電磁兼容，應(yīng)降低設(shè)備或系統(tǒng)的電磁發(fā)射水平或者是提高設(shè)備的電磁抗干擾度。實(shí)踐證明，濾波是一種很好的降低騷擾發(fā)射傳導(dǎo)的辦法。EM
機(jī)電信息 2020年21期2020-10-21
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的故障溯源
源的漏電流和寄生電容會(huì)引起DRAM的故障，在DRAM開發(fā)期間，工程師需仔細(xì)評(píng)估這些故障模式，當(dāng)然也應(yīng)該考慮工藝變化對(duì)漏電流和寄生電容的影響。從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。DRAM存儲(chǔ)單元（如圖1（a））在電源關(guān)閉時(shí)會(huì)丟失已存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，因此必須不斷刷新。存
軟件和集成電路 2020年4期2020-05-25
- 漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
因素是器件的寄生電容。DRAM開發(fā)期間應(yīng)進(jìn)行交流（AC）分析，因?yàn)槲痪€耦合會(huì)導(dǎo)致寫恢復(fù)時(shí)間（tWR）延遲，并產(chǎn)生其他性能故障。由于摻雜的多晶硅不僅用于晶體管柵極，還用于位線接觸和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸，這會(huì)導(dǎo)致多個(gè)潛在的寄生電容產(chǎn)生（見圖5 （a）），所以必須對(duì)整個(gè)器件進(jìn)行電容測(cè)量。SEMulator3D內(nèi)置AC分析功能，可測(cè)量復(fù)雜的模擬3D結(jié)構(gòu)的寄生電容值。例如，通過模擬將交流小信號(hào)施加到字線WL2，SEMulator3D可以獲取全新設(shè)計(jì)的DRAM結(jié)構(gòu)中字線WL2
中國電子商情·基礎(chǔ)電子 2020年6期2020-01-04
- 高速SMA 過孔阻抗設(shè)計(jì)優(yōu)化?
主要是由過孔寄生電容與寄生電感引起。寄生電容計(jì)算公式如下：其中D 為電地平面反焊盤直徑，d 為過孔的焊盤直徑，T為板厚，ε為PCB材料介電常數(shù)。寄生電感計(jì)算公式如下：其中h為過孔長(zhǎng)度，d為過孔直徑。在信號(hào)快速邊沿的激勵(lì)下，電容會(huì)呈低阻抗而寄生電感呈現(xiàn)高阻抗，一般信號(hào)過孔阻抗是由寄生電容與寄生電阻共同作用形成，當(dāng)寄生電容效應(yīng)大于寄生電阻時(shí)，過孔呈現(xiàn)低阻抗。PCB 材料介電常數(shù)在確定材料種類時(shí)已經(jīng)確定；為了保證互連密度，過孔長(zhǎng)度一般略小于板厚；由于信號(hào)孔長(zhǎng)度取
計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程 2019年11期2019-11-29
- 并聯(lián)電路E類逆變器軟開關(guān)特性研究
高頻狀態(tài)下的寄生電容[4-5]，但是這樣的設(shè)計(jì)適合于在較低頻率的系統(tǒng)中，在高頻狀態(tài)需要考慮寄生電容這些重要的非理想因素，以避免出現(xiàn)次優(yōu)化的設(shè)計(jì)。文中基于并聯(lián)電路E類逆變器進(jìn)行分析研究。采用有限直流饋電電感的并聯(lián)電路E類逆變器相比于采用無限大的扼流線圈的并聯(lián)電容E類逆變器有明顯的優(yōu)點(diǎn)[6-8]，文獻(xiàn)[6]通過分析表明采用較小的電抗代替LRFC扼流線圈能夠輸出更大的功率。在許多文獻(xiàn)中，對(duì)于具有有限直流饋電電感的E類逆變器的設(shè)計(jì)采用長(zhǎng)時(shí)間的迭代求解方法。采用合適
福建工程學(xué)院學(xué)報(bào) 2019年3期2019-07-01
- 寄生電容對(duì)電容式加速度傳感器輸出電壓的影響
敏感結(jié)構(gòu)間的寄生電容會(huì)對(duì)電容檢測(cè)產(chǎn)生影響。文中根據(jù)電容式加速度敏感結(jié)構(gòu)的組成，分析了敏感結(jié)構(gòu)中的檢測(cè)電容與寄生電容的分布情況。并根據(jù)電荷的放大電路的工作原理對(duì)寄生電容對(duì)傳感器輸出的影響進(jìn)行了分析，并通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)理論分析進(jìn)行了驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析的結(jié)果相符合。關(guān)鍵詞：電容式加速度傳感器；寄生電容；電荷放大電路；輸出引言本文分析了寄生電容對(duì)于一種梳齒式加速度傳感器檢測(cè)電路的影響。首先介紹梳齒式加速度傳感器檢測(cè)電路的基本原理，然后根據(jù)加速度傳感器敏感結(jié)構(gòu)的
科學(xué)與技術(shù) 2019年16期2019-04-16
- 用于脈沖放電的小型吸收水電阻的設(shè)計(jì)研究
測(cè)定水電阻的寄生電容值，本文以20nF云母電容充電5KVDC為例計(jì)算并實(shí)測(cè)其放電時(shí)間；綜合給出本文設(shè)計(jì)的水電阻的性能。電容器作為脈沖功率技術(shù)中的核心器件、 是重要的儲(chǔ)能元件，由電容特性決定其需要一個(gè)吸能元件來吸收其殘余電壓、由于金屬電阻容易發(fā)生局部燒毀因此通常都是用溶液體電阻作為吸收電阻，本文采用圓柱體設(shè)計(jì)方案并對(duì)設(shè)計(jì)方案進(jìn)行理論計(jì)算、并且利用建模仿真以及實(shí)驗(yàn)測(cè)量加以驗(yàn)證。1.水電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)水電阻設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)為圓柱體結(jié)構(gòu)、其結(jié)構(gòu)剖面如圖1所示：圖1 水電阻結(jié)構(gòu)
電子世界 2018年21期2018-11-22
- 電路中寄生電容的估算方法
路一般都會(huì)有寄生電容，估算寄生電容的大小可以幫助分析寄生電容對(duì)實(shí)際電路功能的影響。本文總結(jié)了實(shí)際電路中寄生電容的來源，針對(duì)不同來源提出合理的模型，將實(shí)際電路中出現(xiàn)的電容抽象為平行板電容器、球形電容器和長(zhǎng)直導(dǎo)線電容器，對(duì)寄生電容的量級(jí)進(jìn)行估算，并分析寄生電容對(duì)實(shí)際電路的工作性能尤其是高頻性能的影響。關(guān)鍵詞：寄生電容；二極管；焊點(diǎn)；導(dǎo)線中圖分類號(hào)：TM934.2 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1671-2064（2018）18-0150-021 引言電容作為重要的
中國科技縱橫 2018年18期2018-10-27
- 寄生電容對(duì)LLC諧振變換器的影響分析
。在分析這些寄生電容對(duì)LLC變換器影響的基礎(chǔ)上，可以通過合理控制寄生電容的方法，或者提出一些改進(jìn)型電路設(shè)計(jì)方法或控制策略，避免寄生電容對(duì)電路正常運(yùn)行的不良影響，從而設(shè)計(jì)出性能優(yōu)良的LLC變換器[8-9]。本文從高頻變壓器分布電容的產(chǎn)生機(jī)理出發(fā)，在給出功率開關(guān)器件結(jié)電容的確定方法和高頻變壓器分布電容的相關(guān)改進(jìn)措施的基礎(chǔ)上，分析了分布電容對(duì)LLC變換器軟開關(guān)過程的影響，并通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間來提升變換效率[10-15]。同時(shí)，通過對(duì)考慮分布電容的LLC變換器的建模
電源學(xué)報(bào) 2018年2期2018-04-12
- 考慮寄生參數(shù)影響的高壓疊層母線排優(yōu)化設(shè)計(jì)
的疊層母線排寄生電容參數(shù)增加，濾波效果增強(qiáng)；寄生電阻和寄生電感大大減小，疊層母排的寄生參數(shù)進(jìn)一步降低；減小回路中的過電壓和降低回路中的差模/共模干擾與近場(chǎng)輻射，對(duì)降低電力電子裝置中的傳導(dǎo)電磁干擾具有重要意義。疊層母線排；寄生參數(shù)；傳導(dǎo)干擾；近場(chǎng)輻射功率開關(guān)器件的高速通斷導(dǎo)致了過高的du/dt和di/dt，由于過電壓與di/dt和分布雜散電感成正比，當(dāng)母線排電感量較大時(shí)，在通斷瞬間產(chǎn)生的尖峰電壓與直流回路電壓疊加，會(huì)造成器件擊穿，加劇回路的共模干擾，嚴(yán)重影響
電氣傳動(dòng) 2017年7期2017-08-08
- 有源鉗位正激變換器寄生參數(shù)對(duì)軟開關(guān)和直流偏磁的影響
原邊MOS管寄生電容、變壓器激磁電感及漏感的影響，推導(dǎo)了鉗位管ZVS開通的能量條件和時(shí)間匹配條件；建立了正激變壓器直流偏磁與寄生參數(shù)的定量關(guān)系；指出了小漏感、大激磁感、大寄生電容條件會(huì)導(dǎo)致鉗位MOS管無法實(shí)現(xiàn)ZVS開通，降低整機(jī)效率，影響控制器的可靠工作；同時(shí)還指出大漏感條件會(huì)導(dǎo)致變壓器負(fù)向偏磁嚴(yán)重，降低磁心利用率。最后完成了50W有源鉗位正激模塊電源的仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，證明了理論分析的正確性。有源鉗位正激變換器； 寄生參數(shù)； ZVS； 直流偏磁1 引言有源
電工電能新技術(shù) 2017年5期2017-06-06
- 磁環(huán)線圈匝數(shù)諧振頻率測(cè)量及在抑制傳導(dǎo)干擾中的應(yīng)用
析得出電感和寄生電容是影響諧振頻率的關(guān)鍵因素；其次使用阻抗分析儀測(cè)量不同匝數(shù)磁環(huán)的諧振頻率、電感和寄生電容，量化線圈匝數(shù)引起的寄生電感和電容變化，進(jìn)而確定線圈匝數(shù)增加導(dǎo)致諧振頻率減小；最后，以電動(dòng)汽車后視鏡電機(jī)為例，分析了磁環(huán)線圈的接入對(duì)電磁干擾抑制效果的影響。試驗(yàn)證明，磁環(huán)匝數(shù)增加時(shí)，磁環(huán)抑制干擾的有效頻段降低。磁環(huán)；阻抗；諧振頻率；電感；寄生電容軟磁鐵氧體是一種廣泛使用的有耗材料，包括鎳鋅鐵氧體和錳鋅鐵氧體，在抑制電磁干擾方面有著極其重要的應(yīng)用。磁環(huán)是
電源學(xué)報(bào) 2017年3期2017-06-05
- 基于二極管技術(shù)優(yōu)化射頻集成電路的ESD
中，ESD的寄生電容對(duì)射頻性能將產(chǎn)生不可忽略的影響?；诙O管正向偏置對(duì)ESD電流的泄放能力，通過引入電感和電容對(duì)ESD脈沖的精確模擬，通過設(shè)計(jì)有效的有源RC電源鉗位電路，考慮到版圖電阻電容寄生對(duì)ESD的射頻性能的影響，提出3種版圖設(shè)計(jì)，對(duì)各種版圖進(jìn)行了仿真，分析ESD和射頻性能，提出了最優(yōu)的版圖，滿足射頻集成電路應(yīng)用的ESD保護(hù)電路。靜電泄放；射頻集成電路；二極管；電源鉗位0 引言隨著CMOS集成電路工藝發(fā)展，器件尺寸越來越小，結(jié)深越來越淺，在先進(jìn)的工藝
無線電通信技術(shù) 2017年3期2017-04-24
- 高頻LLC諧振變換器的效率優(yōu)化
C中被忽略的寄生電容不僅會(huì)影響原邊開關(guān)管的軟開關(guān)過程而且還會(huì)使得諧振電流發(fā)生畸變。分析了寄生電容對(duì)變換器軟開關(guān)的影響且對(duì)死區(qū)時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，以提高變換器的效率。研制了一臺(tái)功率為250 W，工作頻率為400 kHz的LLC諧振變換器原理樣機(jī)，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。LLC諧振變換器；寄生電容；軟開關(guān)；死區(qū)時(shí)間；效率0 引 言隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，功率變換器逐漸向高頻、高效率、高功率密度方向發(fā)展[1]。變換器的高頻化，意味著開關(guān)損耗的增加，為了減小這部分損耗，
電氣自動(dòng)化 2016年4期2016-12-07
- 一種T-SCC脈沖發(fā)生器的研制*
統(tǒng)輸出電壓和寄生電容充放電速度，達(dá)到了脈沖上升沿壓縮的目的。脈沖電源；固體開關(guān)；SSBM發(fā)生器；T-SCC發(fā)生器；寄生參數(shù)動(dòng)態(tài)模型脈沖電源在加速器、材料表面改性、機(jī)械加工和環(huán)保等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，不同應(yīng)用領(lǐng)域，脈沖電源的實(shí)現(xiàn)方案不同［1-3］，最早產(chǎn)生等離子體的脈沖電源方案為PFN（Pulse Forming Network）脈沖形成網(wǎng)絡(luò)技術(shù)［4］，由于擁有較好的方波波形輸出、更寬的負(fù)載匹配以及超過10 000 h的使用壽命被沿用至今，但PFN脈沖形
電子器件 2016年5期2016-11-21
- 考慮寄生參數(shù)的LLC諧振倍壓變換器優(yōu)化設(shè)計(jì)
［5］只針對(duì)寄生電容在輕載條件下對(duì)電路的影響進(jìn)行分析，沒有考慮變壓器漏感的影響且諧振參數(shù)的設(shè)計(jì)仍是經(jīng)過仿真對(duì)比得出，設(shè)計(jì)過程比較復(fù)雜；文獻(xiàn)［6］則主要通過對(duì)死區(qū)時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化，得到固定頻率內(nèi)的最佳死區(qū)時(shí)間，而LLC諧振網(wǎng)絡(luò)的其他諧振參數(shù)則主要依靠對(duì)比和調(diào)試得出，比較依賴工程師經(jīng)驗(yàn)。本文針對(duì)以上不足，在參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí)著重考慮變壓器寄生參數(shù)對(duì)諧振倍壓變換器的影響，推導(dǎo)出在寄生參數(shù)的影響下電路在寬負(fù)載范圍內(nèi)ZVS開通的約束條件及諧振電流與各諧振參數(shù)的關(guān)系，利用最優(yōu)
電源學(xué)報(bào) 2016年3期2016-10-12
- OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容對(duì)讀取閾值的影響
器存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容對(duì)讀取閾值的影響毛冬冬，曾昆農(nóng)，李建軍（電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川 成都610054）在OTP存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)中，基于得到OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元編程后盡可能大的讀取閾值的目的，以提高OTP存儲(chǔ)器的編程效率和芯片成品率，采用了消除存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容的方法，通過對(duì)OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元內(nèi)帶寄生電容和不帶寄生電容兩種情況下的仿真以及對(duì)比，可以發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)單元內(nèi)寄生電容的存在會(huì)使OTP存儲(chǔ)器編程后的讀取閾值減少8 kΩ左右，所以在
電子設(shè)計(jì)工程 2016年2期2016-09-14
- 一種高效的交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC研究
關(guān)鍵元件，其寄生電容的損耗會(huì)對(duì)系統(tǒng)的效率產(chǎn)生影響。作者針對(duì)傳統(tǒng)升壓電感存在寄生電容大、損耗高的問題，提出了一種具有寄生電容小、損耗低等優(yōu)點(diǎn)的改進(jìn)設(shè)計(jì)方法，設(shè)計(jì)了一個(gè)685W的帶交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC的樣機(jī)系統(tǒng)。測(cè)試結(jié)果表明：較之傳統(tǒng)方法，作者所提改進(jìn)方法搭建的系統(tǒng)具有更高的效率，更能適應(yīng)交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC的高效發(fā)展。關(guān)鍵詞：升壓電感；交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC；寄生電容；高效急劇增加的電力電子裝置使得電網(wǎng)諧波污染日益嚴(yán)重，PFC電路是消除諧波污
遵義師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2016年2期2016-07-14
- 新型低柵源漏電容射頻LDMOS器件設(shè)計(jì)*
為了降低柵源寄生電容Cgs，提出了一種帶有階梯柵n埋層結(jié)構(gòu)的新型射頻LDMOS器件；采用Tsuprem4軟件對(duì)其進(jìn)行仿真分析，重點(diǎn)研究了n埋層摻雜劑量和第二階梯柵氧厚度對(duì)柵源寄生電容Cgs的影響，并結(jié)合傳統(tǒng)的射頻LDMOS基本結(jié)構(gòu)對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的射頻LDMOS器件結(jié)構(gòu)相比，使得器件的柵源寄生電容最大值降低了15.8%，截止頻率提高了7.6%，且器件的閾值電壓和擊穿電壓可以維持不變。射頻LDMOS；柵源寄生電容Cgs；Tsup
電子器件 2015年6期2015-12-22
- 高精度SAR ADC非理想因素分析及校準(zhǔn)方法
及耦合電容的寄生電容影響,而高位寄生電容的影響可以忽略.建立了16位逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高層次模型,驗(yàn)證了理論分析,并通過一種全數(shù)字的后臺(tái)校準(zhǔn)技術(shù)來減小電容失配和寄生電容的影響.仿真結(jié)果表明,校準(zhǔn)后的有效位數(shù)在15位以上的概率超過90%.高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器;逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器;電容失配;數(shù)字校準(zhǔn);高層次建模逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converters,S
西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年6期2015-12-22
- 微電容陣列檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
，并探討了其寄生電容產(chǎn)生的原因。測(cè)試結(jié)果表明，該檢測(cè)電路克服了各種寄生電容對(duì)傳感器的影響，提高了測(cè)量精度，能夠應(yīng)用于MEMS觸覺傳感器微電容陣列的測(cè)量。微電容陣列；觸覺傳感器；寄生電容；MS3110P電容式傳感器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、分辨力高、工作可靠、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、可非接觸測(cè)量，并能在高溫、高輻射和強(qiáng)烈振動(dòng)等惡劣條件下工作等優(yōu)點(diǎn)，已在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的許多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如在觸覺傳感器系統(tǒng)中，電容傳感器被用來獲得壓力信號(hào)。針對(duì)微電容單元的測(cè)量，國內(nèi)外研究者進(jìn)行了不
新鄉(xiāng)學(xué)院學(xué)報(bào) 2015年3期2015-06-15
- 大尺寸金屬氧化物TFT面板設(shè)計(jì)分析
布線技術(shù)和低寄生電容TFT器件結(jié)構(gòu)是未來大尺寸AMOLED顯示的關(guān)鍵技術(shù)。AMOLED； 大尺寸； 高分辨率； RC延遲1 引 言大尺寸化、超清化以及3D顯示是未來電視發(fā)展的重要方向。4K2K大尺寸電視具有前所未有的視覺體驗(yàn)，目前主要電視廠商把4K2K作為一個(gè)重點(diǎn)開發(fā)目標(biāo)。對(duì)于提高視頻畫面顯示質(zhì)量和3D顯示，一般要求顯示面板的刷新頻率不低于120 Hz[1-2]。被譽(yù)為夢(mèng)幻顯示器的“有源有機(jī)發(fā)光二極管”(AMOLED)顯示具有高亮度、寬視角、低功耗以及響應(yīng)
發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年5期2015-05-05
- 一種改進(jìn)控制電路在IGBT串聯(lián)中的應(yīng)用
T控制電路中寄生電容存在的主要原因，以及其對(duì)IGBT串聯(lián)均壓產(chǎn)生的影響；然后，提出了一種改進(jìn)型控制電路，與傳統(tǒng)的控制電路相比，改進(jìn)型控制電路從主電路獲取控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)IGBT所需功率，無需外接直流電源和電源隔離，減少了寄生電容的引入，能在一定程度改善IGBT的串聯(lián)均壓；最后，通過仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該電路的有效性。在工程應(yīng)用上具有一定的參考價(jià)值。串聯(lián)；均壓；寄生電容；門極驅(qū)動(dòng)引言IGBT（insolated gate bipolar transistor）結(jié)合了
電源學(xué)報(bào) 2015年4期2015-01-09
- 逆變器寄生電容對(duì)永磁同步電機(jī)無傳感器控制的影響
16）逆變器寄生電容對(duì)永磁同步電機(jī)無傳感器控制的影響戴鵬，趙燁，苗文彬，董蘇（中國礦業(yè)大學(xué)信息與電氣工程學(xué)院，江蘇徐州 221116）逆變器非線性特性會(huì)對(duì)基于高頻注入法的永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)子位置和速度觀測(cè)產(chǎn)生影響，不利于電機(jī)的精確控制。在分析逆變器非線性特性中寄生電容效應(yīng)及其對(duì)高頻載波電流響應(yīng)影響的基礎(chǔ)上，提出了一種旨在減小此非線性影響的新穎補(bǔ)償方法。此方法直接利用高頻電流響應(yīng)中的正序電流分量對(duì)包含轉(zhuǎn)子位置信息的負(fù)序電流分量進(jìn)行補(bǔ)償，使作為位置觀測(cè)器輸入的誤差
電氣傳動(dòng) 2014年6期2014-04-28
- 功率MOSFET寄生電容劣化對(duì)開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)的影響
與源極之間的寄生電容的存在會(huì)對(duì)輸出信號(hào)的電壓、電流、頻率等存在影響。而在文獻(xiàn)[4]中也有涉及到MOS器件溝道效應(yīng)。由此可見，MOSFET的寄生參數(shù)的變化，會(huì)對(duì)MOSFET結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響，更會(huì)對(duì)MOSFET的性能起到至關(guān)重要的作用。在功率MOSFET器件中，柵極對(duì)MOSFET的影響是十分關(guān)鍵的。在電壓應(yīng)力的情況下，柵極相對(duì)于其他極，能承受的電壓相對(duì)較低，也更容易被擊穿[5]。文獻(xiàn)[6]指出，當(dāng)MOSFET柵長(zhǎng)縮小到納米量級(jí)，很多應(yīng)力效應(yīng)對(duì)器件性能的影響也越發(fā)明
電源技術(shù) 2014年4期2014-04-23
- 電容式觸摸屏中寄生電容原理及測(cè)量方法探討
容式觸摸屏中寄生電容的大小通常都是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)所得，一般設(shè)定在5～15pF［1］范圍內(nèi)，但是這種基于經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)在實(shí)踐中會(huì)帶來觸摸精度不夠高等問題。寄生電容的測(cè)量在以往的研究中討論得比較少，但在觸摸按鍵的設(shè)計(jì)過程中，如果能夠通過實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確測(cè)出寄生電容的大小，就可以為觸摸按鍵的參數(shù)設(shè)計(jì)提供理論計(jì)算值，并且可以對(duì)觸摸按鍵中的寄生電容值大小進(jìn)行定量更改。下文介紹并分析了一種寄生電容的測(cè)量方法。1 寄生電容設(shè)計(jì)分析電容式觸摸屏的結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1 電容式觸摸屏結(jié)構(gòu)寄生電
機(jī)電信息 2014年24期2014-03-06
- 點(diǎn)火線圈寄生參數(shù)計(jì)算及建模方法
及繞組之間的寄生電容阻抗降低，為高頻信號(hào)提供新的流通路徑。所以，在建立點(diǎn)火線圈高頻特性電路模型時(shí)，需考慮繞組的寄生參數(shù)。本文以重慶志陽的DQG1213型干式點(diǎn)火線圈為研究對(duì)象，計(jì)算寄生參數(shù)并建立等效電路模型。該點(diǎn)火線圈的基本參數(shù)見表1。表1 點(diǎn)火線圈基本參數(shù)1.1 繞組內(nèi)寄生電容計(jì)算由圖2（a）可知，對(duì)于繞組內(nèi)部漆包線之間的寄生電容，由于繞組包含匝數(shù)很多，且漆包線直徑很小，在現(xiàn)有計(jì)算能力下，建立每個(gè)繞組的物理模型直接計(jì)算相鄰漆包線之間的寄生電容幾乎不可能，
汽車工程學(xué)報(bào) 2013年1期2013-10-29
- AC/DC變換器傳導(dǎo)EMI實(shí)驗(yàn)分析
為原副邊繞組寄生電容，Lp-leak、Ls-leak分別為原副邊漏感，Cds為 MOSFET 漏極與源極間的寄生電容。圖(b)為開關(guān)管斷開時(shí)的等效電路圖，此時(shí)二極管導(dǎo)通，輸入與輸出端可以認(rèn)為分別連接在一個(gè)恒壓源上，N2Ls-leak為副邊漏感歸算到原邊的漏感。在MOSFET斷開瞬間，變壓器原邊電流不會(huì)瞬間減小為零，并對(duì)Cds、Cp充放電，進(jìn)而引起振蕩。由于振蕩為高頻，直流源可以視為短路，所以圖(b)可以進(jìn)一步化簡(jiǎn)為圖(c)，由圖(c)可知振蕩頻率為由于Lp
電源學(xué)報(bào) 2013年3期2013-09-26
- 微機(jī)械加速度計(jì)中的寄生電容對(duì)噪聲的影響*
輸入端到地的寄生電容以及運(yùn)算放大器等效輸入噪聲對(duì)系統(tǒng)噪聲的影響[6]。但與變間距式加速度計(jì)不同，在變面積式加速度計(jì)中，敏感元件內(nèi)部的兩個(gè)鋁電極之間存在寄生電容，并且該寄生電容對(duì)噪聲存在影響，而之前的分析并沒有考慮這一點(diǎn)。同時(shí)，之前的分析缺少實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。因此，本論文主要分析討論了變面積式加速度敏感元件中鋁電極之間的寄生電容對(duì)系統(tǒng)噪聲的影響，并且分析了該寄生電容的來源，最后對(duì)分析進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。1 加速度敏感元件結(jié)構(gòu)圖1所示是一種典型的變面積式梳狀柵電容的結(jié)構(gòu)示
傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2013年1期2013-06-11
- 基于噪聲抵消和線性度提高的差分LNA的設(shè)計(jì)
晶體管源端的寄生電容會(huì)對(duì)整個(gè)LNA的噪聲特性造成影響。本文中，引入一對(duì)電感與交叉耦合電容相連，消除了共柵極噪聲，一定程度上提高了LNA的線性度和增益。1 噪聲抵消本文設(shè)計(jì)了一種差分形式的LNA，電路圖如圖1所示：圖1 提出的LNA電路結(jié)構(gòu)Lg，Ls主要完成輸入端口的匹配，輸出端增加一個(gè)電阻Rd以提高電路的穩(wěn)定度，Rd，Ld，Cout1和Cout2完成輸出端口的匹配，Cb，Cout1用于隔離直流信號(hào)，Vdd是電源接點(diǎn)，Vb1、Vb2分別為 M1、M2提供偏置
微型電腦應(yīng)用 2013年3期2013-02-05
- 太陽電池陣寄生電容影響分析與對(duì)策
太陽電池陣的寄生電容增大［1-2］。由于寄生電容的存在，寄生電容瞬間放電產(chǎn)生較大峰值電流，會(huì)對(duì)分流管產(chǎn)生沖擊，甚至導(dǎo)致?lián)p壞，并且使電源控制器的分流調(diào)節(jié)電路出現(xiàn)兩級(jí)同時(shí)調(diào)整的過調(diào)制狀態(tài)。過調(diào)制會(huì)導(dǎo)致母線紋波幅度和頻率增大，也會(huì)導(dǎo)致電源控制器熱耗增加，影響供電母線的穩(wěn)定性［3-5］。本文給出了幾種太陽電池陣寄生電容典型測(cè)量值；分析了太陽電池陣寄生電容瞬間放電及響應(yīng)滯后分流控制過調(diào)制的影響；提出的峰值電流抑制電路可使放電峰值電流被抑制在可接受的范圍內(nèi)，降低分流管
航天器工程 2012年3期2012-12-29
- 多晶硅部分剝離技術(shù)對(duì)抗輻照VDMOS動(dòng)態(tài)特性的影響
其本征電容和寄生電容共同決定的[2]。單從器件的開關(guān)特性考慮，我們希望柵氧化層厚度略大些[3]，因?yàn)榧纳斎腚娙軨iss的大小隨柵氧化層厚度的增加而減小。然而，在考慮VDMOS器件的抗輻照特性時(shí)，為了總劑量輻照加固的需求，需要減薄氧化層的厚度，這樣勢(shì)必增加器件的寄生輸入電容。因而，如何有效減小VDMOS器件的寄生電容，成為抗輻照VDMOS器件設(shè)計(jì)的難題。圖1為100V抗輻照VDMOS寄生電容隨柵氧化層變化情況曲線。有由圖可見，柵氧化層的厚度直接影響器件的寄
電子世界 2012年2期2012-04-27
- 新型雙極性高壓快脈沖源的基本理論和實(shí)驗(yàn)
、正負(fù)對(duì)稱，寄生電容和輸入電感的諧振可使開關(guān)器件軟開通。1 基本結(jié)構(gòu)與電路分析該雙極性源由兩個(gè)boost變換器交錯(cuò)并聯(lián)而成，圖 1是其基本結(jié)構(gòu)。設(shè)濾波電容 C1、C2的電壓為UC。當(dāng) M1導(dǎo)通、M2斷開、D2續(xù)流時(shí)，負(fù)載 A端高出B端電位UC；反過來，負(fù)載端B高出A端電位UC；M1和M2均導(dǎo)通，則負(fù)載上無壓降。通過控制兩開關(guān)的切換，就能在負(fù)載上得到脈沖輸出。圖1 雙極性源的基本結(jié)構(gòu)Fig.1 Basic topology of the bipolar HV
核技術(shù) 2011年7期2011-03-24
- 面向可制造性設(shè)計(jì)的銅互連有源測(cè)試結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
進(jìn)步，互連線寄生電容已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路延時(shí)和噪聲的主要來源。提出并實(shí)現(xiàn)了一種基于電荷測(cè)量技術(shù)的互連寄生電容測(cè)試結(jié)構(gòu)。利用這種結(jié)構(gòu)可研究互連線和相關(guān)介質(zhì)的幾何尺寸變化，并可反饋應(yīng)用到器件的可制造性設(shè)計(jì)和工藝模型的建立中去?？芍圃煨栽O(shè)計(jì)；銅互連；電容提?。粶y(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)0 引言在超大規(guī)模集成電路中，隨著互連線密度和層數(shù)的成倍增加，互連線寄生所引起的時(shí)間延遲以及互連線之間的信號(hào)串?dāng)_已經(jīng)成為影響芯片性能的主要因素。制造過程中的工藝波動(dòng)引起的互連線寬度、間距、互
上海第二工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2010年2期2010-09-05